JPH0227829B2 - - Google Patents
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- JPH0227829B2 JPH0227829B2 JP55166236A JP16623680A JPH0227829B2 JP H0227829 B2 JPH0227829 B2 JP H0227829B2 JP 55166236 A JP55166236 A JP 55166236A JP 16623680 A JP16623680 A JP 16623680A JP H0227829 B2 JPH0227829 B2 JP H0227829B2
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- Japan
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- layer
- type
- grooves
- substrate
- stripe
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2059—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は内部ストライプ型半導体レーザ素子の
製造方法に関するものである。
製造方法に関するものである。
先行技術として第１図に示すごとき構造を有す
る内部ストライプ型半導体レーザ素子及びその製
造方法が提案されている。この内部ストライプ型
半導体レーザ素子において、ｐ−GaAs基板５上
には、ｎ−GaAsからなる閉じ込め層６、基板５
にまで達するストライプ溝を有しｐ−Ga1-yAly
Asからなるクラツド層１、ｎ−Ga1-xAlxAsから
なる活性層２、ｎ−Ga1-yAlyAsからなるクラツ
ド層３、及びｎ−GaAsからなるキヤツプ層４が
この順序で形成される。ただし、０＜ｘ＜ｙ＜１
である。また、基板５の下面にはｐ型電極９が形
成され、キヤツプ層４の上面にはｎ型電極８形成
される。
る内部ストライプ型半導体レーザ素子及びその製
造方法が提案されている。この内部ストライプ型
半導体レーザ素子において、ｐ−GaAs基板５上
には、ｎ−GaAsからなる閉じ込め層６、基板５
にまで達するストライプ溝を有しｐ−Ga1-yAly
Asからなるクラツド層１、ｎ−Ga1-xAlxAsから
なる活性層２、ｎ−Ga1-yAlyAsからなるクラツ
ド層３、及びｎ−GaAsからなるキヤツプ層４が
この順序で形成される。ただし、０＜ｘ＜ｙ＜１
である。また、基板５の下面にはｐ型電極９が形
成され、キヤツプ層４の上面にはｎ型電極８形成
される。
ところが、このような構造を有する半導体レー
ザ素子では、素子全体で発光してしまい、ストラ
イプ溝７のみでレーザ発光は実現できなかつた。
その理由を、第２図を参照して説明する。ここ
で、第２図ａはストライプ溝７内におけるエネル
ギーバンドを示し、第２図ｂはストライプ溝７外
におけるエネルギーバンドを示す。ストライプ溝
７におけるクラツド層１及び基板５はいずれもｐ
型であり、電圧はほとんど印加されない。したが
つてストライプ溝７外におけるクラツド層１、閉
じ込め層６および基板５には電圧は印加されず、
平衡状態のままである。
ザ素子では、素子全体で発光してしまい、ストラ
イプ溝７のみでレーザ発光は実現できなかつた。
その理由を、第２図を参照して説明する。ここ
で、第２図ａはストライプ溝７内におけるエネル
ギーバンドを示し、第２図ｂはストライプ溝７外
におけるエネルギーバンドを示す。ストライプ溝
７におけるクラツド層１及び基板５はいずれもｐ
型であり、電圧はほとんど印加されない。したが
つてストライプ溝７外におけるクラツド層１、閉
じ込め層６および基板５には電圧は印加されず、
平衡状態のままである。
波線矢符で示すごとく活性層２で発生し、hν
（ただしｈ：プランク定数、ν：振動数）のエネ
ルギーを有する光は、hνよりも大きなエネルギ
ーギヤツプEg1を有するクラツド層１を透過した
後、hνよりも小さなエネルギーギヤツプEg2を有
するストライプ溝７近傍の閉じ込め層６で吸収さ
れ、それによつて電子−正孔対が発生する。尚、
電子は黒丸、正孔は白丸でそれぞれ示される。そ
