JPH01253923A - 塗布膜除去装置 - Google Patents
塗布膜除去装置Info
- Publication number
- JPH01253923A JPH01253923A JP63082009A JP8200988A JPH01253923A JP H01253923 A JPH01253923 A JP H01253923A JP 63082009 A JP63082009 A JP 63082009A JP 8200988 A JP8200988 A JP 8200988A JP H01253923 A JPH01253923 A JP H01253923A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coating film
- nozzle
- semiconductor wafer
- fluid
- jetted out
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えばフォトレジスト等のウェハ塗布膜を除
去する場合に使用する塗布膜除去装置に関する。
去する場合に使用する塗布膜除去装置に関する。
一般に、この種の塗布膜除去装置は半導体製造プロセス
における薬液塗布後に使用する装置として知られており
、従来より第３図に示すように構成されている。これを
同図に基づいて概略説明すると、同図において、符号１
で示すものはレジストカップ（図示せず）の内部に設置
され薬液２を噴射するノズル、３はこのノズル１下方に
設けられフォトレジスト等の塗布膜４が形成された半導
体ウェハである。
における薬液塗布後に使用する装置として知られており
、従来より第３図に示すように構成されている。これを
同図に基づいて概略説明すると、同図において、符号１
で示すものはレジストカップ（図示せず）の内部に設置
され薬液２を噴射するノズル、３はこのノズル１下方に
設けられフォトレジスト等の塗布膜４が形成された半導
体ウェハである。
このように構成された塗布膜除去装置を用いて塗布膜の
エツジ部分を除去するには、半導体ウェハ３上の塗布膜
４のエツジ部分に対してノズル１から薬液２を滴下する
ことにより行う。
エツジ部分を除去するには、半導体ウェハ３上の塗布膜
４のエツジ部分に対してノズル１から薬液２を滴下する
ことにより行う。
ところで、従来の塗布膜除去装置においては、除去時に
半導体ウェハ３上の塗布膜４を押さえる機能を備えてお
らず、このためノズル１による噴射力が塗布膜４のエツ
ジ部分に側方から作用してこのエツジ部分が第４図に矢
印Ａで示すように盛り上がっていた。この結果、後工程
で塗布膜４の一部が剥離してパターン欠陥となり、半導
体製品としての品質が低下するという問題があった。
半導体ウェハ３上の塗布膜４を押さえる機能を備えてお
らず、このためノズル１による噴射力が塗布膜４のエツ
ジ部分に側方から作用してこのエツジ部分が第４図に矢
印Ａで示すように盛り上がっていた。この結果、後工程
で塗布膜４の一部が剥離してパターン欠陥となり、半導
体製品としての品質が低下するという問題があった。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、半導体
製造プロセスにおけるパターン欠陥を低減することがで
き、もって半導体製品としての品質を向上させることが
できる塗布膜除去装置を提供するものである。
製造プロセスにおけるパターン欠陥を低減することがで
き、もって半導体製品としての品質を向上させることが
できる塗布膜除去装置を提供するものである。
本発明に係る塗布膜除去装置は、ウェハ塗布膜のエツジ
部分を除去する流体を噴射する第１のノズルと、このノ
ズルの近傍に設けられウェハ塗布膜の周縁一部に対して
流体を噴射する第２のノズルとを備えたものである。
部分を除去する流体を噴射する第１のノズルと、このノ
ズルの近傍に設けられウェハ塗布膜の周縁一部に対して
流体を噴射する第２のノズルとを備えたものである。
本発明においては、第２のノズルから噴射する流体によ
って半導体ウェハ上の塗布膜の周縁一部を押さえ、この
状態で第１のノズルから噴射する流体によって塗布膜の
エツジ部分を除去することができる。
って半導体ウェハ上の塗布膜の周縁一部を押さえ、この
状態で第１のノズルから噴射する流体によって塗布膜の
エツジ部分を除去することができる。
第１図は本発明に係る塗布膜除去装置を示す断面図で、
同図以下において第３図および第４図と同一の部材につ
いては同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。同図
において、符号１１で示すものは薬液２を噴射する第１
のノズルで、レジストカップ（図示せず）の内部に設置
されており、噴射時に前記半導体ウェハ３上の塗布膜４
のエツジ部分を除去するように構成されている。１２は
前記塗布膜４の周縁一部に対して例えばＮ！ガス等の流
体１３を噴射する第２のノズルで、前記第１のノズル１
１の近傍に設けられている。この第２のノズル１２は、
