JPH06150802A - チップ型ヒューズ抵抗器 - Google Patents
チップ型ヒューズ抵抗器Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H85/00—Protective devices in which the current flows through a part of fusible material and this current is interrupted by displacement of the fusible material when this current becomes excessive
- H01H85/02—Details
- H01H85/04—Fuses, i.e. expendable parts of the protective device, e.g. cartridges
- H01H85/041—Fuses, i.e. expendable parts of the protective device, e.g. cartridges characterised by the type
- H01H85/046—Fuses formed as printed circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H85/00—Protective devices in which the current flows through a part of fusible material and this current is interrupted by displacement of the fusible material when this current becomes excessive
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- H01H85/0411—Miniature fuses
- H01H2085/0414—Surface mounted fuses
Landscapes
- Fuses (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 チップ基板と、一対のベース電極と、ヒュー
ズ抵抗膜と、端面電極とを基本構成とし、前記ヒューズ
抵抗膜を所定過電流により溶断するように金属有機物ペ
ーストを用い印刷法又はフォトエッチング法により形成
し、必要に応じ、電極材料として、前記金属有機物ペー
スト中に含有される金属の少なくとも１種の貴金属を用
い、更に必要に応じて少なくとも前記金属有機物ペース
トをガラス保護コート膜により被覆したことを特徴とす
るチップ型ヒューズ抵抗器。 【効果】 本発明のチップ型ヒューズ抵抗器は、ヒュー
ズ抵抗膜材料として、所定過電流により溶断する金属有
機物ペーストを用い、印刷法又はフォトエッチング法に
より形成するので、超速動性を示し、しかもヒューズ抵
抗膜の膜厚及びパターン幅の調整が容易であるので、従
来の無電解メッキ法、蒸着法、スパッタ法に比して生産
効率を向上させることができる。
ズ抵抗膜と、端面電極とを基本構成とし、前記ヒューズ
抵抗膜を所定過電流により溶断するように金属有機物ペ
ーストを用い印刷法又はフォトエッチング法により形成
し、必要に応じ、電極材料として、前記金属有機物ペー
スト中に含有される金属の少なくとも１種の貴金属を用
い、更に必要に応じて少なくとも前記金属有機物ペース
トをガラス保護コート膜により被覆したことを特徴とす
るチップ型ヒューズ抵抗器。 【効果】 本発明のチップ型ヒューズ抵抗器は、ヒュー
ズ抵抗膜材料として、所定過電流により溶断する金属有
機物ペーストを用い、印刷法又はフォトエッチング法に
より形成するので、超速動性を示し、しかもヒューズ抵
抗膜の膜厚及びパターン幅の調整が容易であるので、従
来の無電解メッキ法、蒸着法、スパッタ法に比して生産
効率を向上させることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣ等の保護に利用可
能な溶断特性に優れたチップ型ヒューズ抵抗器に関す
る。
能な溶断特性に優れたチップ型ヒューズ抵抗器に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子部品の高信頼性に伴い、例え
