JPH0227803B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0227803B2 JPH0227803B2 JP59500887A JP50088784A JPH0227803B2 JP H0227803 B2 JPH0227803 B2 JP H0227803B2 JP 59500887 A JP59500887 A JP 59500887A JP 50088784 A JP50088784 A JP 50088784A JP H0227803 B2 JPH0227803 B2 JP H0227803B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- paste
- substrate
- resistor
- copper
- silver
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistors, capacitors or inductors
- H05K1/167—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistors, capacitors or inductors incorporating printed resistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/28—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals
- H01C17/281—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals by thick film techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
- H10D84/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/08—Treatments involving gases
- H05K2203/087—Using a reactive gas
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
- H05K2203/1126—Firing, i.e. heating a powder or paste above the melting temperature of at least one of its constituents
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
- H05K2203/1157—Using means for chemical reduction
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/14—Related to the order of processing steps
- H05K2203/1453—Applying the circuit pattern before another process, e.g. before filling of vias with conductive paste, before making printed resistors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
- H05K3/1283—After-treatment of the printed patterns, e.g. sintering or curing methods
- H05K3/1291—Firing or sintering at relative high temperatures for patterns on inorganic boards, e.g. co-firing of circuits on green ceramic sheets
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Description
請求の範囲
１ 銅を主体とする金属成分を含有するペースト
１１，１２を基板１０の上に付着させ、金属成分
を基板に接着するため酸化雰囲気中で加熱し、前
記基板及び前記金属の一部の上に抵抗体材料１３
を形成し、抵抗体材料の面積抵抗を所要の値にす
るため酸化雰囲気中で加熱し、抵抗体材料に著し
い影響を与えることなく、この金属の面積抵抗を
所要の値にするよう還元雰囲気中で加熱し、基板
上に厚膜抵抗回路を形成する方法において、 ペーストがフリツトレス形であり、また金属成
分は１〜25％の銀を含有し、金属を1100℃以下の
温度で加熱することにより基板に接着することを
特徴とする基板上に厚膜抵抗回路を形成する方
法。
１１，１２を基板１０の上に付着させ、金属成分
を基板に接着するため酸化雰囲気中で加熱し、前
記基板及び前記金属の一部の上に抵抗体材料１３
を形成し、抵抗体材料の面積抵抗を所要の値にす
るため酸化雰囲気中で加熱し、抵抗体材料に著し
い影響を与えることなく、この金属の面積抵抗を
所要の値にするよう還元雰囲気中で加熱し、基板