の結果、閉じ込め層６には電子が蓄積され、また
クラツド層１には正孔が蓄積されてターンオンし
導通状態となる。ストライプ溝７の近傍が導通状
態となり、しかも活性層２で発光が生じるように
なると、その光で導通状態の領域が拡がつてい
く。このような過程が繰り返されて、ついには素
子全体が導通状態となり、したがつてストライプ
溝７内のみでレーザ発振は実現されない。
（ただしｈ：プランク定数、ν：振動数）のエネ
ルギーを有する光は、hνよりも大きなエネルギ
ーギヤツプEg1を有するクラツド層１を透過した
後、hνよりも小さなエネルギーギヤツプEg2を有
するストライプ溝７近傍の閉じ込め層６で吸収さ
れ、それによつて電子−正孔対が発生する。尚、
電子は黒丸、正孔は白丸でそれぞれ示される。そ
の結果、閉じ込め層６には電子が蓄積され、また
クラツド層１には正孔が蓄積されてターンオンし
導通状態となる。ストライプ溝７の近傍が導通状
態となり、しかも活性層２で発光が生じるように
なると、その光で導通状態の領域が拡がつてい
く。このような過程が繰り返されて、ついには素
子全体が導通状態となり、したがつてストライプ
溝７内のみでレーザ発振は実現されない。
すなわち、第１図及び第２図に示された先行技
術ではエネルギーhνを有する光の入射前では、
電流通路幅ストライプ溝７の幅W3であるけれど
も、そのエネルギーhνを有する光が閉じ込め層
６に入射することによつて、クラツド層１と閉じ
込め層６との間の逆バイアス極性接合界面がター
ンオンすなわち導通し、電流通路幅はストライプ
溝７の幅W3と、ターンオンした幅△W4、△W5
との和（すなわちW3＋△W4＋△W5）となつて
広くなる。したがつて電流狭窄効果が消失する。
したがつて電流密度が低下し、発振が停止するこ
とになる。
術ではエネルギーhνを有する光の入射前では、
電流通路幅ストライプ溝７の幅W3であるけれど
も、そのエネルギーhνを有する光が閉じ込め層
６に入射することによつて、クラツド層１と閉じ
込め層６との間の逆バイアス極性接合界面がター
ンオンすなわち導通し、電流通路幅はストライプ
溝７の幅W3と、ターンオンした幅△W4、△W5
との和（すなわちW3＋△W4＋△W5）となつて
広くなる。したがつて電流狭窄効果が消失する。
したがつて電流密度が低下し、発振が停止するこ
とになる。
上述する問題点を解決するために、特開昭55−
125690号公報に示されるように光ガイド層を有す
るCSP型レーザがあるが、この構造では完全に解
決できない。そこで、このCSPレーザに、特開昭
52−90280のごとく基板側に電流狭窄のための逆
導電型層を設けることや、又、特開昭51−58879
のごとくクラツド層に電流狭窄のための逆導電型
層を設けることは比較的容易に考えだされること
ではあるが、そのための有効な製造方法が見いだ
されていない。
125690号公報に示されるように光ガイド層を有す
るCSP型レーザがあるが、この構造では完全に解
決できない。そこで、このCSPレーザに、特開昭
52−90280のごとく基板側に電流狭窄のための逆
導電型層を設けることや、又、特開昭51−58879
のごとくクラツド層に電流狭窄のための逆導電型
層を設けることは比較的容易に考えだされること
ではあるが、そのための有効な製造方法が見いだ
されていない。
本発明は、上述の技術的課題を解決し、ストラ
イプ溝内に電流が確実に狭窄されてレーザ発振が
生じるようにした内部ストライプ型半導体レーザ
素子の製造方法を提供することを目的とする。
イプ溝内に電流が確実に狭窄されてレーザ発振が
生じるようにした内部ストライプ型半導体レーザ
素子の製造方法を提供することを目的とする。
以下、図面によつて本発明の実施例を説明す
る。第３図は本発明の一実施例により作成した内
部ストライプ型半導体素子の断面図である。
る。第３図は本発明の一実施例により作成した内
部ストライプ型半導体素子の断面図である。
まず、GaAs中にたとえば約１×1019／cm3の濃
度でZnをドーピングしてなる基板３６上に、Te
をたとえば約１×1018／cm3の濃度でドーピングし
たｎ−GaAsからなる閉じ込め層３７を約1μｍの
厚さで均一に成長させる。このウエハーに幅W1
が6μｍで深さが1.2μｍのストライプ溝を、周知の
ホトエツチング技術によつてたとえば300μｍピ
ツチで形成する。ついで前記ウエハー上にスライ
