JPH02283018A - 半導体基体の処理方法及び半導体の製造方法 - Google Patents
半導体基体の処理方法及び半導体の製造方法Info
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- JPH02283018A JPH02283018A JP1083477A JP8347789A JPH02283018A JP H02283018 A JPH02283018 A JP H02283018A JP 1083477 A JP1083477 A JP 1083477A JP 8347789 A JP8347789 A JP 8347789A JP H02283018 A JPH02283018 A JP H02283018A
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- Japan
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- semiconductor
- substrate
- group
- zn5e
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は新しいオプトエレクトロニクス材料として注目
される■−■族化合物半導体の加工及び基体表面にある
加工変質層の除去に関するものと、その基体上への半導
体形成に関するものである。
される■−■族化合物半導体の加工及び基体表面にある
加工変質層の除去に関するものと、その基体上への半導
体形成に関するものである。
従来の技術
■−■族化合物半導体としてセレン化亜鉛の例をあげる
。セレン化亜鉛のバルクより適当な大きさの基板を切り
出し、研磨したものが用いられる。
。セレン化亜鉛のバルクより適当な大きさの基板を切り
出し、研磨したものが用いられる。
基板は化学エツチング液より処理された後に、前記基板
表面上にセレン化亜鉛膜を形成している（例えば、ジャ
ーナルオアクリスタルグロー１１９８８年８６巻３２４
〜３２８ページ）。
表面上にセレン化亜鉛膜を形成している（例えば、ジャ
ーナルオアクリスタルグロー１１９８８年８６巻３２４
〜３２８ページ）。
発明が解決しようとする課題
しかし、基板の切り出し、研磨による基板表面の加工変
質層はμｍのオーダーで存在しており、従来からの化学
エツチングでは、■族元素が表面に残留しやすく、表面
が荒れやすい。そのため、基板を鏡面状態でしかもμｍ
オーダーのエツチングを施すことには化学エツチング液
による方法では不可能であった。清浄にしかも平坦にエ
ツチングされていない基板上へ形成した半導体膜は品質
は十分に高くなかった。
質層はμｍのオーダーで存在しており、従来からの化学
エツチングでは、■族元素が表面に残留しやすく、表面
が荒れやすい。そのため、基板を鏡面状態でしかもμｍ
オーダーのエツチングを施すことには化学エツチング液
による方法では不可能であった。清浄にしかも平坦にエ
ツチングされていない基板上へ形成した半導体膜は品質
は十分に高くなかった。
課題を解決するための手段
ｎ−Ｖｌ族元素からなる半導体基板をカソード電極上に
設置し、ハロゲンを含む１０ｍＴｏｒｒ以上８０ｍＴ。
設置し、ハロゲンを含む１０ｍＴｏｒｒ以上８０ｍＴ。
ｒｒ以下の圧力のガスに高周波をかけ放電を起こし、生
じたハロゲンを含むガスのプラズマ中のイオン及び中性
粒子を利用することによって半導体基板エツチングする
。また、こうして加工変質層の除去された基板が得られ
たのち、この基板を真空中で４００℃以上６６０℃以下
の範囲の温度に加熱した後に、成長温度に設定し、基板
上に半導体形成を行なう。
じたハロゲンを含むガスのプラズマ中のイオン及び中性
粒子を利用することによって半導体基板エツチングする
。また、こうして加工変質層の除去された基板が得られ
たのち、この基板を真空中で４００℃以上６６０℃以下
の範囲の温度に加熱した後に、成長温度に設定し、基板