上に厚膜抵抗回路を形成する方法において、 ペーストがフリツトレス形であり、また金属成
分は１〜25％の銀を含有し、金属を1100℃以下の
温度で加熱することにより基板に接着することを
特徴とする基板上に厚膜抵抗回路を形成する方
法。
２ 請求の範囲第１項記載の方法において、金属
成分が0.1〜1.0％のアルミニウムも含有する方
法。
成分が0.1〜1.0％のアルミニウムも含有する方
法。
３ 請求の範囲第１項記載の方法において、銀が
重量で金属成分の１〜10％である方法。
重量で金属成分の１〜10％である方法。
４ 請求の範囲第１項記載の方法において、抵抗
体材料がルテニウム・ベースの成分からなる方
法。
体材料がルテニウム・ベースの成分からなる方
法。
５ 請求の範囲第１項記載の方法において、金属
の面積抵抗は最終的に0.005オーム／平方以下で
ある方法。
の面積抵抗は最終的に0.005オーム／平方以下で
ある方法。
６ 請求の範囲第１項記載の方法において、金属
の面積抵抗の所要値が15〜60分間にわたるピーク
温度250〜400℃の加熱で得られる方法。
の面積抵抗の所要値が15〜60分間にわたるピーク
温度250〜400℃の加熱で得られる方法。
７ 請求の範囲第１項記載の方法において、基板
がアルミナからなる方法。
がアルミナからなる方法。
８ 請求の範囲第１項記載の方法において、ペー
ストがさらに１つの接着剤と少なくとも１種類の
溶剤からなる有機ビヒクルからなる方法。
ストがさらに１つの接着剤と少なくとも１種類の
溶剤からなる有機ビヒクルからなる方法。
明細書
本発明は基板上に厚膜抵抗回路を形成する方法
に関し、この方法は、基板上に銅を主体とする金
属成分を含有するペーストを付着させること、基
板に金属成分を接着するためにペーストを付着し
た基板を酸化雰囲気中で加熱すること、前記基板
と前記金属の一部に抵抗体材料を形成すること、
その抵抗材料を所要の面積抵抗にするために、抵
抗体材料を形成した基板を酸化雰囲気中で加熱す
ること、抵抗体材料に著しい影響を与えることな
く、この金属を所要の面積抵抗にするよう前記酸
化雰囲気中で加熱した基板を還元雰囲気中で加熱
すること、により基板上に厚膜抵抗回路を形成す
る。
に関し、この方法は、基板上に銅を主体とする金
属成分を含有するペーストを付着させること、基
板に金属成分を接着するためにペーストを付着し
た基板を酸化雰囲気中で加熱すること、前記基板
と前記金属の一部に抵抗体材料を形成すること、
その抵抗材料を所要の面積抵抗にするために、抵
抗体材料を形成した基板を酸化雰囲気中で加熱す
ること、抵抗体材料に著しい影響を与えることな
く、この金属を所要の面積抵抗にするよう前記酸
化雰囲気中で加熱した基板を還元雰囲気中で加熱
すること、により基板上に厚膜抵抗回路を形成す
る。
現在のところ、殆んどの厚膜回路は、銀．金．
パラジウム、白金などの貴金属を単体又は混合し
たものをベースとする導体システム及びルテニウ
ムをベースとする抵抗体材料を採用している。高
価な金属ペーストは確かに導電率は高いが価格も
非常に高いものである。さらに銀ベースのペース
トは、銀が基板を移染（マイグレーシヨン）し、
そのため回路を短絡させる可能性もある。また貴
金属方式を用いる場合には、しばしばハンダ付け
性も悪くなる。
パラジウム、白金などの貴金属を単体又は混合し
たものをベースとする導体システム及びルテニウ
ムをベースとする抵抗体材料を採用している。高
価な金属ペーストは確かに導電率は高いが価格も
非常に高いものである。さらに銀ベースのペース
トは、銀が基板を移染（マイグレーシヨン）し、
そのため回路を短絡させる可能性もある。また貴
金属方式を用いる場合には、しばしばハンダ付け
性も悪くなる。
上記の問題点を考慮して、本技術の関係者達
は、貴金属方式に代る方式、特に銅ベース導体を
使用することを提案した。例えば、付着後、窒素
雰囲気中で焼成する方式の銅ペーストが開発され
た（グリエール（Grier）に交付された米国特許
4072771を参照されたい）。しかしながら、このよ
うなペーストは酸化雰囲気中での焼成を必要とす
るルテニウム・ベースの抵抗体材料に置き換えら
れるものではない。
は、貴金属方式に代る方式、特に銅ベース導体を
使用することを提案した。例えば、付着後、窒素
雰囲気中で焼成する方式の銅ペーストが開発され
た（グリエール（Grier）に交付された米国特許
4072771を参照されたい）。しかしながら、このよ
うなペーストは酸化雰囲気中での焼成を必要とす
るルテニウム・ベースの抵抗体材料に置き換えら
れるものではない。
その他に還元雰囲気を必要とする銅ペーストの
導体を、酸化雰囲気を必要とする抵抗体と共に製
造できるようにした提案もなされた。たとえば、
我々は以前フリツトレス形銅ペーストを付着さ
せ、高温で焼成した後、これを一旦還元し、再度
酸化して低密度の酸化銅を作る方法を提案した。
次に抵抗体を付着させた後、大気中で焼成し、そ
して、抵抗体の質を低下させることのないように
十分低い温度でこの酸化銅を還元した（ブラウン
（Brown）他に交付された米国特許4140817を参
照されたい）。この処理法は、確かに有効なもの
であつたが、特殊な炉の中で高温の初期焼成が必
要であつた。それ故、我々は後に低温で焼成でき
るフリツト形銅ペーストを提案した。抵抗体が形
成されたならば、このペーストは抵抗体にあまり