ド式ボートを用いた液相エピタキシヤル法によつ
て、Siを１×1017／cm3の濃度でドーピングしたｎ
−Ga0.5Al0.5Asからなるクラツド層３１と、Geを
３×1017／cm3の濃度でドーピングしたｐ−Ga0.7
Al0.3Asからなる光ガイド層３２と、Siを１×
1017／cm3の濃度でドーピングしたｎ−Ga0.83Al0.17
Asからなる活性層３３と、Teを１×1018／cm3の
濃度でドーピングしたｎ−Ga0.5Al0.5Asからなる
クラツド層３４と、Teを５×1018／cm3の濃度で
ドーピングしたｎ−GaAsからなるキヤツプ層３
５とを、この順序で連続的に成長させる。その後
で同一成長炉内で約790℃の温度で約40分保持し
て、基板３６内のZnを拡散させ、クラツド層３
１におけるｎ−Ga0.5Al0.5Asをｐ型に変換するこ
とにより、ストライプ溝３８に電流通路を形成す
る。そして、成長層表面にAu−Ge−Niを蒸着す
るとともに、基板３７表面にAu−Znを蒸着して
合金化することにより、ｎ型電極３９及びｐ型電
極４０を形成する。
度でZnをドーピングしてなる基板３６上に、Te
をたとえば約１×1018／cm3の濃度でドーピングし
たｎ−GaAsからなる閉じ込め層３７を約1μｍの
厚さで均一に成長させる。このウエハーに幅W1
が6μｍで深さが1.2μｍのストライプ溝を、周知の
ホトエツチング技術によつてたとえば300μｍピ
ツチで形成する。ついで前記ウエハー上にスライ
ド式ボートを用いた液相エピタキシヤル法によつ
て、Siを１×1017／cm3の濃度でドーピングしたｎ
−Ga0.5Al0.5Asからなるクラツド層３１と、Geを
３×1017／cm3の濃度でドーピングしたｐ−Ga0.7
Al0.3Asからなる光ガイド層３２と、Siを１×
1017／cm3の濃度でドーピングしたｎ−Ga0.83Al0.17
Asからなる活性層３３と、Teを１×1018／cm3の
濃度でドーピングしたｎ−Ga0.5Al0.5Asからなる
クラツド層３４と、Teを５×1018／cm3の濃度で
ドーピングしたｎ−GaAsからなるキヤツプ層３
５とを、この順序で連続的に成長させる。その後
で同一成長炉内で約790℃の温度で約40分保持し
て、基板３６内のZnを拡散させ、クラツド層３
１におけるｎ−Ga0.5Al0.5Asをｐ型に変換するこ
とにより、ストライプ溝３８に電流通路を形成す
る。そして、成長層表面にAu−Ge−Niを蒸着す
るとともに、基板３７表面にAu−Znを蒸着して
合金化することにより、ｎ型電極３９及びｐ型電
極４０を形成する。
このようにして形成されたウエハーを、ストラ
イプ溝３８に直角に劈開することにより、間隔
250μｍの共振器を形成する。
イプ溝３８に直角に劈開することにより、間隔
250μｍの共振器を形成する。
これらの過程を経て形成された半導体レーザ素
子の閾値は40ｍＡであり、発振波長は760μｍで
あつた。またレーザ出力50ｍＷまで破壊すること
はなかつた。
子の閾値は40ｍＡであり、発振波長は760μｍで
あつた。またレーザ出力50ｍＷまで破壊すること
はなかつた。
この内部ストライプ型半導体レーザ素子は、
Znをドーピングしたｐ−GaAsからなる基板３６
上に、ｎ−GaAsからなる閉じ込め層３７、ｎ−
Ga1-yAlyAsからなるクラツド層３１、ｐ−Ga1-z
AlzAsからなる光ガイド層３２、ｎ−Ga1-xAlx
Asからなる活性層３３、ｎ−Ga1-yAlyAsからな
るクラツド層３４、およびｎ−GaAsからなるキ
ヤツプ層３５がこの順序で形成され、０＜ｘ＜ｚ
＜ｙ＜１を満たす。
Znをドーピングしたｐ−GaAsからなる基板３６
上に、ｎ−GaAsからなる閉じ込め層３７、ｎ−
Ga1-yAlyAsからなるクラツド層３１、ｐ−Ga1-z
AlzAsからなる光ガイド層３２、ｎ−Ga1-xAlx
Asからなる活性層３３、ｎ−Ga1-yAlyAsからな
るクラツド層３４、およびｎ−GaAsからなるキ
ヤツプ層３５がこの順序で形成され、０＜ｘ＜ｚ
＜ｙ＜１を満たす。
ストライプ溝３８は、結晶を熱処理して、基板
３６内のZn原子を拡散し、ｎ型クラツド層３１
の一部をｐ型に変換することにより形成される
が、GaAlAs系におけるZn原子の拡散速度は、
Al比が小さい程遅いので、クラツド層３１内に
