JPH02277689A - 光情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、レーザビームの照射により光学的に情報の記
録再生を行なう光情報記録媒体に係る。

（従来の技術） 光情報記録媒体として、２種類の構成のものが実用化さ
れている。第１の光情報記録媒体１００は空隔構成のも
のであり、第２の光情報記録媒体２００はベタ張り構成
と称せられるものである。それぞれの断面模式図を第１
２図（ａ）（ｂ）に示す、第１２図（ａ）が空隔構成、
（ｂ）がベタ張り構成である。第１２図（ａ）において
、１０１，１１１が基板、１０２．１１２がスペーサ、
１０３，１１３が記録膜、１０４が空隔である。

空隔構成においては、記録膜１０３が堆積された基板１
０１と、記録膜１１３が堆積された基板１１１の２枚が
対向するよう構成されることが特徴である。ベタ張り構
成においては、２枚の基板２０１，２１１に堆積された
記録膜２０２，２１２が、接着剤層２０３を介して対向
、一体化されていることが特徴である。

空隔構成の難点は、スペーサ１０２，１１２の部分のみ
で２枚の基板１０１，１１１が接着されているため、基
板１０１，１１１が変形しやすいことである。また、変
形防止には高度の技術や複雑な工程が必要なため、低コ
スト化が困難なことである。この様な難点があるにもか
かわらず、ベタ張り構成の光情報記録媒体が使用される
のは、ホール形成タイプの記録膜は、ベタ張り構成にす
ると著しい記録感度の低下を招くからである。即ち、空
隔構成はホール形成タイプの記録膜を使用する記録媒体
に専用の構成と言える。

ベタ張り構成においては、基板２０１，２１１の全面で
接着一体化されているため基板の変形が少ない利点があ
る。しかし、ベタ張り構成の記録媒体の難点は空隔構成
はどではないが、なお製造工程が多く、低コスト化が困
難なことである。

工程数増加やそれに伴なう歩留り低下等は、主としてそ
の原因が接着工程の採用にある。接着工程は塗布、硬化
、エージングの３工程からなる。

塗布工程はウェットプロセスである。一方、記録膜の形
成はほとんど全ての場合、真空蒸着やスパッタリングと
いうドライプロセスである。従って、両者の整合性は全
くない。即ち、生産性を向上させるために不可欠な連続
工程は不可能である。完全に独立した２工程として行な
わなければならない。接着剤の硬化、エージングはドラ
イプロセスである。しかし、これらの工程は通常数時間
から２４時間にもおよぶ長時間を必要とする生産性の低
い工程である。

即ち、製造工程が単純で、低コスト化が可能な光情報記
録媒体の実現が強く望まれている。

（発明が解決しようとする課題） 本発明の目的は、ドライプロセスのみによる、即ち、生
産性が高く、構成と工程とが単純で、従って、低コスト
化が達成できる光情報記録媒体を提供することにある。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段） 優れた記録再生特性を有しながら低コスト化が可能で実
用性に富む光情報記録媒体を得るために、本発明におい
ては、以下の３手段を用いる。

第１は、ベタ張り構成よりさらに単純なオーバコート構
成としたことである。第１図は、本発明にかかる実施態
様の一つである光情報記録媒体１０の断面を示す模式図
である。第１図において、１１が基板、１２が記録膜、
１３がオーバコートした保護膜である。

第２は、記録膜１２として、記録用レーザビームが照射
された場合、ホールと称される孔部ではなく、バブルと
称される隆起変形部の形成されるバブルモード記録媒体
を用いることである。バブルモード記録媒体の特徴は、
ホールモード記録媒体と異なり、保護膜が積層された場
合にも記録再生特性の劣化、特に再生信号コントラスト
比の低下の少ないことである。

第３は、保護膜１３として、記録膜１２と同様のドライ
プロセスによる成膜が可能であって、さらに保護膜とし
て満足すべき特性を備えた薄膜を使用することである。

即ち、その機械的な強度や硬度が大きく、従って、記録
膜の保護機能に富み、かつ、記録膜に対する密着性の良
好な新規の保護膜を使用することである。

以下、本発明にかかる記録媒体の記録膜、および保護膜
に関し、さらに詳細に説明する。

第２図は本発明にかかる光情報記録媒体１０の記録膜１
２と、保護膜１３の各断面を示す模式図である。

第２図において、記録膜１２中の１２１は、第１成分で
ある周期律表のＩＩＢ族の金属、ＩＩＩＢ族の金属、Ｉ
ＶＢ族の金属、ＶＢ族の金属、およびＶＩＢ族の金属の
いずれかの酸化物微粒子、または、上記金属のいずれか
の窒化物微粒子の少なくとも一方、または、両者である
。なお、以下、金属の表記について例えば　「周期律表
のＸＡ族の金属」をｒＸＡ金属」と略記する。また、金
属酸化物ないし金属窒化物からなる１２１の微粒子は記
録膜１２のマトリクスとなって記録膜の骨格を形成して
いる。また。

記録膜１２中の１２２は第２成分である有機物である。

この有機物１２２はマトリクス１２１の中に分散してい
る。さらに、記録膜１２中の１２３は、第３成分である
ＩＩＢ金金属ＩＩＩＢ金属、■Ｂ金金属ＶＢ金属、およ
びＶＩＢ金属の少なくとも一つの微粒子である。

次に、第２図における保護膜１３中の１３１は、第１成
分であるＩＴＢ金属、ＩＩＩＢ金金属ＩＶＢＶＢ金属Ｂ
金属、　ＶＩＢ金属、ＩＩＩＡ金属、ＩＶＡ金属、　　
ＶＡ金金属ＶＩＡ金属、ＶＩＩＡ金金属およびＶＩＩＩ
Ａ金金属いずれかの酸化物微粒子、ＩＩＩＢ金金属ｒＶ
ＢＶＢ金属［ｌ金属、■Ａ金金属ＶＡ金金属およびＶＩ
Ａ金属のいずれかの窒化物微粒子、ＩＩＩＢ金属、ＩＶ
ＢＶＢ金属ＶＡ金属、ＶＡ金金属ＶＩＡ金属、ＶＩＩＡ
金金属およびＶＩＩＩＡ金金属いずれかの炭化物微粒子
、ＩＶＡ金属。

ＶＡ金金属およびＶＩＡ金属のいずれかの硅化物微粒子
、ＢＩＢ金属、ｍＡ金金属ＩＶＡ金属、ＶＡ金金属ＶＩ
Ａ金属、ＶＩＩＡ金金属およびＶＩＩＩＡ金金属いずれ
かの硼化物微粒子の少なくとも一つである。この微粒子
１３１は保護膜１３のマトリクスとなって薄膜の骨格を
形成している。　また、保護膜１３中の１３２は第２成
分である有機物であり、　マトリクス１３］中に分散し
ている。

（作　用） 第３図は、バブルの形成された本発明記録媒体の断面を
示す模式図である。第３図において、１４で示した隆起
がバブルである。バブル形成部１４には、記録膜１２と
基板１１との間にボイド１５が形成されている。

記録膜１２は、第２図に示したように金属酸化物、ある
いは、窒化物微粒子と金属微粒子と有機物とを少くとも
含んでいる。そこで、かかる記録膜に記録用レーザビー
ムが照射された場合、以下の４ステツプを経てバブル１
４が形成される。即ち、第１ステツプは金属微粒子によ
るレーザビームの吸収であり、吸収の結果、金属微粒子
は昇温する。

第２ステツプは金属微粒子からの熱拡散による金属酸化
物、窒化物微粒子マトリクス、および、分散有機物の昇
温である。第３ステツプは、分散有機物の分解、蒸発で
ある６第４ステツプは、有機物の蒸発がガス圧力として
作用するために誘起される金属酸化物、窒化物微粒子マ
トリクスの変形である。このとき、記録膜上の保護膜１
３も記録膜１２と同様に隆起する。以上の過程により記
録媒体ＩＯにバブル１４が形成できる。

書込みの原理は上記のとおりだが、読出しは以下のよう
に行なわれる。即ち、この隆起変形部に読出し用レーザ
ビームが照射されると、ビームは回折される。そこで、
読出し用ビームの反射光を検出すれば、反射光量の変化
として変形部の有無、あるいは、さらに変形部の位置が
検出できる。読出し信号のコントラスト比は、変形量が
大であればある程大きい値となる。また、コントラスト
比が大きくとれる記録媒体においては、誤り率の少ない
信号処理を行なうことが容易である。バブルの形状は、
後述するように記録膜、保護膜の化学組成を適正化する
ことにより制御することができる。

保護膜の満足すべき特性として、前記したように、硬度
の高いこと、記録膜に対する密着性の良いこと、記録膜
と同様のドライプロセスにて成膜できることの３項目が
挙げられる。

第１の特性である保護膜の高硬度化はその属性として本
来高硬度の金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、金属
硅化物、金属硼化物の少なくとも一つを保護膜の構成成
分とすることで達成される。

また、第２に満足すべき特性である記録膜に対する保護
膜の密着力の増大は、保護膜の構成成分や組成などの化
学的特性、および、熱膨張率や内部応力などの物理的特
性を記録膜のそれぞれの特性に類似させることにより達
成される。具体的には、記録膜が金属酸化物、窒化物微
粒子と金属微粒子と有機物とから構成されているから、
保護膜として上記６種の高硬度成分に有機物を加えた構
成のものにすることで記録膜に対する高い密着力が得ら
れる。この本発明の保護膜の密着力は、上記６種の高硬
度化合物単独から構成された薄膜の密着力、あるいは、
有機物単独から構成された薄膜の密着力よりも大である
。

さらに、保護膜に備えさせるにき第３の特性である記録
膜との形成プロセスの類似性に関しては。

後にさらに詳細に説明するが、その構造の記録膜に対す
る類似性から充分可能であることは容易に首肯できるこ
とである。

なお、ここで保護膜の形成を記録膜の形成に弓続き行な
うことの一つの利点は、前述のように低コスト化が達成
できることであるが、もう一つの利点は、ピンホールや
異物の少ない保護膜の形成できること、即ち、誤り率の
少ない記録媒体を得るのに容易である。

（実施例） 本発明光情報記録媒体の記録膜１２の第１の構成成分で
ある金属酸化物や金属窒化物１２１としては、大気中に
保存された場合、安定なものであれば、いかなるものも
使用可能である。特に望ましいものとして以下が挙げら
れる。金属酸化物として、周期律表ｍｕ金金属酸化物Ａ
Ｑ□○１、Ｇａ、Ｏ，。

Ｉ　ｎ、　Ｏ，、ＩＶＢ　＊屈の酸化物Ｓｉｏ、、Ｇｅ
Ｏ□、ＳｎＯ２、ＶＢ金属の酸化物ｓｂ、○１．５ｂ２
ｏ、、Ｂｉ２０１、ＶＩＢ金属の酸化物Ｔｅａ、が使用
できる。

これらは単独使用の他、複数を混合させて使用すること
もできる。金属窒化物として、Ｉ［［Ｂ金属の窒化物Ｂ
Ｎ、ＡＱＮ、ＧａＮ、ＩｎＮ、　ＩＶＢＶＢ金属化物Ｓ
ｉ、Ｎ４、Ｇａ、Ｎ、が使用できる。これらは先の金属
酸化物と同様、複数を混合させて使用することもできる
。さらに金属酸化物と窒化物とでは独立にではなく、両
者を混合して用いることも、５ｉ−ＡＱ−〇−Ｎなどの
複数の金属と酸素、窒素との４元系として使用すること
も差しつかえない。

