JPH03183037A - 光記憶体 - Google Patents
光記憶体Info
- Publication number
- JPH03183037A JPH03183037A JP1318799A JP31879989A JPH03183037A JP H03183037 A JPH03183037 A JP H03183037A JP 1318799 A JP1318799 A JP 1318799A JP 31879989 A JP31879989 A JP 31879989A JP H03183037 A JPH03183037 A JP H03183037A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- refractive index
- layers
- transparent substrate
- layer
- index layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は音響機器または情報機器などに用いられる光記
憶体に関する。
憶体に関する。
［従来の技術］
従来、光記憶体の一つであるコンパクトディスク（以下
、ＣＤと略す。）の反射膜の材料としては、アルミニウ
ムや金が使用されている。しかし、近年、ＣＤにコンピ
ュータデータを記録したＣＤ−ＲＯＭが普及し・、従来
にも増して、高温・高湿下での保存性の高いものが望ま
れている。
、ＣＤと略す。）の反射膜の材料としては、アルミニウ
ムや金が使用されている。しかし、近年、ＣＤにコンピ
ュータデータを記録したＣＤ−ＲＯＭが普及し・、従来
にも増して、高温・高湿下での保存性の高いものが望ま
れている。
［発明が解決しようとする課題］
従来の金あるいはアルミニウムの反射膜を使用した光記
憶体は、かかる過酷な環境下において、蒸着された反射
膜がアルミニウムの場合は腐食、また金の場合は下地体
から剥離し、信号読み取りの指標とされるエラーレート
が増加し、上記したようなニーズに適応できないという
問題があった。
憶体は、かかる過酷な環境下において、蒸着された反射
膜がアルミニウムの場合は腐食、また金の場合は下地体
から剥離し、信号読み取りの指標とされるエラーレート
が増加し、上記したようなニーズに適応できないという
問題があった。
またアルミニウムヤ金以外の反射膜材料は、反射率が不
足するため使用できない状態にあった。
足するため使用できない状態にあった。
本発明は、以上述べたような従来の課題を解決するため
になされたもので、耐候性、特に優れた耐食性と付着性
を有し、かつ高反射率の反射膜を具備する光記憶体を提
供することにある。
になされたもので、耐候性、特に優れた耐食性と付着性
を有し、かつ高反射率の反射膜を具備する光記憶体を提
供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明は、透明基板と、該透明基板の記録ビット形成面
上に被覆される高屈折率層および低屈折率層の順よりな
る組み合わせ層または低屈折率層および高屈折率層の順
よりなる組み合わせ層を少なくとも１層以上を備えてな
ることを特徴とする光記憶体、および透明基板と、該透
明基板の記録ビット形成面上に被覆される高屈折率層お
よび低屈折率層の順よりなる組み合わせ層を少なくとも
１層以上と、該組み合わせ層上に被覆される反射層とを
備えてなることを特徴とする光記憶体である。
上に被覆される高屈折率層および低屈折率層の順よりな
る組み合わせ層または低屈折率層および高屈折率層の順
よりなる組み合わせ層を少なくとも１層以上を備えてな
ることを特徴とする光記憶体、および透明基板と、該透
明基板の記録ビット形成面上に被覆される高屈折率層お
よび低屈折率層の順よりなる組み合わせ層を少なくとも
１層以上と、該組み合わせ層上に被覆される反射層とを
備えてなることを特徴とする光記憶体である。
本弁明で用いられる高屈折率層は主としてシリコン、ゲ
ルマニウム、はう素、硫化亜鉛、！！２化チタン、Ｍ化
カルシウム、酸化インジウム、酸化アンヂモン、硫化ア
ンチモン、テルル、テルル化カドミウム、テルル化鉛な
どを使用することができる。
ルマニウム、はう素、硫化亜鉛、！！２化チタン、Ｍ化
カルシウム、酸化インジウム、酸化アンヂモン、硫化ア
ンチモン、テルル、テルル化カドミウム、テルル化鉛な
どを使用することができる。
また本発明で用いられる低屈折率層は酸化珪素。
ふっ化マグネシウム、酸化アルミニウム、ふつ化セリウ
ム、酸化マグネシウム、ぶつ化カルシウム。
ム、酸化マグネシウム、ぶつ化カルシウム。
ぶつ化ナトリウム、ぶつ化リチウム、カーボン（非晶質
またはダイアモンド）などを使用することができる。
またはダイアモンド）などを使用することができる。
本発明で用いられる反射層はクロム、モリブデン、タン
グステン、バナジウム、ニオブ、タンタル、チタン、ジ
ルコニウム、ハフニウム、マンガン、レニウム、ルテニ
ウム、鉄、オスミウム、コバルト、ロジウム、イリジウ
ム、ニッケル、パラジウム、白金、亜鉛、カドミウム、
錫、鉛、タリウム、アンヂモン、ビスマス、インジウム
、ガリウムなどの金属またはそれらの合金または窒化チ
タン、窒化ジルコニウム、窒化ハフニウムなどの金属窒
化物を使用することができる。また、金または銀の単体
を反！）１層として用いることは付着性の面で、ざらに
銅、アルミニウムの場合は腐食性の点で望ましくないた
め、これらの金属を用いる場合には、前記反射層として
使われる金属との合金として使用することが望ましい。
グステン、バナジウム、ニオブ、タンタル、チタン、ジ
ルコニウム、ハフニウム、マンガン、レニウム、ルテニ
ウム、鉄、オスミウム、コバルト、ロジウム、イリジウ
ム、ニッケル、パラジウム、白金、亜鉛、カドミウム、
錫、鉛、タリウム、アンヂモン、ビスマス、インジウム
、ガリウムなどの金属またはそれらの合金または窒化チ
タン、窒化ジルコニウム、窒化ハフニウムなどの金属窒
