JPH022803B2 - - Google Patents
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- JPH022803B2 JPH022803B2 JP59202155A JP20215584A JPH022803B2 JP H022803 B2 JPH022803 B2 JP H022803B2 JP 59202155 A JP59202155 A JP 59202155A JP 20215584 A JP20215584 A JP 20215584A JP H022803 B2 JPH022803 B2 JP H022803B2
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- amine
- tris
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- catalyst
- silane
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/12—Organo silicon halides
- C07F7/121—Preparation or treatment not provided for in C07F7/14, C07F7/16 or C07F7/20
- C07F7/125—Preparation or treatment not provided for in C07F7/14, C07F7/16 or C07F7/20 by reactions involving both Si-C and Si-halogen linkages, the Si-C and Si-halogen linkages can be to the same or to different Si atoms, e.g. redistribution reactions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/04—Hydrides of silicon
- C01B33/043—Monosilane
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
発明の分野
本発明は、メチルジクロルシラン及びクロルシ
ランからシランを製造する方法に関する。特に、
本発明は、メチルジクロルシラン及びトリクロル
シラン及び（又は）テトラクロルシランからシラ
ンを製造する方法に関する。
ランからシランを製造する方法に関する。特に、
本発明は、メチルジクロルシラン及びトリクロル
シラン及び（又は）テトラクロルシランからシラ
ンを製造する方法に関する。
発明の背景
シランは、特に半導体又は光電池（太陽電池）
において用いることができるけい素を分解によつ
て製造するための好ましい原料である。
において用いることができるけい素を分解によつ
て製造するための好ましい原料である。
次の平衡反応に従つてトリクロルシランを種々
の触媒の存在下に不均化することによつてシラン
を得ることができることは知られている。
の触媒の存在下に不均化することによつてシラン
を得ることができることは知られている。
(1) 2HSiCl3 H2SiCl2＋SiCl4
(2) 2H2SiCl2HSiCl3＋H3SiCl
(3) 2H3SiCl SiH4＋H2SiCl2
全体として、
(4) 2HSiCl3SiH4＋3SiCl4
かくして、フランス特許第2261977号によれば、
固体陰イオン交換樹脂の床において反応帯域から
最低沸点の反応生成物を気化させ且つ反応から生
じる高沸点液状生成物であるSiCl4を凝縮させて
それを反応帯域から流出させるのに十分な温度で
HSiCl3の不均化又は再配列反応を行なうことに
よつてシランを製造することが提案されてい る。 床の頂部における温度はSiH4の沸点より
も上でH3SiClの沸点よりも低いレベルに維持さ
れ、そして床から少量の水素及びクロルシラン
（これらは後で分離が必要とされる）を含有する
SiH4が回収される。
固体陰イオン交換樹脂の床において反応帯域から
最低沸点の反応生成物を気化させ且つ反応から生
じる高沸点液状生成物であるSiCl4を凝縮させて
それを反応帯域から流出させるのに十分な温度で
HSiCl3の不均化又は再配列反応を行なうことに
よつてシランを製造することが提案されてい る。 床の頂部における温度はSiH4の沸点より
も上でH3SiClの沸点よりも低いレベルに維持さ
れ、そして床から少量の水素及びクロルシラン
（これらは後で分離が必要とされる）を含有する
SiH4が回収される。
この方法（これは、極めて複雑でありそして操
作するのが困難である）では、各平衡反応(1)，
(2)及び(3)の生成物の連続的蒸留が用いられこれ
によつて存在する各生成物をいくらか分離する
か、又は木炭トラツプでのSiH4の精製が用いら
れる。
作するのが困難である）では、各平衡反応(1)，
(2)及び(3)の生成物の連続的蒸留が用いられこれ
によつて存在する各生成物をいくらか分離する
か、又は木炭トラツプでのSiH4の精製が用いら
れる。
更に、種々の触媒の存在下におけるトリクロル
シランの不均化によつてジクロルシランを製造す
る様々な方法が知られている。この目的のための
公知触媒としては、特に、一般式NR′R″R
（こゝで、R′，R″及びＲは同種又は異種のアル
キル基である）の第三級アミン（フランス特許第
1111925号）、アミン塩酸塩（フランス特許第
2096605号）、Ｎ―置換ピロリドン（フランス特許
第2290447号）及びテトラアルキル尿素（フラン
ス特許第2290448号）が提案されている。
シランの不均化によつてジクロルシランを製造す
る様々な方法が知られている。この目的のための
公知触媒としては、特に、一般式NR′R″R
（こゝで、R′，R″及びＲは同種又は異種のアル
キル基である）の第三級アミン（フランス特許第
1111925号）、アミン塩酸塩（フランス特許第
2096605号）、Ｎ―置換ピロリドン（フランス特許
第2290447号）及びテトラアルキル尿素（フラン
ス特許第2290448号）が提案されている。
発明の概要
本件出願人は、フランス特許第2261977号に従
つた方法における如き一連の連続蒸留に頼ること
なしにシランを極めて容易に且つ優れた選択率で
得ることが可能であるシランの製造法を開発し
た。その上、本発明の方法によれば、工業的規模
で容易に入手できる原料からシランを顕著な効率
で得ることが可能になる。
つた方法における如き一連の連続蒸留に頼ること
なしにシランを極めて容易に且つ優れた選択率で
得ることが可能であるシランの製造法を開発し
た。その上、本発明の方法によれば、工業的規模
で容易に入手できる原料からシランを顕著な効率
で得ることが可能になる。
本発明は、メチルジクロルシラン及びトリクロ
ルシラン及び（又は）テトラクロルシランからシ
ランを製造する方法において、 (a) 第一工程において、触媒の存在下にメチルジ
クロルシランとトリクロルシラン及び（又は）
テトラクロルシランとの間で再配列
（rearrangement）を実施してメチルトリクロ
ルシラン及びジクロルシランを生成し、 (b) 第二工程において、反応媒体の分離後に、第
一工程間に形成されたジクロルシランを触媒の
存在下に不均化してシラン及びトリクロルシラ
ンを生成し、形成されたシランを回収し、そし
てトリクロルシランを必要に応じて第一工程に
再循環させる、 ことを特徴とするシランの製造法に関するもので
ある。
ルシラン及び（又は）テトラクロルシランからシ
ランを製造する方法において、 (a) 第一工程において、触媒の存在下にメチルジ
クロルシランとトリクロルシラン及び（又は）
テトラクロルシランとの間で再配列
（rearrangement）を実施してメチルトリクロ
ルシラン及びジクロルシランを生成し、 (b) 第二工程において、反応媒体の分離後に、第
一工程間に形成されたジクロルシランを触媒の
存在下に不均化してシラン及びトリクロルシラ
ンを生成し、形成されたシランを回収し、そし
てトリクロルシランを必要に応じて第一工程に
再循環させる、 ことを特徴とするシランの製造法に関するもので
ある。
発明の詳細な記述
第一工程における再配列反応及び第二工程にお
ける不均化反応に対して用いられる触媒は同種又
は異種であつてよいが、しかし同種の触媒を使用
するのが好ましい。これらは、 一般式NR′R″Rの第三級アミン（前記式中、
R′R″Rは一価炭化水素基であつて同種又は異種
であつてよい）、 イオン性無機塩M+A-及び該塩のM+陽イオン
と錯化する化合物を含有する触媒系、 から選定される。
ける不均化反応に対して用いられる触媒は同種又
は異種であつてよいが、しかし同種の触媒を使用
するのが好ましい。これらは、 一般式NR′R″Rの第三級アミン（前記式中、
R′R″Rは一価炭化水素基であつて同種又は異種
であつてよい）、 イオン性無機塩M+A-及び該塩のM+陽イオン
と錯化する化合物を含有する触媒系、 から選定される。
本発明の方法に従つて用いることができる触媒
の様々な種類について以下に説明する。
の様々な種類について以下に説明する。