前記第１のノズル１１１に対して４５″以下の傾斜角度
をもつ角度に設定されている。また、この第２のノズル
１２および前記第１のノズル１１のノズル口径は１ｆｌ
以下の寸法に設定されている。なお、図中、矢印Ｂは塗
布膜４の除去時において吹き飛ばされた薬液２を示す。
同図以下において第３図および第４図と同一の部材につ
いては同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。同図
において、符号１１で示すものは薬液２を噴射する第１
のノズルで、レジストカップ（図示せず）の内部に設置
されており、噴射時に前記半導体ウェハ３上の塗布膜４
のエツジ部分を除去するように構成されている。１２は
前記塗布膜４の周縁一部に対して例えばＮ！ガス等の流
体１３を噴射する第２のノズルで、前記第１のノズル１
１の近傍に設けられている。この第２のノズル１２は、
前記第１のノズル１１１に対して４５″以下の傾斜角度
をもつ角度に設定されている。また、この第２のノズル
１２および前記第１のノズル１１のノズル口径は１ｆｌ
以下の寸法に設定されている。なお、図中、矢印Ｂは塗
布膜４の除去時において吹き飛ばされた薬液２を示す。
このように構成された塗布膜除去装置においては、第２
のノズル１２から噴射するＮ！ガスによって半導体ウェ
ハ３上の塗布膜４の周縁一部を押さえ、この状態で第１
のノズル１１から噴射する薬液２によって塗布膜４のエ
ツジ部分を除去することができる。このとき、第２のノ
ズル１２から噴射するＮ２ガスは薬液２を半導体ウェハ
３の周囲に吹き飛ばす。
のノズル１２から噴射するＮ！ガスによって半導体ウェ
ハ３上の塗布膜４の周縁一部を押さえ、この状態で第１
のノズル１１から噴射する薬液２によって塗布膜４のエ
ツジ部分を除去することができる。このとき、第２のノ
ズル１２から噴射するＮ２ガスは薬液２を半導体ウェハ
３の周囲に吹き飛ばす。
したがって、本発明においては、第１のノズル１１によ
る噴射力が塗布膜４のエツジ部分に側方から作用しても
この部分が盛り上がらず第２図に示すように平坦な表面
にすることができるから、後工程で塗布膜４の剥離を防
止することができ、半導体製造プロセスにおけるパター
ン欠陥を低減することができる。
る噴射力が塗布膜４のエツジ部分に側方から作用しても
この部分が盛り上がらず第２図に示すように平坦な表面
にすることができるから、後工程で塗布膜４の剥離を防
止することができ、半導体製造プロセスにおけるパター
ン欠陥を低減することができる。
なお、本実施例においては、第２のノズル１２から噴射
する流体としてＮ２ガスである場合を示したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、例えば薬液２の溶剤
の飽和蒸気を使用しても何等差し支えない。
する流体としてＮ２ガスである場合を示したが、本発明
はこれに限定されるものではなく、例えば薬液２の溶剤
の飽和蒸気を使用しても何等差し支えない。
また、本実施例においては、フォトレジスト等の塗布膜
４を除去する場合に適用する例を示したが、本発明はこ
の他ポリイミドやシリカガラス等の塗布膜を除去する場
合にも適用可能である。
４を除去する場合に適用する例を示したが、本発明はこ
の他ポリイミドやシリカガラス等の塗布膜を除去する場
合にも適用可能である。
以上説明したように本発明によれば、ウェハ塗布膜のエ
ツジ部分を除去する流体を噴射する第１のノズルと、こ
のノズルの近傍に設けられウェハ塗布膜の周縁一部に対
して流体を噴射する第２のノズルとを備えたので、第２
のノズルから噴射する流体によって半導体ウェハ上の塗
布膜の周縁−部を押さえ、この状態で第１のノズルから
噴射する流体によって塗布膜のエツジ部分を除去するこ
とができる。したがって、除去時に第１のノズルによる
噴射力が塗布膜のエツジ部分に側方から作用してもこの
部分が盛り上がることがなくなるから、後工程で塗布膜
の剥離を防止して半導体製造プロセスにおけるパターン
欠陥を低減することができ、半導体製品としての品質を
確実に向上させることができる。
ツジ部分を除去する流体を噴射する第１のノズルと、こ
のノズルの近傍に設けられウェハ塗布膜の周縁一部に対
して流体を噴射する第２のノズルとを備えたので、第２
のノズルから噴射する流体によって半導体ウェハ上の塗
布膜の周縁−部を押さえ、この状態で第１のノズルから
噴射する流体によって塗布膜のエツジ部分を除去するこ
とができる。したがって、除去時に第１のノズルによる
噴射力が塗布膜のエツジ部分に側方から作用してもこの
部分が盛り上がることがなくなるから、後工程で塗布膜
の剥離を防止して半導体製造プロセスにおけるパターン
欠陥を低減することができ、半導体製品としての品質を
確実に向上させることができる。
第１図は本発明に係る塗布膜除去装置を示す断面図、第
２図は同じく本発明における塗布膜除去装置を用いて実
施した例を示す断面図、第３図は従来の塗布膜除去装置
を示す断面図、第４図はその塗布膜除去装置を用いて実
施した例を示す断面図である。 ３・・・・半導体ウェハ、４・・・・塗布膜、１１・・
