JPH02285648A - 絶縁被覆ボンディングワイヤ - Google Patents

絶縁被覆ボンディングワイヤ

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JPH02285648A
JPH02285648A JP1107067A JP10706789A JPH02285648A JP H02285648 A JPH02285648 A JP H02285648A JP 1107067 A JP1107067 A JP 1107067A JP 10706789 A JP10706789 A JP 10706789A JP H02285648 A JPH02285648 A JP H02285648A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、〒導体装置の結線に用いられるボンディング
ワイヤに関するもので、特に、絶縁被覆ボンディングワ
イヤ、詳しくは芳香族ポリエステル樹脂をボンディング
ワイヤ上に被覆して成る絶縁被覆ボンディングワイヤに
関するものである。
(従来の技術) 従来、半導体装置の製造過程で用いられているボンディ
ングワイヤは、たとえば金(Au)、銅(Cu)、アル
ミニウム(Al2 )等よりなる導電性のワイヤ基材が
そのまま裸線として利用されている。
そのため、このようなワイヤを用いて半導体ペレットの
ボンディングバットとリードフレームのインナーリード
の如き外部出力端子への導電部とをボンディングする場
合、ボンディング不良、レジンモールド型パッケージに
おけるレジンの流れ等の何らかの原因によりワイヤが隣
接する他のワイヤやインナーリードあるいはタブ等と接
触すると、ショート不良を生じるという問題がある。
特に、大規模集積回路(LSI)における多ピン化によ
り、ペレットとインナーリードとの距離が大きくなる傾
向に伴って、ワイヤのスパンの長さを長くする必要があ
るが、このような場合には、ワイヤがカール現象を起こ
し、隣接するワイヤ等との接触に起因するショート不良
がより発生し易くなっている。
そのため、ボンディングワイヤを絶縁膜で被覆すること
が考えられ、特開昭59−154054号公報に示され
ているように、絶縁性の高分子樹脂材料で被覆されたボ
ンディングワイヤを用いれば、ショート不良等を防げる
とされている。
しかしながら、用いる高分子材料によっては、ボンディ
ングワイヤとリードフレームもしくはポンディングパッ
ドとの接合性が悪かったり、後の封止工程やハンダ付は
等の工程において耐熱性が足りない欠点があった。
一般に、耐熱性を要求される絶縁被覆の材料としては、
エンジニアリングプラスチックと呼ばれている樹脂があ
り、その中でも芳香族ポリエステルがこれらの特性に優
れていることが見い出されている(Nえば、特開昭54
−138056号公報、特開昭58−137905号公
報)。
ところが、一般に知られている芳香族ポリエステル樹脂
は、耐熱性、耐摩耗性、難燃性、抗張力等の機械特性、
耐衝撃性、絶縁性等の電気特性に優れた樹脂であるが、
押し出し加工性が悪く、押し出し機を用いた電線被覆方
式で被覆する方法では、ボンディングワイヤの周囲に均
一な厚みで薄い絶縁被膜を形成するのは極めて困難であ
った。
また、変性等により押し出し加工性を良くした芳香族ポ
リエステル樹脂は耐熱性、耐摩耗性に劣るという問題が
あった。
しかも、ボンディングワイヤの周囲に、均一な厚みで薄
い絶縁被膜を形成するのに適切と考えられる、溶剤に溶
かして塗布する方法でボンディングワイヤ上に薄い均一
な被膜を形成するのは、高い機械強度や耐熱性を有する
芳香族ポリエステル樹脂は一般には耐薬品性が高く、溶
剤に溶かして塗布する方法で、ボンディングワイヤ上に
薄い均一な被膜を形成するのは困難であった。
また変性等により溶剤に溶は品くすると耐候性、耐熱性
等が悪くなるのが普通であった。したがって、今までは
、芳香族ポリエステルを被覆層とした絶縁ボンディング
ワイヤを作ることははなはだ困難であった。
(発明が解決しようとする課題) 上記に鑑み、本発明は、前記従来技術の問題点を解決し
、ボンディングワイヤどうしあるいはボンディングワイ
ヤと他の導電部との接触によるショート不良を防止する
ことのできる樹脂被覆ボンディングワイヤを提供するこ
とにある。
(課題を解決するための手段) 本発明は、下記の構造式で示される基本骨格を有し、メ
ルトインデックスとして1.0〜100g/110mi
n(AST −D 1238準拠;温度300’C1荷
重2.1[iokg)の芳香族ポリエステル樹脂をボン
ディングワイヤ上に被覆してなる絶縁ボンディングワイ
ヤである。
本発明において、芳香族ポリエステル樹脂を用いたのは
、芳香族ポリエステル樹脂が耐熱性、耐摩耗性、難燃性
、抗張力等の機械特性、耐衝撃性、絶縁性等の電気特性
に優れた樹脂であるためである。
ところが、本発明では上記の構造式で示される基本骨格
を有し、特定の範囲のメルトインデックスを有する芳香
族ポリエステル樹脂を使用することにより、耐熱性と絶
縁性に優れた芳香族ポリエステル樹脂被覆ボンディング
ワイヤを作成することに成功した。
本発明で用いる芳香族ポリエステル樹脂が絶縁被膜に適
している理由は明らかではないが、一般にエンジニアリ
ングプラスチックスとして用いられているポリエチレン
テレフタレートや、ポリブチレンテレフタレートが結晶
性の樹脂であるのに対し、本発明に用いた芳香族ポリエ
ステルから形成される被膜の高次構造が非晶質であるた
めと思われる。
本発明で用いる芳香族ポリエステル樹脂は、メルトイン
デックス(ASTM−D I238準拠;温度300℃
、荷重2.160kg)としては、1.0〜100g/
10minの範囲にある芳香族ポリエステル樹脂である
ら 芳香族ポリエステル樹脂のメルトインデックスが1.O
g/ 10min未満では粘度が高すぎて、ボンディン
グワイヤ上に均一な厚みの被覆層を形成できない。ある
程度均一な厚みの部分ができても連続結合性が劣り、信
頼性に欠ける。
またメルトインデックスが100 g / lomin
