JPH02291102A - 負に温度―依存性の保磁力を有する微細粉砕された磁性ヘキサフエライト及びその用途 - Google Patents
負に温度―依存性の保磁力を有する微細粉砕された磁性ヘキサフエライト及びその用途Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、一般組成：
Ｍ（ Ｉ ），Ｍ（Ｉ［ ），Ｍ（Ｉ［ｌ ），Ｆ ｅ
．２−．，＋，， ０（式中、 ０．５≦Ｘ≦１．３、０．１＜（ｙ＋ｚ）≦３、（ｘ＋
ｙ＋ｚ）″２−１．０、 ０．０くｙ≦１．５、 ０．０≦ｚ＜１．５、 Ｍ（Ｉ）はＢ ａ， Ｓ ｒ％ Ｐ ｂＳＣ ａを
あらわしＭ（ＩＩ ）はＴ１、Ｚｒ， ｘ−ｉｒ，
Ｖ、Ｎｂ， Ｔａ， Ｍｏ、ｗ，ｓｂをあらわし；
そして Ｍ（ＩＩＩ）はＣＯ、Ｚ ｎｓ Ｍ ｎをあらわす）に
相当する微細粉砕された（ｆｉｎｅｌｙ ｄｉｖｉｄｅ
ｄ）磁性へキサフエライト（ｈｅｘａｆｅｒｒｉｔｅ）
顔料及びその用途に関する。
．２−．，＋，， ０（式中、 ０．５≦Ｘ≦１．３、０．１＜（ｙ＋ｚ）≦３、（ｘ＋
ｙ＋ｚ）″２−１．０、 ０．０くｙ≦１．５、 ０．０≦ｚ＜１．５、 Ｍ（Ｉ）はＢ ａ， Ｓ ｒ％ Ｐ ｂＳＣ ａを
あらわしＭ（ＩＩ ）はＴ１、Ｚｒ， ｘ−ｉｒ，
Ｖ、Ｎｂ， Ｔａ， Ｍｏ、ｗ，ｓｂをあらわし；
そして Ｍ（ＩＩＩ）はＣＯ、Ｚ ｎｓ Ｍ ｎをあらわす）に
相当する微細粉砕された（ｆｉｎｅｌｙ ｄｉｖｉｄｅ
ｄ）磁性へキサフエライト（ｈｅｘａｆｅｒｒｉｔｅ）
顔料及びその用途に関する。
本発明を要約すれば、式：
Ｍ（Ｉ ），Ｍ（ＩＩ ），Ｍ（ＩＩＩ）−Ｆｅ＋２−
．Ｖ＋−＋０ １９（式中、 ０．５＜ｘく１．３、０．１≦（ｙ＋ｚ）≦３、（ｘ＋
ｙ＋ｚ）≧１．０、 ０．０くｙ＜１．５、 ０ ．０ ≦ ｚ≦１．５、） によってあらわされる組成を有する微細粉砕された磁性
へキサフエライトが開示されており、このヘキサ７エラ
イＩ・は磁気標識及び磁気記録材料として有用である。
．Ｖ＋−＋０ １９（式中、 ０．５＜ｘく１．３、０．１≦（ｙ＋ｚ）≦３、（ｘ＋
ｙ＋ｚ）≧１．０、 ０．０くｙ＜１．５、 ０ ．０ ≦ ｚ≦１．５、） によってあらわされる組成を有する微細粉砕された磁性
へキサフエライトが開示されており、このヘキサ７エラ
イＩ・は磁気標識及び磁気記録材料として有用である。
ヘキサフエライトは高密度磁気保蓄用に要求される如き
保磁界強度（４５〜１２０ｋＡ／ｍ）をあらわす。それ
らは特に金属ドーピングにより５００−５５０００ｅ（
３９．７８５〜４３７．６ｋＡ ／ ｍ ）の範囲で種
々に調整しうる保磁力（ｉＨｃ）によって卓越している
。それらは腐食安定性に関し金属性顔料よりもすぐれそ
してＣｒ０２及びＣｏドーブされた酸化鉄顔料よりも熱
安定性においてすぐれている。そのような磁性鉛酸塩（
Ｍ）構造のへキザフエライト顔料は上記目的のため今ま
でに提案されている。
保磁界強度（４５〜１２０ｋＡ／ｍ）をあらわす。それ
らは特に金属ドーピングにより５００−５５０００ｅ（