・・第１のノズル、１２・・・・第２のノズル、１３・
・・・流体。 代 理 人 大 岩 増 雄第１図 １１；才１のノス”Ｉし 第２図
２図は同じく本発明における塗布膜除去装置を用いて実
施した例を示す断面図、第３図は従来の塗布膜除去装置
を示す断面図、第４図はその塗布膜除去装置を用いて実
施した例を示す断面図である。 ３・・・・半導体ウェハ、４・・・・塗布膜、１１・・
・・第１のノズル、１２・・・・第２のノズル、１３・
・・・流体。 代 理 人 大 岩 増 雄第１図 １１；才１のノス”Ｉし 第２図
Claims (1)
- ウェハ塗布膜のエッジ部分を除去する流体を噴射する
第１のノズルと、このノズルの近傍に設けられウェハ塗
布膜の周縁一部に対して流体を噴射する第２のノズルと
を備えたことを特徴とする塗布膜除去装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63082009A JPH01253923A (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | 塗布膜除去装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63082009A JPH01253923A (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | 塗布膜除去装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01253923A true JPH01253923A (ja) | 1989-10-11 |
Family
ID=13762523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63082009A Pending JPH01253923A (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | 塗布膜除去装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01253923A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05175117A (ja) * | 1991-12-24 | 1993-07-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板端縁洗浄装置 |
| EP1055463A3 (en) * | 1999-05-19 | 2003-01-15 | Ebara Corporation | Wafer cleaning apparatus |
| US6669809B2 (en) | 2000-02-25 | 2003-12-30 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Apparatus for removing a coating film |
| JP2006339209A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Sharp Corp | レジスト除去装置及び方法 |
-
1988
- 1988-04-01 JP JP63082009A patent/JPH01253923A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05175117A (ja) * | 1991-12-24 | 1993-07-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板端縁洗浄装置 |
| EP1055463A3 (en) * | 1999-05-19 | 2003-01-15 | Ebara Corporation | Wafer cleaning apparatus |
| US6615854B1 (en) | 1999-05-19 | 2003-09-09 | Ebara Corporation | Wafer cleaning apparatus |
| US7037853B2 (en) | 1999-05-19 | 2006-05-02 | Ebara Corporation | Wafer cleaning apparatus |
| US6669809B2 (en) | 2000-02-25 | 2003-12-30 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Apparatus for removing a coating film |
| JP2006339209A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Sharp Corp | レジスト除去装置及び方法 |
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