上に半導体形成を行なう。
作用
この技術的手段による作用は次のようになる。
ハロゲンを含む１０ｍＴｏｒｒ以上８０ｍＴｏｒｒ以下
の圧力のガスのプラズマによるエツチングは、■−■族
化合物半導体の■族元素を残留させることなく均一にエ
ツチング可能であり、得られた面は、平坦で鏡面を呈し
ており、エピタキシャル成長の基板として十分であるこ
とを発見した。しかもエツチング速度は毎時２μｍ以上
の高速性があり、十分に実用的であることが判明した。
の圧力のガスのプラズマによるエツチングは、■−■族
化合物半導体の■族元素を残留させることなく均一にエ
ツチング可能であり、得られた面は、平坦で鏡面を呈し
ており、エピタキシャル成長の基板として十分であるこ
とを発見した。しかもエツチング速度は毎時２μｍ以上
の高速性があり、十分に実用的であることが判明した。
上記の基板処理方法によって得られた加工変質層のない
基板を加熱による熱エツチングにより基板表面上の酸化
膜を取り除いた基板上に形成した半導体膜は高品質であ
る。
基板を加熱による熱エツチングにより基板表面上の酸化
膜を取り除いた基板上に形成した半導体膜は高品質であ
る。
実施例
以下、図面に基づき、本発明の一実施例を示す。
第１図（ａ）に示すセレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）のバルク
より切り出し、研磨されたＺｎ５ｅ基撮ｌは、まず有機
溶剤によって脱脂・洗浄を行なう。１０は加工変質層で
ある０次に基板処理装置のカソード電極上にＺｎ５ｅ基
板ｌを設置し、装置内を排気する。１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程
度の高真空にし、装置内壁やＺ ｎｓｅ基板に吸着した
物質を排気した後に三塩化ホウ素ガスを基板処理装置に
導入する。塩素ガスまたは塩化水素ガスまたはフロンガ
スまたは臭素ガスまたはヨウ化水素ガス等のハロゲンガ
スにおいても同様の効果がある。電極に高周波をかけ放
電を起こす。３０は三塩化ホウ素のプラズマである高周
波のパワーは約１．１Ｗ１ｃｎ＋２程度である。放電中
、カソード電極を水冷し、Ｚｎ５ｅ基板！の温度が高く
ならないようにした。加工変質層ＩＯの厚さは加工方法
により異なるがおよそ１μｍ以上であるため、エツチン
グ量は１μｍ以上必要である。本実施例では１０８ｍエ
ツチングし、第１図（ｂ）に示す基板を得た。高周波パ
ワー１、Ｈ／Ｉｃａ＋２におけるエツチング速度は三塩
化ホウ素のガス圧が３３ａ＋Ｔｏｒｒのとき、およそ毎
時２０μｍ、また６０ｍＴｏｒｒのときはおよそ毎時３
０μ側と高速度であったことから、エツチング時間はそ
れぞれの場合で３０分間および２０分間であった。１ｏ
μ磨エツチングしたＺｎ５ｅ基板表面は、平坦で鏡面を
呈しており、従来問題となっていたＳｅの残留はなかっ
た。Ｚｎ５ｅ基板として研磨面並びに前述のエツチング
処理した面を用いたＺｎ５ｅのホモエピタキシャル成長
について記す。成長方法としては低温成長であるために
自己補償効果等が抑えられる分子線エピタキシー法また
は有機金属気相成長法が好適である。以下、分子線エピ
タキシー法を用いた場合について記す。前述のＺｎ５ｅ
基板ｌを成長室に導入し、１０−”Ｔｏｒｒ以下の超高
真空下で成長直前に６００℃、１０分間の熱エツチング
を施し、Ｚｎ５ｅ基板１表面に形成された酸化膜を昇華
させ、清浄なＺｎ５ｅ面を出した。
より切り出し、研磨されたＺｎ５ｅ基撮ｌは、まず有機
溶剤によって脱脂・洗浄を行なう。１０は加工変質層で
ある０次に基板処理装置のカソード電極上にＺｎ５ｅ基
板ｌを設置し、装置内を排気する。１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程
度の高真空にし、装置内壁やＺ ｎｓｅ基板に吸着した
物質を排気した後に三塩化ホウ素ガスを基板処理装置に
導入する。塩素ガスまたは塩化水素ガスまたはフロンガ
スまたは臭素ガスまたはヨウ化水素ガス等のハロゲンガ
