JPH02292836A - Icチップ実装用フィルムキャリア - Google Patents

Icチップ実装用フィルムキャリア

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JPH02292836A
JPH02292836A JP1113365A JP11336589A JPH02292836A JP H02292836 A JPH02292836 A JP H02292836A JP 1113365 A JP1113365 A JP 1113365A JP 11336589 A JP11336589 A JP 11336589A JP H02292836 A JPH02292836 A JP H02292836A
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JP
Japan
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outer lead
resin
chip
film carrier
film
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Pending
Application number
JP1113365A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshio Yamamoto
利夫 山本
Tamio Saito
齋藤 民雄
Naoharu Ohigata
大日方 直晴
Jiro Ono
二郎 大野
Michio Osada
道男 長田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TOOWA KK
Towa Corp
Nippon Steel Corp
Original Assignee
TOOWA KK
Towa Corp
Nippon Steel Corp
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Publication date
Application filed by TOOWA KK, Towa Corp, Nippon Steel Corp filed Critical TOOWA KK
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Priority to US07/515,406 priority patent/US5031022A/en
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Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/701Tape-automated bond [TAB] connectors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/40Leadframes
    • H10W70/453Leadframes comprising flexible metallic tapes

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はIC実装技術に用いられるフィルムキャリアに
関し、例えば、TAB (Tape Automate
dBonding)用のフィルムキャリアに用いて特に
好適なものである。
〔従来の技術〕
IC実装技術の1つとして、上記のTABが知られてい
る。
このTABにおいては、従来、例えば第5図に示すよう
なフィルムキャリア1が用いられている。
このフィルムキャリアlは、ポリイミド樹脂等の絶縁材
料からなる長尺フィルムの基材10と、この基材10の
上面に所定パターンに形成された多数の導電性のりード
11とからなっている。基材10には、加工基準となる
スプロケット孔101、ICチップ2を取り付けるため
のデバイス孔102及びリード11のアウターリード部
1lbを規定するアウターリード孔103が形成されて
いる。
そして、デバイス孔102とアウターリード孔103と
の間にサポートリング104が形成され、このサポート
リング104の内側の部分のり一ド1lがフィンガー状
のインナーリード部11aとなっている。
一方、このフィルムキャリア1に取り付けられるICチ
ップ2には、第6図に示すように、その上面に、バンプ
と呼ばれる多数の突起電極21が設けられており、これ
らのバンプ21に、フィルムキャリア1のリード11の
インナーリード部11aが夫々接合されて、それらの間
が電気的に接続されるとともに、ICチシプ2が保持さ
れるようになっている。
フィルムキャリア1にボンディングされたICチップ2
は、例えば第6図に示すように、樹脂封止(バッケージ
ング)される。
