JPH02279555A - 高誘電率のセラミック材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、セラミックコンデンサを製造するのに好適な
改良されたビスマス含有誘電性セラミック組成に関し、
広い温度範囲に亘って安定な新規組成を調製するのに混
合イオンによる置換を行いかつドーパントが使用される
。

（従来技術） コンデンサに使用されるセラミックは大きい誘電率によ
って特徴づけられる。しかしながら、従来のセラミック
では、誘電率は温度に強く依存していることが示されて
いる。温度に対するキャパシタンスの挙動は、キャパシ
タンスの温度係数（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｃｏｅｆ
ＴＩｃｉｅｎｔ　ｏ（’　Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ　；
以後単にＴＣＣと称する）と呼ばれるものによって定量
化され、ＴＣＣは百分の１　（１）ｐＨ）　／”Ｃで表
わされる。注意深い材料選択および処理によって、広い
温度範囲に亘って極めて小さいＴＣＣを有する誘電性セ
ラミック体の開発が可能となった。この現象は、正のＴ
ＣＣを有する各相がそれと等しい値の負のＴＣＣを有す
る１つ以上の相によって平衡されている多相体を形成し
た際に起こる。この補償効果が現れるボディは非常に小
さいＴＣＣを有し、ネガティブ−ポジティブ−ゼロまた
はＮＰＯボディとして知られている。

頭文字ＮＰＯはキャパシタンスが０のバリエーションを
表わしているが、電子工業協会（Ｅｌｅｃｔｒ。

ｎｌｃ　Ｉｎｄｎｓｔｒｉｅｓ　Ａｓ５ｏｃｌａｔ１ｏ
ｎ：　Ｅ　Ｉ　Ａ）によって定められたコンデンサにと
っての許容限度は、１ＫＨｚまたはＩ　ＭＨｚの周波数
において一５５℃から１２５℃の温度範囲に亘って、材
料のキャパシタンスによって室温でのｆｉｌ定値から±
８０ｐｐｍ　／”Ｃである。

同じ規準により、同じ周波数および室温において誘電正
接は０．１％を越えてはならない。

温度補償は、通常、下記のような２つの方法のうちの一
方によって達成されてきた。まず第１の方法は、反対の
符号のＴＣＣを有する２つのタイプのコンパウンドの混
合物を、一方のタイプのコンパウンドにおける正のＴＣ
Ｃがもう一方のタイプのコンパウンドの負のＴＣＣと釣
り合うように選択する。第２の方法は、５ｒＴ１０．の
ような、ドーピング処理されたまたはドーピング処理さ
れていない層（ｄｏｐｅｄ　ｏｒ　ｕｎｄｏｐｅｄ　１
ａｙｅｒｓ）と層化構造コンパウンドの混合物を、層の
正のＴＣＣが層化構造コンパウンドの負のＴＣＣと釣り
合うように選択する。使用するコンパウンドの相対的割
合を変えることによって、種々のＴＣＣ値を有する一連
の温度補償コンデンサが得られる。

温度補償セラミックコンデンサの概念は科学界にとって
新しいものではない。種々の比のＭｇ　Ｔ１０３および
ＴｌＯ２を用いたＮＰＯボディは１９３０年代の初期に
開発された。それは誘電率１５を有していた。同時に、
Ｓｒ　Ｏ”ｒｉ　ｏｚ系の探究は誘電率２５のＮＰＯボ
ディをもたらした。それに続＜２０年間にＮＰＯ材料に
ついての多くの研究がなされ、特に誘電率３５のＮＰＯ
ボディをもたらしたＢａ　Ｏ−４，８ＴＩ　Ｏｚ系の探
究が注目された。この研究はまた、希土類酸化物−チタ
ニア系の探究および１９６０年代の誘電率Ｂ２を有する
ＮＰＯボディの開発に導いた。今日、ＮＰＯ型誘型体電
体する開発研究のほとんどは希土類酸化物−チタニア系
に基づくものでありそこでは誘電率８０および１０２の
材料が開発された。これらの材料は今日のセラミックコ
ンデンサ製造の基礎となっている。

セラミックコンデンサはエレクトロニクス業界になくて
はならないものとなった。そこでは容積効率がより強調
されるようになったことによって、新規材料を発見しよ
うとする努力のみならず、シリコンチップの体積縮小に
足並をそろえるようにより小さいコンデンサを作ろうと
する努力にもはくしゃがかけられた。温度安定性セラミ
ックコンデンサは、一定の電圧が必要であるかまたは潜
在的に損傷を引起す電気的サージをそらす必要がある領
域で有用であることがわかった。それらには、タイミン
グ回路、テレビチューナー回路、共振器回路、およびオ
シロスコープの電圧増幅整流器などが含まれる。

前述したように、科学界は以前から温度補償コンデンサ
の概念について認識している。

米国特許第Ｌ５２９．９７８号は、Ｂｌ　２Ｎｂ　Ｔ１
０５、　　ＣａＢｌｚＮｂｚＯｓ、　　ＳｒＢｌｚＮｂ
ｚＯｇ、Ｂａ　　Ｂｉｚ　　Ｎｂｚ　　０Ｂ、Ｐｂ　　
Ｂ１２　　Ｎｂｚ　　０５　、　　ＫＢｉ　５　　Ｎｂ
ａ　Ｏｔｓ、　　Ｎａ　Ｂｉ　５　　Ｎｂｔ　Ｏｔｓ。

ＣａＢｌｚＮｂｚＯｓ、　　５ｒＢｌｚＴａｚ０５゜Ｂ
ｌ　３　Ｎｂ　Ｓｎ　ｏ、、Ｓｂ３　Ｎｂ　Ｔｌ　０５
およびＢｉ　３　Ｎｂ　Ｚｒ　Ｏｓなどの負の付加材料
の少量と、ＺｎＯまたはＭｇ　Ｏなどの正の付加材料の
少量を配位付加することによって温度係数特性および処
理特性が大きく向上された、実質的にＢａ　ＴＯ３から
成る改良された誘電性セラミック組成を記載している。

温度補償はこれらの組成の目的とするところであるが、
混合イオンによる置換や、酸化ジルコニウムおよび／ま
たは酸化マンガンドーピングについて記載していない。

また、本発明においては、Ｂｌ−およびＮｂ含有コンパ
ウンドが組成の主要成分であるが、前記特許第３，５２
９．９７８号においてはＢａ　Ｔｌ　０３が主要成分で
ある。