記録膜の第２の構成成分である記録膜１２中の有機物１
２２としては、炭素、水素、および、酸素。

あるいは窒素、あるいは両者と、さらには弗素を少くと
も含む有機物であれば、いかなる有機物も使用可能であ
る。

記録膜の第３の構成成分である記録膜１２中の金属微粒
子１２３としては、大気中に保管された場合、安定なも
のであれば、いかなるものも使用できる。

特に望ましいものとして以下のものが使用できる。

即ち、周期律表のＩＩＢ金金属Ｚｎ、［８金属のＡＱ。

Ｉｎ、■８金属のＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、ＶＢ金属のＳｂ。

Ｂｉ、ＶＩＢ金属のＴｅが使用できる。これらは単独採
用の他、複数を混合して使用することもできる。

また、合金化して、あるいは金属間化合物として使用す
ることもできる。

本発明記録媒体の保護膜１３の第１の構成成分である金
属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、金属硅化物、金属
硼化物１３１としては同じく、大気中に保管された場合
、安定なものであれば、いかなるものも使用可能である
。特に望ましいものとして以下が挙げられる。金属酸化
物として、周期律表ＩＢ金金属酸化物ＣｕＯ２、ＩＩＢ
金属の酸化物Ｚｎ○、　ＩｆｆＢ　ｍ属の酸化物ＡＱ２
０．、Ｇａ２Ｏ，、Ｉｎ２０１、　ＩＶＢＶＢ金属化物
Ｓｉ○２、ＧａＯ２、ＳｎＯ，、ＶＢ金属の酸化物５ｂ
２ｏ、、５ｂ２ｏ、、Ｂｉ、０３、ＶＩＢ金属の酸化物
Ｔ　ｅ　Ｏ２、ＨＡ金金属酸化物Ｙ、Ｏｆｆ、希土類金
属の酸化物、ＩＶＡ金属の酸化物Ｔｉｅ、、Ｚ　ｒ　Ｏ
，、ＨｆＯ２、ＶＡ金金属酸化物Ｖ、０３．Ｎｂ２Ｏ，
，Ｔａ、Ｏ，、ＶＩＡ金属の酸化物Ｃｒ２０１　、　Ｍ
　Ｏ２０３、ＷＯ２、■へ金属の酸化物ＭｎＯ，Ｍ、２
０．．Ｍｎ、Ｏ，、ＲｅＯ２、ＶＩＩＩＡ金金属酸化物
Ｆｅ、Ｏ，、Ｆｅ５０．、ＲｕＯ２、ＣｏＯ，Ｎｉ○な
どが使用できる。金属窒化物として、周期律表Ｉ［［Ｂ
金属の窒化物ＢＮ、　　ＡＱＮ、ＧａＮ、ＩｎＮ、■Ｂ
金金属窒化物Ｓｉ、Ｎ、、Ｇｅ、Ｎ、、ＶＢ金属の窒化
物ＳｂＮ、またＩＶＡ金属の窒化物ＴｉＮ、ＺｒＮ、Ｈ
ｆＮ、ＶＡ金金属窒化物ＶＣ，ＮｂＣ３Ｔ　ａ　Ｃ１Ｖ
ＩＡ金属の窒化物Ｃｒ　Ｎ　、　Ｍ　ｏ　Ｎ　、　Ｗ　
Ｎなどが使用できる。

炭化物として、周期律表ＩＩＩＢ金属の炭化物Ｂ４Ｃ３
■８金属の炭化物５ｉＣ１また、ＭＣ型のＴ　ｉ　Ｃ３
ＺｒＣ，ＨｆＣ，ＶＣ，ＮｂＣ，ＴａＣ，ＭｏＣ１ＷＣ
１さらにＭＣ２型のＶＣ２、ＴａＣ２、Ｍ　ｏ　Ｃ２、
ＷＣ２、さらにＭ３Ｃ型のＭｎ、Ｃ，Ｆｅ、Ｃ，Ｇｏ、
Ｃ１Ｎｉ３Ｃなどが使用できる。金属硅化物として、周
期律表ＩＶＡ金属の硅化物ＴｉＳｉ２、Ｚ　ｒ　Ｓ　ｉ
、、ＨｆＳｉ、ＶＡ金金属硅化物ＶＳｉ２、Ｎｂ５Ｓｉ
、、ＴａＳｉ、、ＶＩＡ金属の硅化物ＣｒＳｉ２、Ｍｏ
Ｓｉ２、ＷＳｉ２．ＶＩＩＩＡ金金属ＭｎＳｉ、ＶＩＩ
ＩＡ金金属Ｆｅ、Ｓｉ、ＣｏＳｉ、、Ｎｉ５２などが使
用できる。金属硼化物としては、周期律表Ｉ［ＩＡ金金
属硼化物Ｙｂ４、Ｙｂ１□、ＩＩＩＢ金属の硼化物Ａｌ
２Ｂ２、ＬａＢ、などの希土類金属の硼化物、　　ＩＶ
Ａ金属の硼化物ＴｉＢ、ＴｉＢ２、ＺｒＢ、ＺｒＢ２、
ＺｒＢ、、、ＨｆＢ、、ＶＡ金金属硼化物Ｖ　Ｂ　、Ｎ
　ｂ　Ｂ　、　Ｔ　ａ　Ｂ　ｚ、Ｔａ３Ｂ、、ＶＩＡ金
属の硼化物ＣｒＢ、ＣｒＢ２、Ｃｒ、　Ｂ４．　Ｃｒ２
Ｂ　、Ｃｒ、　Ｂ　。

ＶＩＩＡ金金属硼化物ＭｎＢ、ＭｎＢ、、ＶＩＩＩＡ金
金属硼化物ＦｅＢ、Ｆｅ、Ｂ、Ｃｏ３Ｂ、Ｎｉ、Ｂ　な
どが使用できる。

保護膜１３中の第２の構成成分である有機物１３２とし
ては、記録膜１２と同様の有機物が使用できる。

即ち、炭素、水素、および、酸素、あるいは、窒素、あ
るいは両者と、さらには弗素とを少くとも含む有機物で
あれば、いかなる有機物も使用可能である。

このような構造の記録膜、保護膜は、以下のような種々
の方法で製作することができる。第１の方法は、反応性
スパタリングとプラズマ重合法とを同時に行なわせる方
法である。第２はマルチターゲットによるスパタリング
とプラズマ重合とを同時に行なわせる方法である。第３
はプラズマ重合とマルチソースによる蒸着とを同時に行
なわせる方法である。第４はマルチターゲットのスバタ
リングのみによる方法である。第５はマルチソースの蒸
着のみによる方法である。第６は有機金属やハロゲン化
金属と炭化水素等とを原料とするプラズマＣＶＤによる
方法である。

第１の方法により本発明の記録膜、保護膜を製作する詳
細な実施例を以下に示す。例えば、金属酸化物微粒子と
当該金属酸化物の金属微粒子と有機物とを少くとも含む
記録膜を形成するには、当該金属のターゲットを炭化水
素、酸素、あるいは、さらにアルゴン、弗化炭素を少く
とも含む混合ガスでスバタリングしてやれば良い。同様
に、金属窒化物微粒子と当該金属窒化物の金属微粒子と
有機物とを少くとも含む薄膜を製作するには、当該金属
のターゲットを炭化水素、窒素、あるいは、さらにアル
ゴン、弗化炭素を少くとも含む混合ガスでスパタリング
してやればよい。ここで、炭化水素としては、　ＣＨ４
，Ｃ，ＨいＣ，Ｈ，などのメタン系炭化水素、Ｃｚ　Ｈ
４、Ｃａ　Ｈｉなどのエチレン系炭化水素、Ｃ，Ｈ２、
Ｃ，Ｈ４などのアセチレン系炭化水素、　Ｃ，Ｈ，、Ｃ
，Ｈ，−ＣＨ，、Ｃ，Ｉ−（□２などの環状炭化水素が
使用可能である。

弗化炭素としては、ＣＦ４．ＣＨＦ、、Ｃ，ＦいＣ，Ｆ
、などのメタン系弗化炭素、Ｃ，Ｆ４．Ｃ３Ｆ１Ｃ２Ｈ
，Ｆ、などのエチレン系弗化水素、Ｃ４Ｆ、、Ｃ，Ｆい
Ｃ，Ｆ１□などの環状弗化炭素が使用可能である。

また、金属酸化物微粒子と有機物とを少くとも含む保護
膜を形成するには、当該金属のターゲットを炭化水素、
酸素、あるいは、さらに弗化炭素を少くとも含む混合ガ
スでスパタリングしてやれば良い。保護膜形成に用いる
炭化水素、弗化炭素としては、前記記録膜の形成に用い
られる炭化水素、弗化炭素はいずれも使用可能である。

ここで、記録膜と保護膜との構造が異なるにもかかわら
ず、上記したほぼ同様の製造方法で両者が製作できる理
由は、次のとおりである。即ち、スバタリング装置にお
ける放電において、通常パラメータとして変化させうる
ものは、ガス組成。

放電圧力、印加電力、放電時間、ガスの平均滞在時間の
５種である。本発明で開示する記録膜、および、保護膜
の形成の場合、前記したように反応性スパタリングとプ
ラズマ重合とが同時に進行する。ガス組成、放電時間、
ガスの平均滞在時間を一定にした場合、放電圧力の増加
、印加電力の低下に伴ないプラズマ重合が促進され、逆
に、放電圧力の低下、印加電力の増加に伴ない反応性ス
パタリングが促進される傾向にある。そこで、形成され
る薄膜の化学組成は、放電圧力、印加電力を変化させる
ことにより制御できる。

印加電力が一定のとき、放電圧力により薄膜の化学組成
がどのように変化するかを第４図を用いて説明する。第
４図はある印加電力のもとにおける本発明にかかる第１
の製造方法による記録膜などの薄膜の堆積速度と放電圧
力との関係である。

薄膜の堆積速度は曲線Ａで表わされるように、放電圧力
の増加に伴なってゆるやかに増加する。ところが、この
薄膜は反応性スバタリングにより薄膜中にとり込まれる
成分とプラズマ重合によりとり込まれる成分との両者か
ら構成されている。前者の成分の堆積速度は曲線Ｂで表
わされるように。

ある放電圧力のもとて極値を示し、その圧力より高い放
電圧力では急激に低下する。一方、後者の成分の堆積速
度は曲ｍＣで表わされるように、放電圧力の増加に伴な
ってほぼ単調に増加する。

次に、放電圧力が一定のとき、印加電圧により薄膜の化
学組成がどのように変化するかを第５図を用いて説明す
る。第５図は、ある放電圧力のもとにおける薄膜の堆積
速度と印加電力との関係である。薄膜の堆積速度は曲線
Ａで表わされるように印加電力の増加に伴なって増加す
る。ここで。

この堆積速度の増加は、主として反応性スバタリングに
より薄膜中にとり込まれる成分の堆積速度Ｂの増加によ
るものである。プラズマ重合によりとり込まれる成分は
印加電力が低い領域において極値を示す。