化物を使用することができる。また、金または銀の単体
を反！）１層として用いることは付着性の面で、ざらに
銅、アルミニウムの場合は腐食性の点で望ましくないた
め、これらの金属を用いる場合には、前記反射層として
使われる金属との合金として使用することが望ましい。
本発明で用いられる透明基板は、アクリル樹脂。
ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂、エポキシ
樹脂、フッ素樹脂、ガラス、ゾルゲルガラスなどを用い
ることができる。
樹脂、フッ素樹脂、ガラス、ゾルゲルガラスなどを用い
ることができる。
本発明の光記憶体は、射出成形あるいはスタンパからの
密着転写などにより記録ビットを形成した透明基板の上
に、高屈折率層および低屈折率層を交互にスパッタ法、
イオンブレーティング法、クラスターイオンビーム法、
プラズマＣＶＤ法あるいは蒸着法等により被覆し、さら
に必要に応じて反射膜を上記と同様に組み合わせ層上に
被覆して形成する。
密着転写などにより記録ビットを形成した透明基板の上
に、高屈折率層および低屈折率層を交互にスパッタ法、
イオンブレーティング法、クラスターイオンビーム法、
プラズマＣＶＤ法あるいは蒸着法等により被覆し、さら
に必要に応じて反射膜を上記と同様に組み合わせ層上に
被覆して形成する。
透明基板は、例えば、ガラス基板の上に珪酸重合物をス
ピン塗４５シ、スタンパを密着させてビットを転写させ
、ビット付きの透明基板を形成する。
ピン塗４５シ、スタンパを密着させてビットを転写させ
、ビット付きの透明基板を形成する。
またスタンパの型の中に樹脂を射出し、型から取り出し
てビット付きの透明基板を形成してもよい。
てビット付きの透明基板を形成してもよい。
このように作製した本発明の光記憶体は、高反射率と高
耐候性（高付着および高耐食性）を併せ持ち、従来の金
またはアルミニウム反射膜を直接透明基板に被覆したも
のよりはるかに優れた長期のデータ保存に関する信頼性
を有する。
耐候性（高付着および高耐食性）を併せ持ち、従来の金
またはアルミニウム反射膜を直接透明基板に被覆したも
のよりはるかに優れた長期のデータ保存に関する信頼性
を有する。
［作用］
本発明の光記憶体は、透明基板上に高屈折率層と低屈折
率層よりなる組み合わせ層を形成する。
率層よりなる組み合わせ層を形成する。
この組み合わせ層によって、各層からの反射光が多重干
渉を起こし、この時、各層の膜厚を適切な値に選択する
と位相が一致し、反射率を１００％近くにまで高めるこ
とができる。従って、従来のように透明基板上に直接Ａ
℃やＡＬＪ等よりなる反射膜を形成しなくともよく、信
頼性の高い光記憶体が提供される。
渉を起こし、この時、各層の膜厚を適切な値に選択する
と位相が一致し、反射率を１００％近くにまで高めるこ
とができる。従って、従来のように透明基板上に直接Ａ
℃やＡＬＪ等よりなる反射膜を形成しなくともよく、信
頼性の高い光記憶体が提供される。
高屈折率層と低屈折率層の組み合わせ層のみでも反射率
を１００％近くにすることができるが、多層の組み合わ
せが必要となる。そこで低屈折率層と高屈折率層の組み
合わせ層上に反射層を設けると、少ない組み合わせ層数
で高反射率を得ることができる。また高屈折率層と低屈
折率層の屈折率の差が大きいはど該２層の膜厚を薄くす
ることができ、ビットの形状（深さ、巾、長さ）を損ね
ることが少ない。
を１００％近くにすることができるが、多層の組み合わ
せが必要となる。そこで低屈折率層と高屈折率層の組み
合わせ層上に反射層を設けると、少ない組み合わせ層数
で高反射率を得ることができる。また高屈折率層と低屈
折率層の屈折率の差が大きいはど該２層の膜厚を薄くす
ることができ、ビットの形状（深さ、巾、長さ）を損ね
ることが少ない。
１実施例］
以下に、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明の光記憶体の一実施例を示したもので、
第１図（ａ）はその部分断面図、第１図（ｂ）は（ａ）
におけるＡ部の拡大断面図である。ここで、透明基板１
、高屈折率層２、低屈折率層３がそれぞれ第１表の■お
よび■に示ず材質、構成あよσ膜厚て被覆された２個の
試料を作製した。
第１図（ａ）はその部分断面図、第１図（ｂ）は（ａ）
におけるＡ部の拡大断面図である。ここで、透明基板１
、高屈折率層２、低屈折率層３がそれぞれ第１表の■お
よび■に示ず材質、構成あよσ膜厚て被覆された２個の
試料を作製した。
第２図は本発明の光記憶体１の他の一実施例を示したも
ので、第２図（ａ）はその部分断面図、第２図（ｂ）は
（ａ）におけるＢ部の拡大断面図である。ここで、透明
基板１、低屈折率層３、高屈折率層２がそれぞれ第１表
の■およびＩＶに示す材質。
ので、第２図（ａ）はその部分断面図、第２図（ｂ）は
（ａ）におけるＢ部の拡大断面図である。ここで、透明
基板１、低屈折率層３、高屈折率層２がそれぞれ第１表
の■およびＩＶに示す材質。
４Ｍ或および膜厚で被覆された２個の試料を作製した。
第３図は本発明の光記憶体１の他の一実施例を示す部分
断面図である。ごこて、透明基板１、高屈折率層２、低
屈折率層３、反射層４がそれぞれ第１表のＶ、 Ｖｌ、
ＶＮに示す材質、構成および膜厚で被覆された３個の
試料を作製した。
断面図である。ごこて、透明基板１、高屈折率層２、低
屈折率層３、反射層４がそれぞれ第１表のＶ、 Ｖｌ、
ＶＮに示す材質、構成および膜厚で被覆された３個の
試料を作製した。
得られた各試料の反則率を併けて第１表に示す。
（以下余白）
次に、これらの試料とポリカーボネート樹脂からなる透
明基板の上にアルミニウムおよび金を反射膜として形成
した比較試料について、温度７０℃、相対湿度９５％の
耐候性試験を６ケ月間行い、信号の良否の指標となるエ
ラー数を測定した。６ケ月の耐候性試験後、本発明の試
料のエラー数は全く劣化がみられなかったが、アルミニ
