JPH0228318A - 砒素拡散剤とその成形物の製法およびこれを使用した半導体装置の製造方法 - Google Patents
砒素拡散剤とその成形物の製法およびこれを使用した半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0228318A JPH0228318A JP63178836A JP17883688A JPH0228318A JP H0228318 A JPH0228318 A JP H0228318A JP 63178836 A JP63178836 A JP 63178836A JP 17883688 A JP17883688 A JP 17883688A JP H0228318 A JPH0228318 A JP H0228318A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- arsenic
- silicon
- silica
- arsenide
- diffusing agent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P32/00—Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices
- H10P32/10—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers
- H10P32/12—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers between a solid phase and a gaseous phase
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P32/00—Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices
- H10P32/10—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers
- H10P32/17—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers characterised by the semiconductor material
- H10P32/171—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers characterised by the semiconductor material being group IV material
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P32/00—Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices
- H10P32/10—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers
- H10P32/19—Diffusion sources
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S252/00—Compositions
- Y10S252/95—Doping agent source material
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は砒素拡散剤およびその製法、特には成形がし易
く、取扱いが容易で、飛散し難く、したがって環境汚染
するおそれがなく、さらには拡散源としての寿命が長く
、安価であるということが−ら、半導体基板例えばシリ
コンなどの半導体装置の砒素拡散剤として有用とされる
新規な砒素拡散剤およびその製法に関するものであり、
さらにはこれを使用して半導体基板に砒素を拡散してな
る半導体装置の製造方法に関するものである。
く、取扱いが容易で、飛散し難く、したがって環境汚染
するおそれがなく、さらには拡散源としての寿命が長く
、安価であるということが−ら、半導体基板例えばシリ
コンなどの半導体装置の砒素拡散剤として有用とされる
新規な砒素拡散剤およびその製法に関するものであり、
さらにはこれを使用して半導体基板に砒素を拡散してな
る半導体装置の製造方法に関するものである。
（従来の技術）
シリコンウェーハなどの半導体基板に砒素をドープする
方法としてはシリコンウェーハと粉末状砒素をカプセル
内に真空封入することによって行なわれているが、この
砒素表面が酸化されているとシリコンウェーハを予じめ
真空中で熱処理をしておく必要がある。
方法としてはシリコンウェーハと粉末状砒素をカプセル