を超えると粘度が低くなりすぎて、ボンディングワイヤ
との密着性が悪くなり、剥げ易くなり連続接合性には問
題はないが、絶縁性が無くなり、何れの場合にも実用に
耐えるものが得られない。
本発明の芳香族ポリエステルからなる絶縁被覆ボンディ
ングワイヤの絶縁膜の厚さについては、厚みが厚いほど
絶縁性という点においては優れているが、それと同時に
厚くなるほど接合性が悪くなること、また、絶縁膜の厚
さが薄くなるほど接合性は向上するが絶縁膜としての性
能が低下し、厚みが0.01urr1以下では耐電圧が
悪くなってしまう。
そのため、適切な絶縁膜の厚さとしては、絶縁被覆の厚
さが0.01〜lOμm、好ましくは0.01〜2IE
r11最も好ましくは0.02〜0.7tIxIである
被膜の形成方法としては、押し出し被覆法、静電粉体コ
ーチ、イング法、浸せき塗工法、スプレィコーティング
法、電着コーティング法等が考えられるが、上記のよう
な極めて薄い絶縁被膜を均一に被覆するためには浸せき
塗工法により、被覆することが望ましい。
また、この芳香族ポリエステル樹脂には、必要に応じて
この種の芳香族ポリエステル樹脂に従来から使用されて
きた老化防止剤、難燃剤、充填剤、電圧安定剤、滑剤、
加工助剤、紫外線吸収剤等の各種の添加剤を配合するこ
とができる。
(作  用) 上述したように限られたメルトインデックスを有する芳
香族ポリエステル樹脂を使用することにより、ボンディ
ングワイヤ上に均一に形成することができ、かつ限られ
た厚みの絶縁層を被覆することにより得られる芳香族ポ
リエステル樹脂被覆絶縁ボンディングワイヤは、耐熱性
と絶縁性と接合性に優れたものであるので、ボンディン
グ不良もなく、かつ、ボンディングワイヤどうしや、ボ
ンディングワイヤと半導体チップ等とのショートを防ぐ
ことができ、更にリード間隔を縮小し、半導体装置の多
端子化を図ることができる。
(実 施 例) 絶縁被覆の形成方法としては、高純度の外径30μsの
金製のボンディングワイヤをワイヤ基材とし、芳香族ポ
リエステル樹脂をクロロホルムに溶解した溶液中に、ワ
イヤ基材を通してから鉛直方向に引き上げて、溶剤を除
去して絶縁性の芳香族ポリエステル樹脂を被覆したボン
ディングワイヤを作成した。
被覆の膜厚は溶液の濃度と粘度と被覆速度とに依存し、
更に溶液の粘度は樹脂の分子量、即ちメルトインデック
スに依存するので、用いた芳香族ポリエステル樹脂のメ
ルトインデックスに応じて溶液の濃度、被覆速度を調整
して、それぞれ被膜の厚さか約0.3μsになるように
被覆した。
その被覆されたゼンディングワイヤを用い、J1連続ボ
ンデインク試験及び落錘衝撃試験を1゛テっだ結果を第
1表に示す。
高分子材料としては芳香族ポリエステル樹脂として、以
下の構造式を有する、ビスフェノールAとジカルボン酸
(テレフタル酸とイソフタル酸の1=1の混合比)の共
重合体である芳香族ポリエステルは、常法の界面重縮合
法に従って異なった分子量、即ち、異なったメルトイン
デックス値をもつ芳香族ポリエステルを合成して、実施
例1〜3、比較例1と2に用いた(日本化学会綿、新実
験化学講座第19巻、高分子化学(■)。
p、 +48)。
メルトインデックスは、ASTM−D 1238に準拠
し、押し出し温度は300℃、荷重2.1GOkgで行
なった。
また、ボンディングワイヤのリードフレームとの連続接
合性ついては、2000回以上連続ボンディングワイヤ
できた場合を○、途中でワイヤ切れ等を起こしたものを
×とした。更に、絶縁被膜の良否は走査型電子顕微鏡(
SEM)を用いて1000倍程度の倍率で観察し、絶縁
被膜が均質なものを○、剥がれや不均一な厚みであった
ものを×とした。
(実施例1〜3) ボンディングワイヤ上に、メルトインデックスがそれぞ
れ、3.5.13.55g/10minの芳香族ポリエ
ステル樹脂のクロロホルム溶液を用いて被覆し、被覆厚
さ0.3μsの絶縁ボンディングワイヤを作成した。
その特性を第1表に示した。いずれの場合にもSEMを
用いて観察した結果滑らかに被覆されていることが認め
られた。
(比較例1) ボンディングワイヤ上に、メルトインデックスが0.8
 g / 101nの芳香族ポリエステル樹脂のクロロ
ホルム溶液を被覆しようとしたが、均一の厚みの被覆層
を形成されなかった。
SEMを用いて観察したところ、ボンディングワイヤの
長さ方向に被覆の厚さが2倍程度にバラライでいるのが
見い出された。又作成した被覆ボンディングワイヤの中
から、比較的厚みの均一であった極少量の被覆厚さ0.
3−の絶縁ボンディングワイヤを接合しようとしたが、
このボンディングワイヤのリードフレームとの接合性は
、第1表に示したように貧弱であり、実用には適さなか
った。
(比較例2) メルトインデックスが120 g / 10minの芳
香族ポリエステル樹脂のクロロホルム溶液を用いて被覆
した。この作成した被覆ボンディングワイヤのSEMを
観察したが、ボンディングワイヤの表面から樹脂が剥が
れており、ボンディングには問題はなかったが、絶縁性
が確実ではなく、実用には適さなかった。
おそらく、メルトインデックスが大きすぎる、即ち、分
子量が小さすぎると被膜とワイヤの接着が貧弱となり、
剥がれ易くなるものと思われる。
第1表からも明らかなように、メルトインデックスが大
きすぎると均一の厚みの被覆層を形成するのが困難であ
り、作成できた場合でも、このボンディングワイヤのリ
ードフレームとの接合性は貧弱であり、またメルトイン
デックスが小さすぎる場合には被膜とワイヤの接着が貧
弱であり、剥がれ易くて実用には適さなかった。
(発明の効果) 本発明によれば、限られたメルトインデックスを有する
芳香族ポリエステル樹脂を使用することにより、ボンデ
ィングワイヤ上に均一な被覆層を形成することができ、
かつ限られた厚みの絶縁層を被覆することにより、得ら
れる芳香族ポリエステル樹脂被覆絶縁ボンディングワイ
ヤは絶縁性、連続接合性、耐熱性等に優れたものである
代 理 人  弁理士  茶野木 立 夫手 続 補 正 書 (自発) (1)特許請求の範囲を別紙の通り補正する。
(2)明細書5頁14行の 平成2年3月14 ■