３９．７８５〜４３７．６ｋＡ ／ ｍ ）の範囲で種
々に調整しうる保磁力（ｉＨｃ）によって卓越している
。それらは腐食安定性に関し金属性顔料よりもすぐれそ
してＣｒ０２及びＣｏドーブされた酸化鉄顔料よりも熱
安定性においてすぐれている。そのような磁性鉛酸塩（
Ｍ）構造のへキザフエライト顔料は上記目的のため今ま
でに提案されている。
ドイツ特許出願公開第３，７３２，１１６号には、結合
剤及び磁気化しうる顔料を含有するンルクスクリーンイ
ンキの製造用にストロンチウムフェライトが例示されて
いる。
剤及び磁気化しうる顔料を含有するンルクスクリーンイ
ンキの製造用にストロンチウムフェライトが例示されて
いる。
例えば銀行小切手または銀行券上の信頼性標識における
使用のためには、普通の永久磁石では消去することがで
きないような高保磁力を有する微細に粉砕されたよく分
散しうる磁性材料が要求される。
使用のためには、普通の永久磁石では消去することがで
きないような高保磁力を有する微細に粉砕されたよく分
散しうる磁性材料が要求される。
普通の商業的切符、例えば旅行用切符のためには、常用
の磁性酸化鉄が現在用いられている。しかしながら、こ
の種の製品はその低い保磁力に基づき、市場で入手しう
る永久磁石を用いることにより容易に変造される。
の磁性酸化鉄が現在用いられている。しかしながら、こ
の種の製品はその低い保磁力に基づき、市場で入手しう
る永久磁石を用いることにより容易に変造される。
変造に対して安全な磁性材料のため、磨砕された硬いフ
エライトの使用がドイツ特許出願公開第３，６３０，１
１３号及び同第３，７３２，１１６号に提案されている
。しかしながら、そのような生成物は非常に広い粒径分
布を有する。それらは部分的に、単一磁性領域の形が過
剰であるような非常に大きい粒子から成っている。この
ことは、保磁力が低下しそして記録された信号が歪んで
再生されることをもたらす。更に、そのような大きい粒
子材料は大きい困難を伴ってのみ且つ高い費用で（ペン
キ製造のための長い磨砕時間により決定される）加工す
ることができよう。
エライトの使用がドイツ特許出願公開第３，６３０，１
１３号及び同第３，７３２，１１６号に提案されている
。しかしながら、そのような生成物は非常に広い粒径分
布を有する。それらは部分的に、単一磁性領域の形が過
剰であるような非常に大きい粒子から成っている。この
ことは、保磁力が低下しそして記録された信号が歪んで
再生されることをもたらす。更に、そのような大きい粒
子材料は大きい困難を伴ってのみ且つ高い費用で（ペン
キ製造のための長い磨砕時間により決定される）加工す
ることができよう。
精巧な印刷透かし模様を有する銀行券の製造のためには
、知られた硬いフエライトはその平均粒径が大き過ぎる
故に不適当である。それ故本発明の目的はそのような欠
点を有しないバリウムフエライトを取得することである
。
、知られた硬いフエライトはその平均粒径が大き過ぎる
故に不適当である。それ故本発明の目的はそのような欠
