JPS606555B2 - 混成集積回路の抵抗体構造 - Google Patents
混成集積回路の抵抗体構造Info
- Publication number
- JPS606555B2 JPS606555B2 JP55054968A JP5496880A JPS606555B2 JP S606555 B2 JPS606555 B2 JP S606555B2 JP 55054968 A JP55054968 A JP 55054968A JP 5496880 A JP5496880 A JP 5496880A JP S606555 B2 JPS606555 B2 JP S606555B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nickel plating
- layer
- integrated circuit
- hybrid integrated
- nickel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/80—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple passive components, e.g. resistors, capacitors or inductors
- H10D86/85—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates characterised by multiple passive components, e.g. resistors, capacitors or inductors characterised by only passive components
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は混成集積回路の抵抗体構造に関しト特にニッケ
ルメッキに依って抵抗体を形成するものに関する。
ルメッキに依って抵抗体を形成するものに関する。
一般に混成集積回路は基板上に導電路を形成し、半導体
素子等を固着すると共にカーボン粒子の混入されたペー
ストを導電路間に印刷することに依って抵抗体を形成す
るものである。
素子等を固着すると共にカーボン粒子の混入されたペー
ストを導電路間に印刷することに依って抵抗体を形成す
るものである。
また混成集積回路基板に熱伝導性の良い金属を用いて放
熱効率を高めた混成集積回路が実用化されている。第１
図は金属基板を用いた混成集積回路の断面図であり、基
板１はアルミニウムを用いており、アルミニウムの表面
を陽極酸化することに依って酸化アルミニウムの絶縁薄
層２が形成され、更に絶縁簿層２上に絶縁を兼ねる樹脂
層３で銅箔を接着し、所望のパターンに導電路４を形成
した構造であり、導電路４上には半導体素子（図示せず
）等が固着される。更に所定の導電路間には抵抗体が形
成されるが抵抗体をカーボン粒子を用いて形成した場合
には層抵抗ＲＳが最低で１００程度のものを作るのが技
術的に限界であり、実用的には１０００程度のものが最
低で、数オーム以下の低抵抗を混成集積回路内に作るこ
とは困難であった。
熱効率を高めた混成集積回路が実用化されている。第１
図は金属基板を用いた混成集積回路の断面図であり、基
板１はアルミニウムを用いており、アルミニウムの表面
を陽極酸化することに依って酸化アルミニウムの絶縁薄
層２が形成され、更に絶縁簿層２上に絶縁を兼ねる樹脂
層３で銅箔を接着し、所望のパターンに導電路４を形成
した構造であり、導電路４上には半導体素子（図示せず
）等が固着される。更に所定の導電路間には抵抗体が形
成されるが抵抗体をカーボン粒子を用いて形成した場合
には層抵抗ＲＳが最低で１００程度のものを作るのが技
術的に限界であり、実用的には１０００程度のものが最
低で、数オーム以下の低抵抗を混成集積回路内に作るこ
とは困難であった。
そこでニッケルメッキに依って低抵抗を形成する方法が
開発された。これは所定導電路間に比較的厚くニッケル
メッキを行なうものである。しかしニッケルメッキで低
抵抗体を形成する場合には層が厚くなるので問題は無い
のであるが、一般の抵抗あるいは高抵抗を形成する場合
には層が薄くなるので問題が生じた。
開発された。これは所定導電路間に比較的厚くニッケル
メッキを行なうものである。しかしニッケルメッキで低
抵抗体を形成する場合には層が厚くなるので問題は無い
のであるが、一般の抵抗あるいは高抵抗を形成する場合
には層が薄くなるので問題が生じた。
それは第１図に示す如く、比較的薄いニッケルメッキ層
５を導電路４間に形成すると、ニッケルメッキ層５と導
電路４との境界部６に亀裂が生じニッケルメッキ層５が
断線する欠陥があった。実験的に調べたところニッケル
