JPH02288043A - 電子管用陰極 - Google Patents
電子管用陰極Info
- Publication number
- JPH02288043A JPH02288043A JP1106307A JP10630789A JPH02288043A JP H02288043 A JPH02288043 A JP H02288043A JP 1106307 A JP1106307 A JP 1106307A JP 10630789 A JP10630789 A JP 10630789A JP H02288043 A JPH02288043 A JP H02288043A
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- JP
- Japan
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- electron
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- layer
- material layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野]
この発明は、TV用ジブラウン管どに用いられる電子管
用陰極に関するものである。
用陰極に関するものである。
第2図は従来のTV用ジブラウン管撮像管に用いられて
いる陰極を示すものであり、図において、1はシリコン
(Si)、マグネシウム(Mg)などの還元性元素を微
量含む主成分がニッケルからなる有底筒状の基体、2は
この基体lの底部上面に被着され、少なくともバリウム
(Ba)を含み、他にストロンチウム(Sr)あるいは
/及びカルシウム(Ca)を含むアルカリ土類金属酸化
物からなる電子放射物質層、3は上記基体1内に配設さ
れたヒータであり、加熱により上記電子放射物質層2か
ら熱電子を放出させるためのものである。
いる陰極を示すものであり、図において、1はシリコン
(Si)、マグネシウム(Mg)などの還元性元素を微
量含む主成分がニッケルからなる有底筒状の基体、2は
この基体lの底部上面に被着され、少なくともバリウム
(Ba)を含み、他にストロンチウム(Sr)あるいは
/及びカルシウム(Ca)を含むアルカリ土類金属酸化
物からなる電子放射物質層、3は上記基体1内に配設さ
れたヒータであり、加熱により上記電子放射物質層2か
ら熱電子を放出させるためのものである。
かかる構成の電子管用陰極において、基体1への電子放
射物質層2の被着は次のようにして行われる。まず、ア
ルカリ土類金属(Ba、 Sr、 Ca)の三元炭酸塩
からなる懸濁液を基体lの底部上面に塗布し、真空排気
工程中にヒータ3によって加熱する。この時、アルカリ
土類金属の炭酸塩はアルカリ土類金属の酸化物に変化す
る。その後、アルカリ土類金属の酸化物の一部を還元し
半導体的性質を有するように活性化を行い、基体1上に
アルカリ土類金属の酸化物からなる電子放射物質層2を
得る。
射物質層2の被着は次のようにして行われる。まず、ア
ルカリ土類金属(Ba、 Sr、 Ca)の三元炭酸塩
からなる懸濁液を基体lの底部上面に塗布し、真空排気
工程中にヒータ3によって加熱する。この時、アルカリ
土類金属の炭酸塩はアルカリ土類金属の酸化物に変化す
る。その後、アルカリ土類金属の酸化物の一部を還元し
半導体的性質を有するように活性化を行い、基体1上に
アルカリ土類金属の酸化物からなる電子放射物質層2を
得る。
上記活性化工程においては、アルカリ土類金属の酸化物
の一部は次のように反応する。即ち、基体l内のシリコ
ン、マグネシウム等の還元性元素は、拡散によりアルカ
リ土類金属の酸化物と基体1との界面に移動し、アルカ
リ土類金属酸化物と反応する。例えば、アルカリ土類金
属酸化物が酸化バリウム(BaO)であれば、次式(1
)、 (2)のように反応する。
の一部は次のように反応する。即ち、基体l内のシリコ
ン、マグネシウム等の還元性元素は、拡散によりアルカ
リ土類金属の酸化物と基体1との界面に移動し、アルカ
リ土類金属酸化物と反応する。例えば、アルカリ土類金
属酸化物が酸化バリウム(BaO)であれば、次式(1
)、 (2)のように反応する。
BaO+ KSI = Ba 十′/2S+Oz
++ ・+ (1)BaO+ Mg = Ba