点を有しないバリウムフエライトを取得することである
。
驚くべきことには、今回上記欠点を有しないヘキサフエ
ライトを提供することが可能になった。
ライトを提供することが可能になった。
本発明は一般組成：
Ｍ（ Ｉ ）ＸＭ（Ｉ［ ）ｙＭ（ＩＩ）＋Ｆ Ｅ！１
２−＋Ｖ＋ｇｌ Ｏ １９（式中、 ０．５≦ｘ≦１．３、（ｍｌく（ｙ＋ｚ） く３、（
Ｘ ＋ ｙ ＋ｚ ） 〉Ｉ ．０、０．０≦ｙく１．
５、 ０．０≦ｚく１．５、 Ｍ（Ｉ）はＢａ，Ｓｒ，Ｐｂ，Ｃａをあらわし，Ｍ（［
）はＴ】、ＺｒＸ Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，ｗＳ
ｓｂをあらわし そして Ｍ（ＩＩＩ）はＣｏ，Ｚｎ，Ｍｎをあらわず）を有し、
それらは２０〜１００°Ｃの範囲に亘って３２０〜Ｏ
Ａ ／ ｍ ／ ゜Ｏの温度依存性の保磁力（ｉＨｃ）
を有することを特徴とする微細粉砕された磁性へキサフ
ェライ１・に関する。
２−＋Ｖ＋ｇｌ Ｏ １９（式中、 ０．５≦ｘ≦１．３、（ｍｌく（ｙ＋ｚ） く３、（
Ｘ ＋ ｙ ＋ｚ ） 〉Ｉ ．０、０．０≦ｙく１．
５、 ０．０≦ｚく１．５、 Ｍ（Ｉ）はＢａ，Ｓｒ，Ｐｂ，Ｃａをあらわし，Ｍ（［
）はＴ】、ＺｒＸ Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，ｗＳ
ｓｂをあらわし そして Ｍ（ＩＩＩ）はＣｏ，Ｚｎ，Ｍｎをあらわず）を有し、
それらは２０〜１００°Ｃの範囲に亘って３２０〜Ｏ
Ａ ／ ｍ ／ ゜Ｏの温度依存性の保磁力（ｉＨｃ）
を有することを特徴とする微細粉砕された磁性へキサフ
ェライ１・に関する。
本発明の特に好ましい一態様において、Ｍ（ＩＩ）はＭ
ｏをあらわしそしてＭ（ＩＩＩ）はＣｏをあらわす。
ｏをあらわしそしてＭ（ＩＩＩ）はＣｏをあらわす。
また好ましくは、ＭＯをＶで置きがえることができる。
別の好ましい一態様においてＭ（ＩＩ ）はｓｂをあら
わしそしてＭ（ＩＩＩ）はＺｎをあらわず。また好まし
いのはＭ（Ｉ＋ ）がＴ１をあらわしそしてＭ（ＩＩＩ
）がＭｎをあらわす組合せである。
わしそしてＭ（ＩＩＩ）はＺｎをあらわず。また好まし
いのはＭ（Ｉ＋ ）がＴ１をあらわしそしてＭ（ＩＩＩ
）がＭｎをあらわす組合せである。
本発明によるヘキサフェライトは知られた方法、例えば
欧州特許出願第２３０５０５号に従う方法により製造す
ることができる。
欧州特許出願第２３０５０５号に従う方法により製造す
ることができる。
本発明はまた特にそのようなヘキザフェライ１・顔料を
磁気記録媒体中で使用することに関する。
磁気記録媒体中で使用することに関する。
それらはまた消去困難な磁気標識及び銀行券用に用いる
ことができる。
ことができる。
添付図面第１図には、組成：
Ｂａ１．ＩＣｏ１．ｏＭｏｏ．２Ｆｅ＋ｏ．ｙｓＯ＋ｓ
（Ｉ）に相当するバリウムフエライトの温度の関数
としての保磁力曲線及び組成： Ｂａ＋．＋ＧＯ＋．ｏＳｂｏ．ｓＦ８＋ｏ．ａＯ＋ｓ
（ＩＩ）に相当するバリウム７エライトのｌＨｃの温