そして、このようにして形成されたICパッケージ3は
、アウターリード部1lbを通じて所定の電気テストが
行われた後、第7図に示すように、そのアウターリード
部1lbの部分でフィルムキャリア1から切り離され曇
。そして、図示の如く、アウターリード部1lbが、い
わゆるガルウイング状にフォーミングされた後、第8図
に示すように、プリント基板4等の取付け基板の所定の
導電パターン41に接合されて取り付けられる。
このTABは、 ■精度の高いインデックススプロケットを使用するので
、ICの自動組立が容易であり、生産性が良い。
■ボンディングを一括方式(ギャングボンディング)で
行えるので、高速ボンディングが可能であり、信頼性が
高い。
■薄型、軽量、小形に実装でき、高密度実装に適してい
る。
■設計に自由度があり、また、ファインリードピッチが
可能であるため、多ピン実装(例えば15(1〜200
ビン以上γに適している。
という利点を有しており、今後、ますますICのゲート
数が増え、■0リード数が飛躍的に増大すると推測され
るので、このTABが特に注目されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のTABにおいて、ICチップ2の樹脂封
止は、通常、ボッティング法により行われる。
しかし、この樹脂封止の際に、上下の樹脂5が充分に一
体化しないと、後の工程において、上下の樹脂が剥がれ
たり、樹脂5に亀裂が入ったりする恐れがある。また、
第6図に示すように、封止用樹脂(通常、エボキシ樹脂
)5と他の物質、例えばポリイミドフィルム基材10や
ICチップ2との境界が外部に露出していると、そこか
ら水分が浸入したり、或いは、その部分での熱膨張係数
差によって、その部分から樹脂5に亀裂が入ったりする
恐れがある。
そこで、第9図に示すように、トランスファーモールド
法を用い、アウターリード部flbの根元部分でICチ
ップ2を樹脂封止することが最近行われている。このよ
うにすると、上記の問題を解決できると同時に、モール
ド成形であるため、パッケージの形状や大きさを精確に
規定できるという利点がある。
一方、封止用の樹脂5は、微細なリードパターンの間に
樹脂を良好に侵入させて上下の樹脂を一体化させるため
、及び、モールドへの樹脂注入を良好に行うために、低
粘度のものを用いなければならない。
しかし、例えば第6図に示したような従来構造のフィル
ムキャリアを用いると、特に、多ヒン実装の場合、リー
ド間隔が非常に狭くなるため、第10図に示すように、
アウターリード部1lbの間の間隙を、毛細管現象によ
り、樹脂5がしみ出して《るという問題があった。この
ような樹脂のしみ出しがあると非常に体裁が悪くなり、
特に、このICパッケージを製品として販売する場合、
その商品価値を大きく下げる要因となっていた。
また、しみ出した樹脂5が後の工程で炭化して、リード
間の絶縁性を損なう恐れもあった。
この樹脂のしみ出しは、従来のポッティング法の場合で
も同様に生じる問題である。
なお、モールド成形による場合には、第11図に示すよ
うに、アウターリード部1lbの根元部分で接合される
モールド金型6の少なくとも一方の面を、アウターリー
ド部1lbの断面形状に合わせた形状とし、このモール
ド金型6によってアウターリード部1lb間の間隙を封
鎖して、封止用樹脂のしみ出しを防止することが提案さ
れている。
しかし、この方法では、モールド金型6の製造が面倒に
なって且つコスト高になり、また、リードパターンが変
わると、その都度、別の金型を使わなければならないと
いう煩雑さが生じる。
本発明は上述の問題点に鑑みてなされたものであって、
樹脂封止の際のしみ出しによる樹脂洩れを効果的に防止
することのできるICチップ実装用フィルムキャリアを
提供することをその課題とするものである。
〔課題を解決するための手段] 上記の課題を解決するための本発明のICチップ実装用
フィルムキャリア7は、第1図に示すように、基材であ
る絶縁材フィルム70と、この絶縁材フィルム70上に
所定パターンに形成された多数の導電性リード71とを
有している。
絶縁材フィルム70は、ポリイミド樹脂、ガラスエボキ
シ樹脂、BTレジン、ポリエステル樹脂等で構成するこ
とができる。
リード71は、例えば、絶縁材フィルム70上に接着し
た銅箔を所定パターンにフォトエッチングすることによ
り形成することができる。また、無電解めっき等のめっ
き法や電着法により形成してもよい。リード71の材料
も銅以外であってよく、例えばコバールを用いてもよい
各リード71は、ICチップの端子部に接続されて電気
的に結合されるインナーリード部71aと、プリント基
板等の取付け基板の所定の導電パターンに接続されて電
気的に結合されるアウターリード部7lbとに分別され
る。
そして、本発明によるICチップ実装用フィルムキャリ
ア7においては、第1図に示すように、リード71のア