ばＩＣ等を過電流から保護するヒューズ抵抗器には、優
れた速断性を有するものが望まれている。
ばＩＣ等を過電流から保護するヒューズ抵抗器には、優
れた速断性を有するものが望まれている。
【０００３】従来、主なヒューズ抵抗器は、ヒューズ抵
抗膜として、無電解メッキ法により形成されたＮｉ−Ｐ
又はその合金、Ａｇ、低融点Ｓｎ−Ｐｂ等が利用されて
おり、電流が流れることにより、抵抗膜が自己発熱し、
該抵抗膜の融点以上で溶断するという機構を備える。ま
た、ヒューズ抵抗膜下部の一部分に低温で溶融する絶縁
膜を設け、抵抗膜の発熱により、該絶縁膜を溶断すると
いう機構を備えるヒューズ抵抗膜も知られている。
抗膜として、無電解メッキ法により形成されたＮｉ−Ｐ
又はその合金、Ａｇ、低融点Ｓｎ−Ｐｂ等が利用されて
おり、電流が流れることにより、抵抗膜が自己発熱し、
該抵抗膜の融点以上で溶断するという機構を備える。ま
た、ヒューズ抵抗膜下部の一部分に低温で溶融する絶縁
膜を設け、抵抗膜の発熱により、該絶縁膜を溶断すると
いう機構を備えるヒューズ抵抗膜も知られている。
【０００４】しかしながら、いずれの抵抗膜も、速断性
については、満足しうるものではないのが現状である。
については、満足しうるものではないのが現状である。
【０００５】一方ヒューズ抵抗器の抵抗膜には、通常保
護コート膜が形成されており、前述の抵抗膜において
も、例えばエポキシ系樹脂膜でコートがなされている。
該エポキシ系樹脂膜は、ヒューズ溶断時に若干の煙を発
生させ炭化し、該炭化部分が導電性となり、微弱な電流
を通し、抵抗膜の溶断時間を長くする。そこでガラス等
の高融点無機材料を保護コート膜として使用することが
考えられるが、前述のヒューズ抵抗膜を利用する場合、
該抵抗膜がメッキ、蒸着、スパッタ法等で形成され、し
かも材料自体が低融点であるため、形成に５００℃以上
の温度を必要とするガラス等の高融点保護コート膜を形
成することは困難であり、エポキシ系樹脂を使用せざる
を得ないのが実状である。
護コート膜が形成されており、前述の抵抗膜において
も、例えばエポキシ系樹脂膜でコートがなされている。
該エポキシ系樹脂膜は、ヒューズ溶断時に若干の煙を発
生させ炭化し、該炭化部分が導電性となり、微弱な電流
を通し、抵抗膜の溶断時間を長くする。そこでガラス等
の高融点無機材料を保護コート膜として使用することが
考えられるが、前述のヒューズ抵抗膜を利用する場合、
該抵抗膜がメッキ、蒸着、スパッタ法等で形成され、し
かも材料自体が低融点であるため、形成に５００℃以上
の温度を必要とするガラス等の高融点保護コート膜を形
成することは困難であり、エポキシ系樹脂を使用せざる
を得ないのが実状である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明の目的
は、超速動性に優れ、ＩＣ保護等に優れたヒューズ特性
を示すチップ型ヒューズ抵抗器を提供することにある。
は、超速動性に優れ、ＩＣ保護等に優れたヒューズ特性
を示すチップ型ヒューズ抵抗器を提供することにある。
【０００７】また本発明の別の目的は、高融点保護コー
ト膜の形成が容易であり、溶断時の保護コート膜の発
煙、炭化等を防止しうるチップ型ヒューズ抵抗器を提供
することにある。
ト膜の形成が容易であり、溶断時の保護コート膜の発
煙、炭化等を防止しうるチップ型ヒューズ抵抗器を提供
することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、絶縁性
のチップ基板と、該チップ基板上に形成した一対のベー
ス電極と、該一対のベース電極に、両端部が重なるよう
に形成したヒューズ抵抗膜と、前記チップ基板の両端面
に形成した端面電極とを基本構成とするチップ型ヒュー
ズ抵抗器であって、前記ヒューズ抵抗膜は所定過電流に
より溶断するように金属有機物ペーストを用い印刷法又
はフォトエッチング法により形成したことを特徴とする
チップ型ヒューズ抵抗器が提供される。
のチップ基板と、該チップ基板上に形成した一対のベー
ス電極と、該一対のベース電極に、両端部が重なるよう
に形成したヒューズ抵抗膜と、前記チップ基板の両端面
に形成した端面電極とを基本構成とするチップ型ヒュー
ズ抵抗器であって、前記ヒューズ抵抗膜は所定過電流に
より溶断するように金属有機物ペーストを用い印刷法又
