JPH02280346A - Manufacture of semiconductor element - Google Patents

Manufacture of semiconductor element

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Publication number
JPH02280346A
JPH02280346A JP1101941A JP10194189A JPH02280346A JP H02280346 A JPH02280346 A JP H02280346A JP 1101941 A JP1101941 A JP 1101941A JP 10194189 A JP10194189 A JP 10194189A JP H02280346 A JPH02280346 A JP H02280346A
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JP
Japan
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package
board
substrate
chip
semiconductor chip
Prior art date
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Pending
Application number
JP1101941A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Katsunori Nishiguchi
勝規 西口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
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Publication of JPH02280346A publication Critical patent/JPH02280346A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10674Flip chip

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  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

PURPOSE:To enable sharing of a package or a board by mounting various semiconductor chips on the package or the board through a middle board. CONSTITUTION:A semiconductor chip 3 is mounted on a middle board 5 where wiring patterns are formed, and the bonding pad 3a of the chip 3 and the pad 5a on the input side of the board 5 are connected, and the pad 5b on the output side and the lead frame 4 of a package 2 are connected. by this mounting through the middle board, various semiconductor chips can be mounted on a shared package or a shared board.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、主としてASICチップを、共通のパッケー
ジ又は基板に実装して半導体素子を製造する半導体素子
の製造方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention mainly relates to a method of manufacturing a semiconductor device in which a semiconductor device is manufactured by mounting an ASIC chip on a common package or substrate.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

いわゆる特注品であるASICチップを、共通のパッケ
ージ又は基板に実装する場合、ICチップ毎にビン配置
が異なるため、従来は各種のICチップに対応できるよ
うにその都度専用のパッケージ又は基板を用意して、I
Cチップの実装を行うようにしている。
When ASIC chips, which are so-called custom-made products, are mounted on a common package or board, the bin arrangement differs for each IC chip, so conventionally, a dedicated package or board was prepared for each type of IC chip. Te, I
I am trying to mount a C chip.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

ところで、専用のパッケージや基板を用意しておくとい
うことは、特に、パッケージであれば高価につく金型等
を各種半導体チップ毎に用意しておくことが前提であり
、基板であれば各種半導体チップ毎に設計がなされるこ
とが前提である。
By the way, preparing dedicated packages and substrates requires preparing expensive molds and the like for each type of semiconductor chip, especially for packages, and for substrates, it is necessary to prepare expensive molds for each type of semiconductor chip. The premise is that each chip is designed individually.

しかるに、上記従来のものにあっては、各種のASIC
チップに対しそれぞれ専用のパッケージ又はU板を用意
しなければなず、全体としてかなりのコスト高になって
いた。
However, in the above conventional ones, various ASIC
A dedicated package or U-board must be prepared for each chip, resulting in a considerable increase in overall cost.

本発明は、中間基板を介して各種の半導体チップをパッ
ケージ又は基板に実装することにより、パッケージ又は
基板の共用化を可能にする半導体素子の製造方法を提供
することをその目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor element that enables sharing of a package or a substrate by mounting various semiconductor chips on a package or a substrate via an intermediate substrate.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

上記目的を達成すべく本発明では、各種の半導体チップ
を、共通のパッケージ又は基板に実装して゛1−導体素
子を製造する製造方法において、当該半導体チップの所
定の端子と当該パッケージ又は当該基板の所定の端子と
を合致させる配線パターン形成した中間基板を用い、当
該半導体チップと当該パッケージ又は当該基板とを結線
するようにした。
In order to achieve the above object, the present invention provides a manufacturing method for manufacturing a conductor element by mounting various semiconductor chips on a common package or substrate. The semiconductor chip and the package or the substrate are connected by using an intermediate substrate on which a wiring pattern is formed to match a predetermined terminal.

〔作用〕[Effect]

半導体チップの所定の端子とパッケージ又は基板の所定
の端子とを合致させる配線パターン形成した中間基板を
用いれば、半導体チップの端子配置とパッケージ又は基
板の端子配置が異なるものであっても、この配線パター
ンにより端子配置の切替えを行うことができ、両者の所
定の端子同士を合致させることができる。
If you use an intermediate board on which a wiring pattern is formed to match the predetermined terminals of the semiconductor chip and the predetermined terminals of the package or board, even if the terminal arrangement of the semiconductor chip and the terminal arrangement of the package or board are different, this wiring The terminal arrangement can be switched depending on the pattern, and predetermined terminals of both can be matched with each other.

〔実施例〕〔Example〕

第1図乃至第4図を参照して、本発明を半導体用パッケ
ージに半導体チップを実装する半導体素子の製造方法に
適用した場合について説明する。
With reference to FIGS. 1 to 4, a case will be described in which the present invention is applied to a method of manufacturing a semiconductor element in which a semiconductor chip is mounted in a semiconductor package.

