JPH02292062A - イオン流制御板とその製造方法 - Google Patents
イオン流制御板とその製造方法Info
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- JPH02292062A JPH02292062A JP1112094A JP11209489A JPH02292062A JP H02292062 A JPH02292062 A JP H02292062A JP 1112094 A JP1112094 A JP 1112094A JP 11209489 A JP11209489 A JP 11209489A JP H02292062 A JPH02292062 A JP H02292062A
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- Japan
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- flow control
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、静電記録の一種であるイオンフロ一記録方
式に使用する精度の高いイオン流制御板とその製造方法
に関するものである。
式に使用する精度の高いイオン流制御板とその製造方法
に関するものである。
第１０図は従来のこの種の装置の構成例であり、１はイ
オン流制御板で、絶縁体基板２、その表裏に設けた電極
板３，４からなる。なお、５は絶縁体基板２の開口、６
は電極板３，４の開口である。
オン流制御板で、絶縁体基板２、その表裏に設けた電極
板３，４からなる。なお、５は絶縁体基板２の開口、６
は電極板３，４の開口である。
７はイオン発生器、８は記憶媒体、９〜１２は電源、１
３は切り換えスイッチ、１４は前記開口５，６を通過す
るイオン流の模式図である（なお、Ｍ．Ｏｍｏｄａｎｉ
＠ ”Ｉｏｎ ｆｌｏｗ ｅｏｎｔｒｏｌ
ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｆｏｒ ｈｉｇｈ
ｑｕａｌｉｔｙ ｅｏｎｔｉｎｕｏｕｓ−ｔｏｎ
ｅ ｐｒｉｎｔｉｎｇＪｏｕｎａｌ ｏｆ Ｐｈｙｓ
ｉｃｓ（Ｄ） ２０ （１９８７）ｐ．１２２４〜１２
２９、特願昭６２−２６２５８９号「記録補正方法」参
照）。
３は切り換えスイッチ、１４は前記開口５，６を通過す
るイオン流の模式図である（なお、Ｍ．Ｏｍｏｄａｎｉ
＠ ”Ｉｏｎ ｆｌｏｗ ｅｏｎｔｒｏｌ
ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｆｏｒ ｈｉｇｈ
ｑｕａｌｉｔｙ ｅｏｎｔｉｎｕｏｕｓ−ｔｏｎ
ｅ ｐｒｉｎｔｉｎｇＪｏｕｎａｌ ｏｆ Ｐｈｙｓ
ｉｃｓ（Ｄ） ２０ （１９８７）ｐ．１２２４〜１２
２９、特願昭６２−２６２５８９号「記録補正方法」参
照）。
これを動作するには、高電圧を印加したイオン発生１１
７において発生し、記憶媒体８に向かうイオンの流れ１
４をイオン流制御板１の開口５をとり囲む電極板３と４
の間の電圧を変化させることによりその通過量を制御し
、結果として記録媒体８上に所望の静電潜像を形成する
。
７において発生し、記憶媒体８に向かうイオンの流れ１
４をイオン流制御板１の開口５をとり囲む電極板３と４
の間の電圧を変化させることによりその通過量を制御し
、結果として記録媒体８上に所望の静電潜像を形成する
。
このような装置において、イオン流制御板１は両面に電
極板３，４を持つ絶縁体基板２に、一般にドリルあるい
はパンチング等により貫通穴を形成すること等により製
造される関係上、電極板３，４０開口６と絶縁体基板２
の開口５はほぼ同じ大きさとなっており、各開口５，６
の内面にパリ等の荒れが発生しているため、開口５，６
を通過するイオンは、第１１図に示すように、絶縁体基
板２０開口５の内面に付着しやすく開口５の内面に表面
電荷が形成され、結果としてイオン流の制御特性を悪化
する欠点があった。
極板３，４を持つ絶縁体基板２に、一般にドリルあるい
はパンチング等により貫通穴を形成すること等により製
造される関係上、電極板３，４０開口６と絶縁体基板２
の開口５はほぼ同じ大きさとなっており、各開口５，６
の内面にパリ等の荒れが発生しているため、開口５，６