拡散してきたZn原子はクラツド層３１よりもAl
比が小さい光ガイド層３２によつてその拡散が実
質的に停止される。また、閉じ込め層３７におけ
るZn原子の拡散速度は極めて遅いので、閉じ込
め層３７へのZn拡散は無視され得る。すなわち、
閉じ込め層３７は、ストライプ溝３８以外の領域
のクラツド層３１にZn原子が拡散するのを防止
する機能を有している。
３６内のZn原子を拡散し、ｎ型クラツド層３１
の一部をｐ型に変換することにより形成される
が、GaAlAs系におけるZn原子の拡散速度は、
Al比が小さい程遅いので、クラツド層３１内に
拡散してきたZn原子はクラツド層３１よりもAl
比が小さい光ガイド層３２によつてその拡散が実
質的に停止される。また、閉じ込め層３７におけ
るZn原子の拡散速度は極めて遅いので、閉じ込
め層３７へのZn拡散は無視され得る。すなわち、
閉じ込め層３７は、ストライプ溝３８以外の領域
のクラツド層３１にZn原子が拡散するのを防止
する機能を有している。
このような製造方法によつて構成された内部ス
トライプ型半導体レーザ素子の動作を第４図を参
照して説明する。尚、第４図ａはストライプ溝３
８内のエネルギーバンド図であり、第４図ｂはス
トライプ溝３８外の領域におけるエネルギーバン
ド図である。ストライプ溝３８に対応する部分に
おける活性層３３で発生しhνのエネルギーを有
する光は、hνよりも大きなエネルギーギヤツプ
Eg3、Eg4を有する光ガイド層３２及びクラツド
層３１を透過した後、hνよりも小さなエネルギ
ーギヤツプEg5を有するストライプ溝３８近傍の
閉じ込め層３７で吸収される。それによつて電子
−正孔対が発生する。
トライプ型半導体レーザ素子の動作を第４図を参
照して説明する。尚、第４図ａはストライプ溝３
８内のエネルギーバンド図であり、第４図ｂはス
トライプ溝３８外の領域におけるエネルギーバン
ド図である。ストライプ溝３８に対応する部分に
おける活性層３３で発生しhνのエネルギーを有
する光は、hνよりも大きなエネルギーギヤツプ
Eg3、Eg4を有する光ガイド層３２及びクラツド
層３１を透過した後、hνよりも小さなエネルギ
ーギヤツプEg5を有するストライプ溝３８近傍の
閉じ込め層３７で吸収される。それによつて電子
−正孔対が発生する。
ここで、第４図ｂから明らかなごとく、閉じ込
め層３７で発生した正孔は、クラツド層３１の高
い障壁を越えることができず、そのためターンオ
ンすることができない。したがつて、電流は幅
W1を有するストライプ溝３８内のみで流れるこ
とが許容されるので、低閾値の内部ストライプ型
半導体レーザ素子が実現される。しかも光ガイド
層３２が設けられているので、高出力半導体レー
ザ素子を同時に実現することができる。
め層３７で発生した正孔は、クラツド層３１の高
い障壁を越えることができず、そのためターンオ
ンすることができない。したがつて、電流は幅
W1を有するストライプ溝３８内のみで流れるこ
とが許容されるので、低閾値の内部ストライプ型
半導体レーザ素子が実現される。しかも光ガイド
層３２が設けられているので、高出力半導体レー
ザ素子を同時に実現することができる。
第５図は本発明の製造方法による他の半導体レ
ーザ素子の構造を示すものであり、第３図の実施
例に対応する部分には同一の参照符号を付す。こ
の実施例においては、ｎ−Ga1-yAlyAsからなる
クラツド層５１が、ストライプ溝５８内で彎曲
し、ストライプ溝５８の中央部において、ｐ−
GaAsからなる基板３６に最も近接される。その
ため、Znを拡散させる領域は僅かでよく、した
がつて電流注入幅W2を狭くすることができる。
また、光ガイド層５２および活性層５３を図示の
ごとく彎曲させれば、実効屈折率差によつてレー
ザ光をストライプ溝５８内に閉じ込めることがで
き、したがつて単一モード化及び低閾値化を実現
することができる。
ーザ素子の構造を示すものであり、第３図の実施
例に対応する部分には同一の参照符号を付す。こ
の実施例においては、ｎ−Ga1-yAlyAsからなる
クラツド層５１が、ストライプ溝５８内で彎曲
し、ストライプ溝５８の中央部において、ｐ−
GaAsからなる基板３６に最も近接される。その
ため、Znを拡散させる領域は僅かでよく、した
がつて電流注入幅W2を狭くすることができる。
また、光ガイド層５２および活性層５３を図示の