第1図及び第2図に示すように、この半導体素子1はパ
ッケージ2にASICチップである半導体チップ3を実
装して構成されており、パッケージ2には、両側に複数
のリードフレーム4が振分けて設けられており、内部中
央に中間基板5を介して半導体チップ3がダイボンディ
ングされている。中間基板5には、入力側パッド5a(
端子)と出力側パッド5b(端子)とが形成されており
、各入力端パッド5aは半導体チップ3の各ポンディン
グパッド3a(端子)に、各出力側パッド5bは各リー
ドフレーム4のインナリード4a(端子)に、それぞれ
ワイヤ6を介してワイヤボンディングされている。
As shown in FIGS. 1 and 2, this semiconductor element 1 is constructed by mounting a semiconductor chip 3, which is an ASIC chip, on a package 2, and a plurality of lead frames 4 are arranged on both sides of the package 2. A semiconductor chip 3 is die-bonded to the center of the interior via an intermediate substrate 5. The intermediate board 5 has an input pad 5a (
terminals) and output side pads 5b (terminals) are formed, each input end pad 5a is connected to each bonding pad 3a (terminal) of semiconductor chip 3, and each output side pad 5b is connected to each inner lead of each lead frame 4. 4a (terminals) via wires 6, respectively.

また、中間U板5は多層セラミックス基板で構成されて
おり、その内部の各層及び各層間には、導体とスルーホ
ールとから成る配線パターン7が形成されている。そし
て、この配線パターン7により、半導体チップ3の所定
のポンディングパッド3aと、リードフレーム4の所定
のインナリード4aとを合致させるようにしている。
Further, the intermediate U plate 5 is composed of a multilayer ceramic substrate, and a wiring pattern 7 consisting of a conductor and a through hole is formed in each layer and between each layer therein. By means of this wiring pattern 7, a predetermined bonding pad 3a of the semiconductor chip 3 is made to match a predetermined inner lead 4a of the lead frame 4.

以下これを、模式的に示した第3図により説明する。This will be explained below with reference to FIG. 3, which is schematically shown.

半導体チップ3には、記号ASBSC及びDで表された
ポンディングパッド3aが形成され、リードフレーム4
にも、同様に記号ASB、C及び”Dで表されたインナ
リード4aが形成されていて、その中のB及びDが図示
の如く対応してない状態にある。この場合、中間基板5
には、半導体チップ3のポンディングパッド3aに対応
させて、記号A、B、C及びDで表された入力側パッド
5aが形成されると共に、リードフレーム4のインナリ
ード4aに対応させて、記号A、B、C及びDで表され
た出力側パッド5bが形成される。そして、同じ記号の
入力側パッド5aと出力側パッド5bを接続するため、
中間基板5内に上下に交差させた配線パターン7が形成
される。すなわち、A及びCはそれぞれ直近のA及びC
に、B及びDはそれぞれ互いに反対側に位置するB及び
Dに接続されるように配線パターン7が形成される。
Bonding pads 3a denoted by symbols ASBSC and D are formed on the semiconductor chip 3, and the lead frame 4
Similarly, inner leads 4a denoted by symbols ASB, C, and "D" are formed, and B and D therein do not correspond to each other as shown in the figure.In this case, the intermediate substrate 5
Input side pads 5a represented by symbols A, B, C, and D are formed to correspond to the bonding pads 3a of the semiconductor chip 3, and to correspond to the inner leads 4a of the lead frame 4. Output side pads 5b denoted by symbols A, B, C and D are formed. Then, in order to connect the input side pad 5a and output side pad 5b with the same symbol,
A vertically intersecting wiring pattern 7 is formed in the intermediate substrate 5. That is, A and C are the nearest A and C, respectively.
Then, a wiring pattern 7 is formed so that B and D are respectively connected to B and D located on opposite sides.

このようにすれば、各種の半導体チップ3に対応した中
間基板5を用意しておくだけで、その都度リードフレー
ム4の端子配置を変更する必要がない。
In this way, it is not necessary to change the terminal arrangement of the lead frame 4 each time by simply preparing the intermediate substrate 5 corresponding to various semiconductor chips 3.

尚、上記実施例では゛16導体チップ3と中間基板5と
は、ワイヤーボンディングで接続されているが、第4図
に示すように、半導体チップ3のボン、ディングパッド
3aをはんだバンブによりワイヤレスで中間基板5にボ
ンディング(フリップチップ方式)するようにしてもよ
い。
In the above embodiment, the 16-conductor chip 3 and the intermediate board 5 are connected by wire bonding, but as shown in FIG. It may also be bonded to the intermediate substrate 5 (flip chip method).

次に第5図乃至第7図に基づき第2の実施例として、基
板8に半導体チップ3を実装する半導体素子1の製造方
法について説明する。
Next, a method for manufacturing a semiconductor element 1 in which a semiconductor chip 3 is mounted on a substrate 8 will be described as a second embodiment based on FIGS. 5 to 7.