また、放電圧力、印加電圧が一定であっても、ガス組成
を変化させることにより形成する薄膜の化学組成を制御
することもできる。即ち、反応性ガスを含ませた混合ガ
スによるスパタリングの場合、形成される薄膜は、■金
属成分のみから構成される場合、■金属成分と金属酸化
物、窒化物微粒子との混合物とから構成される場合、■
反応生成物である金属酸化物、窒化物微粒子のみから構
成される場合、の３種に分類できる。この薄１漠の構成
成分の変化は、反応性ガスの分圧に一次的には依存する
。即ち、金属成分のみから薄膜が構成される分圧をＰＭ
、金属成分と金属酸化物、窒化物微粒子とから薄膜が構
成される分圧をＰ。、金属酸化物、窒化物微粒子のみか
ら薄膜が構成される分圧をＰ、としたとき、　これら３
者の間にはある適当な印加電力、放電圧力等の条件のも
とにおいで以下の関係が成立する。

そこで、本発明記録膜形成の場合、ある印加電力、放電
圧力のもとにおける反応性ガスの分圧と反応性スパタリ
ングによる生成物とプラズマ重合による有機物との堆積
速度との関係は第６図のようになる。第６図において、
Ｂ−１は反応性スバタリングによる生成物のうち金属成
分の堆積速度であり、Ｂ−２は金属酸化物、窒化物微粒
子の堆積速度である。また、Ｃは有機物の堆積速度、Ａ
はトータルの薄膜の堆積速度である。ここで、金属酸化
物、窒化物微粒子が記録膜にとりこまれる最小の応答性
ガスの分圧がＰ工、金属成分が記録膜にとりこまれる最
大の応答性ガスの分圧がＰ２である。

次に、ガスの平均滞在時間を制御することによす有機物
の分解温度を制御することもできる。これは、ガスの平
均滞在時間を大きくすることにより、プラズマ重合反応
が促進され、より緻密な３次元構造の、別の表現をとれ
ば、より高度に架橋した有機物が形成でき、このような
構造になればなる程、その有機物の分解温度は上昇する
からである６ 最後に、放電時間は薄膜の薄膜に直接関係する。

以上、５種のパラメータに関し、これらを変化させると
どのような記録膜が形成できるか、あるいは、目的とす
る記録膜をどのような手段で製作するかを説明した。こ
れらのパラメータを適切に選定することにより記録膜の
記録再生特性、分光特性、寿命特性等を目的に適ったも
のに制御することができる。

本発明の記録媒体の第２の製造方法は、マルチターゲッ
トによる同時スパタリングとプラズマ重合とを同時に行
なわせる方法であって、特に硅化物や硼化物など反応性
スバタリングで形成しにくい構成成分からなる保護膜の
形成に有力な方法である。具体的には、記録膜の形成を
前記したいずれかの金属ターゲットと前記したいずれか
の金属酸化物、金属窒化物ターゲットのステアリン酸と
炭化水素等プラズマ重合とによって行なう、同様に、保
護膜の形成を前記したいずれかの金属酸化物等化合物タ
ーゲットのスバタリングと炭化水素等のプラズマ重合等
によって行なう、プラズマ重合の原料となる炭化水素、
弗化炭素は、前記、第１の製造方法において挙げたもの
はいずれも使用可能である。

本発明の記録媒体の第３の製造方法は、記録膜。

および、保護膜中の有機物以外の構成成分を、電子ビー
ム蒸着等の方法によって薄膜中にとり込む方法である。

具体的には、記録膜の形成を前記したいずれかの金属原
料と前記したいずれかの金属酸化物、窒化物原料をそれ
ぞれ異なるルツボに入れ、交互に電子ビームを照射して
蒸発させるブ、ロセスと炭化水素等のプラズマ重合によ
って行なう。

保護膜は前記したいずれかの金属酸化物等化合物材料の
電子ビーム照射による蒸発と炭化水素等のプラズマ重合
とを同時に行なわせる方法、あるいは、プラズマ中に酸
素、窒素等を導入した反応性蒸着と炭化水素等のプラズ
マ重合のプロセスとを同時に行なわせる方法によって形
成する。この製造方法の場合にも、プラズマ重合の原料
となる炭化水素、弗化水素は、前記、第１の製造方法に
おいて挙げたものはいずれも使用可能である。

本発明の記録媒体の第４の製造方法は、マルチターゲッ
トの同時スパタリングのみによる方法である。記録膜は
、前記したいずれかの金属ターゲットと前記したいずれ
かの金属酸化物、窒化物ターゲットと有機物ターゲット
の同時ステアリン酸によって形成する。有機物ターゲッ
トとしては、ＰＴＦＥ、ＰＦＡ、ＦＥＰ、ＥＰＥ、ＥＴ
ＦＥ、ＰＣＴＦＥ％ＰＶＤＦ、ＰＶＦ等の含弗素重合物
やポリイミド、ポリエーテルイミド等の含窒素重合物や
ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン等の
含酸素重合物などが使用できる。スバタリングはアルゴ
ン等の希ガスを用いて行なうが、有機物ターゲットの種
類によっては炭化水素。

弗化炭素等を添加することも記録媒体の記録再生特性を
向上させる上で有力な方法である。保護膜は、前記した
化合物ターゲット、および、前記した有機物ターゲット
の同時スパタリングにより形成する。スバタリングはア
ルゴン等の希ガス、あるいは、さらに炭化水素、弗化炭
素等を添加して行なう。添加ガスは密着性や耐傷性を向
上させる目的で使用する。

本発明の記録媒体の第５の製造方法は、マルチソースの
蒸着による方法である。記録膜、および。

保護膜は、前記したいずれかの金属原料をタングステン
、モリブデン、タンタル等高融点金属からなるボートの
抵抗加熱による真空蒸着、あるいは電子ビーム蒸着と前
記したいずれかの金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物
、金属硅化物、金属硼化物原料の電子ビーム蒸着と有機
物材料の金属ボートの抵抗加熱による真空蒸着を同時に
行なわせることによって形成する。有機物原料としては
以下の各種のものが使用できる。即ち、ステアリン酸。

パルミチン酸、ミリスチン酸、スルファニル酸等のカル
ボン酸、ナイロン、ポリビニルアルコール、メチルセル
ロース、ポリメタクリル酸、ポリエチレンなどである。

また、フタロシアニン、シアニン等の色素も好ましい有
機物である。

本発明の記録媒体の第６の製造方法は、揮発性の高い有
機金属化合物や水素化物、ハロゲン化物やカルボニル化
合物と炭化水素等を原料とするプラズマＣＶＤによる方
法である。有機金属化合物は主として周期律表のＩＢ、
ＩＩＢ、ＩＩＩＢ、ＩＶＢ。

ＶＢ　、ＶＩＢ　、■Ｂ金金属原料として使用できる。

例えば有機金属化合物はＡＱ（ＣＨ３）、、Ｇａ（ＣＨ
，）、、Ｉｎ（ＣＨ３）、、５ｉ（ＣＨ，）４、Ｇａ（
ＣＨ，）４．５ｎ（ＣＨｘ）４．５ｂ（ＣＨａ）ａ、Ｂ
ｉ（ＣＨ，）、などであり、水素化物は　ＳｉＨ４，Ｇ
ａＨ４，ＳｂＨ，などが使用可能である。ハロゲン化物
やカルボニル化合物は主として周期律表のＨＡ　、　ｒ
ＶＡ　、　ＶＡ　、ＶＩＡ　、ＶＩＩＩＡ。

ＶＩＩＩＡ金金属希土類金属の原料として使用できる。

例えば、ＹＦ３．ＬａＦ、、ＭｎＦ、、ＦｅＦ、、Ｎｉ
Ｆ。

などの弗化物、Ｔｉ（４，、ＣｒＣら、ＮｂＣＱ、、Ｃ
ｒ（Ｃｏ）ｓ、ＴａＣ１，、ＣｒＣＱ３、ＭｏＣＱｓ、
ＷＣＱ、などの塩化物、あるいはＭ　ｏ　（Ｇ　Ｏ）　
−、Ｗ　（Ｇ　Ｏ）　ｓ　、　Ｆ　ｅ　（ＣＯ）　ｓ、
Ｇｏ、（Ｇｏ）、、Ｎ１（Ｃ○）、、Ｒｈ、（Ｃ○）１
１　などのカルボニル化合物である。また、（ＣｚＨｓ
ＬＴｉＣ：ら、（Ｃ，Ｈ，）、ＺｒＣＱ、、（Ｃ，Ｈ，
）２Ｈｆ（１，。

（Ｃ，Ｈ，）２ＭｏＣら、（ｃ２Ｈｓ）ａｗｃｔ、など
の金属錯体、またＹ（ＯＣ５Ｈ７）３、Ｔｉ（ＯＣ，Ｈ
，）、、Ｚ　ｒ　（ＯＣ３Ｈ７）　ａ、Ｎｂ（ＱＣ，Ｈ
，）、、Ｔａ（ＱＣ，Ｈ，）、。

Ｃｕ（ＯＣＨ−）ａ、Ａｌ２（ＯＣ３Ｈ１）、、　Ｓｉ
（ＱＣ２Ｈｇ）４゜５ｎ（ＱＣ，Ｈ，）、、５ｂ（ＱＣ
，Ｈ，）ａ、Ｂｉ（ＯＣ２Ｈ５）３などの金属アルコキ
シドも使用できる。これらは。

要すれば加熱等の処理を加えた後ＣＶＤの反応容器へ導
入される。また、キャリアガスとしてＨａ、Ｎｅ、Ｘｅ
、Ａｒ、Ｎ、などが用いられ、さらに反応性ガストシテ
０２、Ｃ０１Ｇｏ、、　Ｎ、Ｏ，Ｎ、、ＮＨ，、Ｎ２Ｈ
いＣＨいＣ，Ｈ４，Ｃ，Ｈ，、Ｃ，ＨいＣ，Ｈ，、ＣＦ
いＣ，Ｆ、、Ｃ２ＦいＣ，Ｈ，などが用いられる。

本発明記録膜、保護膜の基本構造、製造方法については
上記のとおりであるが、基本構造以外に記録膜、保護膜
が満足すべき諸特性を以下に記す。

記録膜が満足すべき特性の第１は、バブル形成タイプの
記録膜として適当な２０以上２００ｎｍ以下の膜厚範囲
において、　その分光吸収率が１０以上６０％以下、分
光反射率が３０％以上を示すことである。記録膜の分光
特性は、主として記録膜中の金属微粒子の性状、即ち、
種類や粒径、またその含有量に依存する。本発明の記録
膜の場合、記録膜中の金属微粒子が５以上１５重量％程
度含まれていれば、分光吸収率、分光反射率は上記の範
囲に入る。

満足すべき特性の第２は、再生信号コントラスト比が０
．６以上の大きい値のとれる形状良好で充分な隆起高さ
をもったバブルの形成できることである。バブルの形成
は前記したように記録膜中の有機物の蒸発がガス圧力と
して記録膜と基板との界面に作用する結果として発現し
たものである。

本発明の記録膜の場合、記録膜中の有機物量が０．５以
上４重量％以下であれば、上記の良好な再生信号コント
ラスト比が得られる６本発明の記録膜からの有機物の蒸
発温度、即ち、記Ｂ膜の分解温度は、有機物の性状、種
類、分子構造、分子量などによっても異なるが、１００
以上２５０℃以下の範囲である。記録膜中の金属酸化物
、窒化物微粒子の粒径は１０ｎｍ以下に微細であること
が望ましい、膜厚方向の微粒子数として、少くとも１５
グレイン程度以上は必要である。記録膜中の金属微粒子
の粒径も１０ｎ＋＋＋以下であることが望ましい。