本発明に従つて用いられる第三級アミンは、一
般式NR′R″R（こゝで、R′，R″及びＲは同
種又は異種であつてよい一価炭化水素基である）
に相当する。
般式NR′R″R（こゝで、R′，R″及びＲは同
種又は異種であつてよい一価炭化水素基である）
に相当する。
具体的に言えば、R′，R″，Ｒは、任意のア
ルキル、アリール、シクロアルキル、アルキルア
リール、アルキルシクロアルキル、アルケニル又
はアルキレン基（R′及びR″が結合されたとき）
であつてよい。一般には、これらの基は、22個よ
りも少ない炭素原子数を有する。
ルキル、アリール、シクロアルキル、アルキルア
リール、アルキルシクロアルキル、アルケニル又
はアルキレン基（R′及びR″が結合されたとき）
であつてよい。一般には、これらの基は、22個よ
りも少ない炭素原子数を有する。
最ともよく用いられる第三級アミンの例として
は、トリ―ｎ―プロピルアミン、トリイソプロピ
ルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、トリ―
ｎ―ブチルアミン、トリイソブチルアミン、トリ
―第二ブチルアミン、トリ―ｎ―ペンチルアミ
ン、ジ―ｎ―ブチルエチルアミン、ジイソブチル
エチルアミン、ジ―２―エチルブチルメチルアミ
ン、ジ―ｎ―オクチルメチルアミン、ジ―２―エ
チルヘキシルメチルアミン、ジラウリルメチルア
ミン、トリウンデシルアミン、トリオクタデシル
アミン、ｎ―オクタデシル―ｎ―プロピルエチル
アミン、ジ―ｎ―ブチルペンチルアミン、トリフ
エニルアミン、トリス（ジフエニル）アミン、２
―ナフチル―ジ―ｎ―ブチルアミン、トリトリル
アミン、トリキシリルアミン、トリス（フエニル
メチルフエニル）アミン、トリス（２―フエニル
エチル）アミン、トリス（８―フエニルオクチ
ル）アミン、トリシクロヘキシルアミン、トリシ
クロオクチルアミン、トリス（４―メチルシクロ
ヘキシル）アミン、トリス（２―シクロヘキシル
エチル）アミン、トリス（３―ｎ―ブテニル）ア
ミン、トリイソブテニルアミン、ジアリル―ｎ―
ブチルアミン、Ｎ―ｎ―プロピルピペリジン、Ｎ
―イソブチルピロリジン、Ｎ―イソブチルモルホ
リン等が挙げられる。
は、トリ―ｎ―プロピルアミン、トリイソプロピ
ルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、トリ―
ｎ―ブチルアミン、トリイソブチルアミン、トリ
―第二ブチルアミン、トリ―ｎ―ペンチルアミ
ン、ジ―ｎ―ブチルエチルアミン、ジイソブチル
エチルアミン、ジ―２―エチルブチルメチルアミ
ン、ジ―ｎ―オクチルメチルアミン、ジ―２―エ
チルヘキシルメチルアミン、ジラウリルメチルア
ミン、トリウンデシルアミン、トリオクタデシル
アミン、ｎ―オクタデシル―ｎ―プロピルエチル
アミン、ジ―ｎ―ブチルペンチルアミン、トリフ
エニルアミン、トリス（ジフエニル）アミン、２
―ナフチル―ジ―ｎ―ブチルアミン、トリトリル
アミン、トリキシリルアミン、トリス（フエニル
メチルフエニル）アミン、トリス（２―フエニル
エチル）アミン、トリス（８―フエニルオクチ
ル）アミン、トリシクロヘキシルアミン、トリシ
クロオクチルアミン、トリス（４―メチルシクロ
ヘキシル）アミン、トリス（２―シクロヘキシル
エチル）アミン、トリス（３―ｎ―ブテニル）ア
ミン、トリイソブテニルアミン、ジアリル―ｎ―
ブチルアミン、Ｎ―ｎ―プロピルピペリジン、Ｎ
―イソブチルピロリジン、Ｎ―イソブチルモルホ
リン等が挙げられる。
イオン性無機M+A-及び該塩のM+塩と錯化す
る化合物を含有する触媒系は、イオン性無機塩
M+A-が反応媒体中に存在する種々の化合物と反
応しないようなものである。
る化合物を含有する触媒系は、イオン性無機塩
M+A-が反応媒体中に存在する種々の化合物と反
応しないようなものである。
式M+A-のイオン性無機塩は、具体的には、
M+がアルカリ金属、アルカリ土類金属又はアン
モニウム特にLi+，Na+，K+，Ca++，NH4 +を表
わしそしてA-がハロゲン、SCN-，CN-，CO3 =
特にCl-，Br-，I-，F-を表わすようなものから
選定される。
M+がアルカリ金属、アルカリ土類金属又はアン
モニウム特にLi+，Na+，K+，Ca++，NH4 +を表
わしそしてA-がハロゲン、SCN-，CN-，CO3 =
特にCl-，Br-，I-，F-を表わすようなものから
選定される。
完全には立証されていないけれども、イオン性
無機塩のM+陽イオンと錯化する化合物は、反応
媒体中での塩の溶解及び少なくとも部分的な解離
を可能にし、これによつてA-陰イオンの触媒活
性が大きく向上されるものと思われる。
無機塩のM+陽イオンと錯化する化合物は、反応
媒体中での塩の溶解及び少なくとも部分的な解離
を可能にし、これによつてA-陰イオンの触媒活
性が大きく向上されるものと思われる。
本発明の特定の第一具体例によれば、イオン性
無機塩の陽イオンと錯化する化合物は、式 ［Ｎ−（CHR1−CHR2−Ｏ−（CHR3−CHR4−Ｏ）o−R5
）3］（） 〔上記式中、ｎは０以上で10以下の整数（０
ｎ10）であり、R1，R2，R3及びR4は同種又は
異種であつてよくそして水素原子又は１〜４個の
炭素原子を含有するアルキル基を表わし、そして
R5は１〜12個の炭素原子を含有するアルキル若
しくはシクロアルキル基、フエニル基又は−Cn
H2n−φ若しくはCnH2n+1−φ−基（こゝで、ｍ
は１と12の間（１ｍ12）である）を表わす〕
の金属イオン封鎖剤である。
無機塩の陽イオンと錯化する化合物は、式 ［Ｎ−（CHR1−CHR2−Ｏ−（CHR3−CHR4−Ｏ）o−R5
）3］（） 〔上記式中、ｎは０以上で10以下の整数（０
ｎ10）であり、R1，R2，R3及びR4は同種又は
異種であつてよくそして水素原子又は１〜４個の
炭素原子を含有するアルキル基を表わし、そして
R5は１〜12個の炭素原子を含有するアルキル若
しくはシクロアルキル基、フエニル基又は−Cn
H2n−φ若しくはCnH2n+1−φ−基（こゝで、ｍ
は１と12の間（１ｍ12）である）を表わす〕
の金属イオン封鎖剤である。
本発明の特定の第二具体例によれば、錯生成化
合物は、環中に15〜30個の原子を含有しそして４
〜10個の10−Ｏ−Ｘ単位〔ここで、Ｘは−CHR6
−CHR7−又は−CHR6−CHR8−CR9R7−（式
中、R6，R7，R8及びR9は同種又は異種であつて
よく、そして水素原子又は１〜４個の炭素原子を
含有する水素原子又はアルキル基である）のどち
らかであり、しかも記号Ｘのうちの１つは−Ｏ−
Ｘ単位が−Ｏ−CHR6−CHR7−基を含むときに
は−CHR6−CHR8−CR9R7−になり得る〕より
なる巨大環式ポリエーテルである。
合物は、環中に15〜30個の原子を含有しそして４
〜10個の10−Ｏ−Ｘ単位〔ここで、Ｘは−CHR6
−CHR7−又は−CHR6−CHR8−CR9R7−（式
中、R6，R7，R8及びR9は同種又は異種であつて
よく、そして水素原子又は１〜４個の炭素原子を
含有する水素原子又はアルキル基である）のどち
らかであり、しかも記号Ｘのうちの１つは−Ｏ−
Ｘ単位が−Ｏ−CHR6−CHR7−基を含むときに
は−CHR6−CHR8−CR9R7−になり得る〕より
なる巨大環式ポリエーテルである。
本発明の特定の第三具体例によれば、錯生成化
合物は、一般式ａ又はｂ 〔上記式中、 ＹはＮ又はＰを表わし、 Ａは１〜３個の炭素原子を含有するアルキレン
基を表わし、 ＤはＯ，Ｓ又はＮ−R11（こゝで、R11は１〜６
個の炭素原子を含有するアルキル基を表わす）を
表わし、 R10は１〜６個の炭素原子を含有するアルキル
基を表わし、そしてｐ，ｑ及びｒは同じ又は異な
るものであつてよい１〜５の整数である。〕の巨
大環式又は二環式化合物である。
合物は、一般式ａ又はｂ 〔上記式中、 ＹはＮ又はＰを表わし、 Ａは１〜３個の炭素原子を含有するアルキレン
基を表わし、 ＤはＯ，Ｓ又はＮ−R11（こゝで、R11は１〜６
個の炭素原子を含有するアルキル基を表わす）を
表わし、 R10は１〜６個の炭素原子を含有するアルキル
基を表わし、そしてｐ，ｑ及びｒは同じ又は異な
るものであつてよい１〜５の整数である。〕の巨
大環式又は二環式化合物である。
本発明の特定の第四具体例によれば、上に規定
した錯生成化合物の少なくとも２種の混合物が使
用される。
した錯生成化合物の少なくとも２種の混合物が使
用される。
本発明の特定の第五具体例によれば、用いる錯
生成化合物は、架橋有機重合体担体にグラフト化
された金属イオン封鎖剤、巨大環式ポリエーテル
（“クラウンエーテル”とも称される）及び巨大環
式又は二環式化合物（“クリプタント”とも称さ
れる）である。これらのグラフト化された錯生成
化合物は、特に、グラフト化金属イオン封鎖剤の
場合にはヨーロツパ特許願第46706号に、そして
クラウンエーテル又はグラフト化クリプタントの
場合には“Angew.Chem.Int.Ed.Eng1.18，421―
429（1979）”に記載されたものである。
生成化合物は、架橋有機重合体担体にグラフト化
された金属イオン封鎖剤、巨大環式ポリエーテル
（“クラウンエーテル”とも称される）及び巨大環
式又は二環式化合物（“クリプタント”とも称さ
