JPH02283684A - 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 - Google Patents
窒化アルミニウム焼結体の製造方法Info
- Publication number
- JPH02283684A JPH02283684A JP10623289A JP10623289A JPH02283684A JP H02283684 A JPH02283684 A JP H02283684A JP 10623289 A JP10623289 A JP 10623289A JP 10623289 A JP10623289 A JP 10623289A JP H02283684 A JPH02283684 A JP H02283684A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sintered
- aln
- powder
- titanium
- paste
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 title claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 8
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 15
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 abstract 1
- 238000005289 physical deposition Methods 0.000 abstract 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 229910018404 Al2 O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、表面にメタライズ層、特にニッケルのメタラ
イズ層を有する窒化アルミニウム（ＡＩＮ）焼結体の製
造方法に関する。
イズ層を有する窒化アルミニウム（ＡＩＮ）焼結体の製
造方法に関する。
（従来の技術）
近年、特に電子装置および機器は、小型化・高密度化が
強く要求されており、これらの要求は、ＬＳＩを実装す
る基板に対しても生じている。一方、ＬＳＩの高速動作
・高集積化に伴ってチップから発生する熱は多量に°な
ってくる傾向にあり、前述の基板の小型化と相乗して基
板単位面積当たりの発熱量は大幅に増大している。従来
、この種の実装基板としては、一般にアルミナ（Ａｌ２
Ｏ３）基板が用いられる。
強く要求されており、これらの要求は、ＬＳＩを実装す
る基板に対しても生じている。一方、ＬＳＩの高速動作
・高集積化に伴ってチップから発生する熱は多量に°な
ってくる傾向にあり、前述の基板の小型化と相乗して基
板単位面積当たりの発熱量は大幅に増大している。従来
、この種の実装基板としては、一般にアルミナ（Ａｌ２
Ｏ３）基板が用いられる。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら上述したＡｌ２Ｏ３基板では、熱放散性が
十分でないという問題があり、Ａｌ２Ｏ３基板よりも熱
伝導率が大きく、熱の放散性に優れた絶縁基板が必要に
なっている。これらの条件を満たすものとして最近ＡＩ
Ｎ焼結体で形成された基板が注目されている。このＡＩ
Ｎ焼結体は、熱伝導率がＡｌ２Ｏ３基板の約１０倍と高
く、また電気絶縁性にも優れ、しかも熱膨張率がシリコ
ンに近いという特性を有しているため高集積化されたＬ
ＳＩ等の実装基板として適したものである。このような
ＡＩＮ焼結体を実装基板として使用するためには、表面
に配線等を行うためのメタライズ層を形成する必要があ
るが、従来より金又は銀−パラジウムを用いた厚膜法が
知られている。しかしながらこれらの厚膜法では、約６
００〜１０００°Ｃ程度の温度でメタライズ層を形成す
るため高温下においてＡＩＮとメタライズ層の接合強度
が低下するという欠点がある。本発明は以上述べたよう
な従来の問題点を解決するためになされたもので、ＡＩ
Ｎとメタライズ層の接合強度が大きく高集積・高電力電
子回路用基板として最適のＡＩＮ基板を提供することを
目的とする。
十分でないという問題があり、Ａｌ２Ｏ３基板よりも熱
伝導率が大きく、熱の放散性に優れた絶縁基板が必要に
なっている。これらの条件を満たすものとして最近ＡＩ
Ｎ焼結体で形成された基板が注目されている。このＡＩ
Ｎ焼結体は、熱伝導率がＡｌ２Ｏ３基板の約１０倍と高
く、また電気絶縁性にも優れ、しかも熱膨張率がシリコ
ンに近いという特性を有しているため高集積化されたＬ
ＳＩ等の実装基板として適したものである。このような
ＡＩＮ焼結体を実装基板として使用するためには、表面
に配線等を行うためのメタライズ層を形成する必要があ
るが、従来より金又は銀−パラジウムを用いた厚膜法が
知られている。しかしながらこれらの厚膜法では、約６
００〜１０００°Ｃ程度の温度でメタライズ層を形成す
るため高温下においてＡＩＮとメタライズ層の接合強度
が低下するという欠点がある。本発明は以上述べたよう
な従来の問題点を解決するためになされたもので、ＡＩ
Ｎとメタライズ層の接合強度が大きく高集積・高電力電
子回路用基板として最適のＡＩＮ基板を提供することを
目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明は、チタンの薄膜層を形成した後に、炭化チタン
とニッケルを含有するペーストを窒化アルミニウム焼結
体に塗布し、これを不活性雰囲気中で焼成してメタライ
ズ層を形成することを特徴とする窒化アルミニウム基板
の製造方法である。
とニッケルを含有するペーストを窒化アルミニウム焼結
体に塗布し、これを不活性雰囲気中で焼成してメタライ
ズ層を形成することを特徴とする窒化アルミニウム基板
の製造方法である。
（実施例）
次に本発明の実施例について詳細に説明する。
まず、ＡＩＮ焼結体上にスパッタリング法などの物理蒸
着法を利用してチタンの薄膜層を形成する。
着法を利用してチタンの薄膜層を形成する。
次にニッケル粉末（９５重量％）と炭化チタン粉末（５
重量％）とを混合し、得られた混合物に有機ビヒクルを