米国特許第４，０５８，４０４号は、１８−７０ｖｔ、
％の５ｒＴＩ　Ｏ３，４−７５ｖｔ、％のＢａ　Ｔ１０
３　、２．５−７．４ｗｔ１％のＢ１２０．および１．
７−２０ｖｔ、％のＴｌＯ２から実質的に成り、Ｂｌ　
、ｏ３に対するＴｉ　Ｏｔのモル比が１−１８の範囲に
ある焼結セラミック誘電性ボディを記載している。混合
イオンによる置換や、酸化ジルコニウムおよび／または
酸化マンガンドーピングについての記載はない。また、
本発明においては、Ｂ１−およびＮｂ含有コンパウンド
が組成の主要成分であるが、この特許においては、Ｂａ
　ＴＩ　Ｏ３および／またはＳｒ　Ｔｉ　０３が組成の
主要成分である。

米国特許４，４５９．３８４号は、多層セラミックコン
デンサを作る際に使用される、Ｂａ　Ｔｌ　０３　、　
　Ｂ１．０．、Ｎｂｔ０．、Ｔ１０．およびＭｎＣＯ３
から成る低焼成セラミック組成を記載している。

混合イオンによる置換や、酸化ジルコニウムおよび／ま
たは酸化マンガンドーピングについての記載はない。ま
た、本発明においては、Ｂｌ−およびＮｂ含有コンパウ
ンドが組成の主要成分であるが、この特許においては、
Ｂ　Ｂ　Ｔ　１０３が組成の主要成分である。

米国特許第４，４８２．９８４号は、８４−７０．５ｖ
ｔ、％のＳｒ　Ｔ１０３．２８−３４ｖｔ、％のＣａ　
Ｔｔ　ｏ３および１．５−４．５ｖｔ、％のＢｌ　ｚ　
０３またはＢｉ　ｚ　０３−ｎＴ１０ｚ（ここでｎ　＝
　１−５．１ｏｖｔ、％以下のＭｇＴ１（ｈ）から成る
、温度補償コンデンサ用セラミック誘電組成を開示して
いる。混合イオンによる置換や、酸化ジルコニウムおよ
び／または酸化マンガンドーピングについての記載はな
い。また、本発明においては、Ｂｉ−およびＮｂ含有コ
ンパウンドが組成の主要成分であるが、この特許におい
てはｓ　Ｂａ　Ｔｌ　０３が組成の主要成分である。

米国特許第４．５０３，４８２号は、Ｂａ　Ｔ１０３１
モル当り０．０２−０．１２モルの層状圧チタン石Ｐｂ
　Ｂａ４　Ｔ１４０１５またはＳｒ　Ｂｉ　４　Ｔｉ　
４０．５を与える単相混合結晶セラミックの形態のビス
マス含有ＢａＴｉＯ３を基本とするセラミック誘電性組
成を詳述している。混合イオンによる置換や、酸化ジル
コニウムおよび／または酸化マンガンドーピングについ
ての記載はない。また、本発明においては、Ｂｌ−およ
びＮｂ含有コンパウンドが組成の主要成分であるが、こ
の特許においては、ＢａＴ１０３が組成の収容成分であ
る。

（発明の目的） 本発明の目的は、セラミックコンデンサの開発およびそ
れに限定されない用途に用いる温度補償誘電性セラミッ
クボディのための新規な組成を提供することである。

本発明のもう１つの目的は、温度に依存しないキャパシ
タンス特性と、従来の材料によるコンデンサより小さい
誘電正接および大きい誘電率とを有する材料組成を提供
することである。

本発明のさらにもう１つの目的は、ＴＣＣおよび誘電正
接に関するＥＩＡ規準に合致するかまたはそれを上まわ
るＮＰＯボディを提供することである。

（発明の構成） これらの目的および以下に述べる目的は、一般式 ％式％） の一般式で示される組成によって達成される。上記式中
、ｍは１より大きい数、β≧０．γ≧Ｏであり、そして
δは、ＺｒおよびＭｎ酸化物の形態で加えられた際のこ
れらＺｒおよびＭｎによる酸素寄与によって決定される
。さらに上記式中、ＡはＮＢ、に、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、
Ｂ１およびｐｂから成る群より選択される元素であり、
ＢはＴ１゜ＮｂおよびＴａから実質的に成る群より選択
される元素である。Ａが二価イオンの場合、Ｃａｏ、６
Ｓｒｏ、４およびＣａ　Ｏ，５Ｓｒ　Ｏ，４Ｂａ　ｏ、
　ｒなどの２つ以上のイオンの混合物で置換してもよい
。従って、温度補償効果を得るためにＡおよびＢを注意
深く選択しなければならないことを示すのも本発明の目
的に１つである。

一般的から誘導された以下のような組成も本発明の実施
形態に入る。前述したように、δは、Ｚ「およびＭｎを
ジルコニアおよび酸化マンガンとしてバッチに加えた際
のこれら２「およびＭｎによる酸素寄与によって形成さ
れ、しかしＯより大きい。

１、（Ｂｉｇ　　Ｏｚ　）　”（Ａ−１−Ｉ　　Ｂｍ　
　Ｏｉｓ＋＋）　２−β−γ−〇　　　混合イオン置換
のみ Ｉｌ、（Ｂｉ２　０ｚ　）　”（Ａｍ−＋　　Ｂｍ　Ｍ
ｎｙ　　Ｏ３ｍ＋ａ＋ｒ）　”−β−０，γ〉０　混合
イオン置換＋Ｍｎｎ１．（Ｂ１０　０ｆ　）　”（Ａｍ
−ｓ　　Ｂｍ　Ｚｒ、Ｏｓｗａ＋ａ＊０２−β〉０．γ
−０混合イオン置換＋Ｚｒ ＩＶ、（Ｂｉｇ　　Ｏｚ　）　”（Ａｓ−１８，Ｚｒ。

’ｎｖ　Ｏｉｓ＋ａヤ、）ト β〉０．γ〉０　混合イオン置換＋Ｍｎ、Ｚｒ等しい電
荷を有するイオンを置換する混合イオンを含んだ材料は
、小さいＴＣＣと大きい誘電率を示す。しかし、誘電正
接を０．１％未満に下げるためには酸化ジルコニウムと
酸化マンガンの組合せを必要とする。