ウム反射膜を用いた比較試料は腐食により、また金反射
膜を用いた比較試料は剥離によりエラーの測定が不能に
なるほど劣化した。
明基板の上にアルミニウムおよび金を反射膜として形成
した比較試料について、温度７０℃、相対湿度９５％の
耐候性試験を６ケ月間行い、信号の良否の指標となるエ
ラー数を測定した。６ケ月の耐候性試験後、本発明の試
料のエラー数は全く劣化がみられなかったが、アルミニ
ウム反射膜を用いた比較試料は腐食により、また金反射
膜を用いた比較試料は剥離によりエラーの測定が不能に
なるほど劣化した。
［発明の効果］
以上、詳細に述べたように、本発明の光記憶体は透明基
板との密着性に優れ、かつ耐食性および高反射率を有し
ており、アルミニウムヤ金の反射膜を使用した光記憶体
に比べてはるかに信頼性を向上させることができる。
板との密着性に優れ、かつ耐食性および高反射率を有し
ており、アルミニウムヤ金の反射膜を使用した光記憶体
に比べてはるかに信頼性を向上させることができる。
第１図から第３図はそれぞれ本発明の光記憶体の一実施
例の部分断面図である。 １・・・透明基板 ２・・・高屈折率層 ３・・・低屈折率層 ４・・・反射層
例の部分断面図である。 １・・・透明基板 ２・・・高屈折率層 ３・・・低屈折率層 ４・・・反射層
Claims (2)
- （１）透明基板と、該透明基板の記録ビット形成面上に
被覆される高屈折率層および低屈折率層の順よりなる組
み合わせ層または低屈折率層および高屈折率層の順より
なる組み合わせ層を少なくとも１層以上を備えてなるこ
とを特徴とする光記憶体。 - （２）透明基板と、該透明基板の記録ビット形成面上に
被覆される高屈折率層および低屈折率層の順よりなる組
み合わせ層を少なくとも１層以上と、該組み合わせ層上
に被覆される反射層とを備えてなることを特徴とする光
記憶体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1318799A JP2647982B2 (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 光記憶体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1318799A JP2647982B2 (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 光記憶体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03183037A true JPH03183037A (ja) | 1991-08-09 |
| JP2647982B2 JP2647982B2 (ja) | 1997-08-27 |
Family
ID=18103075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1318799A Expired - Fee Related JP2647982B2 (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 光記憶体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2647982B2 (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08102084A (ja) * | 1994-09-30 | 1996-04-16 | Nec Corp | 情報記録媒体およびその製造方法 |
| JP2008097820A (ja) * | 2002-01-18 | 2008-04-24 | Koninkl Philips Electronics Nv | 追記形記録用の光データ記憶媒体 |
| US20140138785A1 (en) * | 2012-03-22 | 2014-05-22 | Sionyx, Inc. | Pixel isolation elements, devices, and associated methods |
| US9496308B2 (en) | 2011-06-09 | 2016-11-15 | Sionyx, Llc | Process module for increasing the response of backside illuminated photosensitive imagers and associated methods |
| US9673250B2 (en) | 2013-06-29 | 2017-06-06 | Sionyx, Llc | Shallow trench textured regions and associated methods |
| US9673243B2 (en) | 2009-09-17 | 2017-06-06 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| US9741761B2 (en) | 2010-04-21 | 2017-08-22 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| US9761739B2 (en) | 2010-06-18 | 2017-09-12 | Sionyx, Llc | High speed photosensitive devices and associated methods |
| US9762830B2 (en) | 2013-02-15 | 2017-09-12 | Sionyx, Llc | High dynamic range CMOS image sensor having anti-blooming properties and associated methods |
