JPH02283012A - 有機被膜除去装置 - Google Patents

有機被膜除去装置

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Publication number
JPH02283012A
JPH02283012A JP1103464A JP10346489A JPH02283012A JP H02283012 A JPH02283012 A JP H02283012A JP 1103464 A JP1103464 A JP 1103464A JP 10346489 A JP10346489 A JP 10346489A JP H02283012 A JPH02283012 A JP H02283012A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solvent
organic film
unit
nozzle
wall
Prior art date
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Pending
Application number
JP1103464A
Other languages
English (en)
Inventor
Toru Nomura
徹 野村
Akira Sano
彰 佐野
Tadashi Aoki
正 青木
Hirotatsu Kodama
宏達 児玉
Norihisa Kitamura
北村 則久
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
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Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
Priority to JP1103464A priority Critical patent/JPH02283012A/ja
Publication of JPH02283012A publication Critical patent/JPH02283012A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、半導体デバイス上に表面保護のために形成さ
れた有機被膜を溶剤により溶解・除去するための装置に
関するものである。
(従来の技術) 従来、半導体デバイス上の有機被膜除去の方法としては
、有機被膜をピンセット等を用いてはがし取ることによ
って除去していた。すなわち、有機被膜の形成された半
導体デバイスを顕微鏡で観察しながら、1つ1つ単体で
処理していた。
(発明が解決しようとする課題) 有機被膜をピンセラI−ではがし取る場合は、ピンセッ
トの先で半導体デバイスに傷をつけたり、また有機被膜
の形成された半導体デバイス1つ1つについて単体で処
理を行なうため、多大な時間と労力とを必要とした。
(課題を解決するための手段) 以上のような問題を解決するために、本発明は次のよう
な構成としている。すなわち、本発明に係る装置は、第
1−溶剤噴出用ノズルのついた有機被膜溶解ユニット(
A)と、第2溶剤噴出用ノズルのついた有機被膜溶解ユ
ニット(B)と、超純水噴出用ノズルのついた有機被膜
溶解後の半導体デバイスの水洗ユニット(C)、および
室温を含む温度制御も可能な加熱乾燥用送風口のついた
乾燥ユニット(D)との4つのユニットの組合せにより
なっている。
そして、ユニツ1’(A)およびユニット(B)には溶
剤の飛散防止のために、ユニット(C)には超純水の飛
散防止のために、ユニット(D)には乾燥効果を高める
ために、それぞれ壁でノズルおよび送風1コの少なくと
も一方向を囲んでいる。
マタ、ユニット(A)、ユニット(B)、ユニット(C
)、ユニット(D)のそれぞれのユニットは単体ではな
く、複数の構成とすることも可能である。
(作 用) 有機被膜溶解ユニット(A)のノズルより第1溶剤を噴
出して半導体デバイス上に形成された有機被膜に吹き付
け、有機被1摸を溶解し1次に、有機被膜溶解ユニット
(B)のノズルより第2溶剤を噴出して半導体デバイス
上の溶解した有機被膜を完全に溶解・除去し、次に、有
機被膜が溶解・除去された半導体デバイスを水洗ユニッ
ト(C)のノズルより超純水を、噴出させ、半導体デバ
イスを水洗し、最後に、水洗された半導体デバイスを乾
燥ユニット(D)より乾燥する。
ユニット(A)、ユニット(B)、ユニット(C)。
ユニット(D)のそれぞれのユニットを複数で構成すわ
ば同時に多数の有機被膜を溶解・除去して、半導体デバ
イスの洗浄、に燥をすることができる。
(実施例) 本発明の実施例を、図面を参照しながら説明する。
第1図は、本発明の有機被膜溶解ユニット(A)の実施
例を示している。第1図の有機被膜溶解ユニッ1−(A
)は、第1溶剤噴出用ノズル1.溶剤飛散防止用壁2.
廃液回収用配管3.溶剤供給装置4、溶剤供給用配管5
.溶剤タンク6からなっている。
第2図は1本発明の有機被膜溶解ユニットCB)の実施
例を示している。第2図の有機被膜溶解ユニット(B)
は、第2溶剤噴出用ノズル7、溶剤飛散防止用壁2.廃
液回収用配管3.溶剤供給装置4、溶剤供給用配管5.
溶剤タンク6からなっている。
第3図は1本発明の水洗ユニット(C)の実施例を示し
ている。第3図の水洗ユニット(C)は、超純水噴出用
ノズル8.超純水飛散防止用壁9.廃液回収用配管3.
超純水供給装置10.超純水供給用配管11.超純水タ
ンク】2からなっている。
第4図は、本発明の乾燥ユニット(D)の実施例を示し
ている。第4図の乾燥ユニット(D)は、室温を含む温
度制御も可能な加熱乾燥用送風口13゜乾燥効果向上用
壁14.廃水回収用配管15.乾燥用ガス供給袋[16
,乾燥用ガス供給用配管17.ガス加熱用ヒータ18.
ガス供給口19からなっている。
第5図は、第1図、第2図、第3図および第4図で示し
たそれぞれのユニットを複数にして。
括にしたものである。
本発明に係る有機被膜除去装置により半導体デバイス上
に形成された有機被膜を除去するには、次のようにする
。
まず、有機被膜の形成された半導体デバイスを有機被膜
の面をノズル側に向けて、有機被膜溶解ユニット(A)
のノズル1上方に固定する。この場合、ノズル1と半導
体デバイスとの間には距離をおく。ここでノズル1から
第1溶剤が噴出され半導体デバイス上に形成された有機
被膜にふきつけられ、有機被膜は溶解される。次に、有
機被膜の溶解された半導体デバイスを有機被膜溶解ユニ
ット(B)のノズル7上方に固定する。この場合もノズ
ルと半導体デバイスとの間には距離をおく。ここでノズ
ル7から第2溶剤が噴出され半導体デバイス上に形成さ
れた有機被膜は完全に溶解・除去される。次に、有機被
膜が溶解・除去された半導体デバイスを水洗ユニットC
C’)のノズル8上方に固定する。この場合もノズルは
半導体デバイスとの間には距離をおく。ここで超純水が
ノズル8から噴出され、半導体デバイスは水洗される。
最後に水洗された半導体デバイスを乾燥ユニット(D)
の送風口13上に固定する。この場合も送風口と半導体
デバイスとの間には距離をおく。ここで送風口13から
の加熱ガスによって、半導体デバイスは乾燥される。
ユニット(A)、ユニット(B)、ユニット(C)。
ユニット(D)のそれぞれのユニットは複数で構成され
ているので、同時に多数の有機被膜を溶解・除去して、
半導体デバイスの水洗・乾燥をすることができる。
(発明の効果) 本発明によれば、従来のように顕微鏡でwl察しながら
ピンセットで1枚1枚有機被膜をはがし取る必要がなく
、神経を使うことなくきわめて容易にかつ正確に有機被
膜を除去することができるのである。もちろん、ピンセ
ラ1〜ではがし取るといった物理的な力は用いていない
ので、半導体デバイスに傷をつけることはない。そして
、同時に多数の有機被膜を除去できるので、労力2時間
を最少限におさえることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の有機被膜溶解ユニット(A)の実施
例を示す断面図、第2図は、本発明の有機被膜溶解ユニ
ット(B)の実施例を示す断面図、第3図は1本発明の
水洗ユニット(C)の実施例を示す断面図、第4図は、
本発明の乾燥ユニット(D)の実施例を示す断面図、第
5図は、第1図、第2図、第3図および第4図のそれぞ
れのユニットを一括し、本発明に係る有機被膜除去装置
を示した断面図である。 l ・・・第1溶剤噴出用ノズル、 2・・・溶剤飛散
防止用壁、 3 ・・・廃液回収用配管、4・・・溶剤
供給装置、 5・・・溶剤供給用配管、 6 ・・・溶
剤タンク、 7 ・・・第2溶剤噴出用ノズル、 8・
・・超純水噴出用ノズル、 9 ・・・超純水飛散防止
用壁、10・・・超純水供給装置、11・・・超純水供
給用配管、12・・・超純水タンク、13・・・室温を
含む温度制御も可能な加熱乾燥用送風口、14・・・乾
燥効果向上用壁、15・・廃水回収用配管、  16・
・・乾燥用ガス供給装置、  17・・・乾燥用ガス供
給用配管、18・・・ガス加熱用ヒータ、 19・・・
ガス供給口。 第1図 屑機桔l爽迫解ユニット(A) 特許出願人 松下電子工業株式会社 第 図 内機キ友オ屹透シカ早ユニ7ト(B) 第 図 第 図 水洗ユニット (C)