また、耐食性を向上させる観点から金属微粒子は非晶質
であることが望ましい、上記した記録膜、および、保護
膜としての諸特性、即ち１組成、蒸発温度１１分光特性
、粒径、結晶性は記録膜形成時の膜形成パラメータを所
定のものに制御することにより目的の値にすることがで
きる。

保護膜が満足すべき特性の第１は、通常のドライプロセ
ス法による成膜方法によって容易に実現できる範囲であ
る５０００票以下の膜厚において、スクラッチなどによ
る記録膜の損傷に対する充分な保護機能を有することで
ある。この保護機能は保護膜の機械的な硬度の高い程大
きい０本発明の保護膜の場合、その構成成分の一つとし
て、本来、高硬度が特徴である金属酸化物などの化合物
微粒子が含まれているため充分大きい機械的硬度が付与
されている。種々の実験の結果、保護膜の硬度の値とし
ては、ＪＩＳ　Ｋ５４００に定められた鉛筆硬度で４Ｈ
以上あれば、記録膜の保護機能が充分であった・ 保護膜が満足すべき特性の第２は、記録膜に対する高い
密着性を有することである。前記した金属酸化物などの
化合物のみから構成される保護膜の場合、その内部応力
の高いことが多く、積層過程や積層後の放置期間等にお
いて保護膜にクラックの発生をみたり、保護膜が剥離し
たりする問題が多かった０本発明の保護膜の場合、内部
応力の減少に有効な有機物が構成成分として含まれてい
るため、内部応力に起因するクラック発生、剥離の問題
はほとんど見られなかった。保護膜中の有機物量として
は、０．４以上６重量％以下が適当である。保護膜中の
金属酸化物などの化合物微粒子の粒径はＩｏｎｍ以下に
微細であることが望ましい。

内部応力が緩和され、結果として密着力が向上する効果
が増大するためである。膜厚方向の粒子数として少くと
も２０グレイン程度以上は必要である。上記した保護膜
としての諸特性、即ち、組成、粒径などでは保護膜形成
時の膜形成パラメータを所定のものに制御することによ
り目的の値にすることができる。また、保護膜はピンホ
ールやボイドなどもなく、さらに緻密なものであること
が望ましい。保護膜の緻密化、即ち、高密度化は諸特性
と同様に膜形成パラメータを適正化することにより達成
できる。記録膜に対する保護膜の密着性を定量的に評価
することは難しいが、成膜後の光メモリ製作工程におけ
る剥離トラブルの発生は、保護膜中の有機物量が上記の
範囲であれば、実用上無視できるほどに少ない結果を得
た。

さらに、記録再生用レーザビームを保護膜側から照射す
る場合、保護膜が満足すべき第３の特性として、分光透
過率の高いことが要求される。レーザビームを有効に記
録膜に到達させ高い効率で記録を行なうこと、あるいは
、少ない誤り率で再生を行なうためである。分光透過率
としては６０％以上あることが望ましい０本発明の保護
膜の場合、構成成分が金属酸化物などの化合物微粒子と
有機物とであるため、本来高い光の吸収性は示さない。

また、仮に保護膜の形成条件の如何かによって保護膜中
に金属微粒子が含まれたとしても、分光透過率が６０％
未満に低下することなく、さらに他の保護機能や密着性
が減少しなければ何ら差しつかえはない。

本発明の光情報記録媒体の基板としては各種のものを用
いることができる。即ち、基板の形状、材質は、その記
録媒体がいかなる記録再生装置に用いられるかによって
変化する。ただし、記録媒体の主要な特性は基板の如何
によらず、はぼ固有の特性を示すからである。例えば、
本発明の記録媒体は、光メモリディスク、光メモリカー
ド、光メモリテープのいずれの形態においても使用可能
である。

光モメリディスクとしては、金属系の基板、有機物系の
基板、ガラス基板のいずれも使用可能である。金属系の
基板としてはＡＱ製、Ａ１合金製のもの、有機物系の基
板としては、アクリル系、ポリカーボネイト系、エポキ
シ系、ポリオレフィン系、ボリアリレート系、ポリエー
テルケトンォン系、ポリエーテルイミド系、ポリエーテ
ルケトン、ポリエーテルエーテルケトン系、ポリフェニ
ルサルライン系等のものが使用可能である。形状として
は、φ１４′、φ１２′、φ８′、φ５１八１φ３１八
″、φ２′　等のものに適用可能である。

基板の厚さとしては１．５ｔ、１．２ｔなどいずれのも
のにも適用可能である。光メモリディスクの構成として
は第１図に示すものが適当である。光メモリカードとし
ては、ガラス基板を除く、金属系、有機系の基板のいず
れにも適用可能である。外径は８６Ｘ５４ｎｎ＋のＩＳ
Ｏ規格のもの、それ以外のものにも適用可能である。基
板の厚さは１．２ｔ、０．７ｔ、０．４を等のいずれに
も適用可能である。光メモリテープの基板としては、厚
さ２５．程度のテープ形状に成形が可能であって、成膜
時の温度上昇に耐えられる耐熱性と過酷な動作条件に耐
えられる機械的強度があれば、いかなるものも適用可能
である０例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエ
ーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケト
ン、ポリエーテルイミド、ポリスルフォン、ボリアリレ
ート等が使用できる。

上記した各種基板は、その表面にトラッキングガイド用
のグループの形成されていることが望ましい。グループ
は基板表面に直接形成されであるもの、例えば紫外線硬
化樹脂からなるグループ形成層が積層されであるものの
いずれも使用できる。

またグループのパターンは、光ディスクであればスパイ
ラル状、同心円状、光カードであればストライプ状、円
弧状、光テープであればストライプ状のものが適当であ
る。また、フォーマット、および、トラッキング用のパ
ターンが配置されである基板が望ましい。

（実施例−１） 記録膜、保護膜が下記のような６種の光情報記録媒体（
第１表参照）を製作した。即ち、記録膜＼保護膜が、そ
れぞれ、（ＡらＯ，＋ＡＱ十有機物）＼（ＡＱ、０３＋
有機物）、　（Ｉｎ、Ｏ，＋Ｉｎ＋有機物）＼（Ｉ　ｎ
、０３＋有機物）、（Ｓ　ｎ　Ｏ、＋　Ｓ　ｎ十有機物
）＼（ＳｎＯ，十有機物）、（ＳｂＯ，＋Ｓｂ＋有機物
）＼（ｓｂ、○、十有機物）、（Ｂｉ、Ｏ，＋Ｂｉ＋有
機物）＼（Ｂｉｚｏａ＋有機物）、（Ｔ　ｅ　Ｏ、＋　
Ｔ　ｅ＋有機物）＼（Ｔｅａ、十有機物）、の６種であ
る。記録膜と保護膜との形成は、それぞれ当該金属から
なるターゲットを具備させたＲＦマグネトロンスパタ装
置（捻出製作所製ＣＦＳ　−８ＥＲＦ型）を用いて行な
った。

ターゲット（純度４Ｎ、高純度化学層）の形状は、φ１
２５Ｘ４ｔである。基板は、形状φ１３０Ｘ１．２ｔで
、ポリカーボネート樹脂製（出光石油化学展Ｍ８Ａ２５
１−＾、連続サーボ用グループ付き）のものを使用した
。記録膜と保護膜との形成にかかる放電、即ち、反応性
スパタリングとプラズマ重合とは、ＣＨ，、Ｏ，、ＣＦ
、からなる混合ガスを用いて行なわせた。混合ガスの組
成は、ＣＨ１１０□／ＣＦ、＝６４．４／２７．６／８
．０　（体積％）に統一した。

ガスの流量は、　Ｑｃｏ＊／　Ｑｏ＊／　ＱＣＦ４＝１
４．０／６．０／１．７　ＳＣＣＭとした。記録膜の形
成は、印加電力６００Ｗ、放電圧力６ｍＴｏｒｒ　（Ｎ
ｚ換算値）、放電時間は、記録膜の膜厚が８０ｎ＋＋＋
になるよう２〜３分間の範囲で調整した。保護膜の形成
は、記録膜の形成に引続き、同一スパタ装置で行なった
。保護膜形成の各条件は、印加電力を３００Ｗ、放電圧
力を９ｍＴｏｒｒ　（Ｎｚ換算値）、放電時間を４分間
とした他は、記録膜形成時と同一のガス種、ガス組成、
ガス流量とした。このようにして形成した保護膜の膜厚
は１７０から２１０ｎｍであった。

上記記録膜、保護膜の化学組成を以下のように求めた。

即ち、同一の条件でシリコン基板へ堆積させた記録膜、
および、保護膜に関し熱重量分析から求めた有機物量は
、それぞれ、約２から約４重量％、約３から約５重量％
であった。また、同様にして製作した試料に関し示差走
査熱量分析から求めた金属成分量は、記録膜中が約８か
ら約２０重量％であり、保護膜中が約１重量％前後であ
った。また、熱重量分析から求めた記録膜の蒸発温度は
、約１２０から約１７０℃であり、保護膜の蒸発温度は
約１８０から約２１０℃であった。

記録膜、保護膜の密着性を次の３種の試料に関する粘着
テープの引きはがし試験で評価した。第１、第２の試料
はポリカーボネート樹脂基板へ記録膜、保護膜を、それ
ぞれ単層形成した試料であり、第３の試料はポリカーボ
ネイト樹脂基板へ記録膜、保護膜の順に積層した試料で
ある０次にＪＩＳ　ＤＯ２０２に定められた方法（とば
ん目試験法）で密着性を調べたところ、いずれの試料に
おいても全く剥離が認められなかった。同一条件でガラ
ス基板上に形成した保護膜に関し、ＡＳＴＭ　３３６３
、ＪＩＳ　Ｋ５４００．　Ｋ５４０１に定める方法でそ
の鉛筆引っかき硬度を求めたところ、６種の保護膜のい
ずれも４Ｈから６Ｈという大きい硬度の値を示した。

次に、これら６種の光ディスクに関し、以下のようにし
て寿命特性を評価した。即ち、６０℃、９０％ＲＨの環
境条件下における５００時間放置前後の分光反射率（′
ｌｊＡ定波長８３０ｎｍ、Ｃａｒｙ−１７にて測定）の
変化による評価である。放置前の分光反射率をＲｏ、放
置後をＲ１として、Ｒ１／ＲＯの値は６種光デイスクの
いずれも０．９５以上という良好な寿命特性を示した。

なお、これら６種光デイスクの寿命評価前の分光反射率
Ｒ６は、いずれも４０％以上という値であった。この値
は、高いＳＮ比で再生信号を処理するのに充分なレベル
の値である。

さらに記録膜、保護膜の密着性、保護膜の硬度を上記環
境条件による放置後においても測定評価したところ、密
着性、硬度のいずれも放置前と変らない特性であった。

このようにして製作した６種の光ディスクについて記録
再生特性を測定した。測定は、回転数１８００ｒｐ＋＊
、半径５５ｍの位Ｍ（緩速１０．４ｍ／５ｅｃ）におい
て行なった。レーザビームの波長は８３０ｒ＋ｓ＋、対
物レンズのＮＡは０．６である。記録は、書込みパワー
を１０から１８ｍＷ、　パルス幅を１５０ｎｓｅｃで行
なった。再生は、レーザ出力０．Ｆ＋＋＋Ｗの連続ビー
ムで行なった。書込みパワーを変化させて求めた再生信
号コントラスト比の飽和値とそのコントラスト比を得る
のに必要であった存込みパワーと光ディスクの構成との
関係を第１表に示す。