| US9911781B2 (en) | 2009-09-17 | 2018-03-06 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| US9939251B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-04-10 | Sionyx, Llc | Three dimensional imaging utilizing stacked imager devices and associated methods |
| US10244188B2 (en) | 2011-07-13 | 2019-03-26 | Sionyx, Llc | Biometric imaging devices and associated methods |
| US10361083B2 (en) | 2004-09-24 | 2019-07-23 | President And Fellows Of Harvard College | Femtosecond laser-induced formation of submicrometer spikes on a semiconductor substrate |
| US10374109B2 (en) | 2001-05-25 | 2019-08-06 | President And Fellows Of Harvard College | Silicon-based visible and near-infrared optoelectric devices |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6260142A (ja) * | 1985-09-10 | 1987-03-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 光学式情報記録デイスク |
| JPS63295049A (ja) * | 1987-05-28 | 1988-12-01 | Toshiba Mach Co Ltd | 定湯面保温炉における給排湯方法およびその装置 |
| JPH01147299A (ja) * | 1987-12-03 | 1989-06-08 | Mitsubishi Electric Corp | 航空機搭載用の火器管制システム |
| JPH02141945A (ja) * | 1988-11-22 | 1990-05-31 | Sekinosu Kk | 光ディスク基材に対する多層膜コーティング方法 |
| JPH0312835A (ja) * | 1989-06-10 | 1991-01-21 | Nippon Zeon Co Ltd | 光ディスク |
-
1989
- 1989-12-11 JP JP1318799A patent/JP2647982B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6260142A (ja) * | 1985-09-10 | 1987-03-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 光学式情報記録デイスク |
| JPS63295049A (ja) * | 1987-05-28 | 1988-12-01 | Toshiba Mach Co Ltd | 定湯面保温炉における給排湯方法およびその装置 |
| JPH01147299A (ja) * | 1987-12-03 | 1989-06-08 | Mitsubishi Electric Corp | 航空機搭載用の火器管制システム |
| JPH02141945A (ja) * | 1988-11-22 | 1990-05-31 | Sekinosu Kk | 光ディスク基材に対する多層膜コーティング方法 |
| JPH0312835A (ja) * | 1989-06-10 | 1991-01-21 | Nippon Zeon Co Ltd | 光ディスク |
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08102084A (ja) * | 1994-09-30 | 1996-04-16 | Nec Corp | 情報記録媒体およびその製造方法 |
| US10374109B2 (en) | 2001-05-25 | 2019-08-06 | President And Fellows Of Harvard College | Silicon-based visible and near-infrared optoelectric devices |
| JP2008097820A (ja) * | 2002-01-18 | 2008-04-24 | Koninkl Philips Electronics Nv | 追記形記録用の光データ記憶媒体 |
| US10361083B2 (en) | 2004-09-24 | 2019-07-23 | President And Fellows Of Harvard College | Femtosecond laser-induced formation of submicrometer spikes on a semiconductor substrate |
| US10741399B2 (en) | 2004-09-24 | 2020-08-11 | President And Fellows Of Harvard College | Femtosecond laser-induced formation of submicrometer spikes on a semiconductor substrate |
