JPH02289932A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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- JPH02289932A JPH02289932A JP1111316A JP11131689A JPH02289932A JP H02289932 A JPH02289932 A JP H02289932A JP 1111316 A JP1111316 A JP 1111316A JP 11131689 A JP11131689 A JP 11131689A JP H02289932 A JPH02289932 A JP H02289932A
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はレーザー光によって情報を記録再生することが
できる光情報記録媒体に関するものである。
できる光情報記録媒体に関するものである。
従来、レーザー光の照射による非可逆的な特性あるいは
形状変化を利用して情報を記録する、いわゆる追記型光
ディスクの記録媒体の記録層として、Ｔｅ，Ｂｉ等の低
融点金属、及びその合金化合物あるいはその分散物が用
いられてきた。
形状変化を利用して情報を記録する、いわゆる追記型光
ディスクの記録媒体の記録層として、Ｔｅ，Ｂｉ等の低
融点金属、及びその合金化合物あるいはその分散物が用
いられてきた。
なかでもＴｅ−Ｓｅ合金は、レーザー光の照射によるピ
ット形成で記録を行ういわゆる穴開け型記録方式の記録
媒体に用いられる代表的なものであり、高記録感度で、
かつ耐酸化性に優れ、長期保存可能な実用価値の高い記
録材料として知られてきた。
ット形成で記録を行ういわゆる穴開け型記録方式の記録
媒体に用いられる代表的なものであり、高記録感度で、
かつ耐酸化性に優れ、長期保存可能な実用価値の高い記
録材料として知られてきた。
しかし、コンピューターのデータベース等、記録媒体へ
の高速書込みが要求される用途では従来の媒体では記録
感度の点で要求される性能に達しておらず、媒体の高惑
度化の様々な試みが成されてきた。
の高速書込みが要求される用途では従来の媒体では記録
感度の点で要求される性能に達しておらず、媒体の高惑
度化の様々な試みが成されてきた。
例えば、穴開け型の記録媒体では、記録膜に照射した光
エネルギーによって分解するような物質を基板と記録膜
の間に更に１層設け、記録膜における分解物の開孔の促
進を図るという提案が特開昭５８−１６６５４８号公報
等に成されている。
エネルギーによって分解するような物質を基板と記録膜
の間に更に１層設け、記録膜における分解物の開孔の促
進を図るという提案が特開昭５８−１６６５４８号公報
等に成されている。
しかしながら、これら公知例では再生時に照射する光エ
ネルギーによって基板が変形し、繰り返し再生を行うと
記録された信号のＣ／Ｎ比が徐々に低下してくるという
問題があった。更に基板と記録膜との間の層は記録膜と
異なる物質で形成された層であり、記録膜形成が真空チ
ャンバーでおこなわれる場合、下地層を形成するのに別
の工程装置、例えばスピンナー塗布装置が必要であった
り、あるいは下地層がスパツタ法で設りられる場合には
下地層成分のターゲ・ノトが必要であるという問題もあ
った。
ネルギーによって基板が変形し、繰り返し再生を行うと
記録された信号のＣ／Ｎ比が徐々に低下してくるという
問題があった。更に基板と記録膜との間の層は記録膜と
異なる物質で形成された層であり、記録膜形成が真空チ
ャンバーでおこなわれる場合、下地層を形成するのに別
の工程装置、例えばスピンナー塗布装置が必要であった
り、あるいは下地層がスパツタ法で設りられる場合には
下地層成分のターゲ・ノトが必要であるという問題もあ
った。
本発明者らの研究によると、基板上に記録膜を形成する
場合に、高周波スパッタリング法によるスバッタを行っ
て設けられた記録膜は、直流スパッタリング法によって
形成された記録膜よりも記録感度がよいことが確かめら