を通過するイオンは、第１１図に示すように、絶縁体基
板２０開口５の内面に付着しやすく開口５の内面に表面
電荷が形成され、結果としてイオン流の制御特性を悪化
する欠点があった。
この発明の目的は、絶縁体基板の開口の内面へのイオン
の付着による表面電荷の形成によって起こるイオン制御
特性の劣化を解決したイオン流制御板とその製造方法を
提供することにある。
の付着による表面電荷の形成によって起こるイオン制御
特性の劣化を解決したイオン流制御板とその製造方法を
提供することにある。
この発明にかかるイオン流制御板は、絶縁体基板の開口
が２枚の電極板の少なくとも一方の開口よりも大きくし
たものである。
が２枚の電極板の少なくとも一方の開口よりも大きくし
たものである。
また、この発明にかかるイオン流制御板の製造方法は、
まず、両者の金属層のみに所望径の開口を第１のエッチ
ング液により形成して電極板とし、次に金属層に形成さ
れた開口を通じて第２のエッチング液により絶縁体基板
に金属層の開口と同軸上に開口を形成するものである。
まず、両者の金属層のみに所望径の開口を第１のエッチ
ング液により形成して電極板とし、次に金属層に形成さ
れた開口を通じて第２のエッチング液により絶縁体基板
に金属層の開口と同軸上に開口を形成するものである。
この発明のイオン流制御板によれば、絶縁体基板の開口
の内面へのイオンの付着がなく、イオン制御特性の劣化
がなくなる。
の内面へのイオンの付着がなく、イオン制御特性の劣化
がなくなる。
また、この発明のイオン流制御板の製造方法によれば、
第１のエッチング液で金属層に開口を作ゆ、乙の開口を
通して絶縁体基板に第２のエッチング液で開口を作るの
で、金属層の開口や絶縁体基板の開口の内面にパリ等の
荒れが発生しなくなる。
第１のエッチング液で金属層に開口を作ゆ、乙の開口を
通して絶縁体基板に第２のエッチング液で開口を作るの
で、金属層の開口や絶縁体基板の開口の内面にパリ等の
荒れが発生しなくなる。
第１図はこの発明の一実施例を示すものである。
第１０図，第１１図に示される従来のイオン流制御板１
と異なるところは、絶縁体基板２の関口５Ａの大きさを
電極板（都合により金属層ともいう）３，４の開口６よ
り大きくした点であり、その他は同じである。第２図は
この発明のイオン流制御板１Ａを通過するイオン流の軌
跡１４を示す模式図である。
と異なるところは、絶縁体基板２の関口５Ａの大きさを
電極板（都合により金属層ともいう）３，４の開口６よ
り大きくした点であり、その他は同じである。第２図は
この発明のイオン流制御板１Ａを通過するイオン流の軌
跡１４を示す模式図である。
また、第３図（ａ）〜（Ｅ３は理想的なイオン流制御板
ＩＢ，つまり絶縁体基板２がなく上，下の電極板３，４
ｆ！けが配置されているとしたとき、種々の電圧条件に
おいてイオン流制御板１Ｂを通過するイオン流の軌跡１
４を、有限要素法を用いた電界計算により求めた理論計
算例で、軸対称のため軸の片面のみで示してある。そし
て、イオン流制御特性に関係する第３図の電場Ｅ．，Ｅ
，，Ｅｓの説明図が第４図である。すなオ）ち、第４図
はイオン流が電極板３，４０開口６を通過する様相を示
した模式図である。開口６付近の電場はＥ１Ｅ，，Ｅ３
で表される。ここで電場Ｅ１は上側（イオン発生器側）
の電極板３の上方の電場、Ｅ２は２枚の電極板３，４間
の電場、Ｅ３は下側の電極板４の下方の電場である。
ＩＢ，つまり絶縁体基板２がなく上，下の電極板３，４
ｆ！けが配置されているとしたとき、種々の電圧条件に
おいてイオン流制御板１Ｂを通過するイオン流の軌跡１
４を、有限要素法を用いた電界計算により求めた理論計
算例で、軸対称のため軸の片面のみで示してある。そし
て、イオン流制御特性に関係する第３図の電場Ｅ．，Ｅ
，，Ｅｓの説明図が第４図である。すなオ）ち、第４図
はイオン流が電極板３，４０開口６を通過する様相を示
した模式図である。開口６付近の電場はＥ１Ｅ，，Ｅ３
で表される。ここで電場Ｅ１は上側（イオン発生器側）
の電極板３の上方の電場、Ｅ２は２枚の電極板３，４間
の電場、Ｅ３は下側の電極板４の下方の電場である。
第３図（ｂ）に示すように、電圧条件等によってはイオ
ン流の軌跡は２枚の電極板３，４間で開口６の径を越え
てふ《らみ再度収束して通過していく場合があるが、こ
のような場合、第１０図に示すように絶縁体基板２の開