れる）である。これらのグラフト化された錯生成
化合物は、特に、グラフト化金属イオン封鎖剤の
場合にはヨーロツパ特許願第46706号に、そして
クラウンエーテル又はグラフト化クリプタントの
場合には“Angew.Chem.Int.Ed.Eng1.18，421―
429（1979）”に記載されたものである。
ヨーロツパ特許願第46706号に記載されるグラ
フト化された金属イオン封鎖剤は、架橋された有
機重合体担体と、該担体に固定された一般式 〔上記式中、R′1，R′2，R′3，R′4，R′6及びR′7
は同種又は異種であつてよくそしてそれぞれ水素
原子又は１〜４個の炭素原子を含有するアルキル
基であり、R′5及びR′8は同種又は異種であつてよ
くそして水素原子、１〜12個の炭素原子を含有す
るアルキル又はシクロアルキル基、フエニル基、
−Cq′H2q′−φ−又はCq′H2q′+1−φ−基（こゝで、
q′は１以上である）を表わし、そしてn′，m′及び
p′は同じ又は異なつてよくそして１以上で10以下
である〕の複数の官能基とよりなるという点で特
徴づけられる。
フト化された金属イオン封鎖剤は、架橋された有
機重合体担体と、該担体に固定された一般式 〔上記式中、R′1，R′2，R′3，R′4，R′6及びR′7
は同種又は異種であつてよくそしてそれぞれ水素
原子又は１〜４個の炭素原子を含有するアルキル
基であり、R′5及びR′8は同種又は異種であつてよ
くそして水素原子、１〜12個の炭素原子を含有す
るアルキル又はシクロアルキル基、フエニル基、
−Cq′H2q′−φ−又はCq′H2q′+1−φ−基（こゝで、
q′は１以上である）を表わし、そしてn′，m′及び
p′は同じ又は異なつてよくそして１以上で10以下
である〕の複数の官能基とよりなるという点で特
徴づけられる。
本発明の好ましい具体例によれば、式（）に
おいてR1，R2，R3及びR4が水素原子又はメチル
基を表わしそしてR5及びｎが上記の意味を有す
るような金属イオン封鎖剤が用いられる。
おいてR1，R2，R3及びR4が水素原子又はメチル
基を表わしそしてR5及びｎが上記の意味を有す
るような金属イオン封鎖剤が用いられる。
後者の中では、ｎが０以上で６以下でありそし
てR5が１〜４個の炭素原子を含有するアルキル
基を表わすような金属イオン封鎖剤を用いるのが
特になお一層好ましい。
てR5が１〜４個の炭素原子を含有するアルキル
基を表わすような金属イオン封鎖剤を用いるのが
特になお一層好ましい。
挙げることのできる例としては、
式 Ｎ（―CH2−CH2−Ｏ−CH3）3
のトリス（３―オキサブチル）アミン、
式 Ｎ（―CH2−CH2−Ｏ−CH2−CH2−Ｏ−
CH3）3 のトリス（３，６―ジオキサヘプチル）アミン、 式 Ｎ（―CH2−CH2−Ｏ−CH2−CH2−Ｏ−
CH2−CH2−Ｏ−CH2）3 のトリス（３，６，９―トリオキサデシル）アミ
ン、 式 Ｎ（―CH2−CH2−Ｏ−CH2−CH2−Ｏ−
C2H5）3 のトリス（３，６―オキサオクチルアミン）、 式 Ｎ（―CH2−CH2−Ｏ−CH2−CH2−Ｏ−
CH2−CH2−Ｏ−C2H5）3 のトリス（３，６，９―トリオキサウンデシル）
アミン、 式 Ｎ（―CH2−CH2−Ｏ−CH2−CH2−Ｏ−
C3H7）3 のトリス（３，６―ジオキサノニル）アミン、 式 Ｎ（―CH2−CH2−Ｏ−CH2−CH2−Ｏ−
CH2−CH2−Ｏ−C3H7）3 のトリス（３，６，９―トリオキサドデシル）ア
ミン、 式 Ｎ（―CH2−CH2−Ｏ−CH2−CH2−Ｏ−
C4H9）3 のトリス（３，６―ジオキサデシル）アミン、 式 Ｎ（―CH2−CH2−Ｏ−CH2−CH2−Ｏ−
CH2−CH2−Ｏ−C4H9）3 のトリス（３，６，９―トリオキサトリデシル）
アミン、 式 Ｎ（―CH2−CH2−Ｏ（―CH2−CH2O）3−
CH3）3 のトリス（３，６，９，12―テトラオキサトリデ
シル）アミン、 式 Ｎ（―CH2−CH2−Ｏ（CH2−CH2−Ｏ）―
5CH3）3 のトリス（３，６，９，12，15，18―ヘキサオキ
サノニルドデシル）アミン、 式 Ｎ（―CH2−CH2−OCH−（CH3）−CH2−
Ｏ−CH3）3 のトリス（３，６―ジオキサ―４―メチルヘプチ
ル）アミン、 式 Ｎ（―CH2−CH−（CH3）−OCH（CH3）−
CH2−Ｏ−CH3）3 のトリス（３，６―ジオキサ―２，４―ジメチル
ヘプチル）アミン、 がある。
CH3）3 のトリス（３，６―ジオキサヘプチル）アミン、 式 Ｎ（―CH2−CH2−Ｏ−CH2−CH2−Ｏ−
CH2−CH2−Ｏ−CH2）3 のトリス（３，６，９―トリオキサデシル）アミ
ン、 式 Ｎ（―CH2−CH2−Ｏ−CH2−CH2−Ｏ−
C2H5）3 のトリス（３，６―オキサオクチルアミン）、 式 Ｎ（―CH2−CH2−Ｏ−CH2−CH2−Ｏ−
CH2−CH2−Ｏ−C2H5）3 のトリス（３，６，９―トリオキサウンデシル）
アミン、 式 Ｎ（―CH2−CH2−Ｏ−CH2−CH2−Ｏ−
C3H7）3 のトリス（３，６―ジオキサノニル）アミン、 式 Ｎ（―CH2−CH2−Ｏ−CH2−CH2−Ｏ−
CH2−CH2−Ｏ−C3H7）3 のトリス（３，６，９―トリオキサドデシル）ア
ミン、 式 Ｎ（―CH2−CH2−Ｏ−CH2−CH2−Ｏ−
C4H9）3 のトリス（３，６―ジオキサデシル）アミン、 式 Ｎ（―CH2−CH2−Ｏ−CH2−CH2−Ｏ−
CH2−CH2−Ｏ−C4H9）3 のトリス（３，６，９―トリオキサトリデシル）
アミン、 式 Ｎ（―CH2−CH2−Ｏ（―CH2−CH2O）3−
CH3）3 のトリス（３，６，９，12―テトラオキサトリデ
シル）アミン、 式 Ｎ（―CH2−CH2−Ｏ（CH2−CH2−Ｏ）―
5CH3）3 のトリス（３，６，９，12，15，18―ヘキサオキ
サノニルドデシル）アミン、 式 Ｎ（―CH2−CH2−OCH−（CH3）−CH2−
Ｏ−CH3）3 のトリス（３，６―ジオキサ―４―メチルヘプチ
ル）アミン、 式 Ｎ（―CH2−CH−（CH3）−OCH（CH3）−
CH2−Ｏ−CH3）3 のトリス（３，６―ジオキサ―２，４―ジメチル
ヘプチル）アミン、 がある。
用いるアミンそれ自体は、従来技術において知
られている。かくして、フランス特許第1302365
号はＮ（―CH2−CH2−Ｏ−CH3）3及びＮ（―CH2−
CH2−Ｏ−CH2−CH2−Ｏ−CH3）3の第三級アミ
ンを示しているが、これらは対応する第一級及び
第二級アミンの合成の副生物として得られる。こ
れらの第一級及び第二級アミンは、薬剤、腐食防
止剤の合成用の中間体、農業に有益な化合物の合
成用中間体及び乳化剤として興味ある化合物であ
る。本願発明の方法で用いるアミンと同時に上記
フランス特許第1302365号で得られる化合物の応
用分野は本発明の分野とは全く異質であることを
強調するのは適切なことかもしれない。
られている。かくして、フランス特許第1302365
号はＮ（―CH2−CH2−Ｏ−CH3）3及びＮ（―CH2−
CH2−Ｏ−CH2−CH2−Ｏ−CH3）3の第三級アミ
ンを示しているが、これらは対応する第一級及び
第二級アミンの合成の副生物として得られる。こ
れらの第一級及び第二級アミンは、薬剤、腐食防
止剤の合成用の中間体、農業に有益な化合物の合
成用中間体及び乳化剤として興味ある化合物であ
る。本願発明の方法で用いるアミンと同時に上記
フランス特許第1302365号で得られる化合物の応
用分野は本発明の分野とは全く異質であることを
強調するのは適切なことかもしれない。
本発明に従つた方法で用いることのできる巨大
環式ポリエーテルは、“クラウンエーテル”の一
般名の下に知られておりそしてフランス特許第
2026481号（特許願69／43879）に記載されてい
る。
環式ポリエーテルは、“クラウンエーテル”の一
般名の下に知られておりそしてフランス特許第
2026481号（特許願69／43879）に記載されてい
る。
本発明に従つて用いることができるクラウンエ
ーテルの例としては、次のものを挙げることがで
きる。
ーテルの例としては、次のものを挙げることがで
きる。
巨大環式及び二環式化合物は、フランス特許第
2052947号（特許願70／21079号）に記載されてい
る。本発明の方法で使用されるかかる化合物の例
としては、次のものを挙げることができる。
2052947号（特許願70／21079号）に記載されてい
る。本発明の方法で使用されるかかる化合物の例
としては、次のものを挙げることができる。
本発明の更に他の具体例によれば、架橋された
有機重合体担体と、該担体に固定された一般式
（） 〔式中、R′1，R′2，R′3，R′4，R′6及びR′7は同
種又は異種であつてよくそしてそれぞれ水素原子
又は１〜４個の炭素原子を含有するアルキル基で
あり、R′5及びR′8は同種又は異種であつてよくそ
して水素原子、１〜12個の炭素原子を含有するア
ルキル又はシクロアルキル基、フエニル基、−
Cq′H2q′−φ−又はCq′H2q′+1−φ−基（こゝで、
q′は１以上である）を表わし、そしてn′，m′及び
p′は同じ又は異なつてよくそして１以上で10以下
である〕の複数の官能基とよりなる担持金属イオ
ン封鎖剤が使用される。本発明の他の好ましい具
体例によれば、n′，m′及びp′は、同じ又は異なる