れているが、高周波スパッタリング法は直流スバツタリ
ング法に比べて成膜速度が遅い、膜厚のコントロールが
難しい等の問題点を有している。
場合に、高周波スパッタリング法によるスバッタを行っ
て設けられた記録膜は、直流スパッタリング法によって
形成された記録膜よりも記録感度がよいことが確かめら
れているが、高周波スパッタリング法は直流スバツタリ
ング法に比べて成膜速度が遅い、膜厚のコントロールが
難しい等の問題点を有している。
本発明者らは感度の高い光情報記録媒体にって、再生時
の光エネルギーによるＣ／Ｎ比の低下がなく、しかもで
きうる限り簡便に記録媒体を作成する方法を種々検討し
た結果、基板上に高周波スバックリング法によって記録
層を設け、更にその上に直流スパッタリング法によって
記録層を設けることによって前記の目的を達成できるこ
とを見出し、本発明を完成するに至った。
の光エネルギーによるＣ／Ｎ比の低下がなく、しかもで
きうる限り簡便に記録媒体を作成する方法を種々検討し
た結果、基板上に高周波スバックリング法によって記録
層を設け、更にその上に直流スパッタリング法によって
記録層を設けることによって前記の目的を達成できるこ
とを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち本発明は、基板上に高周波スパッタリング法に
よって記録層（以下この記録膜を第１記録層と称す）を
形成し、更にその上に直流スパッタリング法によって記
録層（以下この記録膜を第２記録層と称す）を形成して
なる２層の記録膜から構成されることを特徴とする光情
報記録媒体を提供するものである。
よって記録層（以下この記録膜を第１記録層と称す）を
形成し、更にその上に直流スパッタリング法によって記
録層（以下この記録膜を第２記録層と称す）を形成して
なる２層の記録膜から構成されることを特徴とする光情
報記録媒体を提供するものである。
高感度化媒体は、基板一記録膜界面での状態変化をもた
らしたものが主流を占め、本発明もこの方式を採用する
部類のものに属する。すなわち本発明によれば、基板一
記録膜界面で高感度化に有利な高周波スパッタリング法
で記録膜を付着させた後、成膜速度や膜の均一性に有利
な直流スバックリング法によって成膜することによって
生産性及び特性の高い記録媒体を得ることができる。
らしたものが主流を占め、本発明もこの方式を採用する
部類のものに属する。すなわち本発明によれば、基板一
記録膜界面で高感度化に有利な高周波スパッタリング法
で記録膜を付着させた後、成膜速度や膜の均一性に有利
な直流スバックリング法によって成膜することによって
生産性及び特性の高い記録媒体を得ることができる。
本発明の光情報記録媒体の記録膜の構成元素は、レーザ
ー光の吸収が良く、かつ低融点の金属系元素が用いられ
、これらの元素は追記型または書き換え可能型のいずれ
の記録膜にも適用できる。また、第１記録層及び第２記
録層を構成する元素が同じであっても、異なっていても
よい。
ー光の吸収が良く、かつ低融点の金属系元素が用いられ
、これらの元素は追記型または書き換え可能型のいずれ
の記録膜にも適用できる。また、第１記録層及び第２記
録層を構成する元素が同じであっても、異なっていても
よい。
追記型光情報記録媒体の記録材料としては、Ｔｅ系の合
金、例えば、Ｔｅ−Ｓｅ，Ｔｅ−＾ｓ，Ｔｅ−Ｓｂ，Ｔ
ｅ−１ｒ＋＋ Ｔｅ−Ｓｒ＋＋ Ｔｅ−Ｐｂ， Ｔｅ−
Ｂｉｔ Ｔｅ−Ｓｅ−ＴｉＴｅ−Ｓｅ−Ｐｂ Ｔｅ−
Ｓｅ−Ｓｂ， Ｔｅ−Ｓｅ−Ｉｎ， Ｔｅ−Ｓｅ−Ｂｉ
， Ｔｅ−Ｓｅ−Ｔｉ−Ａｇや、Ｔｅ分散物、例えば、
ＴｅＣ＋ Ｔｅ−ＣＳｚ， ＴｅａＸ等を挙げることが
できる。
金、例えば、Ｔｅ−Ｓｅ，Ｔｅ−＾ｓ，Ｔｅ−Ｓｂ，Ｔ
ｅ−１ｒ＋＋ Ｔｅ−Ｓｒ＋＋ Ｔｅ−Ｐｂ， Ｔｅ−
Ｂｉｔ Ｔｅ−Ｓｅ−ＴｉＴｅ−Ｓｅ−Ｐｂ Ｔｅ−
Ｓｅ−Ｓｂ， Ｔｅ−Ｓｅ−Ｉｎ， Ｔｅ−Ｓｅ−Ｂｉ
， Ｔｅ−Ｓｅ−Ｔｉ−Ａｇや、Ｔｅ分散物、例えば、
ＴｅＣ＋ Ｔｅ−ＣＳｚ， ＴｅａＸ等を挙げることが
できる。
書き換え可能型光情報記録媒体の記録材料としては、Ｔ