本発明のさらにもう１つの目的は、ＴＣＣが小さくかつ
誘電正接が０．１未満である、前記一般的によって示さ
れる組成を提供することである。

前記一般式によって規定される多くのコンパウンドは温
度に対するキャパシタンスの直線的依存関係を示す。し
かしながら、 Ｃ１／３　”Ｄ２／３　”Ｉ　　Ｅｌ／Ｉ　’“Ｄ３／
４’”＊　　Ｆ　Ｔ７２　’＋Ｄ　Ｉ／２　”＋　また
はＦ　２／］　”Ｇ　Ｉ／］　”ここでＣ”ｍＭｇ　”
、Ｚｎ　２◆、Ｎ１２◆、Ｃｏ”Ｃｕ　”　　Ｃｄ　” Ｄ’”−Ｎｔ）’”＋　　Ｔａ　’” Ｅ”ｍＬｌ　　”、ＮＢ　”、Ｋ”、Ｃｕ　”Ａｇ　Ｉ
＋ Ｆ”ｍＣｒ　”、Ｍｎ　”、Ｆｅ　”、Ａｊｊ　”Ｑａ
３４．Ｚｎ３４，７１］＋　　５ｂ３４Ａｓ　　”、　
　　Ｙ”、　　　Ｌｕ　　”、　　　Ｙｂ　　”Ｔｓ　
”、　　Ｅｒ　”、　　Ｈｏ　”、　　Ｄｙ　”７ｂ３
＋、　　Ｇｄ　３４　１：ｕ３＋　　５．３４および Ｇ　”＝　Ｗ”、　　　Ｍｏ　　６◆ などの混合イオンによってＢを置き替えると、これらの
フンバウンドのＴＣＣが一５５℃から１２５℃の範回の
温度で極めて小さくなる。本発明によれば、これが温度
に対する安定性を得るための方法である。すなわち、こ
れらの材料における誘電率の強い温度依存性を排除する
ために電荷の釣り合った置換体が使用できるのである。

さらに、この系におけるイオン置換層化構造コンパウン
ドによる改良により、温度安定性および誘電圧接に関す
るＮＰＯ規準を満たすあるいはそれを上まわる高品質再
現可能多層セラミックコンデンサを得ることができる。

その結果、０．１未満の誘電正接、小さいＴＣＣおよび
１０５を越える誘電率を有するＮＰＯボディが得られる
。ここで比較のため述べると、現在製造されているＮＰ
Ｏコンデンサは、８０から１０２の範囲の誘電率を示す
。

（実　施　例） 本発明を以下の実施例に基づいてさらに詳細に説明する
。

本発明の好ましい実施態様の一部は、式％式％） の範囲内に含まれるコンパウンドから成る。これらの中
で特に好ましい種は、ｍ−４であり、Ａが２つ以上のイ
オンの混合物であって、式％式％ から成る群より選択される元素であり、Ａ′はＫおよび
Ｎａから成る群より選択される元素である）を導く組成
から成る。この場合、ＴＩ’＋イオンは下記のような混
合イオンによって少なくとも一部が置き替えられる： Ｃｌ７３　”Ｄ２／３　”ｌ　　Ｅｌ／４　”Ｄ３／４
　”ｌ　　Ｆｌ／□３＋Ｄ　ｌ／２　’Ｚ　またはＦ　
２／３　”Ｇ　ｌ／３　”ここでＣ”ｍＭｇ　”、Ｚｎ
　”、Ｎｌ　”、Ｃｏ　”Ｃｕ　”　　Ｃｄ　” Ｄ”＋ｗＮｂ　”ｌ　Ｔａ　” Ｅ”ｍＬｌ　　　”、　　　Ｎａ　　”、　　　Ｋ　　
コ＋（ｕ　１＋Ａ　ｇ　Ｉ　＋ Ｆ”ｍＣｒ　３４．Ｍｎ　”、Ｆｅ　”、ＡＩ”Ｇａ　
”、Ｚｎ　”、ＴＪ”、Ｓｂ　”Ａｓ’″）、Ｙ”、Ｌ
ｕ　３＋、ｙｂ３＋Ｔｉ　”、　　Ｅｒ　”、　Ｈｏ　
”、　　Ｄｙ　”Ｔ　ｂ　”ｒ　Ｇ　ｄ　３”＋　　Ｅ
　ｕ　’　”＋　　Ｓ　ｍ　’　”および ６６÷−Ｗ”、Ｍ□　” このように置き替えを行った組成の例には、Ｃａ　　Ｂ
ｌ　　ａ　　（Ｍｇ　　ｌ／３　　Ｎｂ　２／Ｓ　　）
　ａ　　０１５＋Ｓｒ　　Ｂｌ　　４　　　（Ｍｇ　　
ｌ／３　　Ｎｂ　　２／３　　）　　ａ　　Ｏ１５＋Ｃ
ａ　　Ｂｌ　　４　　Ｎ１　４／３　　Ｎｂ　ａｙｓ　
　Ｏ１５＋Ｃａ　Ｂ１４　Ｃｕ　４／３　Ｎｂ　ａｙｓ
　０＋５１　およびＣＢ　Ｂｌ　４　Ｆｅ　ｓｙｓ　Ｖ
Ｊ４／ｓ　Ｏｓｓ　　　　がある。

以上に見られるように、独立におよび集合的に誘電率、
誘電正接およびＴＣＣに影響を与えるいくつかのファク
ターが本発明の実施に導入された。

混合イオンによる置換は誘電率を大きく増大させ、ＴＣ
Ｃを最小にする。実施例１−４はその特徴を示すもので
あり、一般式からＺ「とＭｎが除かれており、イオン置
換の効果が容易にわかる。実施例１−３は式Ｉの成分Ｂ
に代わる混合イオンによる置換の効果を反映しており、
実施例４は式Ｉの成分Ａ１ご代わる混合イオンによる置
換の効果を示している。

実施例１ 組成ＣＢ　Ｂｌ　４　Ｔｉ　４０１５およびＣａ　Ｂｉ
　ａ（Ｍｇ　ｌ／３　Ｎｂ　２／３　）　ａ　ＯＳ、の
セラミックを下記のように調製した。

Ｃａ　Ｂｉ　Ａ　Ｔ１　ｓ　ＯＳｓおよびＣａ　ＢＩ　
Ａ　　（Ｍｇ１／）　Ｎｂ　２／３　）　４０＋ｓのバ
ッチを、それぞれ４，２９ｖｔ、％のＣａ　０．７１．
２７ｖｔ、％のＢ１２Ｏ３および２４．４４ｖｔ、％の
Ｔ１０□と４．０２ｖｔ、％のＣａ　０゜８Ｂ、７５ｗ
ｔ、％のＢｉ　ｚ　０３　、３Ｊ５ｖｔ、％のＭｇ　Ｏ
および２５．３８ｗｔ、％のＮｂｚＯ，を用いて、振動
ミルで１８−２０時間混合して合成した。得られた混合
物を、空気中、７００°−１０５０℃の範囲の温度で２
〜３時間焼成した。実施例４に記載する２相混合実験に
おいては、予備反応された粉末を振動ミル磨砕によって
５ｒＴ１０３と混合した。次に全粉末を乾燥し、バイン
ダーとしてカーボワックス（Ｃａｒｂｏｖａｘ）溶液を
加えて再びミル混練した。得られた粉末を乾燥し、２０
メツシユ篩を通して凝集サイズを小さくし、ベレットに
圧縮した（最初１０ｋｓｌで機械的に、次に２７ｋｓｉ
でアイソスタティックに圧縮した）。次にこれらベレッ
トをジルコニアセッタープレート（ｓｅｔｔｅｒ　ｐｌ
ａｔｅ　）上で、９００℃−１２７０℃の範囲の温度に
おいて２時間焼結した。電極として使用するため、前記
ベレットの表面に金を蒸着した。誘電率と誘電正接を、
周波数１２０ＫＨｚ。