ものであつてよくそして１以上で６以下である。
有機重合体担体と、該担体に固定された一般式
（） 〔式中、R′1，R′2，R′3，R′4，R′6及びR′7は同
種又は異種であつてよくそしてそれぞれ水素原子
又は１〜４個の炭素原子を含有するアルキル基で
あり、R′5及びR′8は同種又は異種であつてよくそ
して水素原子、１〜12個の炭素原子を含有するア
ルキル又はシクロアルキル基、フエニル基、−
Cq′H2q′−φ−又はCq′H2q′+1−φ−基（こゝで、
q′は１以上である）を表わし、そしてn′，m′及び
p′は同じ又は異なつてよくそして１以上で10以下
である〕の複数の官能基とよりなる担持金属イオ
ン封鎖剤が使用される。本発明の他の好ましい具
体例によれば、n′，m′及びp′は、同じ又は異なる
ものであつてよくそして１以上で６以下である。
官能基の例としては、次の式の基を挙げること
ができる。
ができる。
担体は、式（）の官能基で置換され得る基を
含有する任意の架橋有機重合体から誘導すること
ができる。
含有する任意の架橋有機重合体から誘導すること
ができる。
本発明に好適な有機重合体として挙げることが
できる例は、スチレン及びメチルスチレンの如き
ビニル芳香族化合物から誘導される重合体並びに
スチレンとブタジエンとの共重合体及びスチレン
とイソプレンとの共重合体の如きビニル芳香族化
合物とC4〜C6共役ジエンとの共重合体である。
できる例は、スチレン及びメチルスチレンの如き
ビニル芳香族化合物から誘導される重合体並びに
スチレンとブタジエンとの共重合体及びスチレン
とイソプレンとの共重合体の如きビニル芳香族化
合物とC4〜C6共役ジエンとの共重合体である。
有機重合体としてポリスチレンを用いるのが特
に好ましいが、この場合に架橋剤は好ましい具体
例によればジビニルベンゼンである。架橋度は重
要な因子である。要するに、ポリスチレンにグラ
フト化された式（）の官能基が活性であること
が必要である。このために、担持金属イオン封鎖
剤を使用しようとする際の溶剤の分子が以下で特
定する用途において重合体内部に侵入することが
必要である。この目的のために、架橋度は、溶剤
及び反応体の侵入を妨げる程に高過ぎないように
することが必要である。ジビニルベンゼンによる
架橋度が約10％よりも下であるようなポリスチレ
ンを用いるのが好ましい。より好ましくは、架橋
度は約５％よりも低い。
に好ましいが、この場合に架橋剤は好ましい具体
例によればジビニルベンゼンである。架橋度は重
要な因子である。要するに、ポリスチレンにグラ
フト化された式（）の官能基が活性であること
が必要である。このために、担持金属イオン封鎖
剤を使用しようとする際の溶剤の分子が以下で特
定する用途において重合体内部に侵入することが
必要である。この目的のために、架橋度は、溶剤
及び反応体の侵入を妨げる程に高過ぎないように
することが必要である。ジビニルベンゼンによる
架橋度が約10％よりも下であるようなポリスチレ
ンを用いるのが好ましい。より好ましくは、架橋
度は約５％よりも低い。
置換されることができる基は、好ましくは、ポ
リスチレンのベンゼン環に固定されたクロルメチ
ル−CH2Cl又はブロムメチル−CH2Br基中の塩
素又は臭素である。
リスチレンのベンゼン環に固定されたクロルメチ
ル−CH2Cl又はブロムメチル−CH2Br基中の塩
素又は臭素である。
官能基を担持するポリスチレン中のベンゼン環
の百分率は５％よりも大きいことが最とも好まし
い。更に一層好ましくは、この百分率は10％より
も高い。
の百分率は５％よりも大きいことが最とも好まし
い。更に一層好ましくは、この百分率は10％より
も高い。
好ましい担持金属イオン封鎖剤は、次の式
〔上記式中、
は、式
（こゝで、ＸはCl又はBrを表わす）のジビニ
ルベンゼンで架橋されたクロルメチル化又はブロ
ムメチル化ポリスチレンから誘導される〕によつ
て表わすことができる。
ルベンゼンで架橋されたクロルメチル化又はブロ
ムメチル化ポリスチレンから誘導される〕によつ
て表わすことができる。
本発明の他の好ましい具体例によれば、巨大環
式ポリエーテル又は巨大環式若しくは二環式化合
物の適当なアミン誘導体とクロルメチル化ポリス
チレンとの反応によつて得られるポリスチレンよ
りなる架橋有機重合体にグラフト化された巨大環
式ポリエーテル又は巨大環式若しくは二環式化合
物が使用される。これらの好ましい担持化合物
は、次の式によつて表わすことができる。
式ポリエーテル又は巨大環式若しくは二環式化合
物の適当なアミン誘導体とクロルメチル化ポリス
チレンとの反応によつて得られるポリスチレンよ
りなる架橋有機重合体にグラフト化された巨大環
式ポリエーテル又は巨大環式若しくは二環式化合
物が使用される。これらの好ましい担持化合物
は、次の式によつて表わすことができる。
本発明の方法の第一及び第二工程は、溶剤の存
在下に又はその不在下に実施することができる。
第三の溶剤を用いるときには、それは多数の条件
を満たすべきである。即ち、これは、原シランを
溶解すべきである。また、これは、導入又は形成
されたシランに対して化学的に不活性であるべき
である。
在下に又はその不在下に実施することができる。
第三の溶剤を用いるときには、それは多数の条件
を満たすべきである。即ち、これは、原シランを
溶解すべきである。また、これは、導入又は形成
されたシランに対して化学的に不活性であるべき
である。
好ましくは、溶剤として選定される物質は、例
えば、クロルベンゼン、オルトジクロルベンゼ
ン、ベンゼン、トルエン、シクロヘキサン、ヘプ
タン、ジクロルベンゼン、塩化メチレン、ジクロ
ルベンゼン、テトラヒドロフラン、ジオキサン及
びジメトキシエタンである。
えば、クロルベンゼン、オルトジクロルベンゼ
ン、ベンゼン、トルエン、シクロヘキサン、ヘプ
タン、ジクロルベンゼン、塩化メチレン、ジクロ
ルベンゼン、テトラヒドロフラン、ジオキサン及
びジメトキシエタンである。
本発明の方法の第一工程によれば、上に記載し
た触媒のうちの１種の存在下にメチルトリクロル
シラン及びジクロルシランを形成するためにメチ
ルジクロルシランとトリクロルシラン及び（又
は）テトラクロルシランとの間の再配列
（rearrangement）が実施される。
た触媒のうちの１種の存在下にメチルトリクロル
シラン及びジクロルシランを形成するためにメチ
ルジクロルシランとトリクロルシラン及び（又
は）テトラクロルシランとの間の再配列
（rearrangement）が実施される。
この工程で用いられる温度は、−30℃と反応媒
体の沸点との間である。操作は、ジクロルシラン
が形成されたときに反応媒体からのその脱離を可
能にするために反応媒体の沸点で実施されるのが
好ましい。反応媒体の沸点は一般には15℃〜120
℃であるが、これは特に用いる溶剤の性状及び媒
体中におけるその割合に左右される。
体の沸点との間である。操作は、ジクロルシラン
が形成されたときに反応媒体からのその脱離を可
能にするために反応媒体の沸点で実施されるのが
好ましい。反応媒体の沸点は一般には15℃〜120
℃であるが、これは特に用いる溶剤の性状及び媒
体中におけるその割合に左右される。
用いる圧力は、大気圧よりも低くても、同じで
も又は高くてもよい。操作は、大気圧で実施され
るのが好ましい。
も又は高くてもよい。操作は、大気圧で実施され
るのが好ましい。
この第一工程において、触媒は、触媒（又は、
樹脂若しくは担持触媒系の場合には後者における
活性基）対原シラン（メチルジクロルシラン及び
トリクロルシラン及び（又は）テトラクロルシラ
ン）のモル比が好ましくは10〜0.0001の間になる
ような量で用いられる。更に好ましくは、この比
率は0.5〜0.005の間である。
樹脂若しくは担持触媒系の場合には後者における
活性基）対原シラン（メチルジクロルシラン及び
トリクロルシラン及び（又は）テトラクロルシラ
ン）のモル比が好ましくは10〜0.0001の間になる
ような量で用いられる。更に好ましくは、この比
率は0.5〜0.005の間である。
トリクロルシラン及び（又は）テトラクロルシ
ラン対メチルジクロルシランのモル比は、好まし
くは、0.05〜５の間である。この比率は、より好
ましくは0.1〜２の間である。
ラン対メチルジクロルシランのモル比は、好まし
くは、0.05〜５の間である。この比率は、より好
ましくは0.1〜２の間である。
溶剤対全原シランのモル比は、０〜100の間そ
して好ましくは０〜10の間である。
して好ましくは０〜10の間である。
イオン性無機塩及び錯生成化合物からなる触媒
系を触媒として用いるような場合には、錯生成化
合物は、錯生成化合物（又は、活性基を担持する
ときには後者における活性基）対イオン性無機塩
のモル比が好ましくは0.05〜20の間、なお一層好
ましくはこの比率が0.5〜２の間になり、その上
イオン性無機塩対原シランの全部のモル比が好ま
しくは10〜0.0001の間になるような量で用いられ
る。なお一層好ましくは、前記の比率は0.5〜
0.001の間である。
系を触媒として用いるような場合には、錯生成化
合物は、錯生成化合物（又は、活性基を担持する
ときには後者における活性基）対イオン性無機塩
のモル比が好ましくは0.05〜20の間、なお一層好