はフォトエッチング法により形成したことを特徴とする
チップ型ヒューズ抵抗器が提供される。
【０００９】また前記ベース電極及び端面電極を形成す
る電極材料として、前記金属有機物ペースト中に含有さ
れる金属の少なくとも１種の貴金属、具体的には例えば
Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ等を含有させることにより電極とヒュ
ーズ抵抗膜との界面でのクラック或いは拡散現象等の発
生を防止することができ、信頼性を更に向上させること
ができる。
る電極材料として、前記金属有機物ペースト中に含有さ
れる金属の少なくとも１種の貴金属、具体的には例えば
Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ等を含有させることにより電極とヒュ
ーズ抵抗膜との界面でのクラック或いは拡散現象等の発
生を防止することができ、信頼性を更に向上させること
ができる。
【００１０】更に前記チップ型ヒューズ抵抗器の保護コ
ート膜として、ガラス保護コート膜を形成することによ
り、ヒューズ抵抗膜の溶断時における発煙、炭化等を防
止することができる。該ガラス保護コート膜は、ヒュー
ズ抵抗膜を被覆しておれば、形成箇所は特に限定されな
い。
ート膜として、ガラス保護コート膜を形成することによ
り、ヒューズ抵抗膜の溶断時における発煙、炭化等を防
止することができる。該ガラス保護コート膜は、ヒュー
ズ抵抗膜を被覆しておれば、形成箇所は特に限定されな
い。
【００１１】ここで前記所定過電流により溶断する金属
有機物ペーストとしては、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒ
ｕ、Ｒｈ、Ｂｉ、Ｓｉ又はこれらの混合物を含む金属有
機物を所定量混合し、アビエチン酸、ターピネオール等
を加え加工したものを好ましく挙げることができる。該
金属有機物ペーストは、所定の過電流により溶断するよ
うにヒューズ抵抗膜の膜厚を数百Å以下とするために、
印刷法又はフォトエッチング法により形成する必要があ
り、特に溶断時の過電流を調整するには、例えばヒュー
ズ抵抗膜にパターン幅が狭い部分を形成するようスクリ
ーン印刷する方法又は形成されたヒューズ抵抗膜に、レ
ーザートリミングにより部分的にパターン幅の狭い部分
を形成する方法等によりパターン幅や膜厚を調整して行
うことができる。
有機物ペーストとしては、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒ
ｕ、Ｒｈ、Ｂｉ、Ｓｉ又はこれらの混合物を含む金属有
機物を所定量混合し、アビエチン酸、ターピネオール等
を加え加工したものを好ましく挙げることができる。該
金属有機物ペーストは、所定の過電流により溶断するよ
うにヒューズ抵抗膜の膜厚を数百Å以下とするために、
印刷法又はフォトエッチング法により形成する必要があ
り、特に溶断時の過電流を調整するには、例えばヒュー
ズ抵抗膜にパターン幅が狭い部分を形成するようスクリ
ーン印刷する方法又は形成されたヒューズ抵抗膜に、レ
ーザートリミングにより部分的にパターン幅の狭い部分
を形成する方法等によりパターン幅や膜厚を調整して行
うことができる。
【００１２】また前記金属有機物ペースト形成時に行う
焼成は、好ましくは７００〜９００℃で行うことができ
る。
焼成は、好ましくは７００〜９００℃で行うことができ
る。
【００１３】
【作用】ヒューズ抵抗膜が、材料として金属有機物ペー
ストを用い、印刷法又はフォトエッチング法により所定
過電流により溶断するよう形成されているので、電流密
度が上昇する部分に過電流が流れることにより発熱して
超速動的に溶断する。
ストを用い、印刷法又はフォトエッチング法により所定
過電流により溶断するよう形成されているので、電流密
度が上昇する部分に過電流が流れることにより発熱して
超速動的に溶断する。
【００１４】
【実施例】本発明に係わるチップ型ヒューズ抵抗器１０
を図１及び図２に基づいて工程順に説明するが、本発明
はこれらに限定されるものではない。
を図１及び図２に基づいて工程順に説明するが、本発明
はこれらに限定されるものではない。
【００１５】図１はチップ型ヒューズ抵抗器１０の斜視
図であって、図２は、図１におけるＡ−Ｂ断面図を示
す。