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)有機物で形成された被膜を溶解するための、第1
    の溶剤を噴出させるノズルを有し、かつ溶剤の飛散を防
    止するために少なくとも一方向の壁を設けて上記ノズル
    を囲む溶剤飛散防止用壁、該溶剤飛散防止用壁の下部に
    接続した、廃液回収用配管および溶剤供給装置を備えた
    第1の有機被膜溶解ユニットと、第1の有機被膜溶解ユ
    ニットにより溶解された溶解被膜をさらに溶解・除去す
    るための第2の溶剤を噴出させるノズルを有し、かつ溶
    剤の飛散を防止するために少なくとも一方向の壁を設け
    て上記ノズルを囲む溶剤飛散防止用壁、該溶剤飛散防止
    用壁の下部に接続した廃液回収用配管および溶剤供給装
    置を備えた第2の有機被膜溶解ユニットと、有機被膜溶
    解後の半導体デバイスを洗浄するための、超純水を噴出
    させるノズルを有し、かつ、超純水の飛散を防止するた
    めに少なくとも一方向の壁を設けて上記ノズルを囲む超
    純水飛散防止用壁、該超純水飛散防止用壁の下部に接続
    した廃液回収用配管および超純水供給装置を備えた水洗
    ユニットと洗浄後の半導体デバイスを乾燥させるための
    乾燥ユニットとからなることを特徴とする有機被膜除去
    装置。
  2. (2)各ユニットをそれぞれ複数で構成する請求項(1
    )に記載する有機被膜除去装置。
JP1103464A 1989-04-25 1989-04-25 有機被膜除去装置 Pending JPH02283012A (ja)

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