+ Mg’O−−(2)この反応により基体1上の
アルカリ土類金属酸化物の一部が還元され、酸素欠乏型
の半導体となり、陰極温度700〜800″Cの動作温
度で0.5〜0.8 A/cdの電子放射が得られるこ
とになる。
++ ・+ (1)BaO+ Mg = Ba
+ Mg’O−−(2)この反応により基体1上の
アルカリ土類金属酸化物の一部が還元され、酸素欠乏型
の半導体となり、陰極温度700〜800″Cの動作温
度で0.5〜0.8 A/cdの電子放射が得られるこ
とになる。
ところが、上記電子管用陰極では、電子放射が0.5〜
0.8A/cd以上の電流密度は取り出せない。
0.8A/cd以上の電流密度は取り出せない。
その理由として、アルカリ土類金属酸化物の一部を還元
反応させた場合、上記(1)、 (2)弐から明らかな
ように、基体1とアルカリ土類金属酸化物層との界面に
SiO□、 ngoあるいはBaO・SiO□なとの複
合酸化物層(中間層)が形成され、この中間層が高抵抗
層となって電流の流れを妨げること、及び上記中間層が
基体l中の還元性元素(Si、 Mg)が電子放射物質
層2の表面側へ拡散するのを妨げるため十分な量のバリ
ウム(Ba)が生成されないことが考えられている。つ
まり、電子管動作中に基体1と電子放射物質層2との界
面近傍、特に基体1表面近傍のニッケル結晶粒界と上記
界面より10p1程度電子放射物質層2内側の位置に上
記中間層が偏析するため、電流の流れ及び電子放射物質
層2表面側への還元性元素の拡散が妨げられ、高電流密
度下の十分な電子放出特性が得られないという問題があ
った。
反応させた場合、上記(1)、 (2)弐から明らかな
ように、基体1とアルカリ土類金属酸化物層との界面に
SiO□、 ngoあるいはBaO・SiO□なとの複
合酸化物層(中間層)が形成され、この中間層が高抵抗
層となって電流の流れを妨げること、及び上記中間層が
基体l中の還元性元素(Si、 Mg)が電子放射物質
層2の表面側へ拡散するのを妨げるため十分な量のバリ
ウム(Ba)が生成されないことが考えられている。つ
まり、電子管動作中に基体1と電子放射物質層2との界
面近傍、特に基体1表面近傍のニッケル結晶粒界と上記
界面より10p1程度電子放射物質層2内側の位置に上
記中間層が偏析するため、電流の流れ及び電子放射物質
層2表面側への還元性元素の拡散が妨げられ、高電流密
度下の十分な電子放出特性が得られないという問題があ
った。
これに対して、特願昭60−229303号の出願には
、基体に0.01〜0.5重置%の希土類金属を含有さ
せる手段が示されている。これは電子放射物質層を基体
に被着形成する際の上記活性化時にアルカリ土類金属の
炭酸塩が分解するとき、あるいは陰極としての動作中に
酸化バリウムが解離反応を起こすときの基体の酸化反応
を防止しようとするものである。そして又電子放射物質
層中への基体含有の還元性元素の拡散を適度に制御し、
該還元性元素による複合酸化物からなる中間層が基体と
電子放射物質層界面近傍に集中的に形成されることを防
止し、中間層を電子放射物質層内に分散させようとして
いる。つまり、この第2の従来例の電子管用陰極は、上
記中間層の分散により1〜2^/cd程度の高電流密度
動作でのエミッション劣化が少なくなるという優れた特
性を有するものである。しかし、この電子管用陰極にお
いても、2 A/dを超える例えば2.5^/ctlの
高電流密度動作ではエミッション劣化が大きいという問
題がある。
、基体に0.01〜0.5重置%の希土類金属を含有さ
せる手段が示されている。これは電子放射物質層を基体
に被着形成する際の上記活性化時にアルカリ土類金属の
炭酸塩が分解するとき、あるいは陰極としての動作中に
酸化バリウムが解離反応を起こすときの基体の酸化反応
を防止しようとするものである。そして又電子放射物質
層中への基体含有の還元性元素の拡散を適度に制御し、
該還元性元素による複合酸化物からなる中間層が基体と
電子放射物質層界面近傍に集中的に形成されることを防
止し、中間層を電子放射物質層内に分散させようとして
いる。つまり、この第2の従来例の電子管用陰極は、上
記中間層の分散により1〜2^/cd程度の高電流密度
動作でのエミッション劣化が少なくなるという優れた特
性を有するものである。しかし、この電子管用陰極にお
いても、2 A/dを超える例えば2.5^/ctlの
高電流密度動作ではエミッション劣化が大きいという問
