JPH02279003A - トランジスタ式超高周波発振器 - Google Patents
トランジスタ式超高周波発振器Info
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- JPH02279003A JPH02279003A JP2063918A JP6391890A JPH02279003A JP H02279003 A JPH02279003 A JP H02279003A JP 2063918 A JP2063918 A JP 2063918A JP 6391890 A JP6391890 A JP 6391890A JP H02279003 A JPH02279003 A JP H02279003A
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- circuit
- frequency oscillator
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- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
- H03B5/1847—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
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Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、バイポーラか又はそうでない少なくとも１つ
のトランジスタを有する超高周波発振器に係る。
のトランジスタを有する超高周波発振器に係る。
現在製造されているバイポーラ又は電界効果トランジス
タを持つほとんどの超高周波発振器、とりわけトランジ
スタのベースに作用する同調回路をもつ発振器はコレク
タ又はドレンがアースに直接結合したバイアス回路を備
えている（例えば米国特許出願文書ＵＳ−＾−４，６８
４，９０４号及びＵＳ−＾−４，７３６，１６９号と結
合している）。このことは結果としてトランジスタのレ
ベルでこれと直接に結びついた従って制御されない電位
不安定性を惹起することになる。このことから寄生振動
や低周波同調がしばしば起きる。
タを持つほとんどの超高周波発振器、とりわけトランジ
スタのベースに作用する同調回路をもつ発振器はコレク
タ又はドレンがアースに直接結合したバイアス回路を備
えている（例えば米国特許出願文書ＵＳ−＾−４，６８
４，９０４号及びＵＳ−＾−４，７３６，１６９号と結
合している）。このことは結果としてトランジスタのレ
ベルでこれと直接に結びついた従って制御されない電位
不安定性を惹起することになる。このことから寄生振動
や低周波同調がしばしば起きる。
定められた周波数帯内で振動を生じさせるため、発振器
の出力に四分の一波長のインピーダンス変換器を備付け
ることをしばしば余儀なくされ、このことはかなりかさ
ばるのみならず、適正に定められた出力インピ・−ダン
スをかけるための増加を余儀なくされる。
の出力に四分の一波長のインピーダンス変換器を備付け
ることをしばしば余儀なくされ、このことはかなりかさ
ばるのみならず、適正に定められた出力インピ・−ダン
スをかけるための増加を余儀なくされる。
本発明はこれらの欠点の是正を目的とする。本発明はこ
のため、バイポーラ又はそうでない少なくとも１つのト
ランジスタを持つ超高周波発振器に係り、そのバイアス
回路はバイポーラトランジスタの場合はそのエミッタ電
極回路に、ＦＥＴ形トランジスタの場合はそのソース電
極回路内に、バイアス回路内に直列に置かれた配線系と
この電極とアースの間に無線周波数の点から並列に分路
された容量から成る同調可能の能動回路を含んでいる。
のため、バイポーラ又はそうでない少なくとも１つのト
ランジスタを持つ超高周波発振器に係り、そのバイアス
回路はバイポーラトランジスタの場合はそのエミッタ電
極回路に、ＦＥＴ形トランジスタの場合はそのソース電
極回路内に、バイアス回路内に直列に置かれた配線系と
この電極とアースの間に無線周波数の点から並列に分路
された容量から成る同調可能の能動回路を含んでいる。
次に添付図面を参照してこの発振器を説明することによ
って本発明がよ（理解され、またその利点並びにその他
の特徴も明らかとなるであろう。
って本発明がよ（理解され、またその利点並びにその他
の特徴も明らかとなるであろう。
第１図では、参照番号１はこの超高周波発振器のバイポ
ーラトランジスタを表す。このトランジスタはこのＮＰ
Ｎ形の例では、例えば照合番号ＮＥ８Ｓ６３５で市販さ
れているトランジスタである。
ーラトランジスタを表す。このトランジスタはこのＮＰ
Ｎ形の例では、例えば照合番号ＮＥ８Ｓ６３５で市販さ
れているトランジスタである。
このトランジスタ１のコレクタは、無線周波数高インピ
ーダンスの配線長３及び低周波数減結合回路４を介して
直流供給電圧＋Ｖの端子２と結合する。回路４と配線系
３の接続点とアースとの間に分路された容量５は直流電
圧＋Ｖの無線周波数減結合を保証する。
ーダンスの配線長３及び低周波数減結合回路４を介して
直流供給電圧＋Ｖの端子２と結合する。回路４と配線系
３の接続点とアースとの間に分路された容量５は直流電
圧＋Ｖの無線周波数減結合を保証する。
この同じ接続点とアースの間には抵抗ブリッジ６．７が
分路され、これはチョークコイル８を通ってトランジス
タのベースｌのバイアスを供給する。
分路され、これはチョークコイル８を通ってトランジス
タのベースｌのバイアスを供給する。
トランジスタ１のコレクタは無線周波数結合容量１０を
介して発振器の出力端子９と結合する。
介して発振器の出力端子９と結合する。
非常に標準的な方法で、トランジスタ！のベースは大き
い値の（例えば数ｌＯピコファラッドの）無線周波数結
合容量１２を介して発振器の同調回路１【と結合する。
い値の（例えば数ｌＯピコファラッドの）無線周波数結
合容量１２を介して発振器の同調回路１【と結合する。