影響を与えることのないような低い温度で還元す
ることができる（ブラウン（Brown）他に付与
された米国特許4316920を参照されたい）。このよ
うな処理法は満足すべきものであつたが、導体材
料の導電率、付着性及びハンダ付け性をさらに改
善する必要性は依然としてあつた。
導体を、酸化雰囲気を必要とする抵抗体と共に製
造できるようにした提案もなされた。たとえば、
我々は以前フリツトレス形銅ペーストを付着さ
せ、高温で焼成した後、これを一旦還元し、再度
酸化して低密度の酸化銅を作る方法を提案した。
次に抵抗体を付着させた後、大気中で焼成し、そ
して、抵抗体の質を低下させることのないように
十分低い温度でこの酸化銅を還元した（ブラウン
（Brown）他に交付された米国特許4140817を参
照されたい）。この処理法は、確かに有効なもの
であつたが、特殊な炉の中で高温の初期焼成が必
要であつた。それ故、我々は後に低温で焼成でき
るフリツト形銅ペーストを提案した。抵抗体が形
成されたならば、このペーストは抵抗体にあまり
影響を与えることのないような低い温度で還元す
ることができる（ブラウン（Brown）他に付与
された米国特許4316920を参照されたい）。このよ
うな処理法は満足すべきものであつたが、導体材
料の導電率、付着性及びハンダ付け性をさらに改
善する必要性は依然としてあつた。
これらの問題点は、本発明に基づき上述の方法
でペーストをフリツトレス形とし、金属成分は１
〜25％の銀を含有し、そしてこの金属は1100℃以
下の温度で加熱することによつて基板に接着され
ることを特徴とするような方法にすることにより
解決された。
でペーストをフリツトレス形とし、金属成分は１
〜25％の銀を含有し、そしてこの金属は1100℃以
下の温度で加熱することによつて基板に接着され
ることを特徴とするような方法にすることにより
解決された。
図は、本発明の１つの実施例に基づき製造され
た厚膜回路の一部の断面図である。この図は必ず
しも一定の縮尺どおりになつていないことは理解
されよう。
た厚膜回路の一部の断面図である。この図は必ず
しも一定の縮尺どおりになつていないことは理解
されよう。
図は、厚膜回路の一部を示している。典型的な
回路としては、多数の導体と抵抗体素子が他の部
品といつしよになつてできているものと考えてよ
いであろう。
回路としては、多数の導体と抵抗体素子が他の部
品といつしよになつてできているものと考えてよ
いであろう。
回路は、絶縁基板１０の上に作られたものであ
り、この基板は、アルミナである場合が一般的で
ある。導体パターン１１，１２を形成するため
に、先ず適当な厚さの膜状のペーストを準備し
た。
り、この基板は、アルミナである場合が一般的で
ある。導体パターン１１，１２を形成するため
に、先ず適当な厚さの膜状のペーストを準備し
た。
本発明の特徴に基づき、ペーストはフリツトレ
ス形であり、銅を主体とする金属成分を含有し、
また銀も若干含んでいる。銅及び銀は、合金とし
て、又は銀が被覆した銅の粒子とし、あるいは混
合物として存在することができるが、勿論合金が
望ましい。CuAg合金は、合金の融点よりやや低
い温度で焼結するか、液状にしてジエツト噴霧に
よつて形成できる。銅ペーストに銀を添加すると
基板との接着力が増強され、したがつて、ペース
トの中にフリツトがなくても付着後の低温焼成が
可能となることが発見された。フリツトレス形ペ
ーストから作られた導体の導電率、付着性及びハ
ンダ付け性は、酸化反応を受け、次いで還元反応
を受ける場合にはフリツト形ペーストから作られ
た、導体より優れていることが知られている。
ス形であり、銅を主体とする金属成分を含有し、
また銀も若干含んでいる。銅及び銀は、合金とし
て、又は銀が被覆した銅の粒子とし、あるいは混
合物として存在することができるが、勿論合金が
望ましい。CuAg合金は、合金の融点よりやや低
い温度で焼結するか、液状にしてジエツト噴霧に
よつて形成できる。銅ペーストに銀を添加すると
基板との接着力が増強され、したがつて、ペース
トの中にフリツトがなくても付着後の低温焼成が
可能となることが発見された。フリツトレス形ペ
ーストから作られた導体の導電率、付着性及びハ
ンダ付け性は、酸化反応を受け、次いで還元反応
を受ける場合にはフリツト形ペーストから作られ
た、導体より優れていることが知られている。
CuとAgの配合において、銀が回路の他の部分
へ移染するのをできるだけ少なくするため銀の量
はできるだけ少なくすることが望ましい。その割
合は銀が25％以下にすべきであるが、望ましいの
は10％以下である。銀の最少の割合は約１％であ
る。
へ移染するのをできるだけ少なくするため銀の量
はできるだけ少なくすることが望ましい。その割
合は銀が25％以下にすべきであるが、望ましいの
は10％以下である。銀の最少の割合は約１％であ
る。
ペースト中の金属成分は微量のアルミニウムを
含み、これらは明らかに粉末処理中の銅の酸化を
防止するが、またCu／Ag粒子に対する保護膜の
作用をし、焼成に際してアルミナ表面との界面の
形成に寄与し、そして後に行うハンダ付け工程で
焼成導体が溶融した錫の浸出作用を受けにくくす
る役目をする。アルミニウムの範囲として望まし
いのは0.1〜1.0％である。
含み、これらは明らかに粉末処理中の銅の酸化を
防止するが、またCu／Ag粒子に対する保護膜の
