JPH0228919A - レジスト膜の形成方法 - Google Patents
レジスト膜の形成方法Info
- Publication number
- JPH0228919A JPH0228919A JP63178078A JP17807888A JPH0228919A JP H0228919 A JPH0228919 A JP H0228919A JP 63178078 A JP63178078 A JP 63178078A JP 17807888 A JP17807888 A JP 17807888A JP H0228919 A JPH0228919 A JP H0228919A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- resist film
- resist
- resin
- semiconductor substrate
- Prior art date
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- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明′は、半導体装置製造におけるフォトリンゲラフ
ィブロセスでのレジスト膜の形成方法に関するものであ
る。
ィブロセスでのレジスト膜の形成方法に関するものであ
る。
（従来の技術）
従来、半導体装置製造におけるフォトリソグラフィ工程
で、半導体基板表面へのレジスト塗布方法としては、一
般にスピンナ法と呼ばれる回転塗布方法が多く用いられ
ている。第３図に基づいてスピンナ法について簡単に説
明する。同図において、１１は半導体基板、１２は真空
チャック、１３はレジスト１４を滴下するための滴下ノ
ズルである。まず、半導体基板１１を真空チャック１２
上に真空吸着して固定し１滴下ノズル１３から半導体基
板１１の表面にレジスト１４を数滴滴下して、モータに
より真空チャック１２の軸を回転させる。すると、半導
体基板１１は回転し、遠心力により非常に薄いレジスト
膜が形成される。レジスト膜の厚さはレジストの粘度２
回転速度によって決定される。形成されるレジスト膜の
膜厚、均一性は、フォトリソグラフィによる微細パター
ン形成の解像力に大きく影響する。
で、半導体基板表面へのレジスト塗布方法としては、一
般にスピンナ法と呼ばれる回転塗布方法が多く用いられ
ている。第３図に基づいてスピンナ法について簡単に説
明する。同図において、１１は半導体基板、１２は真空
チャック、１３はレジスト１４を滴下するための滴下ノ
ズルである。まず、半導体基板１１を真空チャック１２
上に真空吸着して固定し１滴下ノズル１３から半導体基
板１１の表面にレジスト１４を数滴滴下して、モータに
より真空チャック１２の軸を回転させる。すると、半導
体基板１１は回転し、遠心力により非常に薄いレジスト
膜が形成される。レジスト膜の厚さはレジストの粘度２
回転速度によって決定される。形成されるレジスト膜の
膜厚、均一性は、フォトリソグラフィによる微細パター
ン形成の解像力に大きく影響する。
（発明が解決しようとする課題）
上記、スピンナ法において、完全均一な膜厚が得られる
ものではない。特に、化合物半導体を材料とする素子の
作製には長方形の基板を用いることが多く、長方形基板
にスピンナ法でレジスト塗布を行なうと、円形基板には
みられない長方形基板特有のレジスト膜の膜厚分布を生
ずる。その様子を第４図に示す。第４図（ａ）に示すよ
うに、長方形基板１１の格子状を施した部分でレジスト
膜１４ｂが厚くなる。第４図（ｂ）には（ａ）図の対角
線ＡＣの断面でのレジスト膜厚分布を示す。１４ｂはレ
ジスト膜の厚い部分を示す、このようなレジスト膜の膜
厚分布は、微細パターンを形成するため、露光量をレジ
ストの感度限界付近まで落とした場合、パターン不良を
引き起こす。すなわち、レジスト膜の厚い部分では、感
光して現像除去されるべきパターンのレジスト膜が完全
に除去されないためにパターン不良が生ずるわけで、こ
のレジスト膜の膜厚分布は、基板全面に微細なパターン
を形成する・上で非常な欠点となる。
ものではない。特に、化合物半導体を材料とする素子の
作製には長方形の基板を用いることが多く、長方形基板
にスピンナ法でレジスト塗布を行なうと、円形基板には
みられない長方形基板特有のレジスト膜の膜厚分布を生
ずる。その様子を第４図に示す。第４図（ａ）に示すよ
うに、長方形基板１１の格子状を施した部分でレジスト
膜１４ｂが厚くなる。第４図（ｂ）には（ａ）図の対角
線ＡＣの断面でのレジスト膜厚分布を示す。１４ｂはレ
ジスト膜の厚い部分を示す、このようなレジスト膜の膜
厚分布は、微細パターンを形成するため、露光量をレジ
ストの感度限界付近まで落とした場合、パターン不良を
引き起こす。すなわち、レジスト膜の厚い部分では、感
光して現像除去されるべきパターンのレジスト膜が完全
に除去されないためにパターン不良が生ずるわけで、こ
のレジスト膜の膜厚分布は、基板全面に微細なパターン
を形成する・上で非常な欠点となる。
本発明の目的は、従来の欠点を解消し、長方形基板への
均一なレジスト膜を形成する方法を提供することである
。
均一なレジスト膜を形成する方法を提供することである
。
（課題を解決するための手段）
本発明のレジスト膜の形成方法は、半導体基板より面積
の大きい基板設置板に、半導体基板を設置する工程と、
半導体基板の周辺を樹脂で囲む工程と、基板設置板を回
転軸に固定し、半導体基板上にレジストを滴下して回転
軸を回転する工程とを備えたものである。
の大きい基板設置板に、半導体基板を設置する工程と、
半導体基板の周辺を樹脂で囲む工程と、基板設置板を回
転軸に固定し、半導体基板上にレジストを滴下して回転
軸を回転する工程とを備えたものである。
（作 用）
本発明を長方形基板へのレジスト膜形成に適用すること
により、回転塗布方法で長方形基板に生ずるコーナー付
近でのレジスト膜の厚い部分は解消され、均一なレジス
ト膜を形成することができる。すなわち、基板の周辺を
樹脂で囲み、長方形基板のコーナー形状を実効的に消失
させているので、長方形特有のレジスト膜厚の分布は解
消され。
により、回転塗布方法で長方形基板に生ずるコーナー付