内に真空封入することによって行なわれているが、この
砒素表面が酸化されているとシリコンウェーハを予じめ
真空中で熱処理をしておく必要がある。
そのため、この砒素拡散用には砒化シリコン結晶を使用
することが提案されており（特公昭５３−４４７８９号
公報参照）、これによれば容易な前処理作業でウェーハ
表面に結晶欠陥を発生させることなく、正確にドープ量
も制御することができるとされており、これを使用した
半導体製造の製造方法についてはこの砒化シリコンを取
扱い容易な板状体として使用する方法、またはこれをペ
レット状にして使用する方法も提案されている（特公昭
５７−２２２０９号、特公昭５７−２２２１０号公報参
照）が、この砒化シリコン自体は薄層の多層積層状構造
をなすものであるために剥離し易く、柔らかいために作
業性がわるく、反覆使用がしにくいことから、その使用
が制限されるという不利がある。
することが提案されており（特公昭５３−４４７８９号
公報参照）、これによれば容易な前処理作業でウェーハ
表面に結晶欠陥を発生させることなく、正確にドープ量
も制御することができるとされており、これを使用した
半導体製造の製造方法についてはこの砒化シリコンを取
扱い容易な板状体として使用する方法、またはこれをペ
レット状にして使用する方法も提案されている（特公昭
５７−２２２０９号、特公昭５７−２２２１０号公報参
照）が、この砒化シリコン自体は薄層の多層積層状構造
をなすものであるために剥離し易く、柔らかいために作
業性がわるく、反覆使用がしにくいことから、その使用
が制限されるという不利がある。
（発明の構成）
本発明はこのような不利を解決した砒素拡散剤およびそ
の製法に関するものであり、これは砒化シリコンとシリ
カまたは砒化シリコン、酸化砒素およびシリカとからな
る砒素拡散剤および砒化シリコンとシリカまたは砒化シ
リコン、酸化砒素およびシリカの混合物を成形し、これ
を８００〜１゜２００℃に加熱し焼結してなることを特
徴とする製法に関する。
の製法に関するものであり、これは砒化シリコンとシリ
カまたは砒化シリコン、酸化砒素およびシリカとからな
る砒素拡散剤および砒化シリコンとシリカまたは砒化シ
リコン、酸化砒素およびシリカの混合物を成形し、これ
を８００〜１゜２００℃に加熱し焼結してなることを特
徴とする製法に関する。
すなわち、本発明者らは砒化シリコンの取扱い方法につ
いて種々検討した結果、砒化シリコン（ＳｉＡｓ）をシ
リカ（Ｓｉｎ、）と混合するか、また砒化シリコンを酸
化砒素（Ａｓ、０５．ＡＳ２０、など）およびシリカ（
Ｓ ｉ Ｏ２）と混合し、成形してから加熱焼結すると
砒化シリコンがシリカとの混合物として、また砒化シリ
コンが酸化砒素。
いて種々検討した結果、砒化シリコン（ＳｉＡｓ）をシ
リカ（Ｓｉｎ、）と混合するか、また砒化シリコンを酸
化砒素（Ａｓ、０５．ＡＳ２０、など）およびシリカ（
Ｓ ｉ Ｏ２）と混合し、成形してから加熱焼結すると
砒化シリコンがシリカとの混合物として、また砒化シリ
コンが酸化砒素。
シリカとの混合物として固形の成形体となり、したがっ
て砒化シリコンだけが剥離したり、気化することがなく
なるので、作業性のよいものになるということを見出す
と共に、このものを半導体基板例えばシリコンウェーハ
と共にカプセル内に封入して加熱処理すればこのものは
容易に砒素を放出するのでシリコンウェーハの砒素ドー
プが容易に行なわれることを確認し、この砒素拡散剤を
構成する各成分の種類、配合量、成形体の製造方法など
についての研究を進めて本発明を完成させた。
て砒化シリコンだけが剥離したり、気化することがなく
なるので、作業性のよいものになるということを見出す
と共に、このものを半導体基板例えばシリコンウェーハ
と共にカプセル内に封入して加熱処理すればこのものは
容易に砒素を放出するのでシリコンウェーハの砒素ドー
プが容易に行なわれることを確認し、この砒素拡散剤を
構成する各成分の種類、配合量、成形体の製造方法など
についての研究を進めて本発明を完成させた。
本発明の砒素拡散剤を構成する第１成分とじての砒化シ
リコンは公知のものでよく、したがってこれは砒素と金
属シリコンとを真空封入してシリコンを１，０８３℃以
上、砒素を６４０℃以上にそれぞれ加熱し溶融、冷却し
てＳ ｉＡｓとすればよい。
リコンは公知のものでよく、したがってこれは砒素と金
属シリコンとを真空封入してシリコンを１，０８３℃以
上、砒素を６４０℃以上にそれぞれ加熱し溶融、冷却し
てＳ ｉＡｓとすればよい。
つぎにこの砒素拡散剤を構成する第２成分、とじてのシ
リカはこの砒素拡散剤の成形材とされるものであり、こ
れは公知のものとすればよいが、できれば粒度が１〜５
μｍ程度の微細なものとすることがよく、したがってこ
れにはヒユームドシリカ。
リカはこの砒素拡散剤の成形材とされるものであり、こ
れは公知のものとすればよいが、できれば粒度が１〜５
μｍ程度の微細なものとすることがよく、したがってこ