口５が電極板３，４の開口６と同じ大きさであると、イ
オン流の一部は絶縁体基板２の開口５の内面にブロック
されることになり、実際は開口５を通過できないため通
過イオン流量が減少するとともに、絶縁体基板２の開口
５の内面にぶつかったイオン流は、開口５の内面に表面
電荷を形成し、イオン流制御特性に影響を与える。
ン流の軌跡は２枚の電極板３，４間で開口６の径を越え
てふ《らみ再度収束して通過していく場合があるが、こ
のような場合、第１０図に示すように絶縁体基板２の開
口５が電極板３，４の開口６と同じ大きさであると、イ
オン流の一部は絶縁体基板２の開口５の内面にブロック
されることになり、実際は開口５を通過できないため通
過イオン流量が減少するとともに、絶縁体基板２の開口
５の内面にぶつかったイオン流は、開口５の内面に表面
電荷を形成し、イオン流制御特性に影響を与える。
しかし、この発明のイオン流制御板１Ａでは、絶縁体基
板２の開口５Ａの径が電極板３，４の開口６の径よりも
大きい構造になっているから、イオン流制御板１Ａの開
口５Ａ内で電極板３，４の開口６の径を越えてふくらん
で進むイオン流の軌跡もブロックされにくいため、その
結果としてイオン流の通過量の減少もイオン流制御特性
の劣化も起こりにク＜、理想的なイオン流制御特性を得
ることができる。
板２の開口５Ａの径が電極板３，４の開口６の径よりも
大きい構造になっているから、イオン流制御板１Ａの開
口５Ａ内で電極板３，４の開口６の径を越えてふくらん
で進むイオン流の軌跡もブロックされにくいため、その
結果としてイオン流の通過量の減少もイオン流制御特性
の劣化も起こりにク＜、理想的なイオン流制御特性を得
ることができる。
第５図（ａ）〜（ｄ）はこの発明のイオン流制御板１Ａ
の構造を実現することのできる製造方法の一実施例を示
す工程図である。これを行うには、第５図（ａ）の絶縁
体基板２の両面に、第５図（ｂ）のように金属層３，４
を形成し、これに通常のブリン１・基板等のパターン形
成と同様に［レジスト塗布，マスク露光，レジス１・−
Ｓ除去，レジス１・除去部の金属層の第１のエッチング
液を用いてのエッチング］というようなプロセスを用い
て第５図（Ｃ）のように金属層３，４にのみ所望の開口
６を形成し、次に金属層３，４には作用せず絶縁体基板
２のみを溶解する第２のエッチング液を用いて、すでに
形成された金属層３，４の開口６を通じて絶縁体基板２
のエッチングを行って、絶縁体基板２に金属層３，４の
開口６と同軸の関口５Ａを第５図（ｄ）のように形成し
てイオン流制御板１Ａを形成する。この際、絶縁体基板
２のエッチング程度はエッチング時間等により制御可能
であり、十分なエッチング時間をかけることにより絶縁
体基板２の開口５Ａの径を電極板３，４の開口６の径よ
りも大きくする。
の構造を実現することのできる製造方法の一実施例を示
す工程図である。これを行うには、第５図（ａ）の絶縁
体基板２の両面に、第５図（ｂ）のように金属層３，４
を形成し、これに通常のブリン１・基板等のパターン形
成と同様に［レジスト塗布，マスク露光，レジス１・−
Ｓ除去，レジス１・除去部の金属層の第１のエッチング
液を用いてのエッチング］というようなプロセスを用い
て第５図（Ｃ）のように金属層３，４にのみ所望の開口
６を形成し、次に金属層３，４には作用せず絶縁体基板
２のみを溶解する第２のエッチング液を用いて、すでに
形成された金属層３，４の開口６を通じて絶縁体基板２
のエッチングを行って、絶縁体基板２に金属層３，４の
開口６と同軸の関口５Ａを第５図（ｄ）のように形成し
てイオン流制御板１Ａを形成する。この際、絶縁体基板
２のエッチング程度はエッチング時間等により制御可能
であり、十分なエッチング時間をかけることにより絶縁
体基板２の開口５Ａの径を電極板３，４の開口６の径よ
りも大きくする。
この方法において絶縁体基板２は、例えばポリイミドを
使用し、金属層３，４はスパッタ法等による種付けの後
、メッキ等により銅の薄い層を形成することにより形成
する。絶縁体基板２上に金属層３，４を形成する方法と
しては、銅はくを絶縁体基板２上に接着剤でのり付けす
る方法もあるが、この場合、絶縁体基板２をエッチング
しようとする際に、金属層除去部分の絶縁体基板２上に
接着剤層が残っており、次の工程の絶縁体基板２のエッ
チングを阻害するため好まし《ない。