Ｉ　ＫＨｚおよびＬＯＫＩ（ｚで一５５℃から１２５℃
の範囲の温度において測定した。試料に関する周波数ｌ
ＫＨ２における温度の関数としての誘電率におよび誘電
圧接ＤＦを表１に示す。これらの温度安定性誘電体は、
大きい誘電率、小さい誘電正接および低い温度での焼結
性を有するという特徴的特性を示している。

Ｔ１に代わるＭｇ＋Ｎｂの置換が行われると安定性が増
しかつ誘電正接の減少が見られる。

実施例２ 組成Ｓｒ　Ｂｉ　４　Ｔｉ　ａ　ＯＳｓおよびＳｒ　Ｂ
ｉ　４（Ｍｇ　ｌ／３　Ｎｂ　２／３　）　４０Ｓｓの
セラミックを下記のように調製した。

Ｓｒ　Ｂｌ　４　Ｔｌ　ａ　ＯＳｓとＳｒ　Ｂ１４　　
（Ｍｇ　１／３Ｎｂ　２／３　）　Ａ　０１５のバッチ
を、それぞれ７．８５ｖｔ。

％のＳｒ　Ｏ，８８，７７ｖｔ、％のＢ１２Ｏ３および
２３．５８ｖｔ、’％のＴｌＯ２と７．１８ｗｔ、％の
Ｓｒ　０．６４．５５ｖ【０％のＢｌ　ｚＯ３，３，７
２ｖｔ、％のＭｇ　Ｏおよび２４．５５ｖｔ、％のＮｂ
２Ｏ５を用いて合成した。各バッチの成分を計量し、混
合し、３７８インチ直径のジルコニア粉砕媒体とイソプ
ロピルアルコール（ＩＰＡ）の入ったポリプロピレンボ
トルに入れ、４−６４時間ミル磨砕した。得られたスラ
リーを乾燥用深皿に入れ、８０℃のオーブンで乾燥し、
７５０℃において４時間、ふたをした磁製るつぼで焼成
した。この焼成粉末をビルに圧縮した（まずＬＯｋｓｌ
で機械的に、次に２７ｋｓｉでアイソスタティックに）
。これらの試料を１０００”　−１１００℃の範囲の温
度で２時間焼結し、実施例１のように金フィルム表　　
１ を用いて電極とし、誘電特性を測定した。それらの特性
を表２に示す。実施例１と同様に、ＴＩに代わるＭｇ　
ｌ／３　Ｎｂ　２／３の混合イオンによる置換は、温度
に対する誘電率の変化を小さくし、誘電正接を低下させ
た。

表　　２ 実施例３ Ｃａ　Ｂｌ　ａ　Ｎｌ　４／Ｉ　Ｎｂ　ＩＩ／１０ＩＬ
　Ｃａ　Ｂｌ　ａＣｕ　ａｙｓ　Ｎｂ　ｓ７ｓ　ＯＩ５
＋およびＣａＢ１ａＦｅ１１／３　Ｗ４／３０１ｇを合
成する。際に混合イオンの追加的組合せを用いたｏ　ｃ
ａ　Ｂｌ　４　Ｎｉ　４／ｌ　ＮｂＩｔ／）　０＋ｓ＋
　Ｃａ　Ｂｆ　Ａ　Ｃｕ　４／ｌ　Ｎｂ　ｇ／ｉ　０＋
ｓ＋およびＣａ　Ｂ１４　Ｆｅ　ＩＳ／３　Ｗ４／３０
１５は、それぞれ４．０３ｖｔ、％のＣａ　０．８Ｂ、
９４ｖｔ、％のＢｌ　２ｏ、。

３．５８ｖｔ、％のＮ１０および２５．４５ｖｔ、％の
Ｎｂ２Ｏコと、４．０２ｖｔ、％のＣａ　Ｏ，６６，７
８ｖｔ、％のＢ１２Ｏ３、３，８０ｖｔ、％のＣｕＯお
よび２５．４０ｖｔ、％のＮｂ２Ｏ３と、４．１４ｖｔ
、％のＣａ　０．６ｇ、７５ｖｔ、％のＢｌ　ｚ　Ｏｓ
　、　１５．７１ｖｔ、％のＦｅ２Ｏ３および１１．４
０ｖｔ、％のＷＯ３から合成した。いくつかの置換は他
の置換より良好な特性の組合せを付与した。そのことが
表３に示されている。全ての組成に共通しているのは大
きい誘電率であるが、誘電正接が大きくなってしまった
ものもある。

ＣａＢ１４　Ｎ１４／３　Ｎｔ）ｓ／ｉ　　０ｔｓ表　
　３ ＣａＢｌａ　Ｍｌ＜／ｓ　Ｎｂｓ／ｓ ２．００ ２．１０ ２．４０ ２．８０ ３．４０ ４．２０ ４．３０ ４．１０ ２．５０ １．１０ １５［１２，５０ １５Ｂ　　２．９０ １５４　３．４０ １５４　４．１０ １５０　４．４０ １４ｇ　３．８０ １４１　２．００ １４１　１．６０ １３９　１．００ １３５　０．５０ ４．５０ ４．６０ ４．２０ ３．５０ ２、ＢＯ １，６０ １，５０ ２，９０ ０，９０ ３，９０ ３，３０ ２，５０ １，７０ １，２０ ０，８０ ０，７０ １，２０ １，００ ０，５０ ＣａＢｉ４　Ｃｕ４／＊　Ｎｂｓ／３０＋５９００℃で
２時間焼結 １ＫＩＩｚ　　　　　ＩＭＩＩｚ 鼻血　興５と五匠５Ｌム １２５　　　　２．１０ １００　　　　２．２０ ８０　　　　２．５０ ６Ｇ　　　　　３．００ ４０　　　　３．７０ ２０　　　　４．５０ ０　　　　５．５０ −２０　　　　７．６０ −４０　　　１０．７ −５５　　　１２．３ ２３９　５．００　　２３２ ２３９　５、ｌｉｏ　　　２２８ ２３７　８．６０　　２２４ ２３４　７．５０　　２１８ ２２９　８．６０　　２■１ ２２４１０．００　　２０４ ２１９　９．１０　　２０４ ２１１１３．８０　　１７８ １９１１１２．８０　　１５９ １７９　Ｌ（）、００　　１４８ Ｃａ８１ａ　　’ｉ＜／３　Ｎｂｓ／ｌ　　０Ｓｓ１１
２０℃で２時間焼結 ｌにＨｚ　　　　　１ＭＨｚ 匪）と五　匪（％）　　Ｋ ３１．９　　１２１７　３７．２ ３１．２　　９９８　５４．７ ４０．９　　７８０　６８．２ ５＋１．０　　４９７　５９．８ ＳＬｆｉ　　　２７９　４３．４ １９．７　　１７３　２８．５ ８９Ｊ　　　１４４　２２．４ ２１．７　　１００　１２４ １２．０・　　８２　　７．２０ ７．４０　　７５　　５．８０ 実施例４ ２つの末端グループコンパウンドを適切な比で混合する
ことによってへ部位に混合イオンによる置換を行って温
度安定配合物を得た。これら２つの末端グループコンパ
ウンドは、−５５℃から１２５℃の範囲で反対の符号を
もったほぼ一定のＴＣＣを有していなければならない。