れにはヒユームドシリカ。
石英粉末などが好適とされる。なお、このシリカの添加
量は砒化シリコン１００重量部に対して１００重量部よ
り少なくすると焼結体の強度維持が困難となり、３００
重量部より多くすると砒素（Ａｓ）の含有率が不充分と
なるので１００〜３００重量部の範囲とすることがよい
。
量は砒化シリコン１００重量部に対して１００重量部よ
り少なくすると焼結体の強度維持が困難となり、３００
重量部より多くすると砒素（Ａｓ）の含有率が不充分と
なるので１００〜３００重量部の範囲とすることがよい
。
また、この砒素拡散剤を構成する第３成分として酸化砒
素（Ａｓ、０５、Ａｓ２Ｏ３等）はバインダーとして添
加されるものであるが、この添加量は砒化シリコン１０
０重量部に対して２００重量部より多くすると過剰な空
隙が多くなるので２００重量部以下とすればよい。
素（Ａｓ、０５、Ａｓ２Ｏ３等）はバインダーとして添
加されるものであるが、この添加量は砒化シリコン１０
０重量部に対して２００重量部より多くすると過剰な空
隙が多くなるので２００重量部以下とすればよい。
この砒素拡散剤の成形は上記した砒化シリコン結晶とシ
リカを１：１〜３の重量比で、または砒化シリコン結晶
と酸化砒素およびシリカ粉末をに０．５〜２：１〜３の
重量比で混合し、ボールミルなどを用いて１〜３０時間
粉砕して粒径が１岬程度の均質混合物としたのち；酸化
砒素を添加した場合は若干の水分を与えて酸化砒素に吸
湿させ、攪拌することによって径が約ＩＩの凝集物とし
てから、プレス成形すればよい。このプレス成形は押圧
力が２ｔ／ａ＆以下では強度不足のものとなり、８ｔ／
ｃＪ以上としても意味がないので２〜８ｔ／ｄ押圧力で
成形すればよく、これによれば凝集物が湿潤されている
ので粉じん発生もなく、安全に適宜の厚さと外径を有す
る成形体を容易に得ることができる。
リカを１：１〜３の重量比で、または砒化シリコン結晶
と酸化砒素およびシリカ粉末をに０．５〜２：１〜３の
重量比で混合し、ボールミルなどを用いて１〜３０時間
粉砕して粒径が１岬程度の均質混合物としたのち；酸化
砒素を添加した場合は若干の水分を与えて酸化砒素に吸
湿させ、攪拌することによって径が約ＩＩの凝集物とし
てから、プレス成形すればよい。このプレス成形は押圧
力が２ｔ／ａ＆以下では強度不足のものとなり、８ｔ／
ｃＪ以上としても意味がないので２〜８ｔ／ｄ押圧力で
成形すればよく、これによれば凝集物が湿潤されている
ので粉じん発生もなく、安全に適宜の厚さと外径を有す
る成形体を容易に得ることができる。
なお、この成形体はついで焼成する必要があるが、この
焼成は非酸化性雰囲気で２００〜３００℃に８〜１５時
間加熱したのち、ゆっくり昇温して５００〜６００℃で
４〜８時間加熱し、ついで９００〜１．０５０℃（こ１
０〜２０時間加熱すればよいが、この時間は処理材料の
量、処理温度に応じて定めればよい。
焼成は非酸化性雰囲気で２００〜３００℃に８〜１５時
間加熱したのち、ゆっくり昇温して５００〜６００℃で
４〜８時間加熱し、ついで９００〜１．０５０℃（こ１
０〜２０時間加熱すればよいが、この時間は処理材料の
量、処理温度に応じて定めればよい。
このようにして得られた成形体はシリカ含有物を８００
〜１，２００℃で焼成したものであるので強度の強いも
のとなり、したがって工業的に取扱いの容易なものとな
るが、これは砒素分を少なくとも５重量％含有するもの
で、焼結体から適量の砒素が供給されるので、これは例
えばシリコンウェーハの砒素ドープ材として有用とされ
る。
〜１，２００℃で焼成したものであるので強度の強いも
のとなり、したがって工業的に取扱いの容易なものとな
るが、これは砒素分を少なくとも５重量％含有するもの
で、焼結体から適量の砒素が供給されるので、これは例
えばシリコンウェーハの砒素ドープ材として有用とされ
る。
この成形物を用いた半導体装置の製造は例えばシリコン
ウェーハなどのような半導体基板とこの砒素拡散剤の成
形体を電気炉内で９００〜１，２００℃に加熱するか、
不活性ガスまたは酸素を添加した不活性ガス気流中又は
減圧下で熱処理することによって砒素でドープされた３
０〜３００Ω／口のシート抵抗をもつＮ型シリコンウェ
ーハを容易に得ることができる。
ウェーハなどのような半導体基板とこの砒素拡散剤の成
形体を電気炉内で９００〜１，２００℃に加熱するか、
不活性ガスまたは酸素を添加した不活性ガス気流中又は
減圧下で熱処理することによって砒素でドープされた３
０〜３００Ω／口のシート抵抗をもつＮ型シリコンウェ
ーハを容易に得ることができる。
つぎに本発明の実施例をあげるが１例中の部は重量部を
示したものである。
示したものである。
実施例
砒化シリコン１００部と純度が９９．９９９％である五
酸化砒素１００部および粒度が５即であるヒユームドシ
リカ２００部とを混合し、ボールミル中で３０時間粉砕