使用し、金属層３，４はスパッタ法等による種付けの後
、メッキ等により銅の薄い層を形成することにより形成
する。絶縁体基板２上に金属層３，４を形成する方法と
しては、銅はくを絶縁体基板２上に接着剤でのり付けす
る方法もあるが、この場合、絶縁体基板２をエッチング
しようとする際に、金属層除去部分の絶縁体基板２上に
接着剤層が残っており、次の工程の絶縁体基板２のエッ
チングを阻害するため好まし《ない。
なお、エッチング手法による穴断面は実際には直線的に
はなりに＜＜、第７図のように、例えば絶縁体基板２の
開口５Ａの中央部が狭くなった形状となる（両面からエ
ッチングを行った場合）こともあるが、このような場合
、最も狭くなった部分の径が電極板３，４の開口６の径
よりも大きくなっていることが望ましい。
はなりに＜＜、第７図のように、例えば絶縁体基板２の
開口５Ａの中央部が狭くなった形状となる（両面からエ
ッチングを行った場合）こともあるが、このような場合
、最も狭くなった部分の径が電極板３，４の開口６の径
よりも大きくなっていることが望ましい。
第６図（ａ）〜（ｄ）はこの発明のイオン流制御板１Ａ
の他の製造方法の工程図で、第５図の製造方法との相違
は、第６図（ｄ）のように絶縁体基板２の開口５Ａの大
きさと電極板３，４の開口６の大きさとが等しい場合で
ある。このように開口５Ａと６とを等しくしても、この
発明の製造方法を用いると、従来のものよりイオン流制
御特性が向上する。その理由を以下に述べる。
の他の製造方法の工程図で、第５図の製造方法との相違
は、第６図（ｄ）のように絶縁体基板２の開口５Ａの大
きさと電極板３，４の開口６の大きさとが等しい場合で
ある。このように開口５Ａと６とを等しくしても、この
発明の製造方法を用いると、従来のものよりイオン流制
御特性が向上する。その理由を以下に述べる。
イオン流制御板１の従来の製造方法として考えられるも
のとして、金属層３，４と、絶縁体基板２をドリリング
あるいはパンチングにより一括して貫通穴を開ける手法
がある。この手法においては、開口５（第１０図），６
の内面に金属層３，４，絶縁体基板２ともパリ等の荒れ
が発生しやすく、特に金属層３，４と絶縁体基板２の間
に接着剤層が存在する場合、これがパリとしてはみ出す
ことが多く、これらによりイオン流制御板１の開口形状
は結果的に理想的な貫通穴形状となりにく《、イオン流
軌跡のブロック，穴内面へのイオン付看等により特にイ
オン流制御特性を悪化させろ。
のとして、金属層３，４と、絶縁体基板２をドリリング
あるいはパンチングにより一括して貫通穴を開ける手法
がある。この手法においては、開口５（第１０図），６
の内面に金属層３，４，絶縁体基板２ともパリ等の荒れ
が発生しやすく、特に金属層３，４と絶縁体基板２の間
に接着剤層が存在する場合、これがパリとしてはみ出す
ことが多く、これらによりイオン流制御板１の開口形状
は結果的に理想的な貫通穴形状となりにく《、イオン流
軌跡のブロック，穴内面へのイオン付看等により特にイ
オン流制御特性を悪化させろ。
これに対し、この発明のように金属層３，４，絶縁体基
板２ともエッチングにより開口形成する方法によれば、
金属Ｈ３，４，絶縁体基板２ともにパリ等の発生がきわ
めて少なく、理想的な開口形状が得られるため、金属層
３，４の開口６と絶縁体基板２の関口５Ａとの径が仮に
同程度であっても前記ドリリングあるいはパンチングに
よる貫通穴形成手法に較べれば、イオン流制御特性の乱
れははるかに少なく、比較的望ましい特性を得ることが
できるのである。
板２ともエッチングにより開口形成する方法によれば、
金属Ｈ３，４，絶縁体基板２ともにパリ等の発生がきわ
めて少なく、理想的な開口形状が得られるため、金属層
３，４の開口６と絶縁体基板２の関口５Ａとの径が仮に
同程度であっても前記ドリリングあるいはパンチングに
よる貫通穴形成手法に較べれば、イオン流制御特性の乱
れははるかに少なく、比較的望ましい特性を得ることが
できるのである。
なお、以上の説明でイオン流制御板１Ａの開口５Ａは円
形であるように説明したが、必ずしも円形である必要は
なく、その場合は「開口の径」として説明した部分を「
開口の断面積」と置き換えればよい。また、イオン流制
御板１Ａを構成する上，下２枚の電極板３，４の開口６
径は同じであるように説明を行ったが、これらは同じで