例えば、実施例１および２に記載した温度安定性コンパ
ウンドを組み合わせてＸ　［Ｃａ　ｆ３１４　Ｔｌ　４
０１．］　−（１−ｘ）［Ｓｒ　Ｂｌ　４　Ｔｌ　４０
１！］　　（０＜Ｘ＜１）を形成すると、優れた値の室
温誘電率（Ｋ）と低下した誘電正接（ＤＦ）が得られる
。これを表４に示す。種々の割合のＸにおけるバッチの
成分（ｖｔ、％）を以下に示す。ここでＸはＣａＢｉａ
Ｔｉａ　Ｏ＋５７　Ｓｒ　Ｂｉ　４　Ｔｌ　ａ　０１５
のモル分率である。

０．００　０．２５　０．５０　０．７５　１．００Ｃ
ａＯＯ，００１，０４２，ＬＬ　　３．Ｌ９　４．２９
ＳｒＯ７，［ｉ５　５．７９　３．８９　１．９８　０
．００Ｂｉ　ｔ　０３Ｂ１１．７７　６９．３１１　７
０．００　７０．８３　７１．２７ＴＩ　　０２２３．
５ｇ　　２３．７９　２４．００　２４．２２　２４．
４４Ｃａ　Ｂｌ　４　Ｔｉ　４０＋ｓのモル分率が大き
くなるにつれて誘電率および誘電正接（周波数Ｉ　ＫＨ
ｚにおける）が小さくなり、一方ＴＣＣがより負の値を
増加させていることに留意されたい。

表　　　４ ＴＣＣ（ｐｐ１１／”Ｃ）　ＴＣＣ（ｐｐｍ／”Ｃ）ｘ
　Ｋ　ＤＰ（％）−５５℃ｔｏ２５℃２５℃ｔｏ１２５
℃０２５３１．７　１０５　６３２ ０．２５１８５１．０　−１８３　３１３０．５０１６
１０．９　−２１８　１６７０．７５１８５０．９　−
５８３　−１８７１．００　　１１３０　　　０．７　
　　　　　　−９１７　　　　　　　　　　−４１７誘
電率とＴＣＣの良好な値は実施例１−４に共通している
が、誘電正接はまだＥＩＡの定める０、１％の上限値を
越えている。この問題を解決するためにいくつかの研究
を行った。ＭｎとＺｒを組成Ｓｒ　Ｂｌ　４　　（Ｍｇ
　＋、−３Ｎｂ　２／３　）　４０１５に加えると、小
さいＴＣＣと小さい誘電圧接の非常に良好な組合せを有
するセラミックが得られることを発見した。各個々のド
ーパントの効果を、実施例５ではＭｎＯ２について（式
■）、次に実施例６−８ではＺｒ　０２について（式■
）測定した。

実施例５ ８４．５５ｖｔ、％（６２６，４１ｇ）のＢｉ　ｚＯ３
，７，１８ｖｔ、％（９９，２３ｇ）のＳ　ｒ　Ｃ０３
，３，７２ｗｔ、％（３６，１３ｇ）のＭｇ　Ｏおよび
２４．５５ｖｔ、％（２３８，２３ｇ’）のＮｂ２Ｏ，
からなるバッチ［Ｓｒ　Ｂｌ　ａ　Ｍｇ４／３　Ｎｂ　
８／３０ｔｓ］　１０００ｇを管状ミキサーで１時間混
合し、１６時間振動ミル磨砕の前に８つの１２５びバッ
チに分割した。バッチの一部を０．００ｖｔ、％。

０．０３ｖｔ、％、　０．０６ｖｔ、％および０．１２
ｖＬ、％のレベルのＭｎ　Ｏ！粉末を用いてドーピング
し、バッチのもう一つの部分を０．０６ｖｔ、％Ｍｎ　
Ｏ２、０，１２ｖｔ、％ＭｎＯ２および０．２４’ｉ／
ｌ、％Ｍ　ｎ　ＯＺのレベルでＭｎ　　（ＮＯ３）２水
溶液を用いてドーピングした。これらの粉末を次にオー
ブンで乾燥し、５８０℃で２時間焼成し、次いで７５０
℃まで急加熱して４時間保持した。もう１つとして、同
じ組成の既に焼成されたバッチを同じ手順を用いて同じ
レベルでドーピングした。全てのバッチをＩＰＡおよび
カルボワックス（ｃａｒｂｏｖａｘ）溶液中で１６時間
振動ミル磨砕した。得られたスラリーをオーブンで乾燥
し、ベレットに圧縮（まず１０ｋｓ１で機械的に、次に
２７ｋｓｌでアイソスタティックに）　Ｌ、１０００℃
−ＩｌｆｌＯ℃の範囲の温度で１０分間勾配炉（ｇｒａ
ｄｅｌｎｔ！’ｕｒｎａｃｃ）にて焼結した。得られた
試料を前記実施例のように電極とし、誘電特性を４−１
定した。そのデータを第１図に示す。第１ａ図は室温に
おける誘電正接を示しており、第１ｂ図および第１ｃ図
は、それぞれ−５５℃および１２５℃でのキャパシタン
スの温度係数を示している。Ｍｎの増加はＴＣＣの負を
小さくし、一方で誘電正接を増大させることに留意され
たい。

実施例６ ０、口０．２．５　、５．０および１．０．ｏｗｔ、％
のＺｒＯ７を加えることによって実施例２の焼成粉末に
関する４つの２５ｇロットを調製した。Ｍｎが加えられ
ていない実施例５の粉末の一部に２，５および７．５ｖ
ｔ、％ＺｒＯ２を加えて２つの２５ｇバッチを調製した
。さらに、実施例５のＭｌを含まない粉末にＺ「０２と
Ｎｂ２Ｏ５を加えることによって３つのバッチを調製し
た。結果を第２図に示す。ここで、第２ａ図は室温にお
ける誘電圧接を示し、第２ｂ図および第２Ｃ図は、それ
ぞれ−５５℃と１２５℃におけるキャパシタンスの温度
係数を示す。２．５ｖｔ８％を越えるジルコニア添加が
誘電率を上げかつ誘電正接を下げることに留意れたい。