メッキ層５の厚さが１ム以上では断線はほとんどなく、
１ム以下では急激に断線が増加し実用化が不可能であっ
た。本発明は上述した点に鑑みて為されたものであり、
ニッケルメッキ層の断線を除去し、高抵抗化を可能とし
た混成集積回路を提供するものである。
５を導電路４間に形成すると、ニッケルメッキ層５と導
電路４との境界部６に亀裂が生じニッケルメッキ層５が
断線する欠陥があった。実験的に調べたところニッケル
メッキ層５の厚さが１ム以上では断線はほとんどなく、
１ム以下では急激に断線が増加し実用化が不可能であっ
た。本発明は上述した点に鑑みて為されたものであり、
ニッケルメッキ層の断線を除去し、高抵抗化を可能とし
た混成集積回路を提供するものである。
以下図面を参照して本発明を詳細に説明する。第２図Ａ
，Ｂ，Ｃは本発明の実施例を示す工程別断面図であり、
７は基板であり、熱伝導性の良いアルミニウムから成る
。
，Ｂ，Ｃは本発明の実施例を示す工程別断面図であり、
７は基板であり、熱伝導性の良いアルミニウムから成る
。
第２図Ａに於いて、先す基板７の表面を陽極酸化するこ
とに依って酸化アルミニウムの絶縁薄層８を形成し、絶
縁薄層８上一面に絶縁性の接着樹脂層９を設け、この接
着樹脂層９に依って銅箔を接着する。銅箔は塩化第２鉄
等のエッチング液に依って定められたパターンにエッチ
ングされ導電路１０が形成さる。この導電路１０は絶縁
薄層８及び接着樹脂層９に依って基板７と電気的に絶縁
される。次に抵抗体を形成する部分、即ち所定の導電路
１０の一部とその導電路１０間に露出している接着樹脂
層９を除く全ての導電路１０及び接着樹脂層９上にレジ
スト１１をスクリーン印刷等に依って塗布しマスクを形
成する。更にメッキに依って抵抗体を形成する部分に活
性剤を付着し、その部分にだけニッケルが付着する様活
性化する。この様に形成された基板７はメッキ処理が為
される。メッキ処理は硫化ニッケル及び次亜リン酸ソー
ダ等から成る無電解〆ッキ液に基板７を浸すことに依っ
て行なわれ、レジスト１１の付着していない導電路貴０
及び接着樹脂層９上にニッケルが析出し、第１のニッケ
ルメッキ層１２が得られる。第１のニッケルメッキ層１
２の厚さは無電解〆ッキ液の温度及び濃度を適当に設定
し「基板７をメッキ液に浸している時間を決定すること
に依って制御できる。次に第２図Ｂに於いて、第１のニ
ッケルメッキ層１２上にレジスト１３を塗布する。
とに依って酸化アルミニウムの絶縁薄層８を形成し、絶
縁薄層８上一面に絶縁性の接着樹脂層９を設け、この接
着樹脂層９に依って銅箔を接着する。銅箔は塩化第２鉄
等のエッチング液に依って定められたパターンにエッチ
ングされ導電路１０が形成さる。この導電路１０は絶縁
薄層８及び接着樹脂層９に依って基板７と電気的に絶縁
される。次に抵抗体を形成する部分、即ち所定の導電路
１０の一部とその導電路１０間に露出している接着樹脂
層９を除く全ての導電路１０及び接着樹脂層９上にレジ
スト１１をスクリーン印刷等に依って塗布しマスクを形
成する。更にメッキに依って抵抗体を形成する部分に活
性剤を付着し、その部分にだけニッケルが付着する様活
性化する。この様に形成された基板７はメッキ処理が為
される。メッキ処理は硫化ニッケル及び次亜リン酸ソー
ダ等から成る無電解〆ッキ液に基板７を浸すことに依っ
て行なわれ、レジスト１１の付着していない導電路貴０
及び接着樹脂層９上にニッケルが析出し、第１のニッケ
ルメッキ層１２が得られる。第１のニッケルメッキ層１
２の厚さは無電解〆ッキ液の温度及び濃度を適当に設定
し「基板７をメッキ液に浸している時間を決定すること
に依って制御できる。次に第２図Ｂに於いて、第１のニ
ッケルメッキ層１２上にレジスト１３を塗布する。
レジスト１３は第１のニッケルメッキ層１２と導電路１
０との境界部１４に生じる段差部分の近傍及び第１のニ
ッケルメッキ層亀２と導電路１０とが重畳する部分を除
く、第１のニッケルメッキ層１２の中央部に塗布される
。レジスト１３が塗布された基板７を前述した無電解〆
ッキ液に浸し、第２のニッケルメッキ層１５を境界１４
近傍に析出させ、第１のニッケルメッキ層１２より厚く
少なくとも１仏以上に形成する。第２図Ａに於いて形成
したレジスト１１及び第２図Ｂに於いて形成したレジス
ト１３はトリクレン等の溶剤に依って溶解除去される。
０との境界部１４に生じる段差部分の近傍及び第１のニ
ッケルメッキ層亀２と導電路１０とが重畳する部分を除
く、第１のニッケルメッキ層１２の中央部に塗布される
。レジスト１３が塗布された基板７を前述した無電解〆
ッキ液に浸し、第２のニッケルメッキ層１５を境界１４
近傍に析出させ、第１のニッケルメッキ層１２より厚く
少なくとも１仏以上に形成する。第２図Ａに於いて形成
したレジスト１１及び第２図Ｂに於いて形成したレジス