（以下余白） ６種光デイスクのいずれも再生信号コントラスト比は０
．５以上という実用に充分な大きい値であった。ここで
再生信号コントラスト比は、書込み部分からの反射光量
をＲい　朱書込み部分からの反射光量をＲ，とじて、（
Ｒ，−Ｒユ）／（Ｒ，＋Ｒ，）から求められる値をあて
た。

（実施例−２） 保護膜を共通とし、記録膜を異にする１０種の光ディス
クを製作した。　１０種記録膜の構成（第２表参照）は
、［（Ｉｎ、３Ｚｎ１．）、Ｏ，＋Ｉｎ、３Ｚｎ１．＋
有機物コ、［（ｒ　ｎ　７１　Ａｇ２４）２０３　＋　
Ｉ　ｎｔｓ　Ａら、十有機物］、［（Ｉ　ｎ　ｙｓ　Ｓ
　１ｔｓ）ｚ　０３　＋　Ｉ　ｎｕｌｌ　Ｓ　ｉｚ２＋
有機物］。

［（ＩｎｔｓＧｅｓ２）ｉｏ、　＋　Ｉ　ｎｔｓ　Ｇｅ
ｚ２＋有機物コ、［（Ｉ　ｎ　ｓｏ　Ｓ　ｎ１Ｊｉ　０
３　＋　Ｉ　ｎ＠４　Ｓ　ｎ１＠十有機物］、［（Ｉｎ
ｔｓＳｂｚＪｉＯａ＋Ｉｎ７，５ｂ３４＋有機物］、［
（Ｉ　ｎ　ｔｓ　Ｂ　１ｓ４）ｚ○３　＋　Ｉ　ｎｔｓ
　８１２４＋有機物］、［（Ｉ　ｎ　＊＊　Ｔｘｔｓ）
ｉ　ｏ、　十Ｉ　ｎ＠４　Ｔｉ１．十有機物］、［（Ｉ
ｎ＊＊Ｃｒｔｓ）ｚｏａ＋Ｉｎ＠４Ｃｒｘｇ＋有機物］
、［（Ｉｎｓ、Ｃｏ１．）、Ｏ，＋　Ｉｎ、４Ｃｏ□、
十有機物］、である、保護膜は［Ｉｎ、○、十有機物］
なる構成である。

記録膜の形成は、　Ｉｎターゲットと当該金属のターゲ
ット（Ｚｎ、　ＡＱ、　Ｓｉ、　Ｇｅ、　Ｓｎ、　Ｓｂ
、Ｂｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｏの１０種、純度４Ｎ、高純度
化学層）とを同時に放電させて行なった（スパタ装置は
億円製作所製ＣＦＳ　−ＳＥＰ　−５５型）。基板は、
φ８９　Ｘ　１．２　ｔ　　のポリカーボネイト樹脂製
のもの（出光石油化学製Ｃ−８９ＳＶ、連続サーボ用グ
ループ付き）を用いた。放電、即ち、スバタリングとプ
ラズマ重合とは、　Ｃ，ＨいＣ−Ｃ４Ｆ、、０□。

Ａｒからなる混合ガスを用いて行なわせた。混合ガスの
組成は＋　ｃ２ＨＧ／ＣＣ４Ｆ１１０ｘ／Ａｒ＝４０．
８／９．２／２５．０／２５．０　（体積％）に統一し
た。

ガスの流量は、ＱＣ−Ｈ−／　ＱＣ−Ｃ４Ｆ−／　ＱＯ
−／　ＱＡｒ＝９．８／２．２／６．０／６．ＯＳＣＣ
Ｍである。記録膜の形成は、印加電力６００Ｗ、放電圧
力４　ｍＴｏｒｒ　（Ｎ２換算値）とし、放電時間は膜
厚が８０から９０ｓｍとなるよう放電時間を１．５から
２．５分間の間で制御した。

次に、保護膜の形成は、記録膜の形成に引続き行なった
。ターゲットとしてＩｎターゲット、　混合ガスとして
Ｃ，Ｈいｏ２、Ｃ，Ｆ４を用い、反応性スパタリングと
プラズマ重合とを行なわせ、保護膜を記録膜に積層した
。混合ガス組成は、Ｃ，Ｈ，１０，／Ｃ，Ｆ４＝　５７
．０／２４．８／１８．２　（体積％）に統一した。ガ
スの流量は、Ｑ　ｃ−１４ｓ　／　Ｑ　ｏ−／ＱＣ２Ｆ
４”　１３．８／　６．０／　４，４３ＣＣＭとした。

保護膜形成の条件は、印加電力が４００Ｗ、放電圧力が
１５ｗＴｏｒｒ　（Ｎ、換算値）、放電時間が５分間共
通とした。このようにして形成した保護膜の膜厚は約３
００ｎｍであった。

上記記録膜、保護膜の化学組成他は以下のようであった
。即ち、記録媒体形成時と同一の条件でシリコン基板へ
堆積させた記録膜、および、保護膜に関し熱重量分析か
ら求めた有機物量は、それぞれ、約３から約４重量％、
約４から約５重量％であった。また、蒸発温度は、記録
膜が約１３０から約１７０℃、保護膜が約２１０℃であ
った。さらに、同様にして製作した試料について求めた
金属成分の含有量は、記録膜中が約１１から約１４重量
％であり、保護膜中が１重量％未満であった。

記録膜、保護膜の密着性、鉛筆引っかき硬度を実施例−
１と同様にして評価した。保護膜のポリカーボネイト樹
脂基板、記録膜に対する密着性は良好で、とばん目試験
による剥離数はゼロであった。また、保護膜の鉛筆引っ
かき硬度は５Ｈであった・ 製作した１０種の光ディスクに関し、実施例と同一の条
件により記録再生特性を測定した。光ディスクの構成と
再生信号コントラスト比の飽和値とそれを得るのに必要
であった書込みパワーとの関係を第２表に示す。

（以下余白） 第２表に見られるように、１０種の光ディスクのいずれ
も０．６以上の大きい再生信号コントラスト比が得られ
た。

（実施例−３） 保護膜を共通とし、記録膜を異にする３種の光ディスク
を製作した。３種記録膜の構成（第３表参照）は、（Ｇ
ａ、Ｏ，＋Ｉｎ＋有機物）、（ＳｉＯ２＋Ｉｎ十有機物
）　、（Ｇａｎｇ　＋ＩｎＩｎ様物）、である。

保護膜は、（Ｙ２Ｏ，十有機物）なる構成である。

記録膜の形成は、　当該金属酸化物（Ｇａ、Ｏ３，５ｉ
ｎ２、Ｇｅｍ、の各ターゲット）と　Ｉｎターゲットと
を同時に放電させて行なった（スパタ装置は実施例−２
に用いたものと同一の４元同時スパタ装置）、放電に用
いたガスは、Ａｒ、ＣＨ，、Ｏ２の混合ガスである。混
合ガスの組成は、Ａｒ／ＣＨ４／○、＝２３１５４／２
３　（体積％）に統一した。

ガスの流量は、　ＱＡｒ／　ＱＣＨ４／　ｑｏ、　＝　
６　／　１４／　６３ＣＣＭである。基板はφ１３０Ｘ
１．２ｔのポリカーボネイト樹脂製のもの（出光石油化
学製Ｃ−１３０ＦＳサンプルサーボ用）を用いた。記録
膜形成時の放電条件は、次のとおりである。即ち、印加
電力５００Ｗ、放電圧力２　ｍＴｏｒｒ、放電時間は２
分間共通とした。

保護膜は、Ｙ２Ｏ３ターゲットをＡｒ、ＣＨ４゜Ｏ２の
混合ガスにより放電させて形成した。混合ガス組成は、
　Ａ　ｒ　／　ＣＨ４１０２＝２３１５４／２３　（体
積％）、ガス流量はＱＡｒ／　ＱＣ）＋４／　Ｑｏｚ　
＝　６　／　１４／６５ＣＣＭとした。放電条件は印加
電力６００　Ｗ、放電圧力３５ｍＴｏｒｒ、放電時間６
分間共通とした。

実施例−１、−２と同様にして求めた記録膜中の金属成
分含有量は約１７から約２０重量％、有機物量は約２重
量％であり、保護膜中の金属成分含有量は検出限界以下
、有機物量は約５重量％であった。

記録膜、保護膜の密着性を実施例−１、−２と同様にし
て評価したところ、３種のいずれも剥離数はゼロと良好
であった。また、保護膜の鉛筆引っかき硬度は６Ｈであ
った。

第３表に実施例−１、−２と同様にして求めた記録膜の
構成と記録再生特性の測定結果を示す。

再生信号コントラスト比は、いずれも約０．６と良好な
値であった。

（実施例−４） 記録膜を共通とし、保護膜を異にする１６種の光カード
を製作した。記録膜の構成は、（Ｉｎ、Ｏ，＋Ｉｎ十有
機物）である（第４表参照）。保護膜１６種の構成は、
（ＣｕＯ＋有機物）、（ＺｎＯ＋有機物）。

（Ｇａ２ｏ、十有機物）、（Ｓｉｎ、十有機物）、（Ｇ
ｅｍ。

＋有機物）、（’ｒｉ○２＋有機物）、（ＺｒＯ，十有
機物）、（Ｈｆ○、十有機物）、（Ｎｂ、Ｏ，十有機物
）、（Ｔａ、Ｏ。

＋有機物）、（Ｃｒ、Ｏ，十有機物）、（Ｒｅｄ、Ｌ＋
有機物）、（Ｍ　ｎ　Ｏ、十有機物）、（Ｆｅ２０３＋
有機物）、（Ｃｏｏ十有機物）、（ＮｉＯ＋有機物）で
ある。記録膜、保護膜は電子ビーム蒸着法とプラズマ重
合とを同時に行なわせるプラズマブレーティング法で形
成した（徳用製作所製ＴＳＧＤ−１２０）。基板は、８
６Ｘ５４Ｘ０．７ｔのボリアリレート樹脂製のもの（ユ
ニチカ製エンブレード）を使用した。プラズマ重合には
、Ｃ，Ｈい０２からなる混合ガスを用いた。混合ガス組
成はＣ２Ｈ４１０２＝６０／４０（体積％）であり、ガ
ス流量はＱｃ＊ｏ＜／Ｑｏｚ＝１２／８ＳＣＣＭである
。

実施例−１と同様にして求めた記録膜中の金属成分含有
量は約１７重量％、有機物量は約２重量％であった。保
護膜中の有機物量は約３から約６重量％であった。

実施例−１と同様にして評価した記録膜、保護膜の密着
性はいずれも良好であった６また、保護膜の鉛筆引っか
き硬度は４Ｈから６Ｈであった。

このようにして製作した１６種光カードの記録再生特性
を次のようにして測定した。線速は５０■／５ｅｅ一定
とし、書込みはパルス幅５０μｓｅｃ、パワーｌＯから
２０ｍＷのレーザビームを照射して行なった。レーザビ
ームの波長は７８０ｎｍ、対物レンズのＮＡは０．１７
である。再生は、０．５■Ｗの連続ビームを照射して行
った。再生信号コントラスト比の飽和値とそのコントラ
スト比を得るのに必要であった書込みパワーと光カード
の構成との関係を第４表に示す。