題がある。
次に特願昭60−160851号の出願には、電子放射
物質層に0.1〜20重量%の希土類金属酸化物を含有
させることにより、上述の第2の従来例と同様に基体酸
化を防止し中間層を分散させるという技術が示されてい
る。この場合上記と同様に2A/cdの高電流密度動作
でエミッションの劣化を少なくできる。しかしながら2
A/crj以上の高電流密度動作においては電子放射物
質層を流れる電流によるジュール熱でバリウムの蒸発が
顕著になり、電子放射特性が劣化することがある。
物質層に0.1〜20重量%の希土類金属酸化物を含有
させることにより、上述の第2の従来例と同様に基体酸
化を防止し中間層を分散させるという技術が示されてい
る。この場合上記と同様に2A/cdの高電流密度動作
でエミッションの劣化を少なくできる。しかしながら2
A/crj以上の高電流密度動作においては電子放射物
質層を流れる電流によるジュール熱でバリウムの蒸発が
顕著になり、電子放射特性が劣化することがある。
この発明者等は上記のような問題点を解消するために、
先に主成分がニッケルからなる基体上に、少なくともバ
リウムを含むアルカリ土類金属酸化物を主成分とし、こ
れにスカンジウムの化合物と、アルミニウム、シリコン
、チタン等の酸化物の1種とを含んだ電子放射物質層を
被着させた電子管陰極管を提案した。
先に主成分がニッケルからなる基体上に、少なくともバ
リウムを含むアルカリ土類金属酸化物を主成分とし、こ
れにスカンジウムの化合物と、アルミニウム、シリコン
、チタン等の酸化物の1種とを含んだ電子放射物質層を
被着させた電子管陰極管を提案した。
そしてこれにより上述の2A/dを超える高電流密度動
作においても長期に安定したエミッション特性を示す電
子管用陰極を提供することができた。
作においても長期に安定したエミッション特性を示す電
子管用陰極を提供することができた。
しかしながら上記の従来例及び発明者等による先の提案
の電子管用陰極において、特に上記2A/c+aを超え
るような高電流密度動作において、かつ長時間の使用後
の電子管陰極の基体と電子放射物質層との界面において
は、非常番ご稀でしがちその理由が詳らかではないが導
電性の低下を生し、その結果特に高電流密度下での電子
放射特性に問題を生じ該電子管陰極のエミッション特性
を劣化させる重大な原因となり、製品の信頼性を低下さ
せる問題があった。
の電子管用陰極において、特に上記2A/c+aを超え
るような高電流密度動作において、かつ長時間の使用後
の電子管陰極の基体と電子放射物質層との界面において
は、非常番ご稀でしがちその理由が詳らかではないが導
電性の低下を生し、その結果特に高電流密度下での電子
放射特性に問題を生じ該電子管陰極のエミッション特性
を劣化させる重大な原因となり、製品の信頼性を低下さ
せる問題があった。
この発明はこのような問題点を解消するためになされた
ものである。
ものである。
この発明は、主成分がニッケルからなる基体上に、第1
層として酸化スカンジウムと、鉄、アルミニウム、チタ
ン、ジルコニウム、ハフニウム。
層として酸化スカンジウムと、鉄、アルミニウム、チタ
ン、ジルコニウム、ハフニウム。
ニオブ、タンタル、モリブデン、タングステンレニウム
、オスミウム、イリジウム、白金、パラジウム、ロジウ
ム、金、バナジウム、クロム、マンガン、銅、亜鉛、ビ
スマス、インジウム、シリコンの少なくとも1種とを含
む混合物層を被着し、さらにこの第1層混合物層上に少
なくともバリウムを含むアルカリ土類金属酸化物を被着
形成した電子放射物質層を備えたことを特徴とする電子
管用陰極である。
、オスミウム、イリジウム、白金、パラジウム、ロジウ
ム、金、バナジウム、クロム、マンガン、銅、亜鉛、ビ
スマス、インジウム、シリコンの少なくとも1種とを含
む混合物層を被着し、さらにこの第1層混合物層上に少
なくともバリウムを含むアルカリ土類金属酸化物を被着
形成した電子放射物質層を備えたことを特徴とする電子
管用陰極である。
(作 用〕
この発明においては、基体上に先づ第1層として鉄、ア
ルミニウム、チタン、銅等の少なくとも1種と酸化スカ
ンジウムとの混合物が被着され、更にその上に少なくと
もバリウムを含むアルカリ土類金属酸化物による電子放
射物質層が被着形成されている。
ルミニウム、チタン、銅等の少なくとも1種と酸化スカ
ンジウムとの混合物が被着され、更にその上に少なくと