ｅ系の合金、例えば、Ｔｅ − ０−Ｓｎ−ＧｅＳｎ−
Ｔｅ−Ｓｅ， Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ， Ｇａ −Ｔｅ−Ｓ
ｅ， Ｇｅ−Ｔｅ等や、その他の相転移合金、例えば、
Ｉｎ−Ｓｂ，Ｉｎ−Ｓｂ−Ｓｅ， Ｓｉ −Ｓｎ，
Ｇｅ−Ｓｎ， Ｃｕ−ＡＩ＋ 八ｇ−Ｚｎ等を挙
げることができる。
ｅ系の合金、例えば、Ｔｅ − ０−Ｓｎ−ＧｅＳｎ−
Ｔｅ−Ｓｅ， Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ， Ｇａ −Ｔｅ−Ｓ
ｅ， Ｇｅ−Ｔｅ等や、その他の相転移合金、例えば、
Ｉｎ−Ｓｂ，Ｉｎ−Ｓｂ−Ｓｅ， Ｓｉ −Ｓｎ，
Ｇｅ−Ｓｎ， Ｃｕ−ＡＩ＋ 八ｇ−Ｚｎ等を挙
げることができる。
上記記録材料のうち、Ｔｅ系の合金のＴｅを含む薄膜が
好ましく、特にＴｅ及びＳｅを主成分とし、Ｔｉ＋八ｇ
＋ｃｒ＋八］，Ｓｂ，Ｐｂ，Ａｓ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｇｅ及
びＣｕからなる群より選ばれた元素の内、少なくとも１
種以上を含む薄膜が好ましい。
好ましく、特にＴｅ及びＳｅを主成分とし、Ｔｉ＋八ｇ
＋ｃｒ＋八］，Ｓｂ，Ｐｂ，Ａｓ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｇｅ及
びＣｕからなる群より選ばれた元素の内、少なくとも１
種以上を含む薄膜が好ましい。
本発明の記録媒体の第１記録層及び第２記録層の厚みは
用途によって異なるが、良好なＣＺＮ比が得られ、かつ
実用的な記録惑度を付与ずるためには、各々の厚みが１
０人〜１０００人の範囲にあることが好ましく、特に第
１記録層と第２記録層の膜厚の合計が１００人〜１００
０人の範囲にあり、かつそのうちの第１記録層の膜厚が
１０人〜２００人の範囲にあるものが好ましい。
用途によって異なるが、良好なＣＺＮ比が得られ、かつ
実用的な記録惑度を付与ずるためには、各々の厚みが１
０人〜１０００人の範囲にあることが好ましく、特に第
１記録層と第２記録層の膜厚の合計が１００人〜１００
０人の範囲にあり、かつそのうちの第１記録層の膜厚が
１０人〜２００人の範囲にあるものが好ましい。
本発明に用いられる基板材料としては、ガラスあるいは
ポリカーボ不一ト、ポリメチルメタクリレート、アモル
ファスポリオレフィン等のプラスチックが使用できる。
ポリカーボ不一ト、ポリメチルメタクリレート、アモル
ファスポリオレフィン等のプラスチックが使用できる。
（実施例〕
以下本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発
明はこれらの実施例に限定されるものではない。
明はこれらの実施例に限定されるものではない。
実施例１
直径１．３０ ａｒｍのポリカーボネート樹脂製スパイ
ラル溝付ディスク基板にＴｅ−Ｓｅ−Ｔｉ−Ａｇからな
るターゲソトを高周波スパッタリング法（Ａｒ圧力〜０
．５Ｐａ，高周波電力２００Ｗ）で厚さ１５０人の第１
記録層を成膜し、その上に同一ターゲン１・を用いて直
流スパッタリング法（Ａｒ圧力〜０，５Ｐａ直流電力７
０麿）で厚さ１５０人の第２記録層の成膜を行い、記録
媒体を得た。
ラル溝付ディスク基板にＴｅ−Ｓｅ−Ｔｉ−Ａｇからな
るターゲソトを高周波スパッタリング法（Ａｒ圧力〜０
．５Ｐａ，高周波電力２００Ｗ）で厚さ１５０人の第１
記録層を成膜し、その上に同一ターゲン１・を用いて直
流スパッタリング法（Ａｒ圧力〜０，５Ｐａ直流電力７
０麿）で厚さ１５０人の第２記録層の成膜を行い、記録
媒体を得た。
この記録媒体を８３０ｎｍの半導体レーザーを用いて周
波数５．８ＭＩＩｚ． ｄｕｔｙ３０％の反復信号を１
８０Ｏｒｐｍの条件で、ｌＺｌ１２０ｍｍの位置にレー
ザー出力を変化させながら書き込み、１ｍ一で読み出し
て記録感度及びＣ／Ｎ比を測定した。
波数５．８ＭＩＩｚ． ｄｕｔｙ３０％の反復信号を１
８０Ｏｒｐｍの条件で、ｌＺｌ１２０ｍｍの位置にレー
ザー出力を変化させながら書き込み、１ｍ一で読み出し