ごとく彎曲させれば、実効屈折率差によつてレー
ザ光をストライプ溝５８内に閉じ込めることがで
き、したがつて単一モード化及び低閾値化を実現
することができる。
第５図で示すごとき半導体レーザ素子を実際に
製作して実験をおこなつた結果によれば、発振波
長760nｍで発振閾値20ｍＡを達成することがで
きた。しかも横モード、縦モードともに単一であ
り、レーザ出力50ｍＷまで破壊することはなかつ
た。
製作して実験をおこなつた結果によれば、発振波
長760nｍで発振閾値20ｍＡを達成することがで
きた。しかも横モード、縦モードともに単一であ
り、レーザ出力50ｍＷまで破壊することはなかつ
た。
本発明に従えば、エネルギーhνよりも大きな
エネルギーギヤツプEg4を有するクラツド層３
１，５１を、閉じ込め層３７と逆バイアス極性接
合界面との間に介在させて、光の閉じ込め層３７
への入射時において、ターンオンすることを防止
している。ここで言う逆バイアス極性接合界面と
いうのは、クラツド層３１，５１と光ガイド層３
２，５２とのpn接合面を言う。
エネルギーギヤツプEg4を有するクラツド層３
１，５１を、閉じ込め層３７と逆バイアス極性接
合界面との間に介在させて、光の閉じ込め層３７
への入射時において、ターンオンすることを防止
している。ここで言う逆バイアス極性接合界面と
いうのは、クラツド層３１，５１と光ガイド層３
２，５２とのpn接合面を言う。
本発明は上述の実施例のごときダブルヘテロ構
造に限定されるものではなく、シングルヘテロ構
造或はマルチヘテロ構造の半導体レーザ素子に関
連して実施することができる。
造に限定されるものではなく、シングルヘテロ構
造或はマルチヘテロ構造の半導体レーザ素子に関
連して実施することができる。
上述のごとく本発明によれば、素子内に形成さ
れたストライプ溝内においてクラツド層がｐ型導
電形式とされ、また、ストライプ溝外おいてはｎ
型導電形式のクラツド層とｐ型導電形式の光ガイ
ド層とがpn接合形成するようにし、しかも、ク
ラツド層３１，５１のエネルギーギヤツプEg4
を、発生されるレーザ光のエネルギーhνよりも
大きくしたので、電流はストライプ溝３８，５８
内のみを流れ、したがつてレーザ光が閉じ込め層
３７内に入射してもターンオンすることが防がれ
る。
れたストライプ溝内においてクラツド層がｐ型導
電形式とされ、また、ストライプ溝外おいてはｎ
型導電形式のクラツド層とｐ型導電形式の光ガイ
ド層とがpn接合形成するようにし、しかも、ク
ラツド層３１，５１のエネルギーギヤツプEg4
を、発生されるレーザ光のエネルギーhνよりも
大きくしたので、電流はストライプ溝３８，５８
内のみを流れ、したがつてレーザ光が閉じ込め層
３７内に入射してもターンオンすることが防がれ
る。
更に、ｎ型GaAs閉じ込め層形成後にｐ型基板
に達するストライプ状の溝を形成し、続いてｎ型
GaAlAsクラツド層、ｐ型光ガイド層等を順次エ
ピタキシヤル成長させ、上記基板から光ガイド層
に達する拡散にて電流通路を形成することによ
り、GaAlAs層を露出する工程を含むことなく、
GaAlAsをクラツド層とする内部ストライプ型半
導体レーザ素子を形成することが可能になる。
に達するストライプ状の溝を形成し、続いてｎ型
GaAlAsクラツド層、ｐ型光ガイド層等を順次エ
ピタキシヤル成長させ、上記基板から光ガイド層
に達する拡散にて電流通路を形成することによ
り、GaAlAs層を露出する工程を含むことなく、
GaAlAsをクラツド層とする内部ストライプ型半
導体レーザ素子を形成することが可能になる。
第１図は先行技術の内部ストライプ型半導体レ
ーザ素子の断面図、第２図ａ，ｂは第１図の内部
ストライプ型半導体レーザ素子のエネルギーバン
ド図、第３図は本発明の一実施例の内部ストライ
プ型半導体レーザ素子の断面図、第４図ａ，ｂは
第３図の内部ストライプ型半導体レーザ素子のエ
ネルギーバンド図、第５図は本発明による内部ス
トライプ型半導体レーザ素子の断面図である。 ３１，５１……クラツド層、３２，５２……光
ガイド層、３６……基板、３８，５８……内部ス
トライプ溝。
ーザ素子の断面図、第２図ａ，ｂは第１図の内部
ストライプ型半導体レーザ素子のエネルギーバン
ド図、第３図は本発明の一実施例の内部ストライ
プ型半導体レーザ素子の断面図、第４図ａ，ｂは
第３図の内部ストライプ型半導体レーザ素子のエ