して平均粒径が１μ謬の混合物としたのち、これに水２
部（０，５％）を添加し攪拌して粒径が約１ｍの凝集体
とし、このものを２．５ｔ／ａＪの押圧力でプレス成形
して直径６インチ、厚さ２ｍのウェーハ状成形体を作り
、これを２６０’Ｃで８時間、６００℃で４時間、９５
０℃で１２時間加熱し焼結して砒素拡散剤を作った。
酸化砒素１００部および粒度が５即であるヒユームドシ
リカ２００部とを混合し、ボールミル中で３０時間粉砕
して平均粒径が１μ謬の混合物としたのち、これに水２
部（０，５％）を添加し攪拌して粒径が約１ｍの凝集体
とし、このものを２．５ｔ／ａＪの押圧力でプレス成形
して直径６インチ、厚さ２ｍのウェーハ状成形体を作り
、これを２６０’Ｃで８時間、６００℃で４時間、９５
０℃で１２時間加熱し焼結して砒素拡散剤を作った。
ついで、このようにして作った砒素拡散剤３種の表面お
よび内部におけるけい素と砒素の含有量をエネルギー分
散型Ｘ線分析装置でしらべたところ、第１表に示したと
おりの結果が得られ、このものの表面および内部を電子
顕微鏡でしらべたところ、このものは粒径が５μ謬程度
の微構造中期の粒成長であり、この成形体はマクロ的に
は合成石英多孔質中に砒素シリコン結晶が微粉末の形で
一様に含有されたものであることが確認され、強固で取
扱いが容易であり、安全性の高いものであることが判っ
た。
よび内部におけるけい素と砒素の含有量をエネルギー分
散型Ｘ線分析装置でしらべたところ、第１表に示したと
おりの結果が得られ、このものの表面および内部を電子
顕微鏡でしらべたところ、このものは粒径が５μ謬程度
の微構造中期の粒成長であり、この成形体はマクロ的に
は合成石英多孔質中に砒素シリコン結晶が微粉末の形で
一様に含有されたものであることが確認され、強固で取
扱いが容易であり、安全性の高いものであることが判っ
た。
つぎに、この砒素拡散剤と直径６インチ、厚さ５０ｏＩ
ＩＩｍのシリコン半導体ウェーハを石英製ボートの上に
交互に３ｍの距離に配置し、窒素ガス雰囲気において１
，０００℃で４０分間加熱して砒素の拡散を行なったと
ころ、約１５０Ω／口のシート抵抗をもつＮ型のシリコ
ンウェーハが得られた。
ＩＩｍのシリコン半導体ウェーハを石英製ボートの上に
交互に３ｍの距離に配置し、窒素ガス雰囲気において１
，０００℃で４０分間加熱して砒素の拡散を行なったと
ころ、約１５０Ω／口のシート抵抗をもつＮ型のシリコ
ンウェーハが得られた。
第 １ 表
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、砒化シリコンとシリカあるいは砒化シリコン、酸化
砒素およびシリカからなることを特徴とする砒素拡散剤
。 ２、酸化シリコンとシリカあるいは砒化シリコン、酸化
砒素およびシリカの混合物を成形し、８００〜１，２０
０℃に加熱し焼結してなることを特徴とする砒素拡散剤
成形物の製造方法。 ３、半導体基板と砒化シリコンおよびシリカあるいは砒
化シリコン、酸化砒素およびシリカからなる砒素拡散剤
とを反応管中に対向配置し、不活性ガスまたは酸素ガス
を添加した不活性ガス気流中又は減圧下において加熱し
て、半導体基板に砒素を拡散させることを特徴とする半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63178836A JPH0628250B2 (ja) | 1988-07-18 | 1988-07-18 | 砒素拡散剤とその成形物の製法およびこれを使用した半導体装置の製造方法 |
| US07/380,616 US4929572A (en) | 1988-07-18 | 1989-07-17 | Dopant of arsenic, method for the preparation thereof and method for doping of semiconductor therewith |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63178836A JPH0628250B2 (ja) | 1988-07-18 | 1988-07-18 | 砒素拡散剤とその成形物の製法およびこれを使用した半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0228318A true JPH0228318A (ja) | 1990-01-30 |
| JPH0628250B2 JPH0628250B2 (ja) | 1994-04-13 |
Family
ID=16055514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63178836A Expired - Lifetime JPH0628250B2 (ja) | 1988-07-18 | 1988-07-18 | 砒素拡散剤とその成形物の製法およびこれを使用した半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4929572A (ja) |