１６種の光カードのいずれも０．６前後の実用には充分
大きい再生信号コントラスト比が得られた。

（実施例−５） 実施例−４と同様の成膜方法で記録膜、保護膜を形成し
た光カード１５種を製作した（第５表参照）。

基板は８６Ｘ５４Ｘ０．７ｔのポリエーテルサルフォン
樹脂製のもの（住人化学製４１００Ｇ）を用いた。記録
膜は、（ＢＮ＋Ｉｎ十有機物）、（Ａ４Ｎ＋Ｉｎ十有機
物）、（ＧａＮ十Ｉｎ十有機物）、（ＩｎＮ＋Ｉｎ十有
機物）、（ＳＬ、Ｎ、＋Ａ９＋有機物）、（Ｇｅ３Ｎ、
＋Ｓｎ＋有機物）の６種である。保護膜は、（ＢＮ十有
機物）、（ＡＩ２Ｎ＋有機物）、（ＧａＮ＋有機物）、
（ＩｎＮ＋有機物）、　（Ｓｉ、Ｎ、十有機物）、（Ｇ
ｅ、Ｎ４＋有機物）、（ＴｉＮ十有機物）、（ＺｒＮ十
有機物）、（ＨｆＮ十有機物）、（ＶＮ十有機物）、（
ＮｂＮ十有機物）、（ＴａＮ十有機物）、　（ＣｒＮ十
有機物）、（ＭｏＮ＋有機物）、（ＷＮ＋有機物）の１
５種である。

実施例−４と同様にして求めた再生信号コントラスト比
の飽和値とそれを得るのに必要であった書込みパワー、
および各光カードの構成を第５表に示す。１５種の光カ
ードのいずれも０．４以上の実用に充分な再生信号コン
トラスト比が得られた。

（以下余白） また、実施例−１と同様にして評価した保護膜１５種の
密着性はいずれも良好であった。実施例−１と同様にし
て測定した保護膜の鉛筆引っかき硬度は、いずれも４Ｈ
から６Ｈであった。

（実施例−６） 記録膜を共通とし、保護膜を異にする光カード１６種を
、実施例−４と同様の成膜方法で製作した（第６表参照
）、基板は、８６Ｘ５４Ｘ０．７ｔのポリエーテルイミ
ド樹脂製のもの（ウルテム／エンジニアリングプラステ
ィクス）を用いた。記録膜は、（Ｓｂ、Ｏ，＋Ｓｂ＋有
機物）である。保護膜は、（ＳｉＣ十有機物）、（Ｔｉ
Ｃ十有機物）、（ＺｒＣ＋有機物）、（ＨｆＣ十有機物
）、（ＶＣ十有機物）、（ＮｂＣ十有機物）、（Ｔ　ａ
　Ｃ十有機物）、（ＭｏＣ＋有機物）、（ＷＣ十有機物
）、（Ｖ　ＣＺ＋有機物）、（ＴａＣ，十有機物）、（
Ｍ　ｏ　Ｃ、十有機物）、（ＷＣ２十有機物）、（Ｍｎ
３Ｃ＋有機物）、（Ｆｅ、Ｃ＋有機物）。

（Ｃｏ、Ｃ十有機物）の１６種である。

実施例−４と同様にして求めた再生信号コントラスト比
の飽和値とそのコントラスト比を得るのに必要であった
書込みパワー、および、各光カードの構成を第６表に示
す。

（以下余白） この第６表に示されるように、１６種の光カードのいず
れも０．５以上という実用に充分な再生信号コントラス
ト比を示した。

また、実施例−１と同様にして評価した保護膜１６種の
密着性はいずれも良好であった。実施例−１と同様にし
て測定した保護膜の鉛筆引っかき硬度は、いずれも５Ｈ
という高い値であった。

（比較例−１） 本発明保護膜の密着力を評価するため、本発明の実施例
の構成要件の一部を欠く、即ち、有機物を含有せず、金
属炭化物のみからなる保護膜を実施例−４と同様に製作
した。即ち、ポリエーテルイミド樹脂基板上に保護膜の
みを形成した試料と同種基板上に（Ｓｂ、Ｏ，＋Ｓｂ＋
有機物）からなる記録膜を形成し、この記録膜上に保護
膜を形成した試料とを製作した。保護膜は、ＳｉＣ，Ｔ
ｉＣ１ＴａＣ，ＷＣからなる４種である。とばん目試験
を行なったところ、保護膜のみからなる試料に関しては
、ｌＯ％程度の領域において剥離が認められた。また、
記録膜＼保護膜なる構成の試料に関しては２０％程度の
領域において剥離が認められた。

（実施例−７） 実施例−４と同様の方法で、記録膜を共通とし。

保護膜を異にする光カード１２種を製作した（第７表参
照）、基板は、８６Ｘ５４Ｘ０．７ｔのポリサルフォン
樹脂製のもの（アモコケミカルＰ−１７００）を用いた
。記録膜は、（ＳｎＯ，＋Ｓｎ＋有機物）なる構成のも
のである。保護膜は、（ＴｉＳｉ、十有機物）、（Ｚｒ
Ｓｉ２＋有機物）、（ＨｆＳｉ２＋有機物）、（Ｖ　Ｓ
　ｉ２＋有機物）、（Ｎｂ５Ｓｉ２＋有機物）、（Ｔａ
Ｓｉ、十有機物）、（ＣｒＳｉ２＋有機物）、（ＭｏＳ
ｉ、十有機物）、（ＷＳｉ、十有機物）、（ＦｅＳｉ、
十有機物）、（ＣｏＳ１２＋有機物）、（ＮｉＳｉ２＋
有機物）の１２種である。

実施例−４と同様にして求めた再生信号コントラスト比
の飽和値とそのコントラスト比を得るのに必要であった
書込みパワー、および、各光カードの構成を第７表に示
す。

（以下余白） 第７表に見られるように、１２種の光カードはいずれも
０．４以上という実用に充分供しうるレベルの再生信号
コントラスト比を示した。

また、実施例−１と同様にして評価した保護膜１２種の
密着性は良好であった。実施例−１と同様にして測定し
た保護膜の鉛筆引っかき硬度は、いずれも５Ｈ以上とい
う高い値であった。

（実施例−８） 実施例−４と同様の方法で、記録膜を共通とし、保護膜
を異にする光カード１４種を製作した（第８表参照）。

基板は、８６Ｘ５４Ｘ０．７ｔのポリアリルサルフオン
樹脂製のもの（アモコケミカルＡ−４００）を用いた。

記録膜は、（Ａｆｆ、　０３　＋　Ａｎ十有機物）から
なる構成のものである。保護膜は、（ＹＢ４＋有機物）
、（ＹＢ工２＋有機物）、（ＡＱＢ、十有機物）、（Ｌ
ａＢ、十有機物）、（ＺｒＢ十有機物）、（ＨｆＢ＋有
機物）、（ＶＢＢ＋機物）、（ＮｂＢ十有機物）、（Ｔ
ａＢ２＋有機物）、（ＣｒＢ十有機物）、（Ｆｅ、Ｂ十
有機物）、（Ｇｏ２Ｂ＋有機物）、（Ｃｏ、Ｂ十有機物
）、（Ｎｉ２Ｂ＋有機物）の１４種である。

実施例−４と同様にして求めた再生信号コントラスト比
の飽和値とそのコントラスト比を得るのに必要であった
書込みパワー、および、各光カードの構成を第８表に示
す。

第８表に見られるように、１４種の光カードはいずれも
０．４以上という実用に充分供しうるレベルの再生信号
コントラスト比を示した。

実施例−１と同様にして評価した保護膜１４種の密着性
は良好であった。また、実施例−１と同様にして測定し
た保護膜の鉛筆引っかき硬度は、いずれも５Ｈ以上とい
う高い値であった。

（実施例−９） 記録膜を共通とし、保護膜を異にする光カード３種を製
作した（第９表参照）。基板は、８６　Ｘ　５４ｘｏ、
７ｔ　　のポリメチルペンテン樹脂製のもの（三井石油
化学ＴＰＸ）を用いた。

記録膜の形成は、Ａｌ２２０１、Ｂｉ、ＰＴＦＥの３種
のターゲットを同時に放電させて行なった。スパタリン
グは実施例−２に用いたものと同一の４元同時スパタ装
置を用いた。放電にはＡｒ、Ｃ２Ｆ４からなる混合ガス
を用いた。混合ガスの組成は、Ａｒ／Ｃ２Ｆ４＝８０／
２０　（体積％）、ガス流量はＱＡｒ／　ＱＣ２Ｆ４　
＝　１６／　４　ＳＣＣＭである。放電の印加電力は４
００Ｗ、放電圧力は８　ｍＴｏｒｒ、放電時間は２分間
とした。

保護膜の形成は、ＭｏＳｉ、、ＷＳｉ２、ＣｏＳｉ、の
ターゲットとＰＴＦＥのターゲットをそれぞれ放電させ
て行なった。放電にはＡｒ、　Ｃ，Ｆ、からなる混合ガ
スを用いた。混合ガスの組成はＡｒ／Ｃ２Ｆ４＝８０／
２０（体積％）、ガス流量はＱＡｒ／Ｑ　Ｃｚ　Ｆ４＝
　１６　／　４５ＣＣＭとした。放電（７）印加ｔＩｌ
ハ４００Ｗ、放電圧力は８　ｍＴｏｒｒ、放電時間は４
分間とした。

実施例−４と同様にして求めた再生信号コントラスト比
の飽和値、そのコントラスト比を得るのに必要であった
書込みパワー、および、各光カードの構成を第９表に示
す。

（以下余白） 第９表から判るように、３種の光カードはいずれも０．
５以上という実用レベルに達した値であった。

実施例−１と同様にして評価した保護膜１４種の密着性
は良好であった。また、実施例−１と同様にして謂定し
た保護膜の鉛筆引っかき硬度は、いずれも５Ｈ以上とい
う高い値であった。

（実施例−１０） 保護膜を共通とし、記録膜を異にした光カード５種を製
作した（第１０表参照）。基板は、８６Ｘ５４Ｘ　Ｏ，
７ｔ　　のアクリル樹脂製のもの（Ｍ化成、延伸メタク
リル型、コスマックス）を用いた。記録膜は、その構成
成分のうち、金属酸化物をＩｎ２Ｏ３゜分散させる金属
をＳｂ、共通とし、有機物を変化させた。即ち、ポリエ
チレン、（ポリエチレン＋水素フタロシアニン）、ナイ
ロン、（ナイロン＋Ｍｇ−フタロシアニン）、ステアリ
ン酸の５種である。保護膜は、（ＳｉＣ＋ナイロン）な
る構成のものである。

記録膜、保護膜の形成は、電子ビーム蒸着、タングステ
ンボートの抵抗加熱による真空蒸着にて行なった（捻出
製作所製ＢＨＣＵ　−８Ｐ　−５０）。

実施例−１と同様にして求めた記録膜中の金属成分の含
有量は約１７重量％、有機物量はいずれも約２重量％で
あった。保護膜中の有機物量は約２重量％であった。

実施例−１と同様にして求めた記録膜の蒸発温度は、約
１２０から約２４０℃であった。

実施例−１と同様にして評価した記録膜、保護膜の密着
性はいずれも良好であった。また、保護膜の鉛筆引っか
き硬度は４Ｈであった。

このようにして製作した光カードを実施例−４と同様に
して記録再生特性を謂定した。再生信号コントラスト比
の飽和値、そのコントラスト比を得るのに必要であった
書込みパワーおよび、各光カードの構成を第１０表に示
す。