作用をし、焼成に際してアルミナ表面との界面の
形成に寄与し、そして後に行うハンダ付け工程で
焼成導体が溶融した錫の浸出作用を受けにくくす
る役目をする。アルミニウムの範囲として望まし
いのは0.1〜1.0％である。
このペーストは、スクリーン印刷を可能にする
ため有機ビヒクルも含有している。典型的な場
合、このビヒクルは１つの接着剤と少なくとも１
種類の溶剤を含有している。この例では、ビヒク
ルはアルフア・テルピネオールとブチル・カービ
ノール・アセテートの２つの溶材にエチル・セル
ローズを溶解したものであつた。接着剤は、望ま
しいのは３〜20％のビヒクルと２つの溶剤のいず
れかを０〜10％の範囲で変化させたものである。
ため有機ビヒクルも含有している。典型的な場
合、このビヒクルは１つの接着剤と少なくとも１
種類の溶剤を含有している。この例では、ビヒク
ルはアルフア・テルピネオールとブチル・カービ
ノール・アセテートの２つの溶材にエチル・セル
ローズを溶解したものであつた。接着剤は、望ま
しいのは３〜20％のビヒクルと２つの溶剤のいず
れかを０〜10％の範囲で変化させたものである。
具体的な例としては、9100グラムの銅、800グ
ラムの銀及び100グラムのアルミニウムからなり、
アルゴンガスを用いた液状金属のジエツト噴霧に
よつて２つを合金とした10.000グラムの合金を用
意した。一方10グラムの接着剤と各45グラムの溶
剤を混合して10％のビヒクルを作つた。厚膜用ペ
ーストを作るため大きさが25ミクロン又はそれ以
下の金属粉粒をこの有機ビヒクルに混合した。本
例ではペーストは重量比で金属が約85％、ビヒク
ルが約15％（85グラムの粉末及び15グラムのビヒ
クル）であつた。しかしながら、金属の範囲とし
ては、用途によりペーストの10〜90％のものが有
効である。
ラムの銀及び100グラムのアルミニウムからなり、
アルゴンガスを用いた液状金属のジエツト噴霧に
よつて２つを合金とした10.000グラムの合金を用
意した。一方10グラムの接着剤と各45グラムの溶
剤を混合して10％のビヒクルを作つた。厚膜用ペ
ーストを作るため大きさが25ミクロン又はそれ以
下の金属粉粒をこの有機ビヒクルに混合した。本
例ではペーストは重量比で金属が約85％、ビヒク
ルが約15％（85グラムの粉末及び15グラムのビヒ
クル）であつた。しかしながら、金属の範囲とし
ては、用途によりペーストの10〜90％のものが有
効である。
導体用ペーストは基板10の上に標準的なスクリ
ーン印刷によつて所要の導体パターン１１，１２
を作るように付着した。このペーストの厚さは、
範囲としては0.0005〜0.002インチが有用である
が、125℃で約10分間乾燥の後は約0.001インチで
あつた。
ーン印刷によつて所要の導体パターン１１，１２
を作るように付着した。このペーストの厚さは、
範囲としては0.0005〜0.002インチが有用である
が、125℃で約10分間乾燥の後は約0.001インチで
あつた。
基板に金属成分を接着するために付着させたペ
ーストを大気中で焼成した。本例では焼成条件は
標準的なベルト炉の中で最高温度1000℃であり、
その時間は８〜10分であつた。全加熱時間は１時
間であり、最初１分間当り60℃で上昇させ、次に
１分間当り60℃で下降させた。本発明の顕著な特
徴は、このような低温で金属を接着できる事であ
り、このため後の処理過程で低温での還元を可能
にすることである。このような処理過程に有用な
最高の焼成温度は1100℃であつた。望ましい最低
の温度は約950℃であつた。
ーストを大気中で焼成した。本例では焼成条件は
標準的なベルト炉の中で最高温度1000℃であり、
その時間は８〜10分であつた。全加熱時間は１時
間であり、最初１分間当り60℃で上昇させ、次に
１分間当り60℃で下降させた。本発明の顕著な特
徴は、このような低温で金属を接着できる事であ
り、このため後の処理過程で低温での還元を可能
にすることである。このような処理過程に有用な
最高の焼成温度は1100℃であつた。望ましい最低
の温度は約950℃であつた。
焼成の結果、殆んど全ての有機ビヒクルは蒸発
し、残留するのは主として酸化銅及び銅と基板の
間の薄い（約0.05ミル厚）接着層からなる層であ
る。なおこの基板は、主としてアルミン酸銅及び
アルミナイト銅（CuAl2O4、CuAlO2）、アルミ酸
銀（AgAlO2）並びにCuOから成るものである。
銀又は酸化銀は、Ｘ線分析で検出されることはな
かつたので、存在するとしても５％以下の量であ
る。
し、残留するのは主として酸化銅及び銅と基板の
間の薄い（約0.05ミル厚）接着層からなる層であ
る。なおこの基板は、主としてアルミン酸銅及び
アルミナイト銅（CuAl2O4、CuAlO2）、アルミ酸
銀（AgAlO2）並びにCuOから成るものである。
銀又は酸化銀は、Ｘ線分析で検出されることはな
かつたので、存在するとしても５％以下の量であ
る。
所要の導体パターンが作られた後、次に抵抗体
材料１３を基板及び導体の所定の部分に付着させ
た。本具体例では、抵抗体はデユポン（DuPont）
からバイロツクス（Birox）の名称で市販されて
いるルテニウム酸ビスマス及びほうけい酸ガラス
よりなる標準的なペーストを用いた。本発明は酸
化雰囲気中で焼成できるいかなる抵抗体材料に対