スにおいても同様の効果がある。電極に高周波をかけ放
電を起こす。３０は三塩化ホウ素のプラズマである高周
波のパワーは約１．１Ｗ１ｃｎ＋２程度である。放電中
、カソード電極を水冷し、Ｚｎ５ｅ基板！の温度が高く
ならないようにした。加工変質層ＩＯの厚さは加工方法
により異なるがおよそ１μｍ以上であるため、エツチン
グ量は１μｍ以上必要である。本実施例では１０８ｍエ
ツチングし、第１図（ｂ）に示す基板を得た。高周波パ
ワー１、Ｈ／Ｉｃａ＋２におけるエツチング速度は三塩
化ホウ素のガス圧が３３ａ＋Ｔｏｒｒのとき、およそ毎
時２０μｍ、また６０ｍＴｏｒｒのときはおよそ毎時３
０μ側と高速度であったことから、エツチング時間はそ
れぞれの場合で３０分間および２０分間であった。１ｏ
μ磨エツチングしたＺｎ５ｅ基板表面は、平坦で鏡面を
呈しており、従来問題となっていたＳｅの残留はなかっ
た。Ｚｎ５ｅ基板として研磨面並びに前述のエツチング
処理した面を用いたＺｎ５ｅのホモエピタキシャル成長
について記す。成長方法としては低温成長であるために
自己補償効果等が抑えられる分子線エピタキシー法また
は有機金属気相成長法が好適である。以下、分子線エピ
タキシー法を用いた場合について記す。前述のＺｎ５ｅ
基板ｌを成長室に導入し、１０−”Ｔｏｒｒ以下の超高
真空下で成長直前に６００℃、１０分間の熱エツチング
を施し、Ｚｎ５ｅ基板１表面に形成された酸化膜を昇華
させ、清浄なＺｎ５ｅ面を出した。
その後、第１図（Ｃ）に示すごとく基板温度を３２５℃
に設定し、亜鉛とセレンのビームを同時に照射すること
によってＺｎ５ｅのホモエピタキシャル１１！２０を形
成する。成長直前の加熱温度は、４００℃から６６０℃
の温度範囲が良い。４００℃以上にすることにより、基
板表面の酸化膜が昇華するが、６６０℃以上ではロー■
族化合物半導体基板自身が、劣下するためである。第５
図に基板処理を行なわない研磨面のＺｎ５ｅ基板に形成
したＺｎ５ｅホモエピタキシヤル膜の１１Ｋにおけるフ
ォトルミネッセンス・スペクトルを示す。高い品質を示
すエキシトン発光は弱く、欠陥等の低品質性に起因する
７発光、Ｓ発光が支配的であり、研磨面上に形成したＺ
ｎ５ｅホモエピタキシヤル膜は低品質である。
に設定し、亜鉛とセレンのビームを同時に照射すること
によってＺｎ５ｅのホモエピタキシャル１１！２０を形
成する。成長直前の加熱温度は、４００℃から６６０℃
の温度範囲が良い。４００℃以上にすることにより、基
板表面の酸化膜が昇華するが、６６０℃以上ではロー■
族化合物半導体基板自身が、劣下するためである。第５
図に基板処理を行なわない研磨面のＺｎ５ｅ基板に形成
したＺｎ５ｅホモエピタキシヤル膜の１１Ｋにおけるフ
ォトルミネッセンス・スペクトルを示す。高い品質を示
すエキシトン発光は弱く、欠陥等の低品質性に起因する
７発光、Ｓ発光が支配的であり、研磨面上に形成したＺ
ｎ５ｅホモエピタキシヤル膜は低品質である。
三塩化ホウ素のガス圧を３３ｍＴｏｒｒに設定して上記
条件のエツチングを施した基板上に形成したＺｎ５ｅホ
モエピタキシヤル膜のフォトルミネッセンス・スペクト
ルを第３図に示す。三塩化ホウ素のガス圧を６０ｍＴｏ
ｒｒに設定した場合のＺｎ５ｅホモエピタキシヤル膜の
スペクトルを第４図に示す。第３図、第４図共に高い品
質を示すエキシトン発光が支配的であり、低い品質を示
すＹやＳ発光は弱く、この半導体膜は高品質である。以
上に示したように、本発明者らは三塩化ホウ素のプラズ
マによってＺｎ５ｅ基板をエツチング加工することがで
き、そのエツチングされたＺｎ５ｅ基板はＳｅ等の残留
がなく洗浄であることを発見した。また本エツチング方
法によって加工変質層を取り除いたＺｎ５ｅ基板上には
高品質なＺｎ５ｅホモエピタキシヤル膜が形成できるこ
とを発見した。高品質半導体膜が形成できる基板の処理
条件を第２図を用いて説明する。半導体膜の品質は基板
の処理条件の１つである三塩化ホウ素のガス圧に大きく
依存する。Ｚｎ５ｅの品質はＩＩＫにおけるフォトルミ