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 下記の構造式で示される基本骨格を有し、メルトインデ
    ックスが1.0〜100g/10minの芳香族ポリエ
    ステル樹脂をボンディングワイヤ上に被覆してなる絶縁
    ボンディングワイヤ。 ▲数式、化学式、表等があります▼
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PCT/JP1990/000405 WO1990011617A1 (fr) 1989-03-28 1990-03-27 Fil de liaison revêtu de resine, procede de production d'un tel fil et dispositif a semi-conducteur
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2462822B (en) * 2008-08-18 2011-11-02 Crombie 123 Ltd Wire bonding
US8618420B2 (en) 2008-08-18 2013-12-31 Semblant Global Limited Apparatus with a wire bond and method of forming the same
US8995146B2 (en) 2010-02-23 2015-03-31 Semblant Limited Electrical assembly and method
US9648720B2 (en) 2007-02-19 2017-05-09 Semblant Global Limited Method for manufacturing printed circuit boards
US11786930B2 (en) 2016-12-13 2023-10-17 Hzo, Inc. Protective coating

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9648720B2 (en) 2007-02-19 2017-05-09 Semblant Global Limited Method for manufacturing printed circuit boards
GB2462822B (en) * 2008-08-18 2011-11-02 Crombie 123 Ltd Wire bonding
US8618420B2 (en) 2008-08-18 2013-12-31 Semblant Global Limited Apparatus with a wire bond and method of forming the same
US8995146B2 (en) 2010-02-23 2015-03-31 Semblant Limited Electrical assembly and method
US11786930B2 (en) 2016-12-13 2023-10-17 Hzo, Inc. Protective coating
US12521756B2 (en) 2016-12-13 2026-01-13 Hzo, Inc. Protective coating

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