（以下余白） 第１０表から判るように、５種光カードの再生信号コン
トラスト比は、いずれも０．５以上という実用に充分な
値であった。

（実施例−ｔｉ） 記録［２種、保護膜６種の組合せからなる６種の光カー
ドをプラズマＣＶＤ法で製作した（第１１表参照）。基
板は、８６　Ｘ　５４　ｘ　Ｏ，７ｔ、のポリカーボネ
イト樹脂製のもの（三菱瓦斯化学ニーピロンＳ−２００
０）を用いた。記録膜の１種は（Ｉｎ、Ｏ，＋Ｉｎ＋有
機物）、他の１種は（Ｎｂ２０．＋ｓｂ十有機物）から
なる構成のものである。前者の記録膜と組合せた保護膜
は、（ＡＱ２ｏ、十有機物）、（ＳｉＯ２＋ｉ機物）、
（Ｔ　ｉ　Ｏ２＋有機物）の３種である。後者の記録膜
と組合せた保護膜は、（Ｎｂ２０．十有機物）、（Ｓｎ
Ｏ，十有機物）、（Ｔａ、Ｏ，十有機物）の３種である
。

（Ｉｎ！Ｏｆｆ＋Ｉｎ＋有機物）からなる記録膜は、Ｉ
ｎ（ＣＨ３）、、０２、Ｃ，Ｈ，、Ｈ２からなる混合ガ
スを放電（実施例−４に用いたものと同一のプラズマＣ
ＶＤ装置）させて形成した。放電圧力は４ｍＴｏｒｒ、
印加電力は６０Ｗである。（ｓｂ、ｏ、＋ｓｂ＋有機物
）からなる記録膜は、５ｂ（ＣＨ，）、、０２、Ｃ，Ｈ
いＨ２からなる混合ガスを放電させて形成した。放電圧
力は５　ｍＴｏｒｒ、印加電力は７０Ｗとした。

（ＡＱ２０．十有機物）からなる保護膜は、ＡＱ（ＣＨ
３）−１０２、Ｃ２ＨＧ、Ａｒからなる混合ガスを放電
させて形成した。

以下、保護膜の構成と形成に用いた混合ガスの種類は、
（Ｓｉｎ２＋有機物）からなる保護膜がＳｉ（○Ｃ，Ｈ
，）、、ＣＨ，、Ａｒ、（Ｔｉ○２＋有機物）からなる
保護膜が（Ｃ，Ｈ，）、　ＴｉＣｌ２．　０２゜ＣＨ４
，Ａｒ、（Ｎｂ、○、十有機物）からなる保護膜がＮｂ
（ＯＣｚ　Ｈｓ）ｓ−ＣＨ４−Ａｒ、（ＳｎＯ２＋有機
物）からなる保護膜が　Ｓｎ（ＱＣ３Ｈｖ　）　４、Ｃ
Ｈ４，Ａｒ、（Ｔａ、０３＋有機物）からなる保護膜が
Ｔａ（ＱＣ，Ｈｓ）、、ＣＨ４，Ａｒからそれぞれなる
混合ガスである。放電圧力はいずれも６　ｍＴｏｒｒ、
印加電力は２００Ｗ共通とした。記録膜の膜厚はいずれ
も９０ｎｍ、保護膜の膜厚は２００から２６０ｎｍであ
った。

実施例−１、−２と同様にして測定した記録膜中の金属
成分の含有量は約１７と約２０重量％であり、有機物量
はいずれも約４重量％であった。保護膜中の有機物量は
、約３から約５重量％の範囲であった。また保護膜中の
金属成分斌は検出限界以下であった。

実施例−１、実施例−２と同様にして求めた記録膜の蒸
発温度は約１７０℃と約２００℃であった。

実施例−１、実施例−２と同様にして評価した記録膜、
保護膜の密着性はいずれも良好であった。

また、保護膜の鉛筆引っかき硬度は４Ｈから５Ｈであっ
た。

このようにして製作した光カードを実施例−４と同様に
記録再生特性を測定した。求められた再生信号コントラ
スト比の飽和値とそのコントラスト比を得るのに必要で
あった書込みパワーと光カードの構成との関係を第１１
表に示す。

（以下余白） 第１１表から判るように６種の光カードのいずれも０．
６前後の実用に充分な大きさのコントラスト比を示した
。

（実施例−１２） 記録膜、保護膜が下記のような３種の光カードを実施例
−１１と同様にプラズマＣＶＤ法により製作した（第１
２表参照）。即ち、記録膜＼保護膜の構成が、（ＡＲ−
Ｎ−０＋ＡＱ十有機物）＼（Ａｆｆｉ−Ｎ−〇＋有機物
）、（Ｉ　ｎ　−Ｎ　−０＋　Ｉ　ｎ十有機物）＼（Ｉ
ｎ−Ｎ−〇＋有機物）、　（Ｓｂ−Ｎ−０＋Ｓｂ＋有機
物）＼（Ｓｂ−Ｎ−○＋有機物）の３種である。

ＣＡｆｌ−Ｎ−０＋ＡＱ＋有機物）からなる記録膜はＡ
Ｒ（ＣＨ３）３、Ｎ２０、ＯＨ，、Ｈ，からなる混合ガ
ス、（／１−Ｎ−○＋有機物）からなる保護膜はＡｆｆ
（ＣＨ３）３、Ｎ２０、Ｃ２Ｈ，、Ａｒからなる混合ガ
スを実施例−１１と同様に放電させて形成した。

同様に、（Ｉｎ−Ｎ−０＋Ｉｎ＋有機物）からなる記録
膜はＩｎ（ＣＨ，）３．Ｎ２０．ＣＨ４，Ｈ，からなる
混合ガス、（Ｉｎ−Ｎ−○＋有機物）からなる保護膜は
　Ｉｎ（ＣＨ，）、、Ｎ２０．Ｃ２Ｈ，、Ａｒからなる
混合ガスを放電させて形成した。また、（Ｓｂ−Ｎ−０
＋Ｓｂ＋有機物）からなる記録膜は５ｂ（ＣＨ３）３、
Ｎ２０、ＣＨ，、Ｈ，からなる混合ガス、（Ｓｂ−Ｎ−
○＋有機物）からなる保護膜は５ｂ（ＣＨ，）、、　Ｎ
２０、Ｃ２Ｈ，、Ａｒからなる混合ガスを放電させて形
成した。放電圧力は６　ｍＴｏｒｒ、印加電力は記録膜
の形成が６０Ｗ、保護膜の形成が２００Ｗ共通とした。

実施例−１、−２と同様にして求めた保護膜の鉛筆引っ
かき硬度は４Ｈから５Ｈであった。また、実施例−１、
実施例−２と同様にして評価した記録膜、保護膜の密着
性はいずれも良好であった。

実施例−４と同様にして測定した再生信号コントラスト
比の飽和値とそのコントラスト比を得るのに必要であっ
た書込みパワーと光カードの構成との関係を第１２表に
示す。

（以下余白） この第１２表によっても３種光カードのコントラスト比
は０．６前後と良好であることが判った。

（実施例−１３） 記録膜＼保護膜が（Ｉｎ、Ｏ，＋Ｉｎ＋有機物）＼（Ｉ
ｎ２０．十有機物）という構成である光テープを製作し
た。基板は１２．７　Ｘ　２００　Ｘ　Ｏ，０２５のポ
リエーテルエーテルケトン樹脂製のもの（アイシーアイ
ジャパン、ピクトレックス）を用いた。

記録膜と保護膜との形成にかかる放電、即ち、反応性ス
バタリングとプラズマ重合とは、Ｃ２Ｈ，，０２、Ｃ−
Ｃ４Ｆ、　　からなる混合ガスを用いて行なわせた。膜
形成には、実施例−１に用いたものと同一のスパタ装置
を用いた。混合ガスの組成は、Ｃ２Ｈ，／○、／Ｃ−Ｃ
，Ｆ、＝　６４．８／２８．６／６．７（体積％）、ガ
スの流量は、　Ｑ　Ｃ＝　Ｈ−／　Ｑ　ｏ−／ＱＣ−Ｃ
４Ｆ、　＝　１３．６／　６．０／Ｊ、４３ＣＣＭとし
た。記録膜の形成は、印加電力６００Ｗ、放電圧力６　
ｍＴｏｒｒ、放電時間は２分間とした。保護膜の形成は
、記録膜の形成に引続き行ない、印加電力４００Ｗ、放
電圧力２０ｍＴｏｒｒ、放電時間４分間の条件で行なっ
た。

このようにして製作した光テープの記録再生特性を次の
ように測定した。即ち、測定は、波長８３０ｎｍの半導
体レーザビームを光源とし、　ＮＡ＝０．６０の対物レ
ンズを備えた光学系から構成される装置 速度は１１　ｍｍ　／　ｓｅｅであり、書込み、および
、読出し用のビームは、厚さ１．２ｍｍの硼硅酸ガラス
を光テープ上に重ね（記録膜側）、硼硅酸ガラスを介し
て照射した。書込みパワー（パルス幅１μｓｅｃ　）を
変化させて求めた再生信号コントラスト比の飽和値、お
よび、そのコントラスト比を得るのに必要であった書込
みパワーは、　それぞれ０．６０、および、９ｍＷであ
った。

（実施例−１４） 記録膜を形成するに際し、記録再生特性は記録膜の組成
により著しく変化するから、その形成条件を適正なもの
に選定してやる必要がある。第１の製造方法にかかる記
録膜の形成方法は、他の製造方法に比べ操作は単純だが
内容的には高度のものが必要である。また、保護膜の形
成に関しても、記録膜形成に類似した方法でありながら
膜形成パラメータのみで膜組成を変化させ、保護膜とし
て必要な機能を付与させる必要性があるから、同様に高
度の内容を含んでいる。本実施例において。

第１の製造方法にかかる記録膜，保護膜の形成結果を示
す。

実施例−１に用いたものと同一のスパタ装置において、
金属インジウムをターゲットとし、混合ガスをＣＨい０
２、Ｃ−Ｃ，Ｆ，として記録膜の製作を行なった。混合
ガスの組成はＣＨ４／０２／Ｃ−　Ｃ４Ｆ，　＝６７．
６／２９．０／３．４　（体積％）、ガス流量は．　Ｑ
Ｃ｝＋４　／　Ｑｏｚ　／　Ｑｃ−Ｃ４Ｆｌ　＝　１４
／　６　／　０．７とし、放電時間は２分間とした。

前述したように記録膜中の金属インジウム産は、同一の
混合ガス組成の場合、放電圧力が低く、印加電力が大き
い程増大する。金属インジウム量の増大は、分光吸収率
が増大し、記録感度が向上するなど記録膜として望まし
い性質が具備される。

第７図は記録膜の形成ダイアグラムであって、第７図中
三角形ＡＢＣの領域が良好な特性の記録膜の得られる領
域である。次に，第８図は保護膜の形成ダイアグラムで
あって、鉛筆引っかき硬度４Ｈ以上の保護膜の得られる
領域である。