実施例７ ６２０．４１ｇのＢ１２ｏ３．９９．２３　ｇの５ｒＣ
０３３６，１３ｇのＭｇ　Ｏおよび２３８．２３’ｊの
Ｎｂ２Ｏ５から成るｔｏｏｏｇのバッチ［Ｓｒ　Ｂｌ　
ａ　Ｍｇ　４／３　Ｎｂ１１／３０１５］を管状ミキサ
ーで１時間混合し、１６時間振動ミル磨砕する前に８つ
の１２５　ｇバッチニ分割した。得られた粉末をオーブ
ンで乾燥し、次に７５０℃で４時間焼成した。焼成され
たバッチを１１ｖｔ、％のジルコニアを用いてドーピン
グし、ＩＰＡおよびカルボワックス溶液中、１６時間振
動ミル磨砕した。得られたスラリーをオーブンで乾燥し
、ベレットに圧縮（まず１０ｋｓｉで機械的に、次に２
７ｋｓｉでアイソスタティックに）　Ｌ、１０５０℃で
２時間勾配炉において焼結し、室温まで冷却し、そして
３００℃で７２時間アニールした。得られた試料を前記
実施例のように電極とし、誘電特性を測定した。そのデ
ータを表５に示す。

表　　　５ 周波数　Ｋ　　ＤＦ（％）　　ＴＣＣ（−５５℃’）　
　ＴＣＣ（１２５℃）ｌＫＩｌｚ　１２２０．０４０ｐ
ｐｍ／’Ｃ２４ｐｐｍ／”ＣＩＭＩＩｚ　１２２０．０
４５ｐｐｎ／’Ｃ−１７ｐｐｍ／’Ｃ混合イオンによる
置換に用いる各イオンの相対的割合は、適した特性を有
する材料を調製するのに重要である。より大きいＭｇ　
Ｏ含有量を有する実施例８はそのファクターを示すもの
である。実施例８は誘電率の激的な低下を示している。

実施例８ ＩＨ，３８４ｇＢ　Ｉ　ｚ　０３　、２９．５２４ｇの
Ｓｒ　ＣＯ３。

５．３７４９ｇのＭｇ　Ｏおよび７０．８８３ｇのＮｂ
２Ｏ，から成るバッチを管状ミキサーで１時間混合し、
１６時間振動ミル磨砕した。ｉ９られた粉末をオーブン
で乾燥し、そして７５０℃で４時間焼成した。この焼成
バッチ（７）２８．３３８８　ｇに１．４１８８ｇのｚ
ｒｏ２を混合し、ＩＰＡおよびカルボワックス溶液中で
１６時間振動ミル磨砕した。このスラリーをオーブンで
乾燥し、ペレットに圧縮（まず１Ｏｋｓｉで機械的に、
次いで２７ｋｓｌでアイソスタティックに）し、勾配炉
中、１０２０℃で２時間焼結した。得られた試料を前記
実施例のように電極とし、Ｉ　ＫＨｚの周波数で誘電特
性を測定した。このデータを表６に示す。

表　　　６ Ｋ　ＤＦ（％”）　ＴＣＣ（−５５℃）　ＴＣＣ（１２
５℃）８３０．０９　１８ｐｐＩＩ／”Ｃ−２８ｐｐａ
＋／℃本発明の最も好ましい実施態様は式■、つまりＭ
ｎおよびＺ「付加を伴う一般式のＢ成分に混合イオンに
よる置換を行ったものから成る。このような組成は、大
きい誘電率と、小さい誘電正接と、キャパシタンスの小
さい温度係数との極めて好ましい組合せを与える。実施
例９はそのような材料を示す。

実施例９ ６４．５５ｖｔ、％（６２Ｇ、４１　ｇ”）のＢｌ　ｚ
　０３．７．１８ｖｔ、％（９９，２３’；ｉ”）のＳ
ｒ　ＣＯ３，３，７２ｗｔ、％（３Ｇ、１３　ｇ）のＭ
ｇＯおよび２４．５５ｗｔ、％（２３８，２３ｇ）のＮ
ｂ２Ｏ５から成る［Ｓｒ　Ｂ１　ｔ　Ｍｇ　４／３Ｎｂ
　８／３０＋ｓｌの１０００　ｇバッチを管状ミキサー
で１５分間乾乾燥台し、２つの５００ｇバッチに分割し
た。各５００ｇバッチを、５００　Ｌ３の１／４インチ
直径ノルコニア粉砕媒体を有するポリプロピレンボトル
に入れ、ごまでＩＰＡを満たし、１５−２０時間振動モ
ル磨砕した。内容物を乾燥用深皿にうつし、オーブン中
８０℃で乾燥し、５０μｍメツシュスクリーンを通して
凝集サイズを下げ、磁製るつぼ中、７５０℃で４時間焼
成した。

このバッチをざらにｉｏｏ　ｇのバッチに分割した。

その中の一組を５ｗｔ、％のＺｒＯ２と０．３５−０．
４５ｖｔ。

％の範囲で変化するレベルのＭｎ　Ｏ２とを用いてドー
ピングしたもう一組を０．４ｖｔ、％のＭｎ　０２と４
．５−５．５ｖｔ、％の範囲で変化するレベルのＺｒ０
１とを用いてドーピングした。どちらの組も４時間振動
ミル磨砕してドーパントの均質混合を達成した。振動ミ
ル磨砕は、２００ｇの１／４インチ直径ジルコニア粉砕
媒体とＩＰＡを有したポリプロピレンボトル内で行った
。得らたスラリーをオーブンで乾燥し、下記の手順を用
いてスリップにした：８、　３８９の蒸留水、　０．１
．６９のＴｒｉｔｏｎＣＦ−１０（市販の湿滑剤）　、
　０．８−２．５９のポリアンモニウムビニルスルホネ
ート（分散ＡＩＪ）　、　４５０　ｇｔ））３／８イン
チ直径ジルコニウム粉砕媒体および１００　ｇのセラミ
ック粉末を列挙した順序で混合し、スリップを形成した
。

ｂ、　このスリップをローラーミルで１時間ロール練り
し、７．０ｇのＢ　６０Ａ　　Ｒｈｏｐｌｅｘバインダ
ー７．０ｇのＡ　ｃ　６１　Ｒｈｏｐｌｅｘバインダー
および０，１３ｑのＷ　Ｐ　−Ｌ　Ｒｈｏｌ）ｌｃｘ可
塑剤を加えた。