しても適用することができるが、ルテニウム・ベ
ースの抵抗材料に対して特に有用である。
材料１３を基板及び導体の所定の部分に付着させ
た。本具体例では、抵抗体はデユポン（DuPont）
からバイロツクス（Birox）の名称で市販されて
いるルテニウム酸ビスマス及びほうけい酸ガラス
よりなる標準的なペーストを用いた。本発明は酸
化雰囲気中で焼成できるいかなる抵抗体材料に対
しても適用することができるが、ルテニウム・ベ
ースの抵抗材料に対して特に有用である。
抵抗体用のペーストは、125℃で10分間にわた
り加熱し、乾燥したが、この時間と温度は厳しい
ものではない。乾燥後の抵抗体の厚さは約0.8ミ
ルであつたが通常は0.7〜0.9ミルの範囲にある。
り加熱し、乾燥したが、この時間と温度は厳しい
ものではない。乾燥後の抵抗体の厚さは約0.8ミ
ルであつたが通常は0.7〜0.9ミルの範囲にある。
次に、抵抗体の面積抵抗を所要の値とするた
め、これを大気中で使用材料と面積抵抗の値とに
よつて異なるところの温度と時間で焼成した。本
例では、約1000オーム／平方の面積抵抗を得るた
めピーク温度850℃で10分間にわたり焼成した。
全焼成時間は60分であり、温度は35度／分の率で
上昇させ、また45度／分で下降させた。
め、これを大気中で使用材料と面積抵抗の値とに
よつて異なるところの温度と時間で焼成した。本
例では、約1000オーム／平方の面積抵抗を得るた
めピーク温度850℃で10分間にわたり焼成した。
全焼成時間は60分であり、温度は35度／分の率で
上昇させ、また45度／分で下降させた。
抵抗体の酸化に引続いて、これを還元雰囲気中
で加熱することによつて導体１１，１２の面積抵
抗を所要の値にした。本例では、製品はベルト炉
の中でH210％及びN290％の雰囲気中におきピー
ク温度400℃で30分間にわたり加熱した。全加熱
時間は60分であり、温度は１分当り20℃で上昇さ
せ、また１分当り、20℃の率で下降させた。既に
述べたように、本発明の重要な利点は、大気中に
おけるペースト初期焼成温度が低いことによつ
て、十分低い温度での還元が可能となり、そのた
め抵抗体が悪影響を受けることがないことであ
る。一般に、有用な加熱範囲は、ピーク温度250
〜400℃で15〜60分である。ここで得られた導体
の面積抵抗は単位面積当り0.0035オームであつた
が単位面積当り0.005オーム以下の面積抵抗が好
適である。ここではH2／N2雰囲気が用いられた
が、その他の還元雰囲気もたいてい用いることが
できる。
で加熱することによつて導体１１，１２の面積抵
抗を所要の値にした。本例では、製品はベルト炉
の中でH210％及びN290％の雰囲気中におきピー
ク温度400℃で30分間にわたり加熱した。全加熱
時間は60分であり、温度は１分当り20℃で上昇さ
せ、また１分当り、20℃の率で下降させた。既に
述べたように、本発明の重要な利点は、大気中に
おけるペースト初期焼成温度が低いことによつ
て、十分低い温度での還元が可能となり、そのた
め抵抗体が悪影響を受けることがないことであ
る。一般に、有用な加熱範囲は、ピーク温度250
〜400℃で15〜60分である。ここで得られた導体
の面積抵抗は単位面積当り0.0035オームであつた
が単位面積当り0.005オーム以下の面積抵抗が好
適である。ここではH2／N2雰囲気が用いられた
が、その他の還元雰囲気もたいてい用いることが
できる。
本応用からも明らかなように、「金属成分」と
いう用語は、金属の他に金属の酸化物も含むもの
であることは理解されよう。さらに他の有機ビヒ
クルであつても、所要のレオロジー（流動変形）
特性を有するものであれば、ペーストに使用する
ことができる。このビヒクルは、チキソトロピー
（凝液性の）流体である必要がありスクリーン印
刷に適した粘性を有し、ワレと空孔を避けるよう
な低い温度と温度変化率での焼成によつて蒸発す
るものでなければならない。
いう用語は、金属の他に金属の酸化物も含むもの
であることは理解されよう。さらに他の有機ビヒ
クルであつても、所要のレオロジー（流動変形）
特性を有するものであれば、ペーストに使用する
ことができる。このビヒクルは、チキソトロピー
（凝液性の）流体である必要がありスクリーン印
刷に適した粘性を有し、ワレと空孔を避けるよう
な低い温度と温度変化率での焼成によつて蒸発す
るものでなければならない。
当業者にとつて種々の変更も可能であろう。本
技術を改善することになつた本発明の根底にある
考えに基づくところの全ての変更は、本発明の意
図と範囲に入るものである。
技術を改善することになつた本発明の根底にある
考えに基づくところの全ての変更は、本発明の意
図と範囲に入るものである。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US468955 | 1983-02-23 | ||
| US06/468,955 US4503090A (en) | 1983-02-23 | 1983-02-23 | Thick film resistor circuits |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60500837A JPS60500837A (ja) | 1985-05-30 |
| JPH0227803B2 true JPH0227803B2 (ja) | 1990-06-20 |