もバリウムを含むアルカリ土類金属酸化物による電子放
射物質層が被着形成されている。
従って上記第1層温合物中の鉄、uAなどの金属の存在
が基体及び電子放射物質層界面での導電性を高く保ちそ
の結果、特に高電流密度下での電子放出特性を維持して
前記エミッション特性の劣化を防止する作用を示す。
が基体及び電子放射物質層界面での導電性を高く保ちそ
の結果、特に高電流密度下での電子放出特性を維持して
前記エミッション特性の劣化を防止する作用を示す。
以下この発明の一実施例を第1図に基づいて説明する。
この図において、■は主成分がニッケルからなる基体で
あり、この基体1中にはSi、 Mgなどの還元剤が含
有されている。
あり、この基体1中にはSi、 Mgなどの還元剤が含
有されている。
次に4は、上記基体lの底部上面に被着された第1の混
合物層であって、酸化スカンジウムと、鉄、アルミニウ
ム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、タン
タル、モリブデン、タングステン、レニウム、オスミウ
ム、イリジウム、白金、パラジウム、ロジウム、金、バ
ナジウム、クロム、マンガン、銅、亜鉛、ビスマス、イ
ンジウム、シリコンの少なくとも1種とを含む混合物で
ある。これら鉄、アルミニウム、銅などの平均粒径は約
2ミクロン程度が好ましいが特に制約はない、又これら
鉄、アルミニウム、銅などの酸化スカンジウムに対する
混合量は0.5〜lO%、好ましくは3重量%である。
合物層であって、酸化スカンジウムと、鉄、アルミニウ
ム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオブ、タン
タル、モリブデン、タングステン、レニウム、オスミウ
ム、イリジウム、白金、パラジウム、ロジウム、金、バ
ナジウム、クロム、マンガン、銅、亜鉛、ビスマス、イ
ンジウム、シリコンの少なくとも1種とを含む混合物で
ある。これら鉄、アルミニウム、銅などの平均粒径は約
2ミクロン程度が好ましいが特に制約はない、又これら
鉄、アルミニウム、銅などの酸化スカンジウムに対する
混合量は0.5〜lO%、好ましくは3重量%である。
その下限以下では導電性が充分でなく、又上限以上はそ
の必要性がなくかつ被着性が低下する。使用バインダー
は例えばニトロセルローズを含む酢酸ブチルラッカー等
が望ましい。酸化スカンジウム及び上記金属粉を約3重
量%程度分散させスプレー法等により塗布し乾燥させる
。乾燥膜厚としては5〜20.望ましくは10ミクロン
程度とするのが好ましい。
の必要性がなくかつ被着性が低下する。使用バインダー
は例えばニトロセルローズを含む酢酸ブチルラッカー等
が望ましい。酸化スカンジウム及び上記金属粉を約3重
量%程度分散させスプレー法等により塗布し乾燥させる
。乾燥膜厚としては5〜20.望ましくは10ミクロン
程度とするのが好ましい。
そして更に水素雰囲気中、1000°C,5分程度の焼
結を行う。
結を行う。
次に5は、上記第1の混合物層4上に被着された電子放
射物質層であり、具体的にはバリウム。
射物質層であり、具体的にはバリウム。
ストロンチウム、カルシウムの三元酸化物を主成分とし
たものである。上記バリウムなどのアルカリ土類金属酸
化物は、上述した如くはじめ炭酸塩で混合し、従来と同
様に、常法の如く炭酸塩から酸化物への分解過程及び酸
化物の一部を還元する活性化過程を経て形成される。
たものである。上記バリウムなどのアルカリ土類金属酸
化物は、上述した如くはじめ炭酸塩で混合し、従来と同
様に、常法の如く炭酸塩から酸化物への分解過程及び酸
化物の一部を還元する活性化過程を経て形成される。
第3図は、この発明の具体例として、主成分が二・7ケ
ルからなる基体上に、第1層として酸化スカンジウムに
鉄粉を3重量%混入したものを被着、第2層としてバリ
ウム ストロンチウム、カルシウムの酸化物に被着した
もの(a)、第1層として酸化スカンジウムに銅粉を3
重量%混入したもの(b)及び第1層として酸化スカン
ジウムに鉄粉を2重量%及び銅粉を1重量%混入したも
の(C)、さらに従来例としてバリウム、ストロンチウ
ム、カルシウムの酸化物に酸化スカンジウムを4重量%
含むもの(d)、及び酸化スカンジウムを含有しないも
の(e)による電子放射物質層を、夫々上記の基体上に
上記説明の方法に準する手段で形成して電子管用陰極を