（実施例−１５） 記録膜を共通とし、保護膜のみ異なる６種の光カードを
製作した。記録膜の構成は、（Ｉｎ，０３＋Ｉｎ＋有機
物）である。・保護膜は、構成を（　Ｉ　ｎ２０、十有
機物）共通とするが、Ｉｎ２０．と有機物とのそれぞれ
の化学組成を変化させ、即ち、それぞれの微細構造を変
化させた。

記録膜の形成は、実施例−１と同様にして行なった。基
板は８６　ｘ　５４　ｘ　Ｏ．７　ｔのポリアリレート
樹脂製のもの（ユニチカ製エンブレード）を使用した。

記録膜の形成に用いた混合ガスは、ＣＨ４／０２／Ｃ　
−　Ｃ４Ｆ，　＝６８．０／２９．１／２．９　（体積
％）、ガス流量Ｑ　ＣＨ４　／　ＱＣ２　／　ＱＣ−Ｃ
４Ｆ＆　＝　１４／　６　／　０．６ＳＣＣＭとした。

印加電力は６００Ｗ、放電圧力は２ｍＴｏｒｒ、放電時
間は２分間共通とした。保護膜の化学組成の制御は、膜
形成条件を変化させて行なった。ガラス基板上に同一条
件で堆積させた６種の保護膜について求めた鉛筆引っか
き硬度と保護膜形成時の放電圧力との関係を第９図に示
す。放電時間は６００Ｗ、放電時間は５分間共通とした
。

第９図から判るように６種保護膜の鉛筆引っかき硬度は
３Ｂ、ＨＢ、２Ｈ１３Ｈ１４Ｈ１６Ｈであった。

次にこのようにして製作した６種の光カードについて実
施例−４と同様にして記録再生特性を測定した。再生信
号コントラスト比の飽和値は、いずれも０．６前後と良
好であり、この飽和値を得るのに必要であった書込みパ
ワーは１０ｍＷ前後であった・ これらの保護膜の耐傷性をＪＩＳ　Ｔａ２０５　（ＪＩ
ＳＫ　７２０５、ＡＳＴＭ　　Ｄ９６８、Ｄ１０４４ニ
準拠）に定められた方法によって調べた。所定量（１０
０〜８００ｉｒ）の研削材（＃８０の５ｉＣ）を保護膜
上に落下させたのち、へ−ズメータ（ＡＳＴＭ　Ｄ１０
０３）により表面摩耗抵抗（ヘイズ値ＪＩＳ　Ｋ６７１
８　Ｋ７１０５、ＡＳＴＭ　Ｄ１００３）を測定した。

求められたヘイズ値と先に求めた鉛筆引っかき硬度との
関係は、第１０図のような結果であった。保護膜の鉛筆
硬度の低下に伴なう耐傷性の低下が微細な保護膜表面の
スクラッチ数の増加となり、全透過率に対する拡散透過
率の増加となって現われる様子が第１０図から判る。

保護膜表面に発生したスクラッチは、記録再生特性の面
においては、マーク誤り率の増加に直接関係する。表面
摩耗抵抗試験を行なう前後の誤り率を測定し、試験に伴
うの増加率、即ち、試験後の誤り率を試験前の誤り率で
割った値と保護膜のヘイズ値との関係は、第１１図のよ
うな結果であった。保ＭＷのヘイズ値が２％以下のとき
、の増加率は、実質的にほぼ１になることが判った。な
お、試験前のビット誤り率は６種の光カードのいずれも
約１０−’のレベルにあった。

（実施例−１６） 記録膜を共通とし、保護膜のみ異なる実施例−１５と同
様の６種の光カードを製作した。記録膜、保護膜の構成
、製作方法は、いずれも実施例−１５と同様とした。

これらの保護膜の記録膜に対する密着性をＪＩＳＫ　７
１０６に定められた方法に基づいて調べた。光カードを
片持ちし、所定の負荷をくり返し加え、疲れ試験を行な
う方法（ＪＩＳ　Ｋ７１１ｇに準拠）である。

負荷は振子形負荷装置（応力振幅一定形）を用いた。荷
重は１ｋｇ、振子の回転角は５°とした。

１０７回の曲げ試験を行なった後、　６種の光カードを
目視で［０したところ、記録膜、保護膜のいずれも剥ｍ
は全く認められなかった。

曲げ試験に伴ない保護膜ないし記録膜に微細なりランク
が発生すれば、全透過率に対する拡散透過率の増加とな
って、ヘイズ値が増加し、ビット誤り率が増加する。１
０７回のくり返しの曲げ試験によるヘイズ値の増加は、
６種の光カードにおいて、保護膜の鉛筆引っかき硬度の
高いものほど大きい傾向が認められたものの、１０％未
満という低い値であった。さらに、曲げ試験前後のビッ
ト誤り率を測定して求めた。試験に伴なうの増加率は、
６種の光カードのいずれも１０前後という実用に差しつ
かえない範囲の値であった。

（実施例−１７） 記録膜を共通とし、保護膜のみ異なる実施例−８に類似
した光カード６種を製作した。記録膜の構成は、（ＡＱ
、○、＋ＡＱ＋有機物）であり、保護膜は、（ＹＢ４＋
有機物）、（ＡＱＢ２＋有機物）。

（Ｌ　ａ　Ｂ　ｓ＋有機物）、　（ＺｒＢ十有機物）、
（ＨｆＢ＋有機物）、（ＶＢ十有機物）の６種構成のも
のである。記録膜、保護膜の製作は実施例−８と同様に
して行なった。

これら６種の保護膜の密着性を実施例−１６と同様にし
て調べた。即ち、１ｋｇの荷重を振子の回転角５°の条
件で１０’回加え、試験前後のへイズ値とビット誤り率
とを測定した。試験後における記録膜、保護膜の剥離は
全く認められなかった。ヘイズ値の増加は６種光カード
のいずれも１０％前後という実用に充分なレベルにあっ
た。また、マーク誤り率の増加は、　６種光カードのい
ずれも１０から２０という実用に供しうる範囲の値であ
った。

（比較例−２） 本発明保護膜の密着性を評価するため、実施例−１７に
類似した６種の比較用光カードを製作した。

記録膜の構成はＣＡＱ２０．＋ＡＱ＋有機物）、保護膜
はＹＢ４．ＡｆｌＢ、、ＬａＢ、、ＺｒＢ、ＨｆＢ、Ｖ
Ｂのみからなり、有機物を含まない構成のものである。

実施例−工７と同様にしてくり返し曲げ試験を行なった
ところ、６種の保護膜のいずれも１０’回に達しない１
０３から１０４回の曲げ回数において明瞭な保護膜の剥
離が認められた。

以上、説明した各実施例は、光情報記録媒体における記
録膜と保護膜の各々に限定した一種の金属を適用した例
を示したが、本実施例に記載した以外にも限定した金属
からその複数を選び、これらを混合し適用してもその特
性は低下することなく、いずれも変らぬ顕著な効果を示
した。

〔発明の効果〕

本発明の光情報記録媒体は、基板上に記録膜、これに積
層した保護膜からなる構成であり、前記記録膜は、金属
酸化物微粒子、または、金属窒化物微粒子の少くとも一
者を第１成分、有機物を第２成分、金属微粒子を第３成
分とする混合物薄膜であり、前記保護膜は、金属酸化物
、金属窒化物、金属炭化物、金属硅化物、金属硼化物の
少くとも一者を第１成分、有機物を第２成分とする混合
物薄膜としたため、以下の効果がある。

■　基板上に記録膜、ついで保護膜という単純構成のた
め、製造工程が簡単である。

■　記録膜、保護膜の形成をスバタリング法、プラズマ
ブレーティング法、プラズマＣＶＤ法などドライプロセ
スで行なうことができるから生産性が高く、低コスト化
ができる。

■　記録膜、保護膜の組成、微細構造が最適化されてい
るから良好な記録再生特性、長寿命特性と優れた耐爆性
、剥離等のない優れた耐久性を有している。

なお、上記記録膜、保護膜の各々に、上記限定した金属
の中から任意に選んだ複数の金属を混合し適用しても、
実施例の夫々に比し変わらぬ効果を示した。

第１図は本発明光情報記録媒体の実施態様の一つの構成
を示す模式図、第２図は本発明記録媒体の記録膜、保護
膜の微細構造を示す模式図、第３図は記録用レーザビー
ムの照射によって形成されたバブルの断面構造を示す模
式図、第４図、第５図、第６図、第７図、第８図はいず
れも本発明の光情報記録媒体の記録膜、保護膜の一つの
形成方法を説明するための図、第９図、第１０図、第１
１図は本発明光情報記録媒体の特性を示す図である。

第１２図は従来の光情報記録媒体の構成を示す図である
。

１０・・・光情報記録媒体 ■１・・・基板 １２・・・記録膜 ＋２１・・・金属酸化物、窒化物のいずれかからなる微
粒子 １２２・・・有機物 １２３・・・金属からなる微粒子 １３・・・保護膜 金属窒化物、金属炭化物、 金属硼化物のいずれかから １３１・・・金属酸化物、 金属硅化物、 なる微粒子 １３２・・・有機物 １４・・・バブル １５・・・ボイド １００．２００・・・光情報記録媒体 １０１、１１１．２０１，２１１・・・基板１０２．１
１２・・・スペーサ １０３．１１３，２０２，２１２・・・記録膜２０３・
・・接着剤層 １０４・・・空隔

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　レーザビームの照射によって情報の記録再生を行なう
   光情報記録媒体において、前記記録媒体は基板上に記録
   膜、これに積層した保護膜からなる構成であり、前記記
   録膜は、周期律表のIIIＢ族の金属、IVＢ族の金属、Ｖ
   Ｂ族の金属、および、VIＢ族の金属のいずれかの酸化物
   微粒子、または、上記金属のいずれかの窒化物微粒子の
   少なくとも一者を第１成分、有機物を第２成分、周期律
   表のIIＢ族の金属、IIIＢ族の金属、IVＢ族の金属、Ｖ
   Ｂ族の金属、および、VIＢ族の金属のいずれかの微粒子
   を第３成分とする混合物薄膜であり、前記保護膜は、周
   期律表のIIＢ族の金属、IIIＢ族の金属、IVＢ族の金属
   、ＶＢ族の金属、VIＢ族の金属、IIIＡ族の金属、IVＡ
   族の金属、ＶＡ族の金属、VIＡ族の金属、VIIＡ族の金
   属、およびVIIIＡ族の金属のいずれかの酸化物微粒子、
   周期律表のIIIＢ族の金属、IVＢ族の金属、ＶＢ族の金
   属、IVＡ族の金属、ＶＡ族の金属、およびVIＡ族の金属
   のいずれかの窒化物微粒子、周期律表のIIIＢ族の金属
   、IVＢ族の金属、IVＡ族の金属、ＶＡ族の金属、IVＡ族
   の金属、VIIＡ族の金属、およびVIIIＡ族の金属のいず
   れかの炭化物微粒子、周期律表のIVＡ族の金属、ＶＡ族
   の金属、およびVIＡ族の金属のいずれかの硅化物微粒子
   、周期律表のIIIＢ族の金属、IIIＡ族の金属、IVＡ族の
   金属、ＶＡ族の金属、VIＡ族の金属、VIIＡ族の金属、
   およびVIIIＡ族の金属のいずれかの硼化物微粒子の少な
   くとも一者を第１成分、有機物を第２成分とする混合物
   薄膜であることを特徴とする光情報記録媒体。