図であって、図２は、図１におけるＡ−Ｂ断面図を示
す。
【００１６】まず、絶縁材料としてのセラミック製のチ
ップ基板１１上の両端部に、Ａｕを含有した金属有機物
ペーストを用い、公知のスクリーン印刷法により膜厚数
百Å以下となるようにパターンを形成し、７００〜９０
０℃の高温で焼成して、一対のベース電極１２を形成す
る。この際フォトエッチング法によりベース電極１２を
形成するには、金属有機物ペーストをチップ基板１１の
相当する部分に塗布し、７００〜９００℃で焼成した
後、露光・現像し、エッチングすることにより行うこと
ができる。次にこの一対のベース電極１２に、両端部が
重なるようにＡｕを含む金属有機物ペーストを、ベース
電極１２と同様にパターン化及び焼成を行い、ヒューズ
抵抗膜１３を形成する。
ップ基板１１上の両端部に、Ａｕを含有した金属有機物
ペーストを用い、公知のスクリーン印刷法により膜厚数
百Å以下となるようにパターンを形成し、７００〜９０
０℃の高温で焼成して、一対のベース電極１２を形成す
る。この際フォトエッチング法によりベース電極１２を
形成するには、金属有機物ペーストをチップ基板１１の
相当する部分に塗布し、７００〜９００℃で焼成した
後、露光・現像し、エッチングすることにより行うこと
ができる。次にこの一対のベース電極１２に、両端部が
重なるようにＡｕを含む金属有機物ペーストを、ベース
電極１２と同様にパターン化及び焼成を行い、ヒューズ
抵抗膜１３を形成する。
【００１７】次いで形成されたヒューズ抵抗膜１３が所
定の過電流により溶断するように、更にレーザトリミン
グ法により抵抗値調整及びパターン幅の狭い部分を形成
することもできる。
定の過電流により溶断するように、更にレーザトリミン
グ法により抵抗値調整及びパターン幅の狭い部分を形成
することもできる。
【００１８】次にヒューズ抵抗膜１３上にガラス保護コ
ート膜１４をスクリーン印刷法により形成した後、５０
０〜７００℃で焼成を行う。この際ガラス保護コート膜
１４の材料としては、ホウケイ酸鉛（ＰｂＯ−ＳｉＯ2
−Ｂ2Ｏ3）系ガラスペーストを用いることができる。
ート膜１４をスクリーン印刷法により形成した後、５０
０〜７００℃で焼成を行う。この際ガラス保護コート膜
１４の材料としては、ホウケイ酸鉛（ＰｂＯ−ＳｉＯ2
−Ｂ2Ｏ3）系ガラスペーストを用いることができる。
【００１９】次にベース電極１２の信頼性を向上させる
ために、該ガラス保護コート膜１４に被覆されずに露出
したベース電極１２の部分を、Ａｇ樹脂ペースト、Ｃｕ
樹脂ペースト等の導電性樹脂ペーストを用いて、スクリ
ーン印刷法により被覆することもできる（図示せず）。
ために、該ガラス保護コート膜１４に被覆されずに露出
したベース電極１２の部分を、Ａｇ樹脂ペースト、Ｃｕ
樹脂ペースト等の導電性樹脂ペーストを用いて、スクリ
ーン印刷法により被覆することもできる（図示せず）。
【００２０】次いで前記ガラス保護コート膜１４に被覆
されずに露出したベース電極１２の部分を、Ａｇ、Ｃｕ
等の導電性樹脂材料で覆い、１５０〜２００℃で焼付し
て一対の端面電極１５を設け、更に該端面電極１５のは
んだ濡れ性、はんだ耐熱性を向上させるために、端面電
極１５上に、電気メッキ法によりニッケル及びはんだ膜
１６を形成することができる。この際端面電極１５は、
露出したベース電極１２を被覆しておればその他の形成
場所は特に限定されるものではない。
されずに露出したベース電極１２の部分を、Ａｇ、Ｃｕ
等の導電性樹脂材料で覆い、１５０〜２００℃で焼付し
て一対の端面電極１５を設け、更に該端面電極１５のは
んだ濡れ性、はんだ耐熱性を向上させるために、端面電
極１５上に、電気メッキ法によりニッケル及びはんだ膜
１６を形成することができる。この際端面電極１５は、
露出したベース電極１２を被覆しておればその他の形成
場所は特に限定されるものではない。
【００２１】次に、本発明に係わるチップ型ヒューズ抵
抗器（図３のＡ）の溶断特性を通常の回路を用いて測定
した。また比較として、ヒューズ抵抗膜を、材料として
Ｎｉ−Ｐめっき液を用い、無電解メッキ法により形成し
たヒューズ抵抗器（図３のＢ）及びＮｉ−Ｐで形成した
ヒューズ抵抗膜の下部の一部分に、低温で溶融するニト
リルゴム、テフロン等からなる絶縁膜を備えるヒューズ
抵抗器（図３のＣ）についても同様な測定を行った。そ
の結果を図３に示す。