近でのレジスト膜の厚い部分は解消され、均一なレジス
ト膜を形成することができる。すなわち、基板の周辺を
樹脂で囲み、長方形基板のコーナー形状を実効的に消失
させているので、長方形特有のレジスト膜厚の分布は解
消され。
均一なレジスト膜を形成することができる。
（実施例）
本発明の一実施例を第１図および第２図に基づいて説明
する。第１図は１本発明の基板設置工程を示す。図にお
いて、１は長方形状の化合物半導体基板、２は半導体基
板１より面積の大きな基板設置板、３はレジストを滴下
するための滴下ノズル、４はモータと連結して回転する
回転軸、５は熱により熔解する樹脂（例えば、エレクト
ロンワックス）であり、６はレジスト膜である。
する。第１図は１本発明の基板設置工程を示す。図にお
いて、１は長方形状の化合物半導体基板、２は半導体基
板１より面積の大きな基板設置板、３はレジストを滴下
するための滴下ノズル、４はモータと連結して回転する
回転軸、５は熱により熔解する樹脂（例えば、エレクト
ロンワックス）であり、６はレジスト膜である。
まず、第１図（ａ）に示すように、基板設置板２を加熱
し、樹脂５を基板設置板・２上で溶かす。次に、基板設
置板２上に半導体基板１を置いて一定時間加熱後、冷却
していくと、第１”図（ｂ）、（ｃ）に示すように、半
導体基板１の周辺に固化した樹脂５が形成される。上記
のように、半導体基板１を設置した基板設置板２を、第
２図に示すように回転軸４に固定し、滴下ノズル３から
レジスト７を滴下して回転軸４を回転すると、レジスト
膜６が形成される。このように、半導体基板１の周辺を
樹脂５で囲むことにより、半導体基板１が長方形の場合
でも、コーナーの形状は実効的になくなる。したがって
、長方形基板にスピンナ法でレジスト膜を形成するとき
に生ずる特有のレジスト膜厚分布は解消され、第２図に
示すように、半導体基板１４上に均一なレジスト膜６を
形成することができる。
し、樹脂５を基板設置板・２上で溶かす。次に、基板設
置板２上に半導体基板１を置いて一定時間加熱後、冷却
していくと、第１”図（ｂ）、（ｃ）に示すように、半
導体基板１の周辺に固化した樹脂５が形成される。上記
のように、半導体基板１を設置した基板設置板２を、第
２図に示すように回転軸４に固定し、滴下ノズル３から
レジスト７を滴下して回転軸４を回転すると、レジスト
膜６が形成される。このように、半導体基板１の周辺を
樹脂５で囲むことにより、半導体基板１が長方形の場合
でも、コーナーの形状は実効的になくなる。したがって
、長方形基板にスピンナ法でレジスト膜を形成するとき
に生ずる特有のレジスト膜厚分布は解消され、第２図に
示すように、半導体基板１４上に均一なレジスト膜６を
形成することができる。
（発明の効果）
本発明によれば、スピンナ法を用いて長方形の基板にも
均一なレジスト膜を形成することができ、その実用上の
効果は大である。
均一なレジスト膜を形成することができ、その実用上の
効果は大である。
第１図は本発明の一実施例における基板設置工程図で、
（ａ）は設置板断面図、（ｂ）は半導体基板設置後の平
面図、（ｃ）は（ｂ）のＡ−Ｂ線断面図、第２図は本発
明のレジスト膜形成工程図、第３図は従来のスピンナ法
を示す概略図、第４図はスピンナ法で長方形基板にレジ
スト塗布を行なった場合の平面図（ａ）および断面図（
ｂ）である。 １・・・半導体基板、 ２・・・基板設置板、 ３・・
・滴下ノズル、 ４・・・回転軸、 ５・・・樹脂。 ６・・・レジスト膜、 ７・・・レジスト。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第 図 第 図 ら 纏−１４ き 第 図 第 図 １１長乃形＋導体基板
（ａ）は設置板断面図、（ｂ）は半導体基板設置後の平
面図、（ｃ）は（ｂ）のＡ−Ｂ線断面図、第２図は本発
明のレジスト膜形成工程図、第３図は従来のスピンナ法
を示す概略図、第４図はスピンナ法で長方形基板にレジ
スト塗布を行なった場合の平面図（ａ）および断面図（
ｂ）である。 １・・・半導体基板、 ２・・・基板設置板、 ３・・
・滴下ノズル、 ４・・・回転軸、 ５・・・樹脂。 ６・・・レジスト膜、 ７・・・レジスト。 特許出願人 松下電器産業株式会社 第 図 第 図 ら 纏−１４ き 第 図 第 図 １１長乃形＋導体基板
Claims (1)
- 半導体基板より面積の大きい基板設置板に、前記半導体
基板を設置する工程と、前記半導体基板の周辺を樹脂で
囲む工程と、前記基板設置板を回転軸に固定し、前記半
導体基板上にレジストを滴下して回転軸を回転する工程
とを備えたことを特徴とするレジスト膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63178078A JPH0228919A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | レジスト膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63178078A JPH0228919A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | レジスト膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0228919A true JPH0228919A (ja) | 1990-01-31 |
Family
ID=16042239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63178078A Pending JPH0228919A (ja) | 1988-07-19 | 1988-07-19 | レジスト膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0228919A (ja) |
-
1988
- 1988-07-19 JP JP63178078A patent/JPH0228919A/ja active Pending
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