ある必要はなく、このような場合、少なくとも一方の電
極板の間口６よりも絶縁体基板２の開口５Ａの方が大き
いことが望ましく、さらに、第８図のように両方の電極
板３，４の開口６，６Ａのいずれよりも絶縁体基板２の
関口５Ａの径が大きいことが最も理想的であるが、第９
図のように２枚の電極板３，４の開口６，６Ａの円周同
士を結んで得られる側面から絶縁体基板２の開口５Ａの
側面が内側へ突き出してなければかなり望ましい特性を
得ることが可能である。この第９図の場合、電極板３，
４が入れかえたものでもよい。
形であるように説明したが、必ずしも円形である必要は
なく、その場合は「開口の径」として説明した部分を「
開口の断面積」と置き換えればよい。また、イオン流制
御板１Ａを構成する上，下２枚の電極板３，４の開口６
径は同じであるように説明を行ったが、これらは同じで
ある必要はなく、このような場合、少なくとも一方の電
極板の間口６よりも絶縁体基板２の開口５Ａの方が大き
いことが望ましく、さらに、第８図のように両方の電極
板３，４の開口６，６Ａのいずれよりも絶縁体基板２の
関口５Ａの径が大きいことが最も理想的であるが、第９
図のように２枚の電極板３，４の開口６，６Ａの円周同
士を結んで得られる側面から絶縁体基板２の開口５Ａの
側面が内側へ突き出してなければかなり望ましい特性を
得ることが可能である。この第９図の場合、電極板３，
４が入れかえたものでもよい。
以上説明したように、この発明のイオン允制御板によれ
ば、絶縁体基板の開口が２枚の１極板の少なくとも一方
の開口よりも大きくしたので、特性の劣化，変化の少な
いイオン流制御板が得られるから常に均一で時間的な特
性変化も少ない記録を行うことができ、結果的にむらの
少ない画像を得ることができる利点がある。特に記録用
紙の幅方向に多数のイオン流制御用の開口を並べてライ
ンヘッドを形成して記録を行う場合、開口の特性のばら
つきの少ない均一な記録画像を得ることができる利点が
ある。
ば、絶縁体基板の開口が２枚の１極板の少なくとも一方
の開口よりも大きくしたので、特性の劣化，変化の少な
いイオン流制御板が得られるから常に均一で時間的な特
性変化も少ない記録を行うことができ、結果的にむらの
少ない画像を得ることができる利点がある。特に記録用
紙の幅方向に多数のイオン流制御用の開口を並べてライ
ンヘッドを形成して記録を行う場合、開口の特性のばら
つきの少ない均一な記録画像を得ることができる利点が
ある。
また、この発明のイオン流制御板の製造方法によれば、
第１のエッチング液で金属層に開口を作り、その後第２
のエッチング液で絶縁体基板に開口を作るようにしたの
で、従来のドリリングやパンチングによる貫通穴の形成
のように、開口の内面にパリによる荒れが発生すること
がなク、イオン流制御特性を劣化させることがない利点
がある。
第１のエッチング液で金属層に開口を作り、その後第２
のエッチング液で絶縁体基板に開口を作るようにしたの
で、従来のドリリングやパンチングによる貫通穴の形成
のように、開口の内面にパリによる荒れが発生すること
がなク、イオン流制御特性を劣化させることがない利点
がある。
第１図はこの発明のイオン流制御板の一実施例を示す断
面図、第２図はこの発明のイオン流制御板をイオンが通
過する模式図、第３図（ａ）〜（ｆ）は理想的なイオン
流制御板を通過するイオンの軌跡の計算例を示す図、第
４図は、第３図の電場の説明図、第５図（ａ）〜（ｄ）
はこの発明のイオン流制御板の製造方法の一実施例を示
す工程図、第６図（ａ）〜（ｄ）はこの発明のイオン流
制御板の製造方法の他の実施例を示す工程図、第７図，
第８図，第９図はこの発明のイオン流制御板の他の実施
例をそれぞれ示す断面図、第１０図は従来のイオン流制
御板の使用形態の一例を示す図、第１１図ｌよ従来のイ
オン流制御板をイオンが通過する模式図である。 図中、１Ａはイオン流制御板、２は絶縁体基板、３，４
は金属層、５Ａ，６Ａは開口である。 第１図 １Δ 第２図 第 図 （ｅ） 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図 ６Ａ 開口 第 図 第 図 第 図
面図、第２図はこの発明のイオン流制御板をイオンが通
過する模式図、第３図（ａ）〜（ｆ）は理想的なイオン
流制御板を通過するイオンの軌跡の計算例を示す図、第