ネッセンス・スペクトル中の自由励起子発光強度によっ
て表わされる。第２図に示すように三塩化ホウ素の圧力
が８０ｍＴｏｒｒ以下の条件ではホモエピタキシャル膜
は基板よりも高品質になることから、三塩化ホウ素の圧
力は８０ａ＋Ｔｏｒｒ以下にすることが望ましいことを
、本発明者らは発見した。特に、三塩化ホウ素の圧カカ
月０＋＋Ｔｏｒｒから８０ｍＴｏｒｒの範囲にある条件
の場合は処理した基板の品質及びホモエピタキシャル膜
共に高い品質になることを見い出した。なお、本発明に
おいては塩素に限らず、フッ素、臭素、またはヨウ素等
のハロゲン元素を含むガスを用いたＩＩ−Ｖｌ族化合物
半導体の加工及び処理に適用である。硫化亜鉛（ＺｎＳ
）、硫化セレン化曲鉛（ＺｎＳｘＳｅ＋−ｘ）、硫化亜
鉛カドミウム（ＺｎｒＣｄ＋−ＸＳ）、テルル化亜鉛（
ＺｎＴｅ）、テルル化力ドシウム（ＣｄＴｅ）、セレン
化カドミウム（ＣｄＳｅ）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）
等のイオウまたはセレンまたはテルルまたはホロニウム
を含む■−■族化合物半導体は化学エツチング液による
エツチングでは、イオウまたはセレンまたはテルルまた
はボロニウムが単体として析出し、残留しやすいが、本
発明のごとくハロゲンを含むガスによるエツチングでは
、■族元素と同様に■族元素も取り除くために、清浄な
面が得られることから、■−■族化合物半導体に対して
極めて有効であることを発明した。
条件のエツチングを施した基板上に形成したＺｎ５ｅホ
モエピタキシヤル膜のフォトルミネッセンス・スペクト
ルを第３図に示す。三塩化ホウ素のガス圧を６０ｍＴｏ
ｒｒに設定した場合のＺｎ５ｅホモエピタキシヤル膜の
スペクトルを第４図に示す。第３図、第４図共に高い品
質を示すエキシトン発光が支配的であり、低い品質を示
すＹやＳ発光は弱く、この半導体膜は高品質である。以
上に示したように、本発明者らは三塩化ホウ素のプラズ
マによってＺｎ５ｅ基板をエツチング加工することがで
き、そのエツチングされたＺｎ５ｅ基板はＳｅ等の残留
がなく洗浄であることを発見した。また本エツチング方
法によって加工変質層を取り除いたＺｎ５ｅ基板上には
高品質なＺｎ５ｅホモエピタキシヤル膜が形成できるこ
とを発見した。高品質半導体膜が形成できる基板の処理
条件を第２図を用いて説明する。半導体膜の品質は基板
の処理条件の１つである三塩化ホウ素のガス圧に大きく
依存する。Ｚｎ５ｅの品質はＩＩＫにおけるフォトルミ
ネッセンス・スペクトル中の自由励起子発光強度によっ
て表わされる。第２図に示すように三塩化ホウ素の圧力
が８０ｍＴｏｒｒ以下の条件ではホモエピタキシャル膜
は基板よりも高品質になることから、三塩化ホウ素の圧
力は８０ａ＋Ｔｏｒｒ以下にすることが望ましいことを
、本発明者らは発見した。特に、三塩化ホウ素の圧カカ
月０＋＋Ｔｏｒｒから８０ｍＴｏｒｒの範囲にある条件
の場合は処理した基板の品質及びホモエピタキシャル膜
共に高い品質になることを見い出した。なお、本発明に
おいては塩素に限らず、フッ素、臭素、またはヨウ素等
のハロゲン元素を含むガスを用いたＩＩ−Ｖｌ族化合物
半導体の加工及び処理に適用である。硫化亜鉛（ＺｎＳ
）、硫化セレン化曲鉛（ＺｎＳｘＳｅ＋−ｘ）、硫化亜
鉛カドミウム（ＺｎｒＣｄ＋−ＸＳ）、テルル化亜鉛（
ＺｎＴｅ）、テルル化力ドシウム（ＣｄＴｅ）、セレン
化カドミウム（ＣｄＳｅ）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）
等のイオウまたはセレンまたはテルルまたはホロニウム
を含む■−■族化合物半導体は化学エツチング液による
エツチングでは、イオウまたはセレンまたはテルルまた
はボロニウムが単体として析出し、残留しやすいが、本
発明のごとくハロゲンを含むガスによるエツチングでは
、■族元素と同様に■族元素も取り除くために、清浄な
面が得られることから、■−■族化合物半導体に対して
極めて有効であることを発明した。