抗器（図３のＡ）の溶断特性を通常の回路を用いて測定
した。また比較として、ヒューズ抵抗膜を、材料として
Ｎｉ−Ｐめっき液を用い、無電解メッキ法により形成し
たヒューズ抵抗器（図３のＢ）及びＮｉ−Ｐで形成した
ヒューズ抵抗膜の下部の一部分に、低温で溶融するニト
リルゴム、テフロン等からなる絶縁膜を備えるヒューズ
抵抗器（図３のＣ）についても同様な測定を行った。そ
の結果を図３に示す。
【００２２】図３の結果より、本発明に係わるチップ型
ヒューズ抵抗器は、従来のヒューズ抵抗器に比して優れ
た超速動性を示すことが判る。
ヒューズ抵抗器は、従来のヒューズ抵抗器に比して優れ
た超速動性を示すことが判る。
【００２３】
【発明の効果】本発明のチップ型ヒューズ抵抗器は、ヒ
ューズ抵抗膜材料として、所定過電流により溶断する金
属有機物ペーストを用い、印刷法又はフォトエッチング
法により形成するので、超速動性を示し、しかもヒュー
ズ抵抗膜の膜厚及びパターン幅の調整が容易であるの
で、従来の無電解メッキ法、蒸着法、スパッタ法に比し
て生産効率を向上させることができる。
ューズ抵抗膜材料として、所定過電流により溶断する金
属有機物ペーストを用い、印刷法又はフォトエッチング
法により形成するので、超速動性を示し、しかもヒュー
ズ抵抗膜の膜厚及びパターン幅の調整が容易であるの
で、従来の無電解メッキ法、蒸着法、スパッタ法に比し
て生産効率を向上させることができる。
【００２４】またヒューズ抵抗膜に使用する金属有機物
ペースト中に含有される金属の少なくとも１種の貴金属
を電極材料に含有させた場合には、電極とヒューズ抵抗
膜との電気的信頼性を向上させることができる。
ペースト中に含有される金属の少なくとも１種の貴金属
を電極材料に含有させた場合には、電極とヒューズ抵抗
膜との電気的信頼性を向上させることができる。
【００２５】更に、本発明の構成要件であるヒューズ抵
抗膜は、印刷法又はフォトエッチング法で形成されるの
で、その保護コート膜として高融点のガラス材料を使用
することができ、このようなガラス保護コート膜により
ヒューズ抵抗膜を被覆した場合、溶断時における発煙、
炭化等を防止することができ、耐環境性を良好にするこ
とができ、しかも溶断特性の劣化を防止することができ
る。
抗膜は、印刷法又はフォトエッチング法で形成されるの
で、その保護コート膜として高融点のガラス材料を使用
することができ、このようなガラス保護コート膜により
ヒューズ抵抗膜を被覆した場合、溶断時における発煙、
炭化等を防止することができ、耐環境性を良好にするこ
とができ、しかも溶断特性の劣化を防止することができ
る。
【図１】図１は実施例で作製した本発明に係わるチップ
型ヒューズ抵抗器の斜視図である。
型ヒューズ抵抗器の斜視図である。
【図２】図２は図１におけるＡ−Ｂ断面図である。
【図３】図３は実施例で行った本発明に係わるチップ型
ヒューズ抵抗器と従来のヒューズ抵抗器との溶断特性を
示すグラフである。
ヒューズ抵抗器と従来のヒューズ抵抗器との溶断特性を
示すグラフである。
１０ チップ型ヒューズ抵抗器 １１ チップ基板 １２ ベーズ電極 １３ ヒューズ抵抗膜 １４ ガラス保護コート膜 １５ 端面電極 Ａ 本発明に係わるチップ型ヒューズ抵抗器の溶断特性 Ｂ 従来の無電解メッキ法で形成したＮｉ−Ｐのヒュー
ズ抵抗器の溶断特性 Ｃ 従来のＮｉ−Ｐで形成したヒューズ抵抗膜の下部に
有機絶縁物を備えるヒューズ抵抗器の溶断特性
ズ抵抗器の溶断特性 Ｃ 従来のＮｉ−Ｐで形成したヒューズ抵抗膜の下部に
有機絶縁物を備えるヒューズ抵抗器の溶断特性
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁性のチップ基板と、該チップ基板上
に形成した一対のベース電極と、該一対のベース電極
に、両端部が重なるように形成したヒューズ抵抗膜と、
前記チップ基板の両端面に形成した端面電極とを基本構
成とするチップ型ヒューズ抵抗器であって、 前記ヒューズ抵抗膜は所定過電流により溶断するように
金属有機物ペーストを用い印刷法又はフォトエッチング
法により形成したことを特徴とするチップ型ヒューズ抵
抗器。 - 【請求項２】 前記ベース電極及び端面電極を形成する
電極材料が、前記金属有機物ペースト中に含有される金
属の少なくとも１種の貴金属を含むことを特徴とする請