４図は、第３図の電場の説明図、第５図（ａ）〜（ｄ）
はこの発明のイオン流制御板の製造方法の一実施例を示
す工程図、第６図（ａ）〜（ｄ）はこの発明のイオン流
制御板の製造方法の他の実施例を示す工程図、第７図，
第８図，第９図はこの発明のイオン流制御板の他の実施
例をそれぞれ示す断面図、第１０図は従来のイオン流制
御板の使用形態の一例を示す図、第１１図ｌよ従来のイ
オン流制御板をイオンが通過する模式図である。 図中、１Ａはイオン流制御板、２は絶縁体基板、３，４
は金属層、５Ａ，６Ａは開口である。 第１図 １Δ 第２図 第 図 （ｅ） 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図 ６Ａ 開口 第 図 第 図 第 図
Claims (2)
- （１）開口を同軸とした２枚の電極板と、開口を有し前
記電極板を一定の距離に保つための絶縁体基板とからな
るイオン流制御板において、前記絶縁体基板の開口を前
記２枚の電極板の少なくとも一方の開口よりも大きくし
たことを特徴とするイオン流制御板。 - （２）絶縁体基板の両面に金属層をそれぞれ形成し、ま
ず前記両者の金属層のみに所望径の開口を第１のエッチ
ング液により形成して電極板とし、次に前記金属層に形
成された開口を通じて第２のエッチング液により前記絶
縁体基板に前記金属層の開口と同軸上に開口を形成する
ことを特徴とするイオン流制御板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1112094A JP2815609B2 (ja) | 1989-05-02 | 1989-05-02 | イオン流制御板とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1112094A JP2815609B2 (ja) | 1989-05-02 | 1989-05-02 | イオン流制御板とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02292062A true JPH02292062A (ja) | 1990-12-03 |
| JP2815609B2 JP2815609B2 (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=14577968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1112094A Expired - Lifetime JP2815609B2 (ja) | 1989-05-02 | 1989-05-02 | イオン流制御板とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2815609B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0440942U (ja) * | 1990-08-06 | 1992-04-07 | ||
| JPH04100853U (ja) * | 1991-02-05 | 1992-09-01 | ブラザー工業株式会社 | 画像記録装置用電極 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59138475A (ja) * | 1983-01-28 | 1984-08-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | イオン流制御用電極の製造方法 |
| JPS63270158A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-08 | Fuji Xerox Co Ltd | 静電潜像形成装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-05-02 JP JP1112094A patent/JP2815609B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2815609B2 (ja) | 1998-10-27 |
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