エツチングした■−■族化合物半導体上には■−■族化
合物半導体の膜に限らず、Ｇａｒｂ、 ｌｎＰ、 Ｉｎ
Ａｓ。
合物半導体の膜に限らず、Ｇａｒｂ、 ｌｎＰ、 Ｉｎ
Ａｓ。
ＧａＡｓ、ＧａＰ、Ｓｉ 、Ｇｅ等の半導体膜が高品質
に形成することができる。
に形成することができる。
発明の効果
本発明によれば、■−■族化合物半導体を平坦で清浄な
面に加工することが可能であり、半導体基板上の加工変
質層を取り除いて高品質な半導体膜を形成可能となる。
面に加工することが可能であり、半導体基板上の加工変
質層を取り除いて高品質な半導体膜を形成可能となる。
第１図は本発明の一実施例のにおける半導体基板の処理
方法及びエピタキシャル成長の工程を示す断面図、第２
図は三塩化ホウ素のガス圧を変えて基板処理を行なった
場合の、処理したＺｎ５ｅ基板及びＺｎ５ｅホモエピタ
キシヤル膜の１１Ｋにおけるフォトルミネッセンス・ス
ペクトルの自由励起子発光強度の変化を示すグラフ、第
３図は、本発明の一実施例である、三塩化ホウ素のガス
圧３３ｍＴｏｒｒで基板処理を行なったＺｎ５ｅ基板上
に形成したＺｎ５ｅホモエピタキシヤル膜のＩＩＫにお
けるフォトルミネッセンス・スペクトル図、第４図は、
本発明の一実施例である。三塩化ホウ素のガス圧６０ｓ
Ｔｏｒｒで基板処理を行なったＺｎ５ｅ基板上に形成し
たＺｎ５ｅホモエピタキシヤル膜のＩｔＫにおけるフォ
トルミネッセンス・スペクトル図、第５図は、本発明に
従った基板処理を施さずに、研磨面のＺｎ５ｅ基板上に
形成したＺｎ５ｅホモエピタキシヤル膜の■ににおける
フォトルミネッセンス・スペクトル図である。 １・・・・Ｚ ｎｓｅ基板、１０・・・・加工変質層、
２０・・・・Ｚｎ５ｅホモエピタキシヤル膜、３０・・
・・三塩化ホウ素のプラズマ。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名図 Ｅ塩化ｅつ素力゛ス斥 Ｃ惧Ｔｏ〆と】ｓｔｗ
ｓｓ。 う！Ｌ 侵 （、ヮ） Ｓρ０ ６！０ ＝ＪＥ 号 師飢ン
方法及びエピタキシャル成長の工程を示す断面図、第２
図は三塩化ホウ素のガス圧を変えて基板処理を行なった
場合の、処理したＺｎ５ｅ基板及びＺｎ５ｅホモエピタ
キシヤル膜の１１Ｋにおけるフォトルミネッセンス・ス
ペクトルの自由励起子発光強度の変化を示すグラフ、第
３図は、本発明の一実施例である、三塩化ホウ素のガス
圧３３ｍＴｏｒｒで基板処理を行なったＺｎ５ｅ基板上
に形成したＺｎ５ｅホモエピタキシヤル膜のＩＩＫにお
けるフォトルミネッセンス・スペクトル図、第４図は、
本発明の一実施例である。三塩化ホウ素のガス圧６０ｓ
Ｔｏｒｒで基板処理を行なったＺｎ５ｅ基板上に形成し
たＺｎ５ｅホモエピタキシヤル膜のＩｔＫにおけるフォ
トルミネッセンス・スペクトル図、第５図は、本発明に
従った基板処理を施さずに、研磨面のＺｎ５ｅ基板上に
形成したＺｎ５ｅホモエピタキシヤル膜の■ににおける
フォトルミネッセンス・スペクトル図である。 １・・・・Ｚ ｎｓｅ基板、１０・・・・加工変質層、
２０・・・・Ｚｎ５ｅホモエピタキシヤル膜、３０・・
・・三塩化ホウ素のプラズマ。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名図 Ｅ塩化ｅつ素力゛ス斥 Ｃ惧Ｔｏ〆と】ｓｔｗ
ｓｓ。 う！Ｌ 侵 （、ヮ） Ｓρ０ ６！０ ＝ＪＥ 号 師飢ン
Claims (5)
- （１）フッ素または塩素または臭素またはヨウ素のハロ
ゲン元素のいずれか１つ以上の元素を含む分子から成る
ガスの圧力を１０ｍＴｏｒｒ以上８０ｍＴｏｒｒ以下の
範囲に設定した放電雰囲気中で、II族元素とイオウまた
はセレンまたはテルルまたはポロニウムのいずれか１つ
以上を含むVI族元素から成るII−VI族化合物半導体をエ
ッチングすることを特徴とする半導体基体の処理方法。 - （２）請求項１記載の半導体基体の処理方法により処理
した基体上に半導体を形成することを特徴とする半導体
の製造方法。 - （３）請求項１記載の半導体基体の処理方法により、半
