JPH0573085B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0573085B2 JPH0573085B2 JP60260128A JP26012885A JPH0573085B2 JP H0573085 B2 JPH0573085 B2 JP H0573085B2 JP 60260128 A JP60260128 A JP 60260128A JP 26012885 A JP26012885 A JP 26012885A JP H0573085 B2 JPH0573085 B2 JP H0573085B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tuning
- variable capacitance
- terminal
- input
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
近年、CCATV等の発達に伴い、テレビジヨン
を中心とした高周波増幅装置が用いられている。
を中心とした高周波増幅装置が用いられている。
従来の技術
以下、図面を参照しながら、従来の高周波増幅
装置の一例について説明する。
装置の一例について説明する。
第２図は従来例の高周波増幅装置を示すもので
ある。第２図において、端子２Ａは入力端子であ
り、２１は入力トランスである。２２は同調用共
振線路である。２３は可変容量ダイオードで、２
４はバイパス容量である。２５は端子２Ｂより同
調電圧を伝えるバイアス抵抗である。２６は結合
容量であり、２７はFETトランジスタである。
２８，２９，２１０は、トランジスタ２７のバイ
アス抵抗であり、２１１はバイパス容量である。
２１２は端子２ＣよりAGC電位を伝えるバイア
ス抵抗であり、２１３は帰還抵抗、２１４は帰還
容量である。２１５は端子２Ｄより電源をトラン
ジスタ２７に与えるチヨークコイルであり、端子
２Ｅは出力端子である。
ある。第２図において、端子２Ａは入力端子であ
り、２１は入力トランスである。２２は同調用共
振線路である。２３は可変容量ダイオードで、２
４はバイパス容量である。２５は端子２Ｂより同
調電圧を伝えるバイアス抵抗である。２６は結合
容量であり、２７はFETトランジスタである。
２８，２９，２１０は、トランジスタ２７のバイ
アス抵抗であり、２１１はバイパス容量である。
２１２は端子２ＣよりAGC電位を伝えるバイア
ス抵抗であり、２１３は帰還抵抗、２１４は帰還
容量である。２１５は端子２Ｄより電源をトラン
ジスタ２７に与えるチヨークコイルであり、端子
２Ｅは出力端子である。
以上のように構成された高周波増幅装置につい
て、以下その動作について説明する。
て、以下その動作について説明する。
まず、入力信号は端子２Ａより平衡入力にて入
力され、これが共振線路２２との間で平衡不平衡
変換されて、共振線路にあらわれる。共振線路２
２とバリキヤツプダイオード２３とバイパス容量
２４で構成される単同調回路は端子２Ｂより与え
られる同調電圧により、同調周波数で可変でき
る。この信号はインピーダンスの高い点より結合
容量２６を介してFETトランジスタ２７の第１
ゲートに供給される。トランジスタ２７は抵抗２
８，２９，２１０により自己バイアスが与えら
れ、第１ゲート電位はソースと抵抗２１０を流れ
る電流ISとの積の電位分だけ低い電位になり、ソ
ースと第１ゲート間の電圧（VGIS）は電流の大小
により変化する。トランジスタ２７の第２ゲート
より抵抗２１２を介して端子２ＣよりAGC電位
が与えられている。トランジスタ２７のドレイン
にはチヨークコイル２１５を介して端子２Ｄより
電源が与えられている。一方ドレインと第１ゲー
ト間は帰還抵抗２１３と帰還容量２１４による帰
還回路が設定されており、これによつて、ドレイ
ンよりの出力が非同調負荷でも利得が上るように
なつている（例えば特開昭59−146229号公報、特
開昭59−198029号公報参照）。
力され、これが共振線路２２との間で平衡不平衡
変換されて、共振線路にあらわれる。共振線路２
２とバリキヤツプダイオード２３とバイパス容量
２４で構成される単同調回路は端子２Ｂより与え
られる同調電圧により、同調周波数で可変でき
る。この信号はインピーダンスの高い点より結合
容量２６を介してFETトランジスタ２７の第１
ゲートに供給される。トランジスタ２７は抵抗２
８，２９，２１０により自己バイアスが与えら
れ、第１ゲート電位はソースと抵抗２１０を流れ
る電流ISとの積の電位分だけ低い電位になり、ソ
ースと第１ゲート間の電圧（VGIS）は電流の大小
により変化する。トランジスタ２７の第２ゲート
より抵抗２１２を介して端子２ＣよりAGC電位
が与えられている。トランジスタ２７のドレイン
にはチヨークコイル２１５を介して端子２Ｄより
電源が与えられている。一方ドレインと第１ゲー
ト間は帰還抵抗２１３と帰還容量２１４による帰
還回路が設定されており、これによつて、ドレイ