ウターリード部7lb及び/若しくはその近傍に、IC
チップを樹脂封止する際のしみ出し等による樹脂洩れを
防止するための堰72が設けられている。
この堰72は種々の絶縁材料で構成することができる。
例えば、ポリイミド樹脂、或いは、他の樹脂を用いてス
クリーン印刷により形成することができる。また、他の
材料、例えば、セラミックや、他の複合材料を用いても
よい。
〔作用〕
本発明のフィルムキャリア7には、従来と同様の手順に
よってICチップをインナーボンディングすることがで
きる。
そして、フィルムキャリア7に支持されたICチップは
、従来と同様にして、例えばトランスファーモールド法
又はボッティング法により樹脂封止される。この時、フ
ィルムキャリア7のアウターリード部7lbに設けられ
た堰72により、封止用樹脂のしみ出し等による樹脂洩
れが防止される。
樹脂封止されたICチップは、アウターリード部7lb
の先端部分でフィルムキャリア7から切り離された後、
プリント基板等の取付け基板に実装される。
〔実施例〕
以下、第1図〜第4図を参照して、本発明の実施例を説
明する。
第1図に示すように、本実施例のフィルムキャリア7は
、ポリイミドからなる絶縁材フィルム70と、この絶縁
材フィルム70上に接着した銅箔を、従来周知の如くに
フォトエッチングして、所定パターンに形成した多数の
導電性のり一ド71とを有している。
絶縁材フィルム70には、従来と同様のスプロケット孔
701、デバイス孔702及びアウターリード孔703
がパンチング等により形成されている。そして、デバイ
ス孔702とアウターリード孔703との間にサポート
リング704が形成されている。
各リード71は、このサポートリング704の内側のイ
ンナーリード部71aと、サポートリング704の外側
で且つアウターリード孔703により規定されるアウタ
ーリード部7lbとに分別される。
そして、リード71のアウターリード部7lbに、ポリ
イミドからなる堰72が形成されている。
本実施例においては、フィルムキャリア7のリ一ド71
が、ほぼ正方形状のデバイス孔702の四辺に夫々形成
されており、各辺のりード71を一体に連結して、4個
の堰72が設けられている。
この堰72は、第2B図に示すように、アウターリード
部7lbの間の間隙を実質的に完全に封鎖するものでな
ければならない。従って、従来と同様のサポートリング
704とは違い、アウターリード部7lbの上下両面か
ら形成する必要がある。
この堰72の形成は、次のようにして行われる。
即ち、まず、堰72のサポートリング704と同じ側の
部分72a(第2B図参照)を、そのサポートリング7
04を形成する際に、それと同時に形成しておく。しか
る後、他方の側から、スクリーン印刷により、アウター
リード部7Ib間の間隙を埋めるようにして、残りの部
分72bを形成する。
勿論、堰72は、サポートリング704と別個に形成さ
れてもよく、その場合には、アウターリード部7lbの
両面から夫々スクリーン印刷により形成される。特に、
堰72を、絶縁材フィルム70とは別の材料で構成する
場合、後者の方法が採られてよい。
堰72を形成する位置は、サポートリング7o4の外側
のアウターリード部7lbの根元部分であり、トランス
ファーモールド法により樹脂封止を行う場合には、その
モールド金型のすぐ外側に位置するように設ける。
そして、樹脂封止の完了したICパッケージ8は、第2
A図に示すように、アウターリード部7lbの先端部分
でフィルムキャリア7から切り離され、そのアウターリ
ード部71bが、図示の如《、堰72のすぐ外側部分で
折り曲げられてガルウイング状にフォーミングされた後
、所定の取付け基板に実装される。
なお、このアウターリード部7lbのフォーミングの際
に堰72が個々に偏移するのを防止するため、第1図に
一点鎖線で示すように、4つの堰72を互いに連結した
形で形成しておいてもよい。
また、上記実施例においては、サポートリング704を
設けたが、このサポートリング704は必ずしも必要な
ものではな《、本発明は、サポートリングの無いフィル
ムキャリアにも適用が可能である。
その場合、上記実施例におけるデバイス孔702とアウ
ターリード孔703とは、1つの連続した孔として形成
され、インナーリード部71aとアウターリード部7l
bとの境界は明確には規定されない。
しかし、その場合でも、堰72が形成される位置は、少
なくともり一ド71のアウターリード部7lbの部分若
しくはその近傍部分と認識される部分であり、ICチッ
プ2の樹脂封止はこの堰72の内側で行われる。逆に言
うと、堰72は、樹脂封止によりパッケージングされる
部分の外側に形成され、その部分のリード71はアウタ
ーリード部7lb及び/若しくはその近傍部分である。
第3図及び第4図に、本発明の第2の実施例を示す。
この実施例においては、堰73が、樹脂封止されて形成
されるICパッケージ8の最外縁から少し距離(約0.