ネルギーバンド図、第５図は本発明による内部ス
トライプ型半導体レーザ素子の断面図である。 ３１，５１……クラツド層、３２，５２……光
ガイド層、３６……基板、３８，５８……内部ス
トライプ溝。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ｐ型GaAs基板３６上にｎ型GaAs閉じ込め
層３７を重畳し、該閉じ込め層３７を貫通して前
記基板３６に達するストライプ状の溝３８，５８
を刻設する工程と、 前記溝部３８，５８及び前記閉じ込め層３７上
に、ｎ型のGaAlAsクラツド層３１，５１、ｐ型
の光ガイド層３２，５２、及びレーザ発振用活性
層３３，５３をヘテロ接合界面で挟設してなるレ
ーザ発振動作部とを積層する工程と、 前記溝部３８，５８と、前記溝部３８，５８直
上の前記レーザ発振用動作部との間に位置する前
記クラツド層領域３１，５１に、前記基板３６か
らｐ型不純物が拡散されて光ガイド層３２，５２
に達するｐ型変換領域を形成する工程と、からな
り、 ストライプ状溝３８，５８のｐ型変換領域によ
り電流通路が開通してなることを特徴とする半導
体レーザ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16623680A JPS5789290A (en) | 1980-11-25 | 1980-11-25 | Semiconductor laser element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16623680A JPS5789290A (en) | 1980-11-25 | 1980-11-25 | Semiconductor laser element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5789290A JPS5789290A (en) | 1982-06-03 |
| JPH0227829B2 true JPH0227829B2 (ja) | 1990-06-20 |
Family
ID=15827630
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16623680A Granted JPS5789290A (en) | 1980-11-25 | 1980-11-25 | Semiconductor laser element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5789290A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2821150B2 (ja) * | 1988-10-21 | 1998-11-05 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子 |
| JP2923235B2 (ja) * | 1995-10-23 | 1999-07-26 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5156188A (ja) * | 1974-11-13 | 1976-05-17 | Hitachi Ltd | Handotaireezasochi |
| JPS536513B2 (ja) * | 1974-11-19 | 1978-03-08 | ||
| JPS5290280A (en) * | 1976-01-22 | 1977-07-29 | Nec Corp | Semiconductor laser element |
| JPS55125690A (en) * | 1979-03-22 | 1980-09-27 | Nec Corp | Semiconductor laser |
-
1980
- 1980-11-25 JP JP16623680A patent/JPS5789290A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5789290A (en) | 1982-06-03 |
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