作成し、この電子管用陰極を用いて2極真空管を作成し
、2.5A/aflの電流密度で動作させて寿命試験を
行った場合のエミッション電流の変化を調べた結果を示
したものである。
ルからなる基体上に、第1層として酸化スカンジウムに
鉄粉を3重量%混入したものを被着、第2層としてバリ
ウム ストロンチウム、カルシウムの酸化物に被着した
もの(a)、第1層として酸化スカンジウムに銅粉を3
重量%混入したもの(b)及び第1層として酸化スカン
ジウムに鉄粉を2重量%及び銅粉を1重量%混入したも
の(C)、さらに従来例としてバリウム、ストロンチウ
ム、カルシウムの酸化物に酸化スカンジウムを4重量%
含むもの(d)、及び酸化スカンジウムを含有しないも
の(e)による電子放射物質層を、夫々上記の基体上に
上記説明の方法に準する手段で形成して電子管用陰極を
作成し、この電子管用陰極を用いて2極真空管を作成し
、2.5A/aflの電流密度で動作させて寿命試験を
行った場合のエミッション電流の変化を調べた結果を示
したものである。
第3図の結果によれば、電子放射物質層として酸化スカ
ンジウムを含有しないもの(e)に比べて、本発明の実
施例品(a)、(b)及び(C)、即ち第1層として酸
化スカンジウムと、鉄、銅、あるいはこれら両者の混合
物層を形成したものは経時的なエミッション劣化が著し
く少なく高い寿命を有するものであった。
ンジウムを含有しないもの(e)に比べて、本発明の実
施例品(a)、(b)及び(C)、即ち第1層として酸
化スカンジウムと、鉄、銅、あるいはこれら両者の混合
物層を形成したものは経時的なエミッション劣化が著し
く少なく高い寿命を有するものであった。
そして又、バリウム、ストロンチウム、カルシウムの酸
化物に酸化スカンジウムを含有させ、基体上に単独層と
して形成させたもの(d)に比べても、特に6000〜
8000時間にも達する長時間使用でそれらのエミッシ
ョン劣化の差異が歴然としていた。
化物に酸化スカンジウムを含有させ、基体上に単独層と
して形成させたもの(d)に比べても、特に6000〜
8000時間にも達する長時間使用でそれらのエミッシ
ョン劣化の差異が歴然としていた。
この発明の電子管用陰極が上記の如〈従来品に比べて高
い優れた特性を維持し得る理由は以下のように考えられ
る。
い優れた特性を維持し得る理由は以下のように考えられ
る。
fi1基体上に先づ第1層として鉄、アルミニウム。
チタン、 !1;I等の少なくとも1種と酸化スカンジ
ウムとの混合物が被着され、更にその上に少なくともバ
リウムを含むアルカリ土類金属酸化物による電子放射物
質層が被着形成されていることにより、上記第1層温合
物中の鉄、銅などの金属の存在が基体及び電子放射物質
層界面での導電性を高く保ちその結果、特に高電流密度
下での電子放出特性を維持して前記エミッション特性の
劣化を防止することになる。
ウムとの混合物が被着され、更にその上に少なくともバ
リウムを含むアルカリ土類金属酸化物による電子放射物
質層が被着形成されていることにより、上記第1層温合
物中の鉄、銅などの金属の存在が基体及び電子放射物質
層界面での導電性を高く保ちその結果、特に高電流密度
下での電子放出特性を維持して前記エミッション特性の
劣化を防止することになる。
fiil基体と電子放射物質層との間に酸化スカンジウ
ム及び金属の混合層が介在していることにより電流密度
が向上し、これも上記特性向上に寄与する。
ム及び金属の混合層が介在していることにより電流密度
が向上し、これも上記特性向上に寄与する。
以上の如く本発明電子管用陰極は、主成分がニッケルか
らなる基体上に酸化スカンジウム及び鉄。
らなる基体上に酸化スカンジウム及び鉄。
銅等の金属粉の混合物を被着させ、この上に少なくとも
バリウムを含むアルカリ土類金属酸化物を被着形成して
なるものであり、上記酸化スカンジウム及び金属粉層の
介在により基体と電子放射物質層との被着界面における
導電性が安定して維持され、かつ電流密度も向上し、そ
の結果特に2A/C−以上の高電流密度による動作の下
での長寿命を確実に実現できるという効果を有する。
バリウムを含むアルカリ土類金属酸化物を被着形成して
なるものであり、上記酸化スカンジウム及び金属粉層の
介在により基体と電子放射物質層との被着界面における
導電性が安定して維持され、かつ電流密度も向上し、そ
の結果特に2A/C−以上の高電流密度による動作の下