5 mm程度)をおくようにして設けられている。そし
て、アウターリード部7lbは、この堰73の内側の部
分から折り曲げられて、第3図に示すようにフォーミン
グされる。
このようにすると、第4図に示すように、アウターリー
ド部7lbのフォーミングの際や、ICパッケージ8を
基板にボンディングする際に、各アウターリード部7l
bが個々に偏移して、互いに位置ずれを起こすことを、
堰73の存在によって、或る程度防止することができる
この堰73の形成方法及びフィルムキャリア7等の他の
構成は、上述した第1の実施例と同様であってよい。
〔発明の効果〕
本発明によれば、ICチップを樹脂封止する際のしみ出
し等による樹脂洩れを防止するための堰をフィルムキャ
リアのアウターリード部に設けているので、従来と同様
にしてICチップを樹脂封止しても、アウターリード部
の間の間隙から樹脂が洩れ出すことがない。
従って、製品としての体裁が良くなり、また、後の工程
で、洩れ出した樹脂が炭化して導電性リード間の絶縁性
を損なう恐れもなくなる。
また、本発明によれば、フィルムキャリア自体の構成を
従来のものと少し変えるだけでよ《、ICチップの実装
工程は従来と殆ど同じでよいので、生産ライン等を大き
く変更する必要がない。従って、本発明は、その適用が
容易であり、また、適用範囲も広い。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例によるフィルムキャリアの要
部平面図、第2A図は同上のフィルムキャリアにICチ
ップを実装したICパッケージの部分拡大断面図、第2
B図は第1図のB−B線断面図、第3図は本発明の別の
実施例によるフィルムキャリアにICチップを実装した
ICパッケージの部分断面図、第4図は同上の部分平面
図、第5図は従来のフィルムキャリアの平面図、第6図
は同上のフィルムキャリアにICチップを実装して樹脂
封止した状態を示す拡大断面図、第7図は同上のアウタ
ーリード部をフォーミングした状態を示す拡大断面図、
第8図は同上のICパッケージを基板に実装した状態を
示す拡大断面図、第9図はトランスファーモールド法に
よって樹脂封止した状態を示す拡大断面図、第10図は
樹脂洩れの状態を示す部分拡大平面図、第11図はモー
ルド金型の構成を示す要部分解斜視図である。 なお、図面に用いた符号において、 1、7 ・・・・・・・・・・・・ フィルムキャリア
2 ・・・・・・・・・・・・ ICチップ3、8 ・
・・・・・・・・・・・ ICパッケージ4 ・・・・
・・・・・・・・ プリント基板5 ・・・・・・・・
・・・・ 封止用樹脂10、70 ・・・・・・・・・
 絶縁材フィルム(基材)11、71 ・・・・・・・
・・ 導電性リード11a,71a  ・・・ インナ
ーリード部1lb,7lb  ・・・ アウターリード
部41 ・・・・・・・・・・・・ 導電パターン72
、73・・・・・・・・・堰 104、704 ・・・ サポートリングである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 絶縁材フィルムと、この絶縁材フィルム上に所定パター
    ンに形成された多数の導電性リードとを有するフィルム
    キャリアであって、 前記各リードが、ICチップの端子部に接続されるイン
    ナーリード部と、取付け基板の導電パターンに接続され
    るアウターリード部とに分別され、前記ICチップを樹
    脂封止する際の樹脂洩れを防止するための絶縁材からな
    る堰が前記リードのアウターリード部及び/若しくはそ
    の近傍に設けられていることを特徴とするICチップ実
    装用フィルムキャリア。
JP1113365A 1989-05-02 1989-05-02 Icチップ実装用フィルムキャリア Pending JPH02292836A (ja)

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US07/515,406 US5031022A (en) 1989-05-02 1990-04-27 Film carrier for mounting IC chips

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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3033227B2 (ja) * 1990-05-08 2000-04-17 セイコーエプソン株式会社 半導体装置
US5250842A (en) * 1990-09-07 1993-10-05 Nec Corporation Semiconductor devices using tab tape
JP2501246B2 (ja) * 1991-01-21 1996-05-29 株式会社東芝 半導体装置
JPH04259520A (ja) * 1991-02-13 1992-09-16 Nippon Steel Corp 樹脂成形金型及びフレキシブルテープ
JP2608192B2 (ja) * 1991-04-26 1997-05-07 三菱電機株式会社 リードフレーム