| US9911781B2 (en) | 2009-09-17 | 2018-03-06 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| US10361232B2 (en) | 2009-09-17 | 2019-07-23 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| US9673243B2 (en) | 2009-09-17 | 2017-06-06 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| US9741761B2 (en) | 2010-04-21 | 2017-08-22 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| US10229951B2 (en) | 2010-04-21 | 2019-03-12 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| US10505054B2 (en) | 2010-06-18 | 2019-12-10 | Sionyx, Llc | High speed photosensitive devices and associated methods |
| US9761739B2 (en) | 2010-06-18 | 2017-09-12 | Sionyx, Llc | High speed photosensitive devices and associated methods |
| US9666636B2 (en) | 2011-06-09 | 2017-05-30 | Sionyx, Llc | Process module for increasing the response of backside illuminated photosensitive imagers and associated methods |
| US10269861B2 (en) | 2011-06-09 | 2019-04-23 | Sionyx, Llc | Process module for increasing the response of backside illuminated photosensitive imagers and associated methods |
| US9496308B2 (en) | 2011-06-09 | 2016-11-15 | Sionyx, Llc | Process module for increasing the response of backside illuminated photosensitive imagers and associated methods |
| US10244188B2 (en) | 2011-07-13 | 2019-03-26 | Sionyx, Llc | Biometric imaging devices and associated methods |
| US10224359B2 (en) | 2012-03-22 | 2019-03-05 | Sionyx, Llc | Pixel isolation elements, devices and associated methods |
| US9905599B2 (en) | 2012-03-22 | 2018-02-27 | Sionyx, Llc | Pixel isolation elements, devices and associated methods |
| US9064764B2 (en) * | 2012-03-22 | 2015-06-23 | Sionyx, Inc. | Pixel isolation elements, devices, and associated methods |
| US20140138785A1 (en) * | 2012-03-22 | 2014-05-22 | Sionyx, Inc. | Pixel isolation elements, devices, and associated methods |
| US9762830B2 (en) | 2013-02-15 | 2017-09-12 | Sionyx, Llc | High dynamic range CMOS image sensor having anti-blooming properties and associated methods |
| US9939251B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-04-10 | Sionyx, Llc | Three dimensional imaging utilizing stacked imager devices and associated methods |
| US9673250B2 (en) | 2013-06-29 | 2017-06-06 | Sionyx, Llc | Shallow trench textured regions and associated methods |
| US10347682B2 (en) | 2013-06-29 | 2019-07-09 | Sionyx, Llc | Shallow trench textured regions and associated methods |
| US11069737B2 (en) | 2013-06-29 | 2021-07-20 | Sionyx, Llc | Shallow trench textured regions and associated methods |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2647982B2 (ja) | 1997-08-27 |
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