Ｃ０スリップを簡単にシェイクし、混合物が濃厚過ぎる
場合はさらに分散剤を加えた。

ｄ、　スリップを粉砕媒体からポリプロピレンボトルに
注き込み、１時間ロール練りすることによって脱気した
。

ｅ、　スリップを、使用前に真空脱気した。

表面を約５０℃に加熱しながらスリップをコートされた
剥離紙にキャストした（沈降を防止するために、スリッ
プの未使用部分にはロール練りをゆっくり続けた）。薄
い有機テープの適正サイズ柱上に電極パターンをスクリ
ーンプリントし、仕上げられた部品が頂部と底部に８つ
の非有効層と中央に５つの有孔層とを有しかつこの集合
体が３つのレギュラーおよび３つのオフセットプリント
層を要するようにプリントおよびブランクテープをダイ
に積み重ねた。このダイを９０℃で１時間べ−りし、１
００００ｐｓｉで９０秒間圧縮して積層構造を形成した
。テーブルを約６０℃に加熱しながら、約７０℃に加熱
された切断グレードを用いてこの積層物を個々のコンデ
ンサにダイシングした。

個々のコンデンサを、１０００’−１１００℃の範囲の
温度で１０分間、アルミナまたはジルコニアセッタープ
レー）　（Ｓｅｔｔｅｒ　ｐｌａｔｅｓ）上にて焼結し
た。誘電率４ｐ１定のための正方形片を積み重ね体の無
電極端（ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｌｅｓｓ　ｅｄｇｅｓ）か
ら切断し、誘電率を′ＡＰＩ定するのに用いる生コンデ
ンサと共に焼結した。

銀ペーストターミネーションを焼結コンデンサに施した
。ターミネーションを、徐冷がま中、移動ベルト上で、
１００℃から８２５℃まで１６分間かけて加熱するプロ
グラムによって焼結し、１０分間で１００℃まで温度降
下した。合計の処理時間は約４５分間であった。