| JP (1) | JPH0628250B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR930702095A (ko) * | 1990-10-02 | 1993-09-08 | 죤, 씨. 울훼 | 고체 도핑제 소스와 신속한 열처리를 사용한 실리콘 웨이퍼 도핑장치 및 방법 |
| US5550082A (en) * | 1993-11-18 | 1996-08-27 | The University Of Houston System | Method and apparatus for doping silicon wafers using a solid dopant source and rapid thermal processing |
| US6913547B2 (en) | 1997-05-27 | 2005-07-05 | Acushnet Company | Thin-layer-covered multilayer golf ball |
| JP4442892B2 (ja) * | 2004-03-29 | 2010-03-31 | コバレントマテリアル株式会社 | シリコン単結晶引上げ用砒素ドーパントの製造方法 |
| WO2011132778A1 (ja) * | 2010-04-23 | 2011-10-27 | 日立化成工業株式会社 | ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法、及び太陽電池素子の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5434311A (en) * | 1977-08-22 | 1979-03-13 | Ngk Spark Plug Co | Method of making highhdesity siliconn nitride porcelain |
| JPS5722209A (en) * | 1980-07-17 | 1982-02-05 | Dainippon Printing Co Ltd | Color separating filter |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3879230A (en) * | 1970-02-07 | 1975-04-22 | Tokyo Shibaura Electric Co | Semiconductor device diffusion source containing as impurities AS and P or B |
| FR2354810A1 (fr) * | 1976-06-14 | 1978-01-13 | Anvar | Couches monocristallines, procedes de fabrication de telles couches, et structures comportant une couche monocristalline |
| JPS5534258A (en) * | 1978-09-01 | 1980-03-10 | Tokyo Denshi Kagaku Kabushiki | Coating solution for forming silica film |
| US4430188A (en) * | 1980-09-17 | 1984-02-07 | Engelhard Corporation | Electrodes for use in an electrolytic process |
| JPS5954270A (ja) * | 1982-09-21 | 1984-03-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 電界効果型トランジスタ |
| US4525429A (en) * | 1983-06-08 | 1985-06-25 | Kennecott Corporation | Porous semiconductor dopant carriers |
| US4798764A (en) * | 1983-06-08 | 1989-01-17 | Stemcor Corporation | Arsenate dopant sources and method of making the sources |
| US4526826A (en) * | 1983-06-08 | 1985-07-02 | Kennecott Corporation | Foam semiconductor dopant carriers |