本発明によれば、トランジスタｌが電位的に不安定であ
る周波数帯幅と周波数とは以下を含む同調可能の能動回
路のエミッタ回路内への挿入によって選択される。
る周波数帯幅と周波数とは以下を含む同調可能の能動回
路のエミッタ回路内への挿入によって選択される。
０無線周波数高インピーダンスの調節可能の配線系１３
゜これはバイアス抵抗１４と共に直列にエミッタとアー
スとの間に分路されている。
゜これはバイアス抵抗１４と共に直列にエミッタとアー
スとの間に分路されている。
Ｏ非常に低い値の調節可能の容量１５゜これはエミッタ
とアースとの間に分路され、マイクロリボン（「マイク
ロストリップ」）の製造技術によって調節可能な寸法°
の「ブロック形（ｐ１マｒ）」導体の形につくられる。
とアースとの間に分路され、マイクロリボン（「マイク
ロストリップ」）の製造技術によって調節可能な寸法°
の「ブロック形（ｐ１マｒ）」導体の形につくられる。
ブロック１５の寸法を増やし配線系１３を伸延すること
はトランジスタが電位的に不安定である周波数値、及び
それ散発振器が寄生同調の危険なしに働くことができる
周波数値を減少することになる。
はトランジスタが電位的に不安定である周波数値、及び
それ散発振器が寄生同調の危険なしに働くことができる
周波数値を減少することになる。
同調可能なこの容量の値が相対的に高くなければならな
い場合は、離散容量１６、例えば「チップ」コンデンサ
を調節可能のブロック１５に並列に分路することが便利
である。
い場合は、離散容量１６、例えば「チップ」コンデンサ
を調節可能のブロック１５に並列に分路することが便利
である。
第２図はマイクロリボン技術で調節可能の低い容量１５
がどのように実現されるかを示す。
がどのように実現されるかを示す。
トランジスタ１は上面図や表されており、マイクロリボ
ンとして作られた４つの接続出力を含む、即ち、 ０ベース接続出力１７ ０コレクタ接続出力１ａ ０２個のエミッタ接続出力１９及び２０．これはトラン
ジスタ１を構成する「チップ」内に電気的に結合されて
いる。
ンとして作られた４つの接続出力を含む、即ち、 ０ベース接続出力１７ ０コレクタ接続出力１ａ ０２個のエミッタ接続出力１９及び２０．これはトラン
ジスタ１を構成する「チップ」内に電気的に結合されて
いる。
エミッタ２０の出口は「ブロック」１５に溶接され、ブ
ロックはマイクロリボン技術で作られた薄い導体板であ
る。基板を構成する絶縁層によってアース面から距てら
れているため、このブロック１５はこのアース面と共に
トランジスタｌのエミッタとアースとの間に分路された
非常に僅かな値の容量を形成する。
ロックはマイクロリボン技術で作られた薄い導体板であ
る。基板を構成する絶縁層によってアース面から距てら
れているため、このブロック１５はこのアース面と共に
トランジスタｌのエミッタとアースとの間に分路された
非常に僅かな値の容量を形成する。
この容量１５の値はより有利には導電インク線２１を用
いてブロック１５の寸法を拡大することによって調節さ
れる。
いてブロック１５の寸法を拡大することによって調節さ
れる。
本発明はもちろん以上説明した実施例に限定されない。
例えば、無線周波数出力９はコレクタとは別の電極上で
とられてもよい。バイポーラトランジスタを使用する代
りにＦＥＴ形トランジスタ（電界効果トランジスタ）を
使用することもできよう。この場合は同調可能の能動回
路１３．１５はそのソース電極回路内に挿入されるであ
ろう。本発明はもちろんあらゆる種類の超高周波発振器
に対しそれらが電圧制御式（Ｖ ＣＯ）であるか否かに
かかわらず、更に電圧制御式（Ｖ ＣＯ）発振器の場合
は二重相互コンダクタンス式であるか否かにかかわらず
適用されるものである。
とられてもよい。バイポーラトランジスタを使用する代
りにＦＥＴ形トランジスタ（電界効果トランジスタ）を
使用することもできよう。この場合は同調可能の能動回
路１３．１５はそのソース電極回路内に挿入されるであ
ろう。本発明はもちろんあらゆる種類の超高周波発振器
に対しそれらが電圧制御式（Ｖ ＣＯ）であるか否かに
かかわらず、更に電圧制御式（Ｖ ＣＯ）発振器の場合
は二重相互コンダクタンス式であるか否かにかかわらず
適用されるものである。
第１図は本発明発振器の電気回路図、第２図はトランジ
スタのエミッタ回路内に配置された同調可能容量の実施
例の説明図である。 １・・・・・・トランジスタ、１３．１５．１６・・・
・・・同調可能の能動回路、１４・・・・・・バイアス
抵抗。
スタのエミッタ回路内に配置された同調可能容量の実施
例の説明図である。 １・・・・・・トランジスタ、１３．１５．１６・・・
・・・同調可能の能動回路、１４・・・・・・バイアス
抵抗。
Claims (3)
- （１）少なくとも１つのトランジスタを持ち、このトラ
ンジスタのバイアス回路がバイポーラトランジスタの場
合はエミッタ回路内に、ＦＥＴ形トランジスタの場合は
ソース回路内に、トランジスタの電位不安定領域を調節
するための同調可能の能動回路を含んでおり、この同調
可能の能動回路が、バイアス回路内に直列に配置された
配線系と、無線周波数の観点からこのトランジスタのエ
ミッタ又はソース電極とアースとの間に並列に分路され
た容量とから構成されることを特徴とする超高周波発振
器。 - （２）この容量が寸法の調節が可能である導体ブロック
を含むことを特徴とする請求項１に記載の超高周波発振
器。 - （３）この容量がさらに、この導体ブロック上に並列に
分路された離散コンデンサを含むことを特徴とする請求
項２に記載の超高周波発振器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8903411A FR2644646B1 (fr) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | Oscillateur hyperfrequence a transistor |