ト１３はトリクレン等の溶剤に依って溶解除去される。
レジスト１１，１３の除去と共にレジスト１１，１３上
に広がったニッケルも除去され、更に表面をブラッシン
グすることに依ってバリが取れ、第２図Ｃの如〈所定の
導電路１０及び接着樹脂層９上に第１のニッケルメッキ
層１２と第２のニッケルメッキ層１５が残ころ。この様
にして形成された抵抗体の構造が第２図Ｃに示されてい
る。
に広がったニッケルも除去され、更に表面をブラッシン
グすることに依ってバリが取れ、第２図Ｃの如〈所定の
導電路１０及び接着樹脂層９上に第１のニッケルメッキ
層１２と第２のニッケルメッキ層１５が残ころ。この様
にして形成された抵抗体の構造が第２図Ｃに示されてい
る。
第１のニッケルメッキ層１２は接着樹脂層９と強固に密
着され、更に導電路１０がニッケルと密着性の良い銅か
ら成るために導電路１０と重さなる部分の接触抵抗は全
く無いと言えるので抵抗体への影響が無視でき、バラッ
キを減少させることができる。また断線が発生しやすい
境界部１４上には第２のニッケルメッキ層１５が第１の
ニッケルメッキ層１２と密着して厚く形成されているた
め断線は生じ得ない。従ってニッケルメッキに依る高低
抗と低抵抗とを同一混成集積回路内に同時に形成可能と
なる。抵抗体としての抵抗値は第１のニッケルメッキ層
ｉ２に依って決定され、即ち第２２のニッケルメッキ層
１５の端部間に存在する第１のニッケルメッキ層１２の
距離〜幅及び厚さに被って決定されるが、第１のニッケ
ルメッキ層１２は１舷以下に形成され、層抵抗ＲＳが５
００〜１０００程度の比較的高抵抗を得ることができる
。
着され、更に導電路１０がニッケルと密着性の良い銅か
ら成るために導電路１０と重さなる部分の接触抵抗は全
く無いと言えるので抵抗体への影響が無視でき、バラッ
キを減少させることができる。また断線が発生しやすい
境界部１４上には第２のニッケルメッキ層１５が第１の
ニッケルメッキ層１２と密着して厚く形成されているた
め断線は生じ得ない。従ってニッケルメッキに依る高低
抗と低抵抗とを同一混成集積回路内に同時に形成可能と
なる。抵抗体としての抵抗値は第１のニッケルメッキ層
ｉ２に依って決定され、即ち第２２のニッケルメッキ層
１５の端部間に存在する第１のニッケルメッキ層１２の
距離〜幅及び厚さに被って決定されるが、第１のニッケ
ルメッキ層１２は１舷以下に形成され、層抵抗ＲＳが５
００〜１０００程度の比較的高抵抗を得ることができる
。
更に第１のニッケルメッキ層１２は従来のカーボン抵抗
体と同様にトリミングすることも可能であり、全ての素
子を固着した後回路を動作した状態で調整することもで
きる。また第１のニッケルメッキ属官２は接着樹脂層９
及び絶縁薄層８を介して基板７に密着されるため抵抗体
に大電流を流した時に大量の熱が発生してもも基板７に
熱が伝わり効率よく放熱されるのでｔ電力容量の大きい
回路構成に有利である。上述の如く第１のニッケルメッ
キ層と導電路との境界部上に第２のニッケルメッキ層を
形成することに依り「断線が完全に防止され」ニッケル
メッキに依る高抵抗が実現可能となり、同一混成集積回
路内にニッケルメッキに依る高抵抗と低抵抗とを同時に
形成することができるものであり「従釆のカーボン抵抗
を用いることなく効率的な混成集積回路の製造が可能と
なるものである。
体と同様にトリミングすることも可能であり、全ての素
子を固着した後回路を動作した状態で調整することもで
きる。また第１のニッケルメッキ属官２は接着樹脂層９
及び絶縁薄層８を介して基板７に密着されるため抵抗体
に大電流を流した時に大量の熱が発生してもも基板７に
熱が伝わり効率よく放熱されるのでｔ電力容量の大きい
回路構成に有利である。上述の如く第１のニッケルメッ
キ層と導電路との境界部上に第２のニッケルメッキ層を
形成することに依り「断線が完全に防止され」ニッケル
メッキに依る高抵抗が実現可能となり、同一混成集積回
路内にニッケルメッキに依る高抵抗と低抵抗とを同時に
形成することができるものであり「従釆のカーボン抵抗
を用いることなく効率的な混成集積回路の製造が可能と
なるものである。
図面の簡単な説頚
第１図は従来例を示す断面図、第２図Ａ，Ｂ，Ｃは本発
明の実施例を示す工程断面図である。
明の実施例を示す工程断面図である。
７・・・・・’基板、８・・・・・・絶縁薄層、９・…
・・接着樹脂層、１０…・・・導電路、１１・・…・レ
ジスト、１２・・・…第１のニッケルメッキ層、１３…
…レジスト、１４…・・・境界部、１５・・・・・・第
２のニッケルメッキ層。
・・接着樹脂層、１０…・・・導電路、１１・・…・レ
ジスト、１２・・・…第１のニッケルメッキ層、１３…
…レジスト、１４…・・・境界部、１５・・・・・・第
２のニッケルメッキ層。
第１図
第２図
Claims (1)
- １ 混成集積回路基板上に形成された導電路と、任意の