ターミネーションを存する部品を５％のＳｎ。

９３．５％のＰＢおよび１．５％のＡｇからなる３２０
℃の浴中で含浸させ、電極を形成した。２０（ｌｐｓｌ
の射出過圧を９０秒間加えた。これら部品におけるキャ
パシタンスの温度依存度を、２０分間のソーク（ｓＯａ
ｋ）後、１　）１１１２において一５５℃、２５℃およ
び１．２５℃の加熱サイクルで測定した。誘電圧接を、
温度依存度試験を始める前に温度チャンバーの外でＩＦ
１６０４７　Ｃ試験備品を用いて測定した。−５５℃お
よび１２５℃におけるキャパシタンスの温度係数（ｐｐ
ｍ１℃）を計算する際の規準として２５℃で測定された
値を使用した。これらのデータは第３図および第４図に
示している。第３図は５ｗｔ、％のＺｒＯ２を用いてド
ーピングしたボディについてｄ１１ノ定した値を示して
おり、第４図は０．４ｖｔ、％のＭｎＯ２を用いてドー
ピングしたボディについて測定した値を示している。第
３ａ図および第４ａ図は室温における誘電正接を示して
おり、第３ｂ図および第３ｃ図と第４ｂ図および第４Ｃ
図は、それぞれ−５５℃および１２５℃におけるキャパ
シタンスの温度係数を示している。小さいＴＣＣと小さ
い誘電圧接の極めて良好な組合せが１０１５℃から１０
５５℃までの広範囲な焼成’ｊＨ度に亘って得られるこ
とに留意されたい。また、この範囲における多くの組成
が、ＮＰＯ材料としてのＥＩＡ規準を満足するＴＣＣお
よび誘電正接を示すことに留意されたい。第３図および
第４図において、実線は１０５５℃の焼成温度を用いた
もの、点線は１０３５℃の焼成温度を用いたもの、そし
て破線は１月５℃の焼成温度を用いたものを示す。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第４図は、本発明による材料から成る試料につ
いて１ｌＦＩ定した１秀電率、誘電正接、およびキャパ
シタンスの温度係数を示すグラフである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）材料のキャパシタンスに依存した、１ＫＨｚまたは
   １ＭＨｚにおける、室温で測定されたキャパシタンスに
   比較した−５５℃から１２５℃までの温度範囲に亘るキ
   ャパシタンスの温度係数が小さく、かつ１ＫＨｚまたは
   １ＭＨｚにおける室温で測定された誘電率が１０５を超
   えるセラミック材料であって、該材料が、 Ｉ．▲数式、化学式、表等があります▼ II．▲数式、化学式、表等があります▼ および III．▲数式、化学式、表等があります▼ から成る群より選択される１つの式に包含される組成を
   有し、 ここで上記式中ｍは１より大きい数、βは０より大きい
   数、γは０より大きい数、そしてδは０より大きい数で
   あり、ＡはＮａ，Ｋ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，ＢｉおよびＰ
   ｂから成る群より選択される１つ以上の元素から実質的
   に成り、ＢはＮｂ，ＴａおよびＴｉから成る群より選択
   される１つ以上の元素から実質的に成り、少なくともそ
   の一部が、 （１）Ｃ＿１＿／＿３＾２＾＋Ｄ＿２＿／＿３＾５＾＋
   ，（２）Ｅ＿１＿／＿４＾１＾＋Ｄ＿３＿／＿４＾５＾
   ＋，（３）Ｆ＿１＿／＿２＾３＾＋Ｄ＿１＿／＿３＾５
   ＾＋，および（４）Ｆ＿２＿／＿３＾３＾＋Ｇ＿１＿／
   ＿３＾６＾＋から成る群より選択される混合イオンによ
   って置換されており、ここでＣ＾２＾＋イオンはＭｇ＾
   ２＾＋，Ｚｎ＾２＾＋，Ｎｉ＾２＾＋，Ｃｏ＾２＾＋，
   Ｃｕ＾２＾＋およびＣｄ＾２＾＋から成る群より選択さ
   れ、Ｄ＾５＾＋イオンはＮｂ＾５＾＋およびＴａ＾５＾
   ＋から成る群より選択され、Ｅ＾＋イオンはＬｉ＾＋，
   Ｎａ＾＋，Ｋ＾＋，Ｃｕ＾＋およびＡｇ＾＋から成る群
   より選択され、Ｆ＾３＾＋イオンはＣｒ＾３＾＋，Ｆｅ
   ＾３＾＋，Ａｌ＾３＾＋，Ｇａ＾３＾＋，Ｔｌ＾３＾＋
   ，Ａｓ＾３＾＋，Ｓｂ＾３＾＋Ｙ＾３＾＋，Ｌｕ＾３＾
   ＋，Ｙｂ＾３＾＋，Ｔｍ＾３＾＋，Ｅｒ＾３＾＋，Ｈｏ
   ＾３＾＋，Ｄｙ＾３＾＋，Ｔｂ＾３＾＋，Ｇｄ＾３＾＋
   ，Ｅｕ＾３＾＋，およびＳｍ＾３＾＋から成る群より選
   択され、Ｇ＾６＾＋イオンはＷ＾６＾＋およびＭｏ＾６
   ＾＋から成る群より選択されることを特徴とするセラミ
   ック材料。 ２）ＡがＣａ＿０＿．＿６Ｓｒ＿０＿．＿４およびＣａ
   ＿０＿．＿５Ｓｒ＿０＿．＿４Ｂａ＿０＿．＿１から成
   る群より選択される少なくとも１つの混合イオンから成
   ることを特徴とする請求項１記載のセラミック材料。 ３）前記式１に包含される前記セラミック材料であって
   、 ＡＢｉ＿４Ｔｉ＿４Ｏ＿１＿５およびＡ’＿０＿．＿５
   Ｂｉ＿４＿．＿５Ｔｉ＿４Ｏ＿１＿５から成る群より選
   択される特定の式を有し、ここでＡはＣａ，Ｓｒ，Ｂａ
   ，ＢｉおよびＰｂから成る群より選択される元素であり
   、Ａ’はＮａおよびＫから成る群より選択される元素で
   あり、Ｔｉは少なくともその一部が前記（１），（２）
   ，（３）および（４）から成る群より選択される混合イ
   オンによって置換されていることを特徴とする請求項１
   記載のセラミック材料。 ４）前記式Ｉに包含される前記セラミック材料であって
   、 ＣａＢｉ＿４（Ｍｇ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）＿
   ４Ｏ＿１＿５，ＳｒＢｉ＿４．（Ｍｇ＿１＿／＿３Ｎｂ
   ＿２＿／＿３）＿４Ｏ＿１＿５，ＣａＢｉ＿４Ｎｉ＿４
   ＿／＿３，Ｎｂ＿８＿／＿３Ｏ＿１＿５，ＣａＢｉ＿４
   Ｃｕ＿４＿／＿３Ｎｂ＿８＿／＿３Ｏ＿１＿５，および
   ＣａＢｉ＿４Ｆｅ＿８＿／＿３Ｗ＿４＿／＿３Ｏ＿１＿
   ５から成る群より選択される特定の式を有することを特
   徴とする請求項１記載のセラミック材料。 ５）前記式IIに包含される前記セラミック材料であって
   、 ▲数式、化学式、表等があります▼ および▲数式、化学式、表等があります▼ から成る群より選択される特定の式を有し、ここでγは
   ０より大きい数、そしてＭｎの酸化物寄与であるδは０
   より大きい数であることを特徴とする請求項１記載のセ
   ラミック材料。 ６）前記式IIIに包含される前記セラミック材料であっ
   て、 ▲数式、化学式、表等があります▼ および▲数式、化学式、表等があります▼ から成る群より選択される特定の式を有し、ここでβは
   ０より大きい数、そしてＺｒの酸化物寄与であるδは０
   より大きい数であることを特徴とする請求項１記載のセ
   ラミック材料。 ７）材料のキャパシタンスに依存した、１ＫＨｚまたは
   １ＭＨｚにおける、室温で測定されたキャパシタンスに
   比較した−５５℃から１２５℃までの温度範囲に亘るキ
   ャパシタンスの温度係数が±３０ｐｐｍ／℃以下であり
   、１ＫＨｚまたは１ＭＨｚにおける室温で測定された誘
   電率が１０５より大きく、さらに１ＫＨｚまたは１ＭＨ
   ｚにおける室温で測定された誘電正接が０．１％以下で
   あるセラミック材料であって、該材料が、 ▲数式、化学式、表等があります▼ の式に包含される組成を有し、 ここで上記式中ｍは１より大きい数、βは０より大きい
   数、γは０より大きい数、そしてδは０より大きい数で
   あり、ＡはＮａ，Ｋ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，ＢｉおよびＰ
   ｂから成る群より選択される１つ以上の元素から実質的
   に成り、Ｂは （１）Ｃ＿１＿／＿３＾２＾＋Ｄ＿２＿／＿３＾５＾＋
   ，（２）Ｅ＿１＿／＿４＾１＾＋Ｄ＿３＿／＿４＾５＾
   ＋，（３）Ｆ＿１＿／＿２＾３＾＋Ｄ＿１＿／＿３＾５
   ＾＋，および（４）Ｆ＿２＿／＿３＾３＾＋Ｇ＿１＿／
   ＿３＾６＾＋から成る群より選択される少なくとも１つ
   のエレメントであり、ここでＣ＾２＾＋イオンはＭｇ＾
   ２＾＋，Ｚｎ＾２＾＋，Ｎｉ＾２＾＋，Ｃｏ＾２＾＋，
   Ｃｕ＾２＾＋およびＣｄ＾２＾＋から成る群より選択さ
   れ、Ｄ＾５＾＋イオンはＮｂ＾５＾＋およびＴａ＾５＾
   ＋から成る群より選択され、Ｅ＾＋イオンはＬｉ＾＋，
   Ｎａ＾＋，Ｋ＾＋，Ｃｕ＾＋およびＡｇ＾＋から成る群
   より選択され、Ｆ＾３＾＋イオンはＣｒ＾３＾＋，Ｆｅ
   ＾３＾＋，Ａｌ＾３＾＋，Ｇａ＾３＾＋，Ｔｌ＾３＾＋
   ，Ａｓ＾３＾＋，Ｓｂ＾３＾＋，Ｙ＾３＾＋，Ｌｕ＾３
   ＾＋，Ｙｂ＾３＾＋，Ｔｍ＾３＾＋，Ｅｒ＾３＾＋，Ｈ
   ｏ＾３＾＋，Ｄｙ＾３＾＋，Ｔｂ＾３＾＋，Ｇｄ＾３＾
   ＋，Ｅｕ＾３＾＋，およびＳｍ＾３＾＋から成る群より
   選択され、Ｇ＾６＾＋イオンはＷ＾６＾＋およびＭｏ＾
   ６＾＋から成る群より選択されることを特徴とするセラ
   ミック材料。 ８）ＣａＢｉ＿４（Ｍｇ＿４＿／＿３Ｎｂ＿８＿／＿３
   ）Ｏ＿１＿５およびＳｒＢｉ＿４Ｍｇ＿４＿／＿３Ｎｂ
   ＿８＿／＿３Ｏ＿１＿５から成る群より選択される特定
   の式を有し、そして約４−６重量％のＺｒＯ＿２および
   ０．３−０．５重量％のＭｎＯ＿２を含むことを特徴と
   する請求項７記載のセラミック材料。 ９）ＺｒＯ＿２が約４．５−５．５重量％の量で含まれ
   、そしてＭｎＯ＿２が約０．３５−０．４５重量％の量
   で含まれることを特徴とする請求項８記載のセラミック
   材料。