度一依存関数が示されている。
（Ｉ）に相当するバリウムフエライトの温度の関数
としての保磁力曲線及び組成： Ｂａ＋．＋ＧＯ＋．ｏＳｂｏ．ｓＦ８＋ｏ．ａＯ＋ｓ
（ＩＩ）に相当するバリウム７エライトのｌＨｃの温
度一依存関数が示されている。
以下の実施例は本発明を説明することを意図したもので
あって、本発明を限定するものではない；特に、当業界
の専門家は本発明に従い金属イオンの量及び種類及び製
造条件を変えることによって所望の組成物を得ることが
容易であろう。
あって、本発明を限定するものではない；特に、当業界
の専門家は本発明に従い金属イオンの量及び種類及び製
造条件を変えることによって所望の組成物を得ることが
容易であろう。
実施例 １
Ｂａｌ，＋Ｃｏ＋．ＯＭＯ０．２Ｆ ｅｇｏ．７５０
１９１ １１２２．０ １３．０８ ４３．０
２ ６２．５５ １０７．５５ １２１．４
データはすべてダラムであらわす。
１９１ １１２２．０ １３．０８ ４３．０
２ ６２．５５ １０７．５５ １２１．４
データはすべてダラムであらわす。
ＮＨ．モリブデン酸塩（５４．３％Ｍｏ）、ＣｏＣＯ３
（４６．４％Ｃ ｏ） 、Ｎ Ｈ ４ Ｆ ｅクエン酸
塩（９．９６％Ｆｅ）；その他の化学薬剤は化学的に純
粋。
（４６．４％Ｃ ｏ） 、Ｎ Ｈ ４ Ｆ ｅクエン酸
塩（９．９６％Ｆｅ）；その他の化学薬剤は化学的に純
粋。
第１鉄アンモニウムクエン酸塩を水１．２α中に溶かし
、溶液を攪拌しながら８０°Ｃに加熱しそしてＣ ｏＣ
Ｏ ｓ、Ｂ ａＣ Ｏ ３、クエン酸、ＮＨ４モリブ
デン酸塩及びエタンジオールを添加ずる。次に、８０℃
で１時間攪拌し、そして回転蒸発器上で溶液の鉄含量が
１０％になるまで蒸発する。蒸発により濃縮された溶液
を乾燥しそしてチキンバー炉中２２０℃で空気に接触さ
せながら熱分解する。
、溶液を攪拌しながら８０°Ｃに加熱しそしてＣ ｏＣ
Ｏ ｓ、Ｂ ａＣ Ｏ ３、クエン酸、ＮＨ４モリブ
デン酸塩及びエタンジオールを添加ずる。次に、８０℃
で１時間攪拌し、そして回転蒸発器上で溶液の鉄含量が
１０％になるまで蒸発する。蒸発により濃縮された溶液
を乾燥しそしてチキンバー炉中２２０℃で空気に接触さ
せながら熱分解する。
生成物を二つの部分に分け、そして回転キルン中で１０
５分間８２５℃で（／Ａ）及び８７５℃で（／Ｂ）焼鈍
する。得られた六方晶系フエライトは次の性質を有した
： １ １９５．３ ７３．４ ．３４．１
−１６３．９実施例 ２ Ｂａｄ．＋Ｚｎ１．ａｓ ｂｏ．ｓＦ ｅｔａ ５ｏ
１９製造は実施例１における如く行なわれた。
５分間８２５℃で（／Ａ）及び８７５℃で（／Ｂ）焼鈍
する。得られた六方晶系フエライトは次の性質を有した
： １ １９５．３ ７３．４ ．３４．１
−１６３．９実施例 ２ Ｂａｄ．＋Ｚｎ１．ａｓ ｂｏ．ｓＦ ｅｔａ ５ｏ
１９製造は実施例１における如く行なわれた。
得られた大方晶系フエライトは次の性質を存しＩこ：
２ １１２２．０ １４５．３８ ４１．４９
１６８．１３ ３９．６４ １２１．４Ｚｎク