での長寿命を確実に実現できるという効果を有する。
第1図はこの発明の一実施例による電子管用陰極を示す
断面図、第2図は従来の電子管用陰極を示す断面図、第
3図は電子管用陰極を用いた2橿真空管の寿命試験時間
とエミッション電流との関係を示す図である。 なお各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 第1図 第2図
断面図、第2図は従来の電子管用陰極を示す断面図、第
3図は電子管用陰極を用いた2橿真空管の寿命試験時間
とエミッション電流との関係を示す図である。 なお各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 第1図 第2図
Claims (1)
- 主成分がニッケルからなる基体上に、第1層として酸化
スカンジウムと、鉄、アルミニウム、チタン、ジルコニ
ウム、ハフニウム、ニオブ、タンタル、モリブデン、タ
ングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金
、パラジウム、ロジウム、金、バナジウム、クロム、マ
ンガン、銅、亜鉛、ビスマス、インジウム、シリコンの
少なくとも1種とを含む混合物層を被着し、さらにこの
第1層混合物層上に少なくともバリウムを含むアルカリ
土類金属酸化物を被着形成した電子放射物質層を備えた
ことを特徴とする電子管用陰極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1106307A JPH02288043A (ja) | 1989-04-26 | 1989-04-26 | 電子管用陰極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1106307A JPH02288043A (ja) | 1989-04-26 | 1989-04-26 | 電子管用陰極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02288043A true JPH02288043A (ja) | 1990-11-28 |
Family
ID=14430342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1106307A Pending JPH02288043A (ja) | 1989-04-26 | 1989-04-26 | 電子管用陰極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02288043A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030047054A (ko) * | 2001-12-07 | 2003-06-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자관용 금속 음극 및 그 제조방법 |
| RU2747505C1 (ru) * | 2020-09-21 | 2021-05-06 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" имени Шокина") | Молекулярно-напыленный оксидный катод |
-
1989
- 1989-04-26 JP JP1106307A patent/JPH02288043A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030047054A (ko) * | 2001-12-07 | 2003-06-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자관용 금속 음극 및 그 제조방법 |
| RU2747505C1 (ru) * | 2020-09-21 | 2021-05-06 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" имени Шокина") | Молекулярно-напыленный оксидный катод |
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