ましくはこの比率が0.5〜２の間になり、その上
イオン性無機塩対原シランの全部のモル比が好ま
しくは10〜0.0001の間になるような量で用いられ
る。なお一層好ましくは、前記の比率は0.5〜
0.001の間である。
この第一工程は、不連続的に又は連続的に実施
することができる。
することができる。
本発明の方法に従えば、メチルジクロルシラン
が用いられるけれども、別法として、現時点で使
用するのにメチルジクロルシランよりもずつとコ
スト高の化合物であるジメチルクロルシランを第
一工程で反応させることも可能であることを理解
されたい。
が用いられるけれども、別法として、現時点で使
用するのにメチルジクロルシランよりもずつとコ
スト高の化合物であるジメチルクロルシランを第
一工程で反応させることも可能であることを理解
されたい。
本発明の方法の第二工程によれば、反応媒体の
分離後に、第一工程で形成されたジクロルシラン
は、先に記載した触媒のうちの１種の存在下に不
均化されてシラン及びトリクロルシランを生成す
る。
分離後に、第一工程で形成されたジクロルシラン
は、先に記載した触媒のうちの１種の存在下に不
均化されてシラン及びトリクロルシランを生成す
る。
反応媒体からのジクロルシランの分離は、第一
工程をジクロルシランの沸点で実施するときには
それが形成されつゝあるときに又は反応後のどち
らかで反応媒体を加熱することによつて蒸発させ
て除去することによつて実施される。この分離
は、好ましくは連続的に用いられ、そして第一工
程間において反応媒体中でのジクロルシランの生
成と同時に実施される。
工程をジクロルシランの沸点で実施するときには
それが形成されつゝあるときに又は反応後のどち
らかで反応媒体を加熱することによつて蒸発させ
て除去することによつて実施される。この分離
は、好ましくは連続的に用いられ、そして第一工
程間において反応媒体中でのジクロルシランの生
成と同時に実施される。
この態様で分離されたジクロルシランは、後続
工程でのその使用に対して有害でない特に少量の
トリクロルシラン及び（又は）メチルジクロルシ
ランを含有する。
工程でのその使用に対して有害でない特に少量の
トリクロルシラン及び（又は）メチルジクロルシ
ランを含有する。
ジクロルシランの不均化は、クロルシラン及び
触媒及びその溶剤が反対方向で循環するような塔
で実施されるのが好ましい。塔の頭部温度は−50
℃〜120℃好ましくは−30℃〜40℃の間であり、
塔の底部における温度は０℃〜120℃好ましくは
15℃〜60℃の間であり、そして塔の頭部温度は塔
の底部における温度以下である。塔の圧力は、大
気圧よりも低くても、同じでも又は高くてもよ
い。操作は、第一工程で用いると同じ圧力で実施
されるのが好ましい。
触媒及びその溶剤が反対方向で循環するような塔
で実施されるのが好ましい。塔の頭部温度は−50
℃〜120℃好ましくは−30℃〜40℃の間であり、
塔の底部における温度は０℃〜120℃好ましくは
15℃〜60℃の間であり、そして塔の頭部温度は塔
の底部における温度以下である。塔の圧力は、大
気圧よりも低くても、同じでも又は高くてもよ
い。操作は、第一工程で用いると同じ圧力で実施
されるのが好ましい。
更に、第一工程と同様に、第二工程は、脂肪族
又は芳香族炭化水素の如き反応体用の溶剤の存在
下に実施することができる。かくして、溶剤とし
て、例えばシクロヘキサン、トルエン、ベンゼ
ン、クロルベンゼン、オルトジクロルベンゼン、
１，１，２，２―テトラクロルエタン、ヘプタ
ン、ジクロルエーテル、塩化メチレン、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサン又はジメトキシエタンを
使用することが可能である。
又は芳香族炭化水素の如き反応体用の溶剤の存在
下に実施することができる。かくして、溶剤とし
て、例えばシクロヘキサン、トルエン、ベンゼ
ン、クロルベンゼン、オルトジクロルベンゼン、
１，１，２，２―テトラクロルエタン、ヘプタ
ン、ジクロルエーテル、塩化メチレン、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサン又はジメトキシエタンを
使用することが可能である。
この第二工程では、触媒は、触媒（又は、担持
触媒系の場合には触媒中の活性基）対ジクロルシ
ランのモル比が好ましくは20〜0.0002の間になる
ような量で用いられる。更に一層好ましくは、こ
の比率は１〜0.01の間である。
触媒系の場合には触媒中の活性基）対ジクロルシ
ランのモル比が好ましくは20〜0.0002の間になる
ような量で用いられる。更に一層好ましくは、こ
の比率は１〜0.01の間である。
溶剤対ジクロルシランのモル比は、第一工程で
用いられる溶剤対全シランのモル比と同じである
のが好ましい。
用いられる溶剤対全シランのモル比と同じである
のが好ましい。
イオン性無機塩及び錯生成化合物を含有する触
媒系を触媒として用いるような場合には、錯生成
化合物は、錯生成化合物対イオン性無機塩のモル
比が好ましくは0.05〜20の間になるような量で用
いられる。なお一層好ましくは、この比率は0.12
〜２の間である。その上、イオン性無機塩対ジク
ロルシランのモル比は好ましくは２〜0.0002の間
である。更に一層好ましくは、この比率は１〜
0.01の間である。
媒系を触媒として用いるような場合には、錯生成
化合物は、錯生成化合物対イオン性無機塩のモル
比が好ましくは0.05〜20の間になるような量で用
いられる。なお一層好ましくは、この比率は0.12
〜２の間である。その上、イオン性無機塩対ジク
ロルシランのモル比は好ましくは２〜0.0002の間
である。更に一層好ましくは、この比率は１〜
0.01の間である。
第二工程間に形成されるシランは塔の頭部で回
収され、そして触媒及びその溶剤と共に塔の底部
を出るトリクロルシランは、必要ならば第一工程
に再循環される。
収され、そして触媒及びその溶剤と共に塔の底部
を出るトリクロルシランは、必要ならば第一工程
に再循環される。
塔の頭部で得られるシランは、そのまゝで回収
することができ、又は塔の頭部から出るガス状シ
ランにクロルシランの選択的溶媒和を生じる溶剤
を接触させることによつて若しくは低温への冷却
によつて残留クロルシランを液化することによつ
てあり得る残留クロルシランから分離することが
できる。他の残留クロルシランから形成されたシ
ランのこの選択的分離を許容する溶剤としては、
例えば、ベンゼン、クロルベンゼン及びオルトジ
クロルベンゼンから選定される少なくとも１種の
溶剤が使用される。
することができ、又は塔の頭部から出るガス状シ
ランにクロルシランの選択的溶媒和を生じる溶剤
を接触させることによつて若しくは低温への冷却
によつて残留クロルシランを液化することによつ
てあり得る残留クロルシランから分離することが
できる。他の残留クロルシランから形成されたシ
ランのこの選択的分離を許容する溶剤としては、
例えば、ベンゼン、クロルベンゼン及びオルトジ
クロルベンゼンから選定される少なくとも１種の
溶剤が使用される。
こゝで、添付図面を参照しながら本発明を好ま
しい具体例について説明する。
しい具体例について説明する。
メチルジクロルシランとトリクロルシラン及び
（又は）テトラクロルシランとの混合物は、塔Ａ
の底部に連結された再配列反応器R1に導入され
る。また、未担持触媒Ｃ及び媒剤Ｓは、塔Ａの頭
部で導入される。反応器は大気圧に維持され、
R1内の反応混合物は沸騰まで加熱され、そして
触媒Ｃ及び溶剤Ｓは塔Ａを通過した後に反応器
R1に入る。R1で形成されるジクロルシランは、
それが形成されるにつれて反応媒体から分離され
そして塔Ａに入る（このジクロルシランは何等不
都合なく微量の未反応シランを含有することがで
き、そしてこれは任意に交換器E1において少な
くとも一部分凝縮させてR1に再循環することが
できる）。
（又は）テトラクロルシランとの混合物は、塔Ａ
の底部に連結された再配列反応器R1に導入され
る。また、未担持触媒Ｃ及び媒剤Ｓは、塔Ａの頭
部で導入される。反応器は大気圧に維持され、
R1内の反応混合物は沸騰まで加熱され、そして
触媒Ｃ及び溶剤Ｓは塔Ａを通過した後に反応器
R1に入る。R1で形成されるジクロルシランは、
それが形成されるにつれて反応媒体から分離され
そして塔Ａに入る（このジクロルシランは何等不
都合なく微量の未反応シランを含有することがで
き、そしてこれは任意に交換器E1において少な
くとも一部分凝縮させてR1に再循環することが
できる）。
塔Ａの頭部で供給される不均化触媒Ｃ及び溶剤
Ｓは、ジクロルシランに対して向流方向で循環す
る。この塔Ａには、SiH4以外のジクロルシラン
の不均化生成物が液相に溶解したまゝに留まりそ
してシランが塔Ａの頭部で回収されるような温度
及び温度勾配が維持される。形成されたトリクロ
ルシランはこの塔の底部において触媒Ｃ及び溶剤
Ｓと混合状態で集められ、そしてこれらの生成物
は再配列反応器R1に再循環される。
Ｓは、ジクロルシランに対して向流方向で循環す
る。この塔Ａには、SiH4以外のジクロルシラン
の不均化生成物が液相に溶解したまゝに留まりそ
してシランが塔Ａの頭部で回収されるような温度