エン酸塩（８．５７％Ｚｎ）、ｓｂクエン酸塩（６．９
０％ｓｂ） 製造は実施例ｌにおける如く行なう。
１６８．１３ ３９．６４ １２１．４Ｚｎク
エン酸塩（８．５７％Ｚｎ）、ｓｂクエン酸塩（６．９
０％ｓｂ） 製造は実施例ｌにおける如く行なう。
得られた六方晶系フエライトは次の性質を有しＩこ：
２ １３８．８ ６８，２ ３２．
４ −７４．０実施例 ３ Ｂ ａ１．＋Ｍｎｏ．ａＴ ｉｏ．６Ｆ ｅｔａ．ｇｏ
＋９３ ３２８．９ ６８．０
３４．９ −７４．０実施例 ４ Ｂａｄ， ＋ＣＯ＋． ｓ３Ｖ ｏ． ａａＦ ｅ＋ｏ
． ｏ＋０ １ｓ４ １１２２．０ ３５．８５
４３．５２ １５．５９ １１８．０ １
２１．４ＣｏＣ Ｏ ｓ （ ４ ６ ．４％Ｃｏ）製
造は実施例１における如く行なう。
４ −７４．０実施例 ３ Ｂ ａ１．＋Ｍｎｏ．ａＴ ｉｏ．６Ｆ ｅｔａ．ｇｏ
＋９３ ３２８．９ ６８．０
３４．９ −７４．０実施例 ４ Ｂａｄ， ＋ＣＯ＋． ｓ３Ｖ ｏ． ａａＦ ｅ＋ｏ
． ｏ＋０ １ｓ４ １１２２．０ ３５．８５
４３．５２ １５．５９ １１８．０ １
２１．４ＣｏＣ Ｏ ｓ （ ４ ６ ．４％Ｃｏ）製
造は実施例１における如く行なう。
得られた六方晶系フエライトは次の性質を有した：
３ １１２２．０ １５８．２７ ４０．３８
６２．６０ ３９．６４ １２１．４Ｍ
ｎクエン酸塩（３．８５％Ｍｎ）、Ｔｉクエン酸塩（８
．５２％Ｔｉ） ４ １２３．６ ５５．９ ２６．
７ −２８０．９本発明の主なる特徴及び態様は
以下のとおりである。
６２．６０ ３９．６４ １２１．４Ｍ
ｎクエン酸塩（３．８５％Ｍｎ）、Ｔｉクエン酸塩（８
．５２％Ｔｉ） ４ １２３．６ ５５．９ ２６．
７ −２８０．９本発明の主なる特徴及び態様は
以下のとおりである。
■．式．
−ｑ−
Ｍ（Ｉ ）ｘＭ（ＩＩ）ｙＭ（ＩＩＩ）．Ｆｅ＋ｚ−＋
ｙ＋ｆ＋０ １９（式中、 ０．５くｘ＜１．３、０．１＜ （ｙ＋ｚ）＜３、（ｘ
十ｙ＋ｚ）≧１．０、 ０．０≦ｙ≦１．５、 ０．０５：ｚく１．５、 Ｍ（Ｉ）はＢａ，ＳｒＳ Ｐｂ，またはＣａをあらわし
； Ｍ（ｎ ）はＴｉＳ Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ％ Ｎｂ，Ｔａ
，Ｍｏ，Ｗ１またはｓｂをあらわし；そして Ｍ（ＩＩＩ）はＣｏＳＺｎ，またはＭｎをあらわす）に
よってあらわされる組成を有し、且つ２０〜１００°Ｃ
の範囲に亘って−３ ２ ０ − Ｏ Ａ／ｍ／’Ｏの
温度依存性保磁力（ｉＨｃ）を有することを特徴とする
微細粉砕された、磁性へキサフエライト。
ｙ＋ｆ＋０ １９（式中、 ０．５くｘ＜１．３、０．１＜ （ｙ＋ｚ）＜３、（ｘ
十ｙ＋ｚ）≧１．０、 ０．０≦ｙ≦１．５、 ０．０５：ｚく１．５、 Ｍ（Ｉ）はＢａ，ＳｒＳ Ｐｂ，またはＣａをあらわし
； Ｍ（ｎ ）はＴｉＳ Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ％ Ｎｂ，Ｔａ