加えペースト化する。粉末の平均粒径は約２μｍ、また
炭化チタン粉末はニッケル粉末に対して１０〜０．１重
量％まで混合することができる。このペーストをチタン
の薄膜層を形成したＡＩＮ焼結体上に厚膜印刷法を用い
塗布する。このＡＩＮ焼結体を１００°Ｃで３０分間乾
燥した後窒素ガス中、１３００°Ｃで３０分間焼成する
。このようにしてニッケルを主成分とするメタライズ層
を形成する。
重量％）とを混合し、得られた混合物に有機ビヒクルを
加えペースト化する。粉末の平均粒径は約２μｍ、また
炭化チタン粉末はニッケル粉末に対して１０〜０．１重
量％まで混合することができる。このペーストをチタン
の薄膜層を形成したＡＩＮ焼結体上に厚膜印刷法を用い
塗布する。このＡＩＮ焼結体を１００°Ｃで３０分間乾
燥した後窒素ガス中、１３００°Ｃで３０分間焼成する
。このようにしてニッケルを主成分とするメタライズ層
を形成する。
本発明により形成したメタライズ層の密着強度を測定し
た結果、焼結体の一部がえぐり取られるモードが発生し
ており、密着強度は３．０ｋｇ／ｍｍ以上であった。
た結果、焼結体の一部がえぐり取られるモードが発生し
ており、密着強度は３．０ｋｇ／ｍｍ以上であった。
（発明の効果）
以上説明したとおり、本発明の窒化アルミニウム基板の
製造方法は、チタンの薄膜層を形成した後に炭化チタン
とニッケルを含有するペーストを不活性雰囲気中で焼成
することにより、ＡＩＮ焼結体が本来有している高熱伝
導性と併せ、高密着性を示しており、高集積・高電力電
子機器用基板として用いることができる。
製造方法は、チタンの薄膜層を形成した後に炭化チタン
とニッケルを含有するペーストを不活性雰囲気中で焼成
することにより、ＡＩＮ焼結体が本来有している高熱伝
導性と併せ、高密着性を示しており、高集積・高電力電
子機器用基板として用いることができる。
Claims (1)
- チタンの薄膜層を窒化アルミニウム焼結体上に形成する
工程と、これらの上に炭化チタンとニッケルを含有する
ペーストを塗布する工程と、これを不活性雰囲気中で焼
成する工程とを備えたことを特徴とする窒化アルミニウ
ム焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10623289A JPH02283684A (ja) | 1989-04-25 | 1989-04-25 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10623289A JPH02283684A (ja) | 1989-04-25 | 1989-04-25 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02283684A true JPH02283684A (ja) | 1990-11-21 |
Family
ID=14428378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10623289A Pending JPH02283684A (ja) | 1989-04-25 | 1989-04-25 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02283684A (ja) |
-
1989
- 1989-04-25 JP JP10623289A patent/JPH02283684A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4877760A (en) | Aluminum nitride sintered body with high thermal conductivity and process for producing same | |
| JPS62207789A (ja) | 窒化アルミニウム製基材の表面構造及びその製造法 | |
| JP3408298B2 (ja) | 高熱伝導性窒化けい素メタライズ基板，その製造方法および窒化けい素モジュール | |
| JPH0243700B2 (ja) | ||
| JPS61281089A (ja) | 窒化アルミニウム製基材の表面構造 | |
| JPS61291480A (ja) | 窒化アルミニウム製基材の表面処理組成物 | |
| JPS60128625A (ja) | 半導体素子搭載用基板 | |
| JPH02283684A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 | |
| JPS6184037A (ja) | 窒化アルミニウム系セラミツクス基板 | |
| JP2563809B2 (ja) | 半導体用窒化アルミニウム基板 | |
| JPH0568877B2 (ja) | ||
| JPS62216979A (ja) | ガラス層を有する窒化アルミニウム焼結体並びにその製造方法 | |
| JPS58103156A (ja) | 半導体素子塔載用基板 | |
| JPS59184586A (ja) | 半導体素子搭載用回路基板 | |
| JPH04949B2 (ja) | ||
| JPH0450186A (ja) | 窒化アルミニウム基材への金属化層形成方法 | |
| JPS63318760A (ja) | 高放熱性絶縁基板 | |
| JP2000294696A (ja) | 電子回路用部材およびその製造方法 | |
| JPH0964235A (ja) | 窒化けい素回路基板 | |
| JP3456225B2 (ja) | 高熱伝導性基板およびその製造方法 | |
| JP3297768B2 (ja) | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 | |
| JPS62197373A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体のメタライズ方法 | |
| JPH03177375A (ja) | 窒化アルミニウム基板の表面改質方法 | |
| JPH02125728A (ja) | 複合基板およびその製造方法 | |
| JPS59115544A (ja) | 半導体素子搭載用基板 |