前記導電路間を露出してレジストを塗布し前記露出した
部分にメツキ処理を行なつて形成された第１のニツケル
メツキ層と、該第１のニツケルメツキ層と前記導電路と
が重畳した境界部近傍にメツキ処理して前記第１のニツ
ケルメツキ層よりも厚く形成された第２のニツケルメツ
キ層とから成る混成集積回路の抵抗体構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55054968A JPS606555B2 (ja) | 1980-04-24 | 1980-04-24 | 混成集積回路の抵抗体構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55054968A JPS606555B2 (ja) | 1980-04-24 | 1980-04-24 | 混成集積回路の抵抗体構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56150845A JPS56150845A (en) | 1981-11-21 |
| JPS606555B2 true JPS606555B2 (ja) | 1985-02-19 |
Family
ID=12985452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55054968A Expired JPS606555B2 (ja) | 1980-04-24 | 1980-04-24 | 混成集積回路の抵抗体構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS606555B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62503075A (ja) * | 1985-06-03 | 1987-12-10 | ブル−スサ−ド，ロバ−ト | ピラミッド型ウエ−トプレ−ト運動器具 |
| JPH0220569U (ja) * | 1988-07-25 | 1990-02-09 | ||
| JPH07204292A (ja) * | 1994-01-14 | 1995-08-08 | Nippon Kinzoku Kogyosho:Kk | ダンベル |
| TWI737425B (zh) * | 2020-07-23 | 2021-08-21 | 大陸商慶鼎精密電子（淮安）有限公司 | 內埋式線路板及其製作方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62174968A (ja) * | 1986-01-29 | 1987-07-31 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS423717Y1 (ja) * | 1965-08-05 | 1967-03-03 | ||
| JPS4525826Y1 (ja) * | 1967-11-29 | 1970-10-07 | ||
| US3822565A (en) * | 1972-06-19 | 1974-07-09 | Jet Spray Cooler Inc | Beverage dispenser |
| JPS5423427A (en) * | 1977-07-25 | 1979-02-22 | Toshiba Corp | Beam index television picture receiver |
-
1980
- 1980-04-24 JP JP55054968A patent/JPS606555B2/ja not_active Expired
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62503075A (ja) * | 1985-06-03 | 1987-12-10 | ブル−スサ−ド，ロバ−ト | ピラミッド型ウエ−トプレ−ト運動器具 |
| JPH0220569U (ja) * | 1988-07-25 | 1990-02-09 | ||
| JPH07204292A (ja) * | 1994-01-14 | 1995-08-08 | Nippon Kinzoku Kogyosho:Kk | ダンベル |
| TWI737425B (zh) * | 2020-07-23 | 2021-08-21 | 大陸商慶鼎精密電子（淮安）有限公司 | 內埋式線路板及其製作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56150845A (en) | 1981-11-21 |
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