| JPS616200A (ja) * | 1984-06-19 | 1986-01-11 | Furukawa Mining Co Ltd | ＧａＡｓ，ＩｎＡｓ等の結晶にＳｉをド−ピングする方法 |
| JPS62105999A (ja) * | 1985-10-29 | 1987-05-16 | Sony Corp | ＧａＡｓ単結晶の製造方法とこれに用いる装置 |
-
1988
- 1988-07-18 JP JP63178836A patent/JPH0628250B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-07-17 US US07/380,616 patent/US4929572A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5434311A (en) * | 1977-08-22 | 1979-03-13 | Ngk Spark Plug Co | Method of making highhdesity siliconn nitride porcelain |
| JPS5722209A (en) * | 1980-07-17 | 1982-02-05 | Dainippon Printing Co Ltd | Color separating filter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0628250B2 (ja) | 1994-04-13 |
| US4929572A (en) | 1990-05-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS61146769A (ja) | 熱伝導率の高いセラミツク体とその製法 | |
| JPH0228318A (ja) | 砒素拡散剤とその成形物の製法およびこれを使用した半導体装置の製造方法 | |
| WO2003040059A1 (en) | Process for producing silicon carbide sinter jig for use in semiconductor production and silicon carbide sinter jig obtained by the process | |
| CN108706979B (zh) | 一种硅凝胶改性木质基碳化硅陶瓷材料的制备方法 | |
| JPH02143421A (ja) | 砒素拡散剤とその製法およびこれを使用した半導体素子の製造方法 | |
| JP4958353B2 (ja) | 窒化アルミニウム粉末及びその製造方法 | |
| JPH01188479A (ja) | 窒化珪素質多孔体の製造法 | |
| CN111072021A (zh) | 一种基于5,5’-二氨基-3,3’-1,2,4-三唑的氮掺杂石墨烯材料的制备方法 | |
| KR102815142B1 (ko) | 저온 탄화공정을 이용한 탄화규소 분말의 제조방법 및 이에 의해 제조된 탄화규소 분말 | |
| CN111017917A (zh) | 一种基于4-氨基-1,2,4-三唑-5-酮的氮掺杂石墨烯材料的制备方法 | |
| JP2004250281A (ja) | 炭素質被膜で被覆した耐水性窒化アルミニウム粉末の製造方法 | |
| JP2001270712A (ja) | ケイ素を含むＧｄ多ホウ化物とその製造方法 | |
| JPH0532405A (ja) | 窒化珪素粉末、窒化珪素粉末の製造方法及び窒化珪素質焼結体 | |
| JPS60131863A (ja) | 電気絶縁性炭化けい素焼結体 | |
| JP4392397B2 (ja) | ホウ素拡散材の製造方法 | |
| JPH03116826A (ja) | ヒ素拡散剤の製造方法および半導体素子の製造方法 | |
| JP2825338B2 (ja) | 炭化ケイ素セラミックスの製造方法 | |
| JPH02202020A (ja) | 砒素拡散剤とその製法およびこれを使用した半導体素子の製造方法 | |
| JPH0733531A (ja) | 窒化アルミニウム基板およびその製造方法 | |
| JP3431448B2 (ja) | 半導体用ほう素ドープ材 | |
| JPH02296707A (ja) | 窒化アルミニウム粉末の製造方法 | |
| JPS63225506A (ja) | 窒化アルミニウム粉末の製造方法 | |
| JP2608982B2 (ja) | 拡散不純物源の製造方法 | |
| JPH03116824A (ja) | ヒ化けい素、ヒ素拡散剤およびその製造方法ならびに半導体素子の製造方法 | |
| CN110980716A (zh) | 一种基于4-氨基-1,2,4-三唑的氮掺杂石墨烯材料的制备方法 |