ンよりの出力が非同調負荷でも利得が上るように
なつている（例えば特開昭59−146229号公報、特
開昭59−198029号公報参照）。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記のような構成では、AGC
電位の大小によりソースに流れる電流が増減し、
これにより、第１ゲートとソース間の電位VGISの
値が変動する。すなわち、AGC電位が大きくな
れば、VGISは大きくなり、AGC電位が下がれば
VGISは小さくなる。ここでトランジスタがMES
（メタルシヨツトキー）FETの場合はゲートに
MOSのような絶縁膜がないので、電流がゼロ
（ピンチオフ時）に比べてVG2に高い電位がかか
つているときには空乏層の量が減少し、ゲート容
量が大きく減少し、ゲートの入力容量の変化とし
て2pFもの変化がある場合があつた。
電位の大小によりソースに流れる電流が増減し、
これにより、第１ゲートとソース間の電位VGISの
値が変動する。すなわち、AGC電位が大きくな
れば、VGISは大きくなり、AGC電位が下がれば
VGISは小さくなる。ここでトランジスタがMES
（メタルシヨツトキー）FETの場合はゲートに
MOSのような絶縁膜がないので、電流がゼロ
（ピンチオフ時）に比べてVG2に高い電位がかか
つているときには空乏層の量が減少し、ゲート容
量が大きく減少し、ゲートの入力容量の変化とし
て2pFもの変化がある場合があつた。
この入力容量の変化は前述の同調回路の同調周
波数を大きく変化させ、特に可変容量ダイオード
の逆バイアスが大きくて逆バイアス容量の小さな
場合に同調変化ずれが大きくなるという欠点があ
つた。
波数を大きく変化させ、特に可変容量ダイオード
の逆バイアスが大きくて逆バイアス容量の小さな
場合に同調変化ずれが大きくなるという欠点があ
つた。
本発明は上記問題点に鑑み、AGC電位の変化
の大小による入力同調ずれを小さくできる手段を
有する高周波増幅装置を提供するものである。
の大小による入力同調ずれを小さくできる手段を
有する高周波増幅装置を提供するものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために、本発明の高周波
増幅装置は、入力同調回路の共振線路の一端をバ
イパス容量にて交流的に接地し、その近傍からバ
イアス電圧を与えるとともに、他端に２つの可変
容量ダイオードの一端を接続し、一方の可変容量
ダイオードの他端を接地し、他方の可変容量ダイ
オードの他端を直流的にのみ接地し、ここから結
合容量を介して増幅用トランジスタの第１ゲート
に信号供給するようにしたものである。
増幅装置は、入力同調回路の共振線路の一端をバ
イパス容量にて交流的に接地し、その近傍からバ
イアス電圧を与えるとともに、他端に２つの可変
容量ダイオードの一端を接続し、一方の可変容量
ダイオードの他端を接地し、他方の可変容量ダイ
オードの他端を直流的にのみ接地し、ここから結
合容量を介して増幅用トランジスタの第１ゲート
に信号供給するようにしたものである。
作 用
このようにすれば、可変容量ダイオードの逆バ
イアス容量が小さくなるに従つて同調回路とトラ
ンジスタとの結合容量も小さくなるので、増幅用
トランジスタの入力容量の変化もうけにくくな
り、入力同調点ずれを小さくできる。
イアス容量が小さくなるに従つて同調回路とトラ
ンジスタとの結合容量も小さくなるので、増幅用
トランジスタの入力容量の変化もうけにくくな
り、入力同調点ずれを小さくできる。
実施例
以下、本発明の一実施例の高周波増幅装置につ
いて、図面を参照しながら説明する。
いて、図面を参照しながら説明する。
第１図は本発明の一実施例を示すものである。
第１図において、１Ａは平衡入力端子、１１は入
力トランス、１２は共振線路、１３はバイパス容
量、１４はバイアス抵抗、１５は同調用可変容量
ダイオード、１６は結合用可変容量ダイオード、
１７はバイアス抵抗、１８は結合容量、１９は
FETトランジスタ、１１０，１１１，１１２は
バイアス抵抗、１１３はバイパス容量、１１４は
端子1CよりAGC電位を与えるバイアス抵抗、１
１５，１１６はドレインと第１ゲート間に挿入さ
れる帰還抵抗と帰還容量、１１７は端子１Ｄより
電源をドレインに与えるチヨークコイルで、出力
を端子１Ｅより得るという構成を備えたものであ
る。
第１図において、１Ａは平衡入力端子、１１は入
力トランス、１２は共振線路、１３はバイパス容
量、１４はバイアス抵抗、１５は同調用可変容量
ダイオード、１６は結合用可変容量ダイオード、
１７はバイアス抵抗、１８は結合容量、１９は
FETトランジスタ、１１０，１１１，１１２は
バイアス抵抗、１１３はバイパス容量、１１４は
端子1CよりAGC電位を与えるバイアス抵抗、１
１５，１１６はドレインと第１ゲート間に挿入さ
れる帰還抵抗と帰還容量、１１７は端子１Ｄより
電源をドレインに与えるチヨークコイルで、出力
を端子１Ｅより得るという構成を備えたものであ