，Ｍｏ，Ｗ１またはｓｂをあらわし；そして Ｍ（ＩＩＩ）はＣｏＳＺｎ，またはＭｎをあらわす）に
よってあらわされる組成を有し、且つ２０〜１００°Ｃ
の範囲に亘って−３ ２ ０ − Ｏ Ａ／ｍ／’Ｏの
温度依存性保磁力（ｉＨｃ）を有することを特徴とする
微細粉砕された、磁性へキサフエライト。
２．Ｍ（ＩＩ）はＭｏをあらわしそしてＭ（Ｉ［［）は
Ｃｏをあらわす上記第１項記載の微細分散された、磁性
へキサフエライト。
Ｃｏをあらわす上記第１項記載の微細分散された、磁性
へキサフエライト。
３．Ｍ（Ｉ［）はＶをあらわしそしてＩＶＩ（ＩＩＩ）
はＣｏをあらわす上記第１項記載の微細分散された、磁
性へキサフエライト。
はＣｏをあらわす上記第１項記載の微細分散された、磁
性へキサフエライト。
４．Ｍ（ＩＩ）はｓｂをあらわしそしてＭ（ＩＩ１）は
Ｚｎをあらわす上記第］項記載の微細粉砕された磁性へ
キサフエライト。
Ｚｎをあらわす上記第］項記載の微細粉砕された磁性へ
キサフエライト。
５．Ｍ（ｎ）がＴｉをあらわしそしてＭ（ｎＴ）はＭｎ
をあらわす上記第１項記載の微細粉砕された磁性へキサ
フエライト。
をあらわす上記第１項記載の微細粉砕された磁性へキサ
フエライト。
６．上記第１項記載の微細粉砕された磁性へキサフエラ
イトを含んで成る磁気標識。
イトを含んで成る磁気標識。
７．上記第１項記載の微細粉砕された磁性へキサフエラ
イトを含んで成る磁気記録材料。
イトを含んで成る磁気記録材料。
第１図は本発明による二種のバリウムフエライトの保磁
力の温度依存関係を示すグラフである。
力の温度依存関係を示すグラフである。
Claims (2)
- １．式： Ｍ（ I ）＿ｘＭ（II）＿ｙＭ（III）＿ｚＦｅ＿１＿２
＿−＿（＿ｙ＿＋＿ｚ＿）Ｏ＿１＿９（式中、 ０．５≦ｘ≦１．３、０．１≦（ｙ＋ｚ）≦３、（ｘ＋
ｙ＋ｚ）≧１．０、 ０．０≦ｙ≦１．５、 ０．０≦ｚ≦１．５、 Ｍ（ I ）はＢａ、Ｓｒ、Ｐｂ、またはＣａをあらわし
； Ｍ（II）はＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、
Ｗ、またはＳｂをあらわし；そして Ｍ（III）はＣｏ、Ｚｎ、またはＭｎをあらわす）によ
ってあらわされる組成を有し、且つ２０〜１００℃の範
囲に亘って−３２０〜０Ａ／ｍ／℃の温度依存性保磁力
（ｉＨｃ）を有することを特徴とする微細粉砕された、
磁性ヘキサフェライト。 - ２．請求項１に記載の微細粉砕された磁性ヘキサフェラ
イトを含有することを特徴とする磁気記録材料。
Applications Claiming Priority (2)
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Publications (1)
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Family Applications (1)
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