第5図及び第6図に示すように、この実施例は、中間基
板5をいわゆるフリップチップ方式で基板8に実装する
ものである。半導体チップ3の各ポンディングパッド3
aと中間基板5の各入力側パッド5aとの間はワイヤ6
によりワイヤボンディングされているが、中間基板5の
各出力側パッド5bと基板8のメタライズ部8aとの間
は、はんだバンプによりワイヤレスでボンディングされ
ている。
As shown in FIGS. 5 and 6, in this embodiment, an intermediate substrate 5 is mounted on a substrate 8 by a so-called flip-chip method. Each bonding pad 3 of the semiconductor chip 3
A and each input side pad 5a of the intermediate board 5 are connected by a wire 6.
However, each output pad 5b of the intermediate substrate 5 and the metallized portion 8a of the substrate 8 are wirelessly bonded by solder bumps.

尚、上記実施例では、半導体チップ3の各ポンディング
パッド3aと中間基板5の各入力側バット5aとをワイ
ヤボンディングするようにしたが、第7図に示すように
、これもはんだバンブによりワイヤレスでボンディング
(フリップチップ方式)することが可能である。
In the above embodiment, each bonding pad 3a of the semiconductor chip 3 and each input side butt 5a of the intermediate board 5 are wire bonded, but as shown in FIG. Bonding (flip chip method) is possible.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上のように本発明によれば、各種半導体チップに対応
させた中間基板さえ用意しておけば、中間基板に形成し
た配線パターンを介して、各種半導体チップとパッケー
ジ又は基板とを結線でき、パッケージ又は基板は共用化
できて、コストダウンを達成し得る効果を有する。
As described above, according to the present invention, as long as an intermediate board compatible with various semiconductor chips is prepared, various semiconductor chips can be connected to a package or a board through a wiring pattern formed on the intermediate board. Alternatively, the substrate can be shared, which has the effect of reducing costs.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明を適用した第1実施例の斜視図、第2図
は第1実施例を簡略化して表した裁断側面図、第3図は
中間基板に形成した配線パターンの模式図、第4図は第
1実施例の変形例の裁断側面図、第5図は本発明を適用
した第2実施例の斜視図、第6図は第2実施例を簡略化
して表した裁断側面図、第7図は第2実施例の変形例の
裁断側面図である。 1・・・半導体素子、2・・・パッケージ、3・・・半
導体チップ、3a・・・ポンディングパッド、4・・・
リードフレーム、4a・・・インナリード、5・・・中
間基板、5a・・・入力側パッド、5b・・・出力側パ
ッド、7・・・配線パターン、8・・・基板。
FIG. 1 is a perspective view of a first embodiment to which the present invention is applied, FIG. 2 is a simplified cut-away side view of the first embodiment, and FIG. 3 is a schematic diagram of a wiring pattern formed on an intermediate board. Fig. 4 is a cut side view of a modification of the first embodiment, Fig. 5 is a perspective view of the second embodiment to which the present invention is applied, and Fig. 6 is a cut side view showing a simplified version of the second embodiment. , FIG. 7 is a cut side view of a modification of the second embodiment. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Semiconductor element, 2... Package, 3... Semiconductor chip, 3a... Bonding pad, 4...
Lead frame, 4a... Inner lead, 5... Intermediate board, 5a... Input side pad, 5b... Output side pad, 7... Wiring pattern, 8... Board.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 各種の半導体チップを、共通のパッケージ又は基板に実
装して半導体素子を製造する製造方法であって、当該半
導体チップの所定の端子と、当該パッケージ又は当該基
板の所定の端子とを合致させる配線パターン形成した中
間基板を用い、当該半導体チップと当該パッケージ又は
当該基板とを結線することを特徴とする半導体素子の製
造方法。
A manufacturing method for manufacturing semiconductor elements by mounting various semiconductor chips on a common package or substrate, the wiring pattern matching predetermined terminals of the semiconductor chip with predetermined terminals of the package or substrate. 1. A method of manufacturing a semiconductor element, comprising connecting the semiconductor chip and the package or the substrate using the formed intermediate substrate.
JP1101941A 1989-04-21 1989-04-21 Manufacture of semiconductor element Pending JPH02280346A (en)

Priority Applications (1)

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JP1101941A JPH02280346A (en) 1989-04-21 1989-04-21 Manufacture of semiconductor element

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4234700A1 (en) * 1991-10-15 1993-05-19 Gold Star Electronics Compact SOJ semiconductor module with coupling frame - has semiconductor chip with contact points connectable to inner frame terminals.

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4234700A1 (en) * 1991-10-15 1993-05-19 Gold Star Electronics Compact SOJ semiconductor module with coupling frame - has semiconductor chip with contact points connectable to inner frame terminals.
DE4234700B4 (en) * 1991-10-15 2007-10-18 Goldstar Electron Co., Ltd., Cheongju Housed semiconductor device

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