及び温度勾配が維持される。形成されたトリクロ
ルシランはこの塔の底部において触媒Ｃ及び溶剤
Ｓと混合状態で集められ、そしてこれらの生成物
は再配列反応器R1に再循環される。
所望ならば、反応器R1での再配列から生じる
クロルシラン（形成されたメチルトリクロルシラ
ン、メチルジクロルシラン並びに未反応トリクロ
ルシラン及び（又は）四塩化けい素）からの触媒
及び溶剤（CS）の分離を実施することが可能で
ある。この分離は、塔Ｂにおいて蒸留を行いそし
てその底部において触媒及び溶剤（Ｃ―Ｓ）を交
換器E2で集めその頭部においてクロルシランの
混合物を集めることによつて行われる。触媒及び
溶剤は、交換器E3で冷却された後に塔Ａの頭部
に再循環させることができる。クロルシランは、
底部では交換器E4においてメチルトリクロルシ
ラン（これは他の場所に送ることができる）そし
て頭部では他のクロルシラン（これは再配列反応
器R1に再循環させることができる）を集めるよ
うに塔Ｃで蒸留することによつて分離することが
できる。
クロルシラン（形成されたメチルトリクロルシラ
ン、メチルジクロルシラン並びに未反応トリクロ
ルシラン及び（又は）四塩化けい素）からの触媒
及び溶剤（CS）の分離を実施することが可能で
ある。この分離は、塔Ｂにおいて蒸留を行いそし
てその底部において触媒及び溶剤（Ｃ―Ｓ）を交
換器E2で集めその頭部においてクロルシランの
混合物を集めることによつて行われる。触媒及び
溶剤は、交換器E3で冷却された後に塔Ａの頭部
に再循環させることができる。クロルシランは、
底部では交換器E4においてメチルトリクロルシ
ラン（これは他の場所に送ることができる）そし
て頭部では他のクロルシラン（これは再配列反応
器R1に再循環させることができる）を集めるよ
うに塔Ｃで蒸留することによつて分離することが
できる。
こゝで添付図面と関連させた以下の実施例によ
つて本発明を例示する。
つて本発明を例示する。
例 １
CH3SiHCl2とHSiCl3との間の再配列を４の
反応器R1において実施する。塔Ａは、直径４cm
で長さ1.6ｍの段塔である。H2SiCl2の不均化は後
者で行われる。
反応器R1において実施する。塔Ａは、直径４cm
で長さ1.6ｍの段塔である。H2SiCl2の不均化は後
者で行われる。
これらの反応を、クロルベンゼン媒体中におい
てトリス（３，６―ジオキサヘプチル）アミン
（TDA1と略称する）及びLiBrの触媒系の存在下
に実施する。
てトリス（３，６―ジオキサヘプチル）アミン
（TDA1と略称する）及びLiBrの触媒系の存在下
に実施する。
CH3SiHCl2及びHSiCl3をそれぞれ2700ｇ／ｈ
及び500ｇ／ｈの速度で反応器R1に供給する。こ
れらのクロルシランの一部分は、形成した
CH3SiCl3から触媒系及び溶剤を分離した後の再
循環から生じる。
及び500ｇ／ｈの速度で反応器R1に供給する。こ
れらのクロルシランの一部分は、形成した
CH3SiCl3から触媒系及び溶剤を分離した後の再
循環から生じる。
C6H5Cl（溶剤）中に溶解させた触媒系を塔Ａの
頭部で供給する。
頭部で供給する。
その重量組成は次の通りである。
C6H5Cl 91.6％
TDA1 6.6％
LiBr 1.8％
その流量は1850ｇ／ｈである。
この混合物は、塔Ａを通過した後に反応器R1
に入る。
に入る。
反応器R1の反応媒体は、沸騰温度（70〜75℃
の温度）にある。生成した蒸気相は、主として
H2SiCl2を含有するがしかし少量のCH3SiHCl2及
びHSiCl2も含有する。これらの最後の２種のク
ロルシランは、凝縮器E1において一部分凝縮さ
れそして再循環される。次いで、形成された
H2SiCl2は、蒸気状態で塔Ａに導入しそして触媒
系と溶剤との混合物とは反対の方向で循環する。
その不均化は、塔の頭部で放出されるSiH4の形
成、及びクロルベンゼン中の溶液状態で触媒系と
一緒に反応器R1に再循環されるHSiCl3の形成を
もたらす。
の温度）にある。生成した蒸気相は、主として
H2SiCl2を含有するがしかし少量のCH3SiHCl2及
びHSiCl2も含有する。これらの最後の２種のク
ロルシランは、凝縮器E1において一部分凝縮さ
れそして再循環される。次いで、形成された
H2SiCl2は、蒸気状態で塔Ａに導入しそして触媒
系と溶剤との混合物とは反対の方向で循環する。
その不均化は、塔の頭部で放出されるSiH4の形
成、及びクロルベンゼン中の溶液状態で触媒系と
一緒に反応器R1に再循環されるHSiCl3の形成を
もたらす。
この態様で生成されるシランの流量は120ｇ／
ｈである。
ｈである。
反応器R1から生じる凝縮相は、次の組成（重
量％）を有する。
量％）を有する。
H2SiCl2 5.1％
HSiCl3 0.7％
CH3SiHCl2 26.4％
CH3SiCl3 32.8％
TDA1 2.3％
LiBr 0.6％
この混合物は、反応しなかつた又は生成しなか
つた種々のクロルシランからC6H5Cl中に溶解の
触媒系を分離するために長さ1.60ｍで直径８cmの
蒸留塔Ｂに送られる。頭部における温度は52℃
で、そして底部におけるそれは131℃である。
つた種々のクロルシランからC6H5Cl中に溶解の
触媒系を分離するために長さ1.60ｍで直径８cmの
蒸留塔Ｂに送られる。頭部における温度は52℃
で、そして底部におけるそれは131℃である。
塔の底部に残る触媒及び溶剤は、混合物の温度
を０℃に下げる凝縮器E3を通過した後に、塔Ａ
の頭部に再循環される。
を０℃に下げる凝縮器E3を通過した後に、塔Ａ
の頭部に再循環される。
塔Ｂの頭部を出るクロルシラン混合物は、他の
クロルシランから形成されたCH3SiCl3を分離す
るために蒸留塔Ｃに送られる。この塔は、長さ２
ｍでそして直径8.5cmである。CH3SiCl3は底部で
出る。
クロルシランから形成されたCH3SiCl3を分離す
るために蒸留塔Ｃに送られる。この塔は、長さ２
ｍでそして直径8.5cmである。CH3SiCl3は底部で
出る。
塔の頭部で出る混合物の組成は、次の通りであ
る（重量％）。
る（重量％）。
H2SiCl2 15.7％
HSiCl3 2.2％
CH3SiHCl2 82.1％
この混合物は、反応器R1に再循環される。
例 ２
前記の実験と同等の実施条件を使用して、
HSiCl3とCH3SiHCl2との間の反応について触媒
系としてトリス（３，６―ジオキサオクチル）ア
ミン（TDA2）＋LiBr及び溶媒としてクロルベン
ゼンの存在下に実験を行う。
HSiCl3とCH3SiHCl2との間の反応について触媒
系としてトリス（３，６―ジオキサオクチル）ア
ミン（TDA2）＋LiBr及び溶媒としてクロルベン
ゼンの存在下に実験を行う。
クロルベンゼン ：1.931ｇ（17.2×10-3モル）
TDA2 ：1.303ｇ（3.57×10-3モル）
LiBr ：0.116ｇ（1.33×10-3モル）
HSiCl3 ：0.748ｇ（5.52×10-3モル）
CH3SiHCl2 ：1.326ｇ（11.5×10-3モル）
１時間30分の反応時間後に、混合物は下記の組
成を有した。
成を有した。
SiH4 0.28％
H3SiCl 1.16％
CH3SiH2Cl 0.38％
H2SiCl2 6.63％
HSiCl3 6.19％
CH3SiHCl2 17.52％
SiCl4 0.08％
CH3SiCl3 19.56％
C6H5Cl 48.20％
これは、67％のHSiCl3転化率及び47％の
CH3SiHCl2転化率に相当する。
CH3SiHCl2転化率に相当する。
例 ３
この例は、トリス（３，６―ジオキサデシル）
アミン（TDA4）を錯化剤として使用することを
除いて、上記の例と類似する。
アミン（TDA4）を錯化剤として使用することを
除いて、上記の例と類似する。
クロルベンゼン ：2.054ｇ（18.3×10-3モル）
TDA4 ：1.673ｇ（3.73×10-3モル）
LiBr ：98.84mg（1.14×10-3モル）
HSiCl3 ：0.665ｇ（4.91×10-3モル）
CH3SiHCl2 ：1.271ｇ（11.1×10-3モル）
１時間40分の反応時間後に、混合物は下記の組
成を有した。
成を有した。
SiH4 0.20％
H3SiCl 0.70％
CH3SiH2Cl 0.34％
H2SiCl2 5.11％
HSiCl3 7.43％
CH3SiHCl2 20.56％
SiCl4 0.13％
CH3SiCl3 14.05％
C6H5Cl 51.48％
これは、55％のHSiCl3転化率及び35％の
CH3SiHCl2転化率に相当する。
CH3SiHCl2転化率に相当する。
例 ４
この例の実験は、錯化剤としてトリス（３，
６，９―トリオキサデシル）アミン（TTA）及
びイオン塩としてKClの存在下に行つた。
６，９―トリオキサデシル）アミン（TTA）及
びイオン塩としてKClの存在下に行つた。
クロルベンゼン ：2.303ｇ（20.5×10-3モル）
TTA1 ：1.591ｇ（3.50×10-3モル）
KCl ：0.100ｇ（1.34×10-3モル）
HSiCl3 ：0.662ｇ（4.88×10-3モル）
CH3SiHCl2 ：1.376ｇ（12.0×10-3モル）
２時間30分の反応時間後に、混合物は下記の組
成を有した。
成を有した。