Family
ID=23861877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59500887A Granted JPS60500837A (ja) | 1983-02-23 | 1984-01-19 | 厚膜抵抗回路 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4503090A (ja) |
| EP (1) | EP0135534B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60500837A (ja) |
| KR (1) | KR900008274B1 (ja) |
| CA (1) | CA1200296A (ja) |
| DE (1) | DE3474879D1 (ja) |
| SG (1) | SG34989G (ja) |
| WO (1) | WO1984003389A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0219405U (ja) * | 1988-07-21 | 1990-02-08 | ||
| JPH0717402U (ja) * | 1993-09-06 | 1995-03-28 | 三菱マテリアル株式会社 | スローアウェイチップ |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4600604A (en) * | 1984-09-17 | 1986-07-15 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Metal oxide-coated copper powder |
| US4594181A (en) * | 1984-09-17 | 1986-06-10 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Metal oxide-coated copper powder |
| DE3621667A1 (de) * | 1985-06-29 | 1987-01-08 | Toshiba Kawasaki Kk | Mit einer mehrzahl von dickfilmen beschichtetes substrat, verfahren zu seiner herstellung und dieses enthaltende vorrichtung |
| US4623482A (en) * | 1985-10-25 | 1986-11-18 | Cts Corporation | Copper conductive paint for porcelainized metal substrates |
| US4655811A (en) * | 1985-12-23 | 1987-04-07 | Donnelly Corporation | Conductive coating treatment of glass sheet bending process |
| GB8602331D0 (en) * | 1986-01-30 | 1986-03-05 | Ici Plc | Multilayer systems |
| US4728534A (en) * | 1986-08-04 | 1988-03-01 | Motorola, Inc. | Thick film conductor structure |
| CA1273853A (en) * | 1986-12-17 | 1990-09-11 | Hitoshi Suzuki | Method for production of ceramic circuit board |
| US5302412A (en) * | 1989-02-03 | 1994-04-12 | The Boc Group, Inc. | Single atmosphere for firing compatible thick film material |
| US5096619A (en) * | 1989-03-23 | 1992-03-17 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film low-end resistor composition |
| JPH0795483B2 (ja) * | 1989-05-18 | 1995-10-11 | 株式会社東芝 | 厚膜抵抗素子の製造方法 |
| US5376403A (en) * | 1990-02-09 | 1994-12-27 | Capote; Miguel A. | Electrically conductive compositions and methods for the preparation and use thereof |
| US5716663A (en) * | 1990-02-09 | 1998-02-10 | Toranaga Technologies | Multilayer printed circuit |