| FR8903411 | 1989-03-15 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02279003A true JPH02279003A (ja) | 1990-11-15 |
Family
ID=9379725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2063918A Pending JPH02279003A (ja) | 1989-03-15 | 1990-03-14 | トランジスタ式超高周波発振器 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4990865A (ja) |
| EP (1) | EP0387746A1 (ja) |
| JP (1) | JPH02279003A (ja) |
| FI (1) | FI901221A7 (ja) |
| FR (1) | FR2644646B1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993020615A1 (de) * | 1992-04-03 | 1993-10-14 | SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT öSTERREICH | OSZILLATOR FÜR EINE FREQUENZ VON 1,6 BIS 3 GHz |
| JPH08148933A (ja) * | 1994-11-22 | 1996-06-07 | Murata Mfg Co Ltd | 電圧制御型発振器 |
| US6560452B1 (en) * | 2000-11-27 | 2003-05-06 | Rf Micro Devices, Inc. | Oscillator having a transistor formed of a wide bandgap semiconductor material |
| DE10336720B4 (de) * | 2003-08-11 | 2007-07-12 | Gronefeld, Andreas, Dr.-Ing. | Optimale Resonatorkopplung an Mikrowellentransistoren bei Breitbandoszillatoren |
| JP4952713B2 (ja) * | 2006-03-20 | 2012-06-13 | 富士通株式会社 | アナログ回路 |
| DE102009008225A1 (de) * | 2009-02-10 | 2010-08-19 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Oszillator mit ohmsch einstellbarer schwingfrequenz |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4736454A (en) * | 1983-09-15 | 1988-04-05 | Ball Corporation | Integrated oscillator and microstrip antenna system |
| US4639690A (en) * | 1985-07-05 | 1987-01-27 | Litton Systems, Inc. | Tunable, dielectric-resonator-stabilized oscillator and method of tuning same |
| US4684904A (en) * | 1986-01-06 | 1987-08-04 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Low phase noise two port voltage controlled oscillator |
| JPS62173805A (ja) * | 1986-01-27 | 1987-07-30 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波発振器 |
| US4736169A (en) * | 1986-09-29 | 1988-04-05 | Hughes Aircraft Company | Voltage controlled oscillator with frequency sensitivity control |
-
1989
- 1989-03-15 FR FR8903411A patent/FR2644646B1/fr not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-03-12 EP EP90104619A patent/EP0387746A1/fr not_active Withdrawn
- 1990-03-12 FI FI901221A patent/FI901221A7/fi not_active IP Right Cessation
- 1990-03-14 US US07/493,919 patent/US4990865A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-03-14 JP JP2063918A patent/JPH02279003A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2644646B1 (fr) | 1991-05-24 |
| FI901221A7 (fi) | 1990-09-16 |
| FR2644646A1 (fr) | 1990-09-21 |
| EP0387746A1 (fr) | 1990-09-19 |
| FI901221A0 (fi) | 1990-03-12 |
| US4990865A (en) | 1991-02-05 |
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