SiH4 0.09％
H3SiCl 0.46％
CH3SiH2Cl 0.24％
H2SiCl2 5.33％
HSiCl3 6.52％
CH3SiHCl2 22.61％
SiCl4 0.31％
CH3SiCl3 11.37％
C6H5Cl 53.07％
これは、57％のHSiCl3転化率及び29％の
CH3SiHCl2転化率に相当する。
CH3SiHCl2転化率に相当する。
例 ５
この例では、触媒混合物としてトリス（３，
６，９―トリオキサウンデシル）アミン
（TTA2）＋KClの触媒系を用いる。
６，９―トリオキサウンデシル）アミン
（TTA2）＋KClの触媒系を用いる。
この実験は、錯化剤を再び変えたことを除い
て、上記の実験と類似する。
て、上記の実験と類似する。
クロベンゼン ：2.114ｇ（18.8×10-3モル）
TTA2 ：1.801ｇ（3.62×10-3モル）
KCl ：97mg（1.30×10-3モル）
HSiCl3 ：0.603ｇ（4.45×10-3モル）
CH3SiHCl2 ：1.519ｇ（13.2×10-3モル）
２時間40分の反応時間後に、混合物は下記の組
成を有した。
成を有した。
SiH4 0.36％
H3SiCl 0.80％
CH3SiH2Cl 0.67％
H2SiCl2 4.03％
HSiCl3 5.63％
CH3SiHCl2 22.81％
SiCl4 0.08％
CH3SiCl3 15.71％
C6H5Cl 49.91％
これは、60％のHSiCl3転化率及び36％の
CH3SiHCl2転化率に相当する。
CH3SiHCl2転化率に相当する。
例 ６
前記の各例と同じ操作条件を使用して、
HSiCl3とCH3SiHCl2との間の反応について、
KCl及び４，７，13，16，21，24―ヘキサオキサ
―１，10―ジアザビシクロ―８，８，８―ヘキサ
コサン（この化合物はクリプトフイツクス２，
２，２（Kryptofix2，２，２。商標名）として市
販されている）の存在下に実験を行う。実験はク
ロルベンゼン媒体中で行う。
HSiCl3とCH3SiHCl2との間の反応について、
KCl及び４，７，13，16，21，24―ヘキサオキサ
―１，10―ジアザビシクロ―８，８，８―ヘキサ
コサン（この化合物はクリプトフイツクス２，
２，２（Kryptofix2，２，２。商標名）として市
販されている）の存在下に実験を行う。実験はク
ロルベンゼン媒体中で行う。
クロルベンゼン ：2.973ｇ（26.4×10-3モル）
クリプトフイツクス２，２，２
：0.175ｇ（0.46×10-3モル） KCl ：41.4mg（0.56×10-3モル） HSiCl3 ：0.637ｇ（4.70×10-3モル） CH3SiHCl2 ：0.966ｇ（8.40×10-3モル） ４時間の反応時間後に、混合物は下記の組成を
有した。
：0.175ｇ（0.46×10-3モル） KCl ：41.4mg（0.56×10-3モル） HSiCl3 ：0.637ｇ（4.70×10-3モル） CH3SiHCl2 ：0.966ｇ（8.40×10-3モル） ４時間の反応時間後に、混合物は下記の組成を
有した。
SiH4 0.06％
H3SiCl 0.39％
CH3SiH2Cl 0.12％
H2SiCl2 4.30％
HSiCl3 6.19％
CH3SiHCl2 13.18％
SiCl4 0.35％
CH3SiCl3 8.86％
C6H5Cl 62.04％
これは、53％のHSiCl3転化率及び35％の
CH3SiHCl2転化率を有した。
CH3SiHCl2転化率を有した。
例 ７
この例では、クリプトフイツクス２，２，２の
代りに18クラウン６（18Crown6。商標名）とし
て市販されている１，４，７，10，13，16―ヘキ
サオキサシクロオクタデカンを使用することを除
いて、上記に記載の実験を反復する。
代りに18クラウン６（18Crown6。商標名）とし
て市販されている１，４，７，10，13，16―ヘキ
サオキサシクロオクタデカンを使用することを除
いて、上記に記載の実験を反復する。
クロルベンゼン ：3.116ｇ（27.7×10-3モル）
18クラウン６ ：0.160ｇ（0.61×10-3モル）
KCl ：50.1mg（0.67×10-3モル）
HSiCl3 ：0.532ｇ（3.93×10-3モル）
CH3SiHCl2 ：0.985ｇ（8.56×10-3モル）
100時間の反応時間後に、混合物は下記の組成
を有した。
を有した。
SiH4 0.05％
H3SiCl 0.16％
CH3SiH2Cl 0.17％
H2SiCl2 3.09％
HSiCl3 6.24％
CH3SiHCl2 15.34％
SiCl4 0.11％
CH3SiCl3 6.17％
C6H5Cl 64.34％
これは、43％のHSiCl3転化率及び25％の
CH3SiHCl2転化率に相当する。
CH3SiHCl2転化率に相当する。
添付図面の第１図は、本発明の方法の好ましい
具体例を実施するためのフローシートである。
具体例を実施するためのフローシートである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ メチルジクロルシラン及びトリクロルシラン
及び（又は）テトラクロルシランからシランを製
造する方法において、 (a) 第一工程において、触媒を含有する反応媒体
中においてメチルジクロルシランとトリクロル
シラン及び（又は）テトラクロルシランとの間
で再配列を実施してメチルトリクロルシラン及
びジクロルシランを生成し、 (b) 第二工程において、反応媒体の分離後に、第
一工程間に形成されたジクロルシランを触媒の
存在下に不均化してシラン及びトリクロルシラ
ンを生成し、形成されたシランを回収し、そし
てトリクロルシランを必要に応じて第一工程に
再循環させる、 ことを特徴とするシランの製造法。 ２ 第一及び第二工程で用いられる触媒（同種又
は異種であつてよい）が 一般式NR′R″Rの第三級アミン（前記式中、
R′R″Rは一価炭化水素基であつて同種又は異種
であつてよい）、 イオン性無機塩M+A-及び該塩のM+陽イオン
と錯化する化合物を含有する触媒系（ここで、
M+はアルカリ金属、アルカリ土類金属又はアン
モニウム好ましくはLi+，Na+，K+，Ca++，
NH4 +を表わしそしてA-はハロゲン、SCN-，
CN-，CO3 =好ましくはCl-，Br-及びI-を表わ
す）、 から選定されることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の方法。 ３ 第三級アミンがトリ―ｎ―プロピルアミン、
トリイソプロピルアミン、ジイソプロピル―ｎ―
エチルアミン、トリ―ｎ―ブチルアミン、トリイ
ソブチルアミン、トリ第二ブチルアミン、トリ―
ｎ―ベンチルアミン、ジ―ｎ―ブチルエチルアミ
ン、ジイソブチルエチルアミン、ジ―２―エチル
ブチルメチルアミン、ジ―ｎ―オクチルメチルア
ミン、ジ―２―エチルヘキシルメチルアミン、ジ
ラウリルメチルアミン、トリウンデシルアミン、
トリオクタデシルアミン、ｎ―オクタデシル―ｎ
―プロピルエチルアミン、ジ―ｎ―ブチルフエニ
ルアミン、トリフエニルアミン、トリス（ジフエ
ニル）アミン、２―ナフチルジ―ｎ―ブチルアミ
ン、トリトリルアミン、トリキシリルアミン、ト
リス（フエニルメチルフエニル）アミン、トリス
（２―フエニルエチル）アミン、トリス（８―フ
エニルオクチル）アミン、トリシクロヘキシルア
ミン、トリシクロオクチルアミン、トリス（４―
メチルシクロヘキシル）アミン、トリス（２―シ
クロヘキシルエチル）アミン、トリス（３―ｎ―
ブテニル）アミン、トリイソブテニルアミン、ジ
アリル―ｎ―ブチルアミン、Ｎ―ｎ―プロピルピ
ペリジン、Ｎ―イソブチルピロリジン、Ｎ―イソ
ブチルモルホリン等から選定されることを特徴と
する特許請求の範囲第２項記載の方法。 ４ イオン性無機塩の陽イオンと錯化する化合物
が、式 ［Ｎ−（CHR1−CHR2−Ｏ−（CHR3−CHR4−
Ｏ）o−R6）3］ （） 〔上記式中、ｎは０以上で10以下の整数（０
ｎ10）であり、R1，R2，R3及びR4は同種又は
異種であつてよくそして水素原子又は１〜４個の
炭素原子を含有するアルキル基を表わし、そして
R5は１〜12個の炭素原子を含有するアルキル若
しくはシクロアルキル基、フエニル基又は−Cn
H2n−φ若しくはCnH2n+1−φ−基（こゝで、ｍ
は１と12の間（１ｍ12）である）を表わす〕
の金属イオン封鎖剤であることを特徴とする特許
請求の範囲第２項記載の方法。 ５ 錯生成化合物が、環中に15〜30個の原子を含
有しそして４〜10個の−Ｏ−Ｘ単位〔こゝで、Ｘ
は−CHR6−CHR7−又は−CHR6−CHR8−
CR9R7−（式中、R6，R7，R8及びR9は同種又は
異種であつてよく、そして水素原子又は１〜４個
の炭素原子を含有する水素原子又はアルキル基で
ある）のどちらかであり、しかも記号Ｘのうちの
１つは−Ｏ−Ｘ単位が−Ｏ−CHR6−CHR7−基
を含むときには−CHR6−CHR8−CR9R7−にな
る得る〕よりなる巨大環式ポリエーテルであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の方
法。 ６ 錯生成化合物が、一般式ａ又はｂ 〔上記式中、 ＹはＮ又はＰを表わし、 Ａは１〜３個の炭素原子を含有するアルキレン