て記録感度及びＣ／Ｎ比を測定した。
記録感度は、Ｃ／Ｎ比が４５ｄＢに達した時の記録レー
ザー出力をみて、評価した。
ザー出力をみて、評価した。
その結果を表−１に示した。
比較例１
実施例１と同様のディスク基板に同様のタゲットを用い
、直流スパッタリング法（Ａｒ圧力〜０．５Ｐａ，直流
電力７０ｗ）のみで厚さ３００人の記録膜の成膜を行い
、記録媒体を得た。
、直流スパッタリング法（Ａｒ圧力〜０．５Ｐａ，直流
電力７０ｗ）のみで厚さ３００人の記録膜の成膜を行い
、記録媒体を得た。
この記録媒体の記録感度及びＣ／Ｎ比を実施例１と同様
に測定した。
に測定した。
その結果を表−１に示した。
結二，尼
実施例Ｉの高周波スパッタリング法及び直流スパッタリ
ング法で形成された２層構造の記録膜を有する光情報記
録媒体は、比較例１で用いた従来の単層構造の光情報記
録媒体に仕べて記録感度が上昇していることがわかる。
ング法で形成された２層構造の記録膜を有する光情報記
録媒体は、比較例１で用いた従来の単層構造の光情報記
録媒体に仕べて記録感度が上昇していることがわかる。
本発明によれば、簡便な方法で記録感度が良好な光情報
記録媒体を得ることができる。
記録媒体を得ることができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に高周波スパッタリング法によって記録層（
以下この記録層を第１記録層と称す）を形成し、更にそ
の上に直流スパッタリング法によって記録層（以下この
記録層を第２記録層と称す）を形成してなる２層の記録
膜から構成されることを特徴とする光情報記録媒体。 ２、第１または第２記録層の構成元素がＴｅ及びＳｅを
主成分とし、Ｔｉ、Ａｇ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ａ
ｓ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｇｅ及びＣｕからなる群より選ばれた
元素の内、少なくとも１種以上を含むことを特徴とする
請求項１記載の光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1111316A JPH02289932A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1111316A JPH02289932A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02289932A true JPH02289932A (ja) | 1990-11-29 |
Family
ID=14558131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1111316A Pending JPH02289932A (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02289932A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6634653B2 (en) * | 2001-07-17 | 2003-10-21 | Probir Chatterjea & Associates, Inc. | Ride control system for construction equipment |
-
1989
- 1989-04-28 JP JP1111316A patent/JPH02289932A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6634653B2 (en) * | 2001-07-17 | 2003-10-21 | Probir Chatterjea & Associates, Inc. | Ride control system for construction equipment |
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