JPH0595079A (ja) * 1991-10-02 1993-04-16 Ibiden Co Ltd リードフレーム、半導体集積回路搭載用基板及び半導体装置並びにそれらの製造方法
DE69120282T2 (de) * 1991-12-19 1996-12-05 Ibm Ersetzungsverfahren für Chips
KR940016724A (ko) * 1992-12-03 1994-07-23 빈센트 비. 인그라시아 표면 실장형 집적 회로 파워 패키지용 리드 프레임 어셈블리
US5283717A (en) * 1992-12-04 1994-02-01 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Circuit assembly having interposer lead frame
JPH06244355A (ja) * 1993-02-15 1994-09-02 Tetsuya Hojo リードフレームのピン保持固定部の形成方法、樹脂モールド時の樹脂漏れ防止部の形成方法、およびic等の放熱板固定部の形成方法
US5475569A (en) * 1993-11-16 1995-12-12 Intel Corporation Method of testing fine pitch surface mount IC packages
US5886397A (en) * 1996-09-05 1999-03-23 International Rectifier Corporation Crushable bead on lead finger side surface to improve moldability
DE19736895A1 (de) * 1996-09-05 1998-04-16 Int Rectifier Corp Gehäuse für Halbleiterbauteile
US5936310A (en) * 1996-11-12 1999-08-10 Micron Technology, Inc. De-wetting material for glob top applications
US5821607A (en) * 1997-01-08 1998-10-13 Orient Semiconductor Electronics, Ltd. Frame for manufacturing encapsulated semiconductor devices
US10147672B2 (en) * 2016-04-20 2018-12-04 Texas Instruments Incorporated Lead frame surface modifications for high voltage isolation
JP7109347B2 (ja) * 2018-12-03 2022-07-29 三菱電機株式会社 半導体装置および電力変換装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54122976A (en) * 1978-03-16 1979-09-22 Matsushima Kogyo Kk Semiconductor sealing mold frame
JPS56160047A (en) * 1980-05-15 1981-12-09 Citizen Watch Co Ltd Mounting structure of integrated circuit
JPH0231436A (ja) * 1988-07-21 1990-02-01 Toshiba Corp 半導体装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4218701A (en) * 1978-07-24 1980-08-19 Citizen Watch Co., Ltd. Package for an integrated circuit having a container with support bars

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54122976A (en) * 1978-03-16 1979-09-22 Matsushima Kogyo Kk Semiconductor sealing mold frame
JPS56160047A (en) * 1980-05-15 1981-12-09 Citizen Watch Co Ltd Mounting structure of integrated circuit
JPH0231436A (ja) * 1988-07-21 1990-02-01 Toshiba Corp 半導体装置

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Publication number Publication date
US5031022A (en) 1991-07-09

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