JPH0228914B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 本発明は混成集積回路等に用いられるニツケル
メツキ抵抗体の改良に関する。

(ロ) 従来技術 混成集積回路の基板として表面をアルマイト処
理したアルミニウム基板が良く知られている。斯
る基板は放熱性が良好であるので大電力を消費す
る抵抗体も組込みでき、特に金属被膜抵抗例えば
ニツケルメツキ抵抗の組込みが可能となつた。

斯るニツケルメツキ抵抗体は第１図に示す如
く、混成集積回路等の基板１上に離間して導電路
２，２を設け、その両端が導電路２，２と重畳し
且つ導電路２，２間の基板１上に延在されたニツ
ケルメツキ抵抗体層５を選択的に無電界メツキし
て形成する。

更に斯るニツケルメツキ抵抗体の形成方法を第
２図Ａ，Ｂに示す。

まず第２図Ａに示す如く、基板１上に離間した
導電路２，２を設けた後、斜線で示すレジスト層
３をスクリーン印刷して所望の抵抗体形状の窓４
を形成する。斯る窓４はその両端に導電路２，２
を露出している。次に第２図Ｂに示す如く、窓４
に対応する部分に無電界ニツケルメツキ法により
ニツケルメツキ抵抗体層５を形成する。

しかしながら斯上の方法ではレジスト層３をス
クリーン印刷する際にスキージーと基板１表面に
導電路２によりすき間が発生し、レジスト層３が
スキージーの印刷方向に向つて突出するために第
２図Ａに示す如くレジスト層３にひげ部６が発生
した。このひげ部６にはニツケルメツキされない
ためにニツケルメツキ抵抗体層５は第２図Ｂに示
す如く導電路２，２端部でひげ部６に応じた切り
込み部７ができる。このためにニツケルメツキ抵
抗体５はこの部分で焼断し易くなり、電流容量が
設計値の半分程度に減少してしまう欠点がある。

また当然であるが導電路２の段差部分ではニツ
ケルメツキ層他の部分に比べて十分な厚みに付着
できない根本的な欠点もある。従つてニツケルメ
ツキ抵抗体は導電路２の段差部分で斯上した如く
構造上も製法上も最も弱く焼断し易いのである。

(ハ) 発明の目的 本発明は斯上した欠点に鑑みてなされ、従来の
欠点を大巾に改善したニツケルメツキ抵抗体を提
供することを目的とする。

(ニ) 発明の構成 本発明に依るニツケルメツキ抵抗体は第３図の
如く、基板１０と、基板１０上に離間して設けた
導電路１１，１１と、導電路１１，１１間にその
両端を重畳し基板１０上を延在されるニツケルメ
ツキ抵抗体層１５と、導電路１１の段差に対応し
てニツケルメツキ抵抗体層１５上に重畳して設け
たニツケルメツキ被覆体層１９より構成され、ニ
ツケルメツキ被覆体層１９の比抵抗値をニツケル
メツキ抵抗体層１５の比抵抗値より十分に低く設
定したことを特徴とする。

(ホ) 実施例 基板１０は表面をアルマイト処理したアルミニ
ウム基板、あるいはアルミニウム基板１０上にエ
ポキシ樹脂、ポリイミド樹脂を付着して絶縁した
ものを用いる。斯る基板１０は低熱抵抗であり、
良熱伝導度のものが望まれる。

基板１０上には銅箔を全面に貼つた後所望形状
にエツチングして形成した導電路１１，１１を設
ける。斯る導電路１１は銅ペースト等のスクリー
ン印刷によつても実現できる。

斯る導電路１１，１１間にはその両端を重畳し
且つ基板１０上を延在されるニツケルメツキ抵抗
体層１５を設ける。このニツケルメツキ抵抗体層
１５がニツケルメツキ抵抗体の実質的な抵抗値を
決めている。ニツケルメツキ抵抗体層１５はニツ
ケルの無電界メツキにより選択的に約0.3〜3μ厚
に形成され、比抵抗は３〜50Ω／□に選ばれ抵抗
体の巾と長さで所望の抵抗値を得る。

ニツケルメツキ被覆体層１９は導電路１１の段
差部分に対応してニツケルメツキ抵抗体層１５上
に重畳して設けられ、ニツケル抵抗体層１５の比
抵抗より十分に低い比抵抗に選ばれる。具体的に
は比抵抗0.01〜0.7Ω／□の間に選ばれ、約3μ厚程
度に無電界ニツケルメツキにより形成する。