求項１記載のチップ型ヒューズ抵抗器。 - 【請求項３】 少なくとも前記金属有機物ペーストをガ
ラス保護コート膜により被覆したことを特徴とする請求
項１記載のチップ型ヒューズ抵抗器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30248092A JPH06150802A (ja) | 1992-11-12 | 1992-11-12 | チップ型ヒューズ抵抗器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30248092A JPH06150802A (ja) | 1992-11-12 | 1992-11-12 | チップ型ヒューズ抵抗器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06150802A true JPH06150802A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=17909464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30248092A Pending JPH06150802A (ja) | 1992-11-12 | 1992-11-12 | チップ型ヒューズ抵抗器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06150802A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU715850B2 (en) * | 1995-03-07 | 2000-02-10 | Caddock Electronics, Inc. | Fault current fusing resistor and method |
| JP2002270408A (ja) * | 2001-03-07 | 2002-09-20 | Koa Corp | チップ型ヒューズ抵抗器及びその製造方法 |
| US6710699B2 (en) * | 2001-07-02 | 2004-03-23 | Abb Research Ltd | Fusible link |
| WO2006075242A1 (en) * | 2005-01-14 | 2006-07-20 | Vishay Israel Ltd. | Fuse for an electronic circuit and method for producing the fuse |
| WO2010060275A1 (zh) * | 2008-11-25 | 2010-06-03 | 南京萨特科技发展有限公司 | 一种多层片式保险丝及其制造方法 |
| US7753994B2 (en) | 2004-01-13 | 2010-07-13 | Daikin Industries, Ltd. | Discharge device and air purifier |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02503969A (ja) * | 1988-03-09 | 1990-11-15 | クーパー・インダストリーズ・インコーポレーテッド | 金属有機物膜からなる少量アンペア用ヒューズ及びその製造方法 |
| JPH0465046A (ja) * | 1990-07-02 | 1992-03-02 | Tateyama Kagaku Kogyo Kk | チップ形ヒューズ抵抗器 |
-
1992
- 1992-11-12 JP JP30248092A patent/JPH06150802A/ja active Pending
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| US8957755B2 (en) | 2008-11-25 | 2015-02-17 | Nanjing Sart Science & Technology Development Co., Ltd. | Multi-layer blade fuse and the manufacturing method thereof |
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