| WO1992003030A1 (fr) * | 1990-07-31 | 1992-02-20 | Nfe Co., Ltd. | Procede de formation d'electrodes |
| JPH04221888A (ja) * | 1990-12-21 | 1992-08-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | セラミック配線基板とその製造方法 |
| US5925443A (en) * | 1991-09-10 | 1999-07-20 | International Business Machines Corporation | Copper-based paste containing copper aluminate for microstructural and shrinkage control of copper-filled vias |
| JP2674523B2 (ja) * | 1993-12-16 | 1997-11-12 | 日本電気株式会社 | セラミック配線基板とその製造方法 |
| US5980785A (en) * | 1997-10-02 | 1999-11-09 | Ormet Corporation | Metal-containing compositions and uses thereof, including preparation of resistor and thermistor elements |
| US6180164B1 (en) * | 1998-10-26 | 2001-01-30 | Delco Electronics Corporation | Method of forming ruthenium-based thick-film resistors |
| EP2286208A1 (en) * | 2008-05-09 | 2011-02-23 | Commonwealth Scientific and Industrial Research Organisation | A composite material for use in a sensing electrode for measuring water quality |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3801364A (en) * | 1971-02-03 | 1974-04-02 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Method for making printed circuits which include printed resistors |
| GB1374763A (en) * | 1971-12-21 | 1974-11-20 | Atomic Energy Authority Uk | Metalising pastes |
| GB1401037A (en) * | 1972-08-01 | 1975-07-16 | Square D Co | Electrical contact materials |
| GB1506450A (en) * | 1974-09-18 | 1978-04-05 | Siemens Ag | Pastes for the production of thick-film conductor paths |
| US4072771A (en) * | 1975-11-28 | 1978-02-07 | Bala Electronics Corporation | Copper thick film conductor |
| US4140817A (en) * | 1977-11-04 | 1979-02-20 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Thick film resistor circuits |
| US4255291A (en) * | 1979-06-21 | 1981-03-10 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Air-fireable conductor composition |
| US4316920A (en) * | 1980-07-03 | 1982-02-23 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Thick film resistor circuits |
| US4316942A (en) * | 1980-10-06 | 1982-02-23 | Cts Corporation | Thick film copper conductor circuits |
| US4409181A (en) * | 1981-08-24 | 1983-10-11 | Gte Products Corporation | Brazing compositions |
-
1983
- 1983-02-23 US US06/468,955 patent/US4503090A/en not_active Expired - Lifetime
-
1984
- 1984-01-19 DE DE8484900789T patent/DE3474879D1/de not_active Expired