る。
以上のように構成された高周波増幅装置につい
て、以下第１図を用いてその動作を説明する。
て、以下第１図を用いてその動作を説明する。
入力信号は端子１Ａより平衡入力として与えら
れ、入力トランス１１と共振線路１２間で平衡不
平衡変換される。共振線路１２はバイパス容量１
３、可変容量ダイオード１５の逆バイアス容量１
５（共振線路側にカソード、アース側にアノー
ド）とにより同調回路を構成する。可変容量ダイ
オード１５には端子１Ｂよりバイアス抵抗１４を
介して同調電位が与えられている。この電位は共
振線路を介して可変容量ダイオード１５の逆バイ
アスとして与えられ、逆バイアス容量は後記する
トランジスタの入力容量等とともに同調周波数を
決める。バイアス抵抗がバイパス容量の近傍に接
続されるのは信号のロスを防ぐためである。
れ、入力トランス１１と共振線路１２間で平衡不
平衡変換される。共振線路１２はバイパス容量１
３、可変容量ダイオード１５の逆バイアス容量１
５（共振線路側にカソード、アース側にアノー
ド）とにより同調回路を構成する。可変容量ダイ
オード１５には端子１Ｂよりバイアス抵抗１４を
介して同調電位が与えられている。この電位は共
振線路を介して可変容量ダイオード１５の逆バイ
アスとして与えられ、逆バイアス容量は後記する
トランジスタの入力容量等とともに同調周波数を
決める。バイアス抵抗がバイパス容量の近傍に接
続されるのは信号のロスを防ぐためである。
共振線路１２と可変容量ダイオード１５のカソ
ードの交点には、結合用可変容量ダイオード１６
のカソードが接続され、アノードは高抵抗１７に
より直流的に接地されている。可変容量ダイオー
ド１６には可変容量ダイオード１５と同じく逆バ
イアス電位が与えられるため、その結合容量は逆
バイアス容量が小さくなるに従つて小さくなる。
従つて、従来例で述べたFETトランジスタの
AGC電位の変化による第１ゲートの入力容量の
変化を受けにくくなる。また副次的効果として、
入力側から見たマツチングも良くなる。
ードの交点には、結合用可変容量ダイオード１６
のカソードが接続され、アノードは高抵抗１７に
より直流的に接地されている。可変容量ダイオー
ド１６には可変容量ダイオード１５と同じく逆バ
イアス電位が与えられるため、その結合容量は逆
バイアス容量が小さくなるに従つて小さくなる。
従つて、従来例で述べたFETトランジスタの
AGC電位の変化による第１ゲートの入力容量の
変化を受けにくくなる。また副次的効果として、
入力側から見たマツチングも良くなる。
結合用可変容量ダイオード１６を通つた信号
は、結合容量１８を介してトランジスタ１９の第
１ゲートに供給される。このトランジスタ１９
は、抵抗１１０，１１１，１１２により自己バイ
アスがかけられている。トランジスタのソースは
バイパス容量１１３により接地されている。第２
ゲートは、端子１Ｃより抵抗１１４を介して
AGC電位が与えられている。また、ドレイン−
第１ゲート間には抵抗１１５と容量１１６による
帰還回路が挿入されていて、ドレインから負荷を
とつたとき、広帯域性を維持できるようになつて
いる。ドレインは端子１Ｄよりチヨークコイル１
１７を介して電源が与えられている。このトラン
ジスタの動作については、従来例で述べたものと
同様である。出力信号は、ドレインより端子１Ｆ
を通して次段に与えられる。
は、結合容量１８を介してトランジスタ１９の第
１ゲートに供給される。このトランジスタ１９
は、抵抗１１０，１１１，１１２により自己バイ
アスがかけられている。トランジスタのソースは
バイパス容量１１３により接地されている。第２
ゲートは、端子１Ｃより抵抗１１４を介して
AGC電位が与えられている。また、ドレイン−
第１ゲート間には抵抗１１５と容量１１６による
帰還回路が挿入されていて、ドレインから負荷を
とつたとき、広帯域性を維持できるようになつて
いる。ドレインは端子１Ｄよりチヨークコイル１
１７を介して電源が与えられている。このトラン
ジスタの動作については、従来例で述べたものと
同様である。出力信号は、ドレインより端子１Ｆ
を通して次段に与えられる。
以上のように、本実施例によれば、ABC電圧
の変動に伴う第１ゲートの容量変動の影響で受け
やすい可変容量ダイオードの逆バイアス容量の小
さな領域においては結合用の可変容量の容量も小
さくできるので、同調点の変化の割合いを小さく
することができる。実験によれば、770MHzを中
心周波数として選定した場合に、従来例では20M
Hz以上の変動があつた同調ずれが、5MHz以下に
おさえられ、実用化できるものとなつた。
の変動に伴う第１ゲートの容量変動の影響で受け
やすい可変容量ダイオードの逆バイアス容量の小
さな領域においては結合用の可変容量の容量も小
さくできるので、同調点の変化の割合いを小さく
することができる。実験によれば、770MHzを中
心周波数として選定した場合に、従来例では20M
Hz以上の変動があつた同調ずれが、5MHz以下に
おさえられ、実用化できるものとなつた。