第５図にニツケルメツキ抵抗体の短時間過負荷
試験特性を示す。短時間過負荷試験はニツケルメ
ツキ抵抗体に電流を徐々に流し、単位面積当りの
ワツト数がいくらまで抵抗体が焼断せず持久でき
るかを調査する試験である。第５図の実線は第１
図に示すニツケルメツキ抵抗体層のみで形成され
たニツケルメツキ抵抗体の特性であり、所定のワ
ツト数（具体的には3W／mm²）に至る前に焼断す
る抵抗体が多く発生する。これはニツケルメツキ
抵抗体層１５が最も弱い導電路１１の段差部分で
定格以下で焼断するからである。第５図の点線は
本発明のニツケルメツキ抵抗体でニツケルメツキ
被覆体層１９の比抵抗をニツケルメツキ抵抗体層
１５の半分（具体的には3Ωと1.5Ω）に設定した
場合の特性を示す。この場合従来に比べて定格以
下での焼断個数は大巾に低減されているが、まだ
定格以下での焼断も発生している。第５図の一点
破線は本発明のニツケルメツキ抵抗体でニツケル
メツキ被覆体層１９の比抵抗をニツケルメツキ抵
抗体層１５の1/3以下（具体的には3Ωと0.7Ω）に
設定した場合の特性を示す。この場合は定格以下
での焼断はほとんどなくなり、ニツケルメツキ被
覆体層１９の効果が著しく表われている。これは
電流が低比抵抗のニツケルメツキ被覆体層１９を
完全にバイパスして流れているからであり、且つ
低比抵抗のニツケルメツキ被覆体層１９は少いメ
ツキ厚で十分な効果が得られるのである。

更に第４図を参照して本発明のニツケルメツキ
抵抗体の形成方法を説明する。

本発明の第１の工程は第４図Ａに示す如く、基
板１０上に離間して導電路１１，１１を設けた後
斜線で示すレジスト層１２をスクリーン印刷して
第１の窓１３を形成することにある。基板１０と
しては平坦なアルマイト処理したアルミニウム基
板を用い、第１の窓１３は導電路１１，１１にそ
の両端を重ねる様に所望の抵抗体形状に形成され
る。従つて本工程では従来と同様に導電路１１，
１１の端部にひげ部１４が発生する。

次に本発明の第２の工程は第４図Ｂに示す如
く、第１の窓１３に対応する部分にニツケルメツ
キ抵抗体層１５を形成し、続いて前工程のレジス
ト層１２を除去して新たに第２の窓１６を有する
レジスト層１７をスクリーン印刷することにあ
る。

ニツケルメツキ抵抗体層１５は基板１０全体を
硫化ニツケルと次亜リン酸ソーダ等から成る無電
界メツキ液（リン濃度11％）に浸して形成され、
約0.3〜3μ厚に形成される。従つて本発明のニツ
ケルメツキ抵抗体層１５は従来と同様に切り込み
部１８を導電路１１端部に有する。

次に第２の窓１６は導電路１１端部の段部およ
びその近傍の導電路１１およびニツケルメツキ抵
抗体層１５を露出しており、且つ第２の窓１６の
巾をニツケルメツキ抵抗体層１５巾より大きくし
てスクリーン印刷時に発生する導電路１１端部で
のひげを十分に吸収できる様にする。

本発明の第３の工程は第４図Ｃに示す如く、第
２の窓１６に対応する部分にニツケルメツキ被覆
体層１９を形成することにある。

ニツケルメツキ被覆体層１９は前工程と同様に
ニツケルの無電界メツキ（メツキ液のリン濃度８
％）により形成され、且つニツケルメツキ抵抗体
層１５より十分に低比抵抗に形成される。このニ
ツケルメツキ被覆体層１９は直接抵抗値に関係し
ないがメツキ処理時間を短縮するために約3μく
らいにメツキする。またニツケルメツキ被覆体層
１９はニツケルメツキ抵抗体層１５より巾広に形
成し、導電路１１の段差部分に発生する切り込み
部１８やメツキ厚不良を完全に被覆してニツケル
メツキ抵抗体層１５の補強をする。

なお無電界ニツケルメツキの比抵抗の調整は上
述した如くメツキ液のリン濃度を変えて行う。

(ヘ) 効果 斯上した本発明によるニツケルメツキ抵抗体は
ニツケルメツキ抵抗体層１５の最も弱い導電路１
１の段差部分で電流を低比抵抗のニツケルメツキ
被覆体層１９にバイパスでき、導電路１１の段差
部分でのニツケルメツキ抵抗体の焼断を未然に防
止できる。

また本発明ではニツケルメツキ被覆体層１９を
十分に低比抵抗に形成するので薄いメツキの厚さ
でも十分に効果を有し、メツキの厚みのバラツキ
にあまり関係なく焼断を防止できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のニツケルメツキ抵抗体を説明す
る断面図、第２図Ａ，Ｂは従来のニツケルメツキ
抵抗体の形成方法を説明する平面図、第３図は本
発明のニツケルメツキ抵抗体を説明する断面図、
第４図Ａ，Ｂ，Ｃは本発明のニツケルメツキ抵抗
体の形成方法を説明する平面図、第５図は従来お
よび本発明によるニツケルメツキ抵抗体の短時間
過負荷試験特性を示す特性図である。 主な図番の説明、１０は基板、１１は導電路、
１５はニツケルメツキ抵抗体層、１９はニツケル
メツキ被覆体層である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 基板上に離間して設けた導電路間に設けたニ
   ツケルメツキ抵抗体に於いて、 その両端が前記導電路と重畳し前記基板上に延
   在された所望の抵抗値を有する大電力用のニツケ
   ルメツキ抵抗体層と、 少くとも前記導電路の段部に対応する前記大電
   力用のニツケルメツキ抵抗層上に重畳して設けた
   前記大電力用のニツケルメツキ抵抗体層より十分
   に低比抵抗のニツケルメツキ被覆体層とより構成
   されることを特徴とするニツケルメツキ抵抗体。