導体基体の表面から１μｍ以上をエッチングすることを
特徴とする請求項２記載の半導体の製造方法。 - （４）エッチングした半導体基体を真空下で４００℃以
上から６６０℃以下の範囲の温度に加熱した後に、前記
半導体基板上に半導体を形成する請求項２または３記載
の半導体の製造方法。 - （５）エッチングした半導体上に形成する半導体として
アルミニウムまたはガリウムまたはインジウムのいずれ
か１つ以上を含むIII族元素と窒素または燐またはヒ素
またはアンチモンのいずれか１つ以上を含むＶ族元素か
らなるIII−Ｖ族化合物半導体、またはII族元素とイオ
ウまたはセレンまたはテルルまたはボロニウムのいずれ
か１つ以上のIV族元素から成るII−VI族化合物半導体、
またはシリコンまたはゲルマニウムから成る半導体を用
いる請求項２から４のいずれかに記載の半導体の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1083477A JPH02283018A (ja) | 1989-01-31 | 1989-03-31 | 半導体基体の処理方法及び半導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1-21405 | 1989-01-31 | ||
| JP2140589 | 1989-01-31 | ||
| JP1083477A JPH02283018A (ja) | 1989-01-31 | 1989-03-31 | 半導体基体の処理方法及び半導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02283018A true JPH02283018A (ja) | 1990-11-20 |
Family
ID=26358459
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1083477A Pending JPH02283018A (ja) | 1989-01-31 | 1989-03-31 | 半導体基体の処理方法及び半導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02283018A (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5570021A (en) * | 1978-11-21 | 1980-05-27 | Nec Corp | Etching method of compound semiconductor |
| JPS58101429A (ja) * | 1981-12-12 | 1983-06-16 | Semiconductor Res Found | ドライエツチング方法 |
| JPS58137835A (ja) * | 1982-02-05 | 1983-08-16 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 基板上のセレン化ゲルマニウムのレジスト層にパタンを形成する方法 |
| JPS60142574A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光電変換素子の活性化方法 |
| JPS62153199A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-08 | Nec Corp | ３−５族化合物半導体の気相エツチング装置 |
| JPS63204773A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-03-31 JP JP1083477A patent/JPH02283018A/ja active Pending
Patent Citations (6)
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