発明の効果
以上のように、本発明によれば、入力同調回路
と増幅用FETトランジスタとの間に、同調電位
の変化に連動して逆バイアス容量が変化する結合
用可変容量ダイオードを設けたことにより、増幅
用FETトランジスタのAGC電位の変化に対応し
た第１ゲートの入力容量の変化の同調回路への影
響を軽減でき、実用上問題のないレベルにするこ
とができる。
と増幅用FETトランジスタとの間に、同調電位
の変化に連動して逆バイアス容量が変化する結合
用可変容量ダイオードを設けたことにより、増幅
用FETトランジスタのAGC電位の変化に対応し
た第１ゲートの入力容量の変化の同調回路への影
響を軽減でき、実用上問題のないレベルにするこ
とができる。
第１面は本発明の一実施例の高周波増幅装置を
示す回路図、第２図は従来例の高周波増幅装置を
示す回路図である。 １１……入力トランス、１２……共振線路、１
３……バイパス容量、１４……同調電位供給のた
めのバイアス抵抗、１５……同調用可変容量ダイ
オード、１６……結合用可変容量ダイオード、１
７……バイアス抵抗、１８……結合容量、１９…
…増幅用トランジスタ、１１６……帰還容量、１
１５……帰還抵抗、１１７……チヨークコイル。
示す回路図、第２図は従来例の高周波増幅装置を
示す回路図である。 １１……入力トランス、１２……共振線路、１
３……バイパス容量、１４……同調電位供給のた
めのバイアス抵抗、１５……同調用可変容量ダイ
オード、１６……結合用可変容量ダイオード、１
７……バイアス抵抗、１８……結合容量、１９…
…増幅用トランジスタ、１１６……帰還容量、１
１５……帰還抵抗、１１７……チヨークコイル。
Claims (1)
- １ 入力信号を同調用共振線路に供給し、その同
調用共振線路の一端をバイパス容量によつて接地
して同調用電圧を加え、上記同調用共振線路の他
端を２個の可変容量ダイオードの一端にそれぞれ
接続し、そのうちの１個の可変容量ダイオードの
他端を接地し、他方の可変容量ダイオードの他端
を直流的にのみ接地しかつ結合容量を介して増幅
用FETトランジスタの入力側に接続するように
したことを特徴とする高周波増幅装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60260128A JPS62120111A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 高周波増幅装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60260128A JPS62120111A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 高周波増幅装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62120111A JPS62120111A (ja) | 1987-06-01 |
| JPH0573085B2 true JPH0573085B2 (ja) | 1993-10-13 |
Family
ID=17343682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60260128A Granted JPS62120111A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 高周波増幅装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62120111A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2521536B2 (ja) * | 1989-07-05 | 1996-08-07 | 長野日本無線株式会社 | 電子同調回路 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5146812A (ja) * | 1974-10-18 | 1976-04-21 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | |
| JPS54846A (en) * | 1977-06-06 | 1979-01-06 | Hitachi Ltd | High frequency amplifier circuit |
| JPS5723008U (ja) * | 1980-07-17 | 1982-02-05 |
-
1985
- 1985-11-20 JP JP60260128A patent/JPS62120111A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62120111A (ja) | 1987-06-01 |
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