基を表わし、 ＤはＯ，Ｓ又はＮ−R11（こゝで、R11は１〜６
個の炭素原子を含有するアルキル基を表わす）を
表わし、 R10は１〜６個の炭素原子を含有するアルキル
基を表わし、そしてｐ，ｑ及びｒは同じ又は異な
るものであつてよい１〜５の整数である。〕の巨
大環式又は二環式化合物であることを特徴とする
特許請求の範囲第２項記載の方法。 ７ 錯生成化合物が、架橋有機重合体担体にグラ
フト化された金属イオン封鎖剤、巨大環式ポリエ
ーテル及び巨大環式又は二環式化合物から選定さ
れることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載
の方法。 ８ グラフト化された金属イオン封鎖剤が、架橋
有機重合体担体と、該担体に固定された一般式 〔上記式中、R′1，R′2，R′3，R′4，R′6及びR′7
は同種又は異種であつてよくそしてそれぞれ水素
原子又は１〜４個の炭素原子を含有するアルキル
基であり、R′5及びR′8は同種又は異種であつてよ
くそして水素原子、１〜12個の炭素原子を含有す
るアルキル又はシクロアルキル基、フエニル基、
−Cq′H2q′−φ−又はCq′H2q′+1−φ−基（こゝで、
q′は１以上である）を表わし、そしてn′，m′及び
p′は同じ又は異なつてよくそして１以上で10以下
である〕の複数の官能基とよりなることを特徴と
する特許請求の範囲第７項記載の方法。 ９ 式（）の金属イオン封鎖剤が、 式 Ｎ（―CH2−CH2−Ｏ−CH3）3 のトリス（３―オキサブチル）アミン、 式 Ｎ（―CH2−CH2−Ｏ−CH2−CH2−Ｏ−
CH3）3 のトリス（３，６―ジオキサヘブチル）アミン、 式 Ｎ（―CH2−CH2−Ｏ−CH2−CH2−Ｏ−
CH2−CH2−Ｏ−CH2）3 のトリス（３，６，９―トリオキサデシル）アミ
ン、 式 Ｎ（―CH2−CH2−Ｏ−CH2−CH2−Ｏ−
C2H5）3 のトリス（３，６―ジオキサオクチルアミン）、 式 Ｎ（―CH2−CH2−Ｏ−CH2−CH2−Ｏ−
CH2−CH2−Ｏ−C2H5）3 のトリス（３，６，９―トリオキサウンデシル）
アミン、 式 Ｎ（―CH2−CH2−Ｏ−CH2−CH2−Ｏ−
C3H7）3 のトリス（３，６―ジオキサノニル）アミン、 式 Ｎ（―CH2−CH2−Ｏ−CH2−CH2−Ｏ−
CH2−CH2−Ｏ−C8H7）3 のトリス（３，６，９―トリオキサドデシル）ア
ミン、 式 Ｎ（―CH2−CH2−Ｏ−CH2−CH2−Ｏ−
C4H9）3 のトリス（３，６―ジオキサデシル）アミン、 式 Ｎ（―CH2−CH2−Ｏ−CH2−CH2−Ｏ−
CH2−CH2−Ｏ−C4H9）3 のトリス（３，６，９―トリオキサトリデシル）
アミン、 式 Ｎ（―CH2−CH2−Ｏ（―CH2−CH2−Ｏ）3−
CH3）3 のトリス（３，６，９，12―テトラオキサトリデ
シル）アミン、 式 Ｎ（―CH2−CH2−Ｏ−（CH2−CH2−Ｏ）―
5CH2）3 のトリス（３，６，９，12，15，18―ヘキサオキ
サノニルドデシル）アミン、 式 Ｎ（―CH2−CH2−OCH−（CH3）−CH2−
Ｏ−CH3）3 のトリス（３，６―ジオキサ―４―メチルヘプチ
ル）アミン、 式 Ｎ（―CH2−CH−（CH3）−OCH（CH3）−
CH2−Ｏ−CH3）3 のトリス（３，６―ジオキサ―２，４―ジメチル
ヘプチル）アミン、 から選定されることを特徴とする特許請求の範囲
第４項記載の方法。 １０ 巨大環式ポリエーテルが、一般式 の化合物から選定されることを特徴とする特許請
求の範囲第５項記載の方法。 １１ 巨大環式又は二環式化合物が、一般式 の化合物から選定されることを特徴とする特許請
求の範囲第６項記載の方法。 １２ グラフト化金属イオン封鎖剤において一般
式（）の官能基が、次の式の基、 から選定されるものであることを特徴とする特許
請求の範囲第７項記載の方法。 １３ 有機重合体が、スチレン及びメチルスチレ
ンの如きビニル芳香族化合物から誘導される重合
体並びにスチレンとブタジエンとの共重合体及び
スチレンとイソブレンとの共重合体の如きビニル
芳香族化合物とC4〜C6共役ジエンとの共重合体
から選定されることを特徴とする特許請求の範囲
第７又は１２項記載の方法。 １４ 第一工程を実施する際の温度が−30℃と反
応媒体との沸騰温度との間そして好ましくは15℃
〜120℃の間であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の方法。 １５ 触媒（担持触媒系の場合には後者の活性
基）対原シラン（メチルジクロルシラン及びトリ
クロルシラン及び（又は）テトラクロルシラン）
のモル比が好ましくは10〜0.0001の間であるよう
な量で触媒を用いることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の方法。 １６ トリクロルシラン及び（又は）テトラクロ
ルシラン対メチルジクロルシランのモル比が好ま
しくは0.05〜５の間であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の方法。 １７ 第一及び（又は）第二工程を溶剤の存在下
に実施し、そして溶剤対原シランの全部のモル比
が０〜100そして好ましくは０〜10の間であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方
法。 １８ ジメチルクロルシランが反応せしめられる
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方
法。 １９ 反応媒体からのジクロルシランの分離が、
それを形成したときに又は反応媒体の加熱による
再配列の後のどちらかで反応媒体を気化させて除
去することによつて実施されることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の方法。 ２０ クロルシラン及び触媒及びその溶剤が逆方
向で流れるような塔において第二工程を実施し、
塔の頭部における温度が−50℃〜120℃好ましく
は−30℃〜40℃の間であり、塔の底部における温
度が０〜120℃好ましくは15℃〜60℃の間であり、
そして該頭部における温度が底部における温度以
下であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の方法。 ２１ 溶剤が、シクロヘキサン、トルエン、ベン
ゼン、クロルベンゼン、オルトジクロルベンゼ
ン、１，１，２，２―テトラクロルベンゼン、ヘ
プタン、ジクロルエーテル、塩化メチレン、テト
ラヒドロフラン、ジオキサン及びジメトキシエタ
ンから選定されることを特徴とする特許請求の範
囲第１７項記載の方法。 ２２ 触媒（又は、担持触媒系の場合には後者の
活性基）対ジクロルシランのモル比が好ましくは
2.0〜0.0002の間になるような割合で触媒を使用
することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の方法。 ２３ 塔の頭部から生じるガス状シランにクロル
シランの選択的溶媒和を生ぜしめる溶剤を接触さ
せることによつて又は残留クロルシランを低温度
への冷却によつて液化することによつて可能性の
ある残留クロルシランを分離した後にシランを回
収することを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8315405 | 1983-09-28 | ||
| FR8315405A FR2552434B1 (fr) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | Procede de fabrication de silane a partir de methyldichlorosilane et de chlorosilanes |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6096520A JPS6096520A (ja) | 1985-05-30 |
| JPH022803B2 true JPH022803B2 (ja) | 1990-01-19 |
Family
ID=9292614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59202155A Granted JPS6096520A (ja) | 1983-09-28 | 1984-09-28 | メチルジクロルシラン及びクロルシランからシランを製造する方法 |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4605543A (ja) |
| EP (1) | EP0138669B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6096520A (ja) |
| AT (1) | ATE36336T1 (ja) |
| AU (1) | AU3352584A (ja) |
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