- 1984-01-19 JP JP59500887A patent/JPS60500837A/ja active Granted
- 1984-01-19 EP EP84900789A patent/EP0135534B1/en not_active Expired
- 1984-01-19 WO PCT/US1984/000064 patent/WO1984003389A1/en not_active Ceased
- 1984-01-31 CA CA000446471A patent/CA1200296A/en not_active Expired
- 1984-02-21 KR KR1019840000820A patent/KR900008274B1/ko not_active Expired
-
1989
- 1989-05-30 SG SG34989A patent/SG34989G/en unknown
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0219405U (ja) * | 1988-07-21 | 1990-02-08 | ||
| JPH0717402U (ja) * | 1993-09-06 | 1995-03-28 | 三菱マテリアル株式会社 | スローアウェイチップ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0135534B1 (en) | 1988-10-26 |
| US4503090A (en) | 1985-03-05 |
| EP0135534A1 (en) | 1985-04-03 |
| KR840009025A (ko) | 1984-12-20 |
| JPS60500837A (ja) | 1985-05-30 |
| EP0135534A4 (en) | 1985-09-09 |
| KR900008274B1 (ko) | 1990-11-10 |
| CA1200296A (en) | 1986-02-04 |
| SG34989G (en) | 1989-10-13 |
| WO1984003389A1 (en) | 1984-08-30 |
| DE3474879D1 (en) | 1988-12-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0227803B2 (ja) | ||
| US4122232A (en) | Air firable base metal conductors | |
| US4293451A (en) | Screenable contact structure and method for semiconductor devices | |
| JPH0334162B2 (ja) | ||
| US4409261A (en) | Process for air firing oxidizable conductors | |
| EP0046640B1 (en) | Thick film conductor employing copper oxide | |
| US3347799A (en) | Gold-palladium conductor compositions and conductors made therefrom | |
| US4316920A (en) | Thick film resistor circuits | |
| EP0047071B1 (en) | Thick film conductor employing nickel oxide | |
| JPH0653594B2 (ja) | 導体組成物 | |
| JPH0346705A (ja) | 銅ペースト | |
| US6150041A (en) | Thick-film circuits and metallization process | |
| HK4590A (en) | Thick film resistor circuits | |
| JPH0349108A (ja) | 銅導体組成物 | |
| JPS58107605A (ja) | チツプ抵抗器の製造方法 | |
| JPH1083717A (ja) | 導電性組成物 | |
| JPS60217694A (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| JP2000106033A (ja) | 銅導体ペースト | |
| JPS62140304A (ja) | 導電性ペ−スト | |
| JPH1098244A (ja) | 厚膜回路基板及びその製造方法 | |
| JPS58130590A (ja) | セラミツク配線基板および該セラミツク配線基板を用いた厚膜ハイブリツドｉｃ | |
| JPS63301405A (ja) | 低温焼成型導電性ペ−スト及び回路基板の製造方法 | |
| JPS5873185A (ja) | 厚膜回路基板の製造方法 | |
| JPS62140305A (ja) | 導電性ペ−スト | |
| JPH02122698A (ja) | 回路基板用ペーストおよび該ペーストを用いた多層セラミック回路基板の製造方法 |