JPH0595079A - リードフレーム、半導体集積回路搭載用基板及び半導体装置並びにそれらの製造方法 - Google Patents

リードフレーム、半導体集積回路搭載用基板及び半導体装置並びにそれらの製造方法

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JPH0595079A
JPH0595079A JP3255516A JP25551691A JPH0595079A JP H0595079 A JPH0595079 A JP H0595079A JP 3255516 A JP3255516 A JP 3255516A JP 25551691 A JP25551691 A JP 25551691A JP H0595079 A JPH0595079 A JP H0595079A
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lead
integrated circuit
semiconductor integrated
resin
frame
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Mitsuhiro Kondo
光宏 近藤
Osamu Watanabe
治 渡辺
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Ibiden Co Ltd
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Ibiden Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 リードを所定位置に保持でき、トランスファ
モールド中に金型からの樹脂の流出を防ぐことができ、
モールド後にダムバーを取り去る必要を無くした半導体
集積回路搭載用リードフレーム、基板あるいは半導体装
置並びにそれらの製造方法を提供すること。 【構成】 少なくとも封止樹脂の外表面に対応する位置
でリード間に延び、リードと同じ厚さを有する電気絶縁
性の樹脂の橋絡部材を備えている。 【効果】 リード間の空間が橋絡部材により密閉され、
金型からモールド樹脂が漏れ出ることがなく、バリ取り
工程が省け、リードが保持できる。また、絶縁性橋絡部
材は、モールド後にもリードから取り除く必要がなく、
ファインピッチリードのリードフレームも容易に実現で
きる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、リードフレーム、半
導体集積回路搭載用基板及び半導体装置並びにそれらの
製造方法に関し、特にリードを間に挟んで成型空洞を形
成するモールド金型を用いて、トランスファモールドに
より封止樹脂で半導体集積回路を封止するためのリード
フレーム、半導体集積回路搭載用基板及び半導体装置並
びにそれらの製造方法に関するものである。この明細書
に於いて、「予備成型封止樹脂」とはモールド金型への
注入前の樹脂を意味し、「封止樹脂」とは注入後の、成
型の完了した樹脂を意味する。
【０００２】
【従来の技術】モールド金型を用い封止樹脂により集積
回路等の半導体素子を封止するためのリードフレームは
広く知られている。このようなリードフレームは、導電
性の金属シート材料から、開口を有する導電性のフレー
ム部と、開口内に吊りピンにより支持されて、半導体素
子をその上に搭載するための導電性のアイランド部と、
フレーム部からアイランド部に向かって延びた多数のリ
ード部とを切り出したものである。リード部は、フレー
ム部からアイランド部に向かって延びてアイランド部か
ら離間した内端を有し、互いに離間して間に空間を有す
る複数の導電性のリード部であって、封止樹脂により封
止されるべきインナーリード部と、封止樹脂の外表面か
ら外部に突出すべきアウターリード部と、インナーリー
ド部とアウターリード部との境界とを有している。リー
ドフレームは更に、封止樹脂の外表面から僅かに外側の
位置で、リード部間に延びてリード部を互いに一体に接
続するタイバーを備え、リードフレームのリード部の位
置を適切に保ち、リード部が折れたり曲がったりしない
ようにしてある。このタイバーはまた、リードフレーム
にモールド金型を適用したときに金型間に挟まれたリー
ド部間に形成される空間に、モールド樹脂が流れるのを
妨げるダム状の障害物を形成し、トランスファモールド
の際にモールド樹脂がモールド金型の成型空洞から外部
に漏れはみ出さないようにようにする作用もし、この意
味でタイバーはダムバーとも呼ばれている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このようなタイバー
は、半導体素子の封止樹脂によるトランスファモールド
後は適当な打ち抜き金型によりリード部から取り除いて
各リード部が電気的に独立するようにしなければならな
い。しかしながら、打ち抜き金型により打ち抜ける微細
なパターンには限度があり、例えばリードピッチが０.
３ｍｍ乃至０.５ｍｍのファインピッチリードのリード
フレームを用いたパッケージは製造ができなかった。
【０００４】また、パッケージの完成後に導電性のタイ
バーを完全に取り去る必要があるために、タイバーはモ
ールド樹脂の端面から離れて外側に設けられている。従
ってリードとリードとの間かつタイバーとモールド樹脂
端面との間にモールド樹脂材料が入り込んでしまい、バ
リが形成される。このバリは多数のリード間空間に形成
されるものであるが、空間のうち或るものには形成さ
れ、別の或るものには形成されないという不規則かつ不
安定な現れ方をし、完成した半導体装置の外観が極めて
悪くなり商品価値を下げるものである。このため半導体
装置の製造工程にはバリ取り工程がふくまれている。
【０００５】従って、この出願の発明の目的は、半導体
装置の製造中はリードを所定位置に保持でき、トランス
ファモールド中にモールド金型からのモールド樹脂の流
出を防ぐことができ、トランスファモールド後にダムバ
ーを取り去る必要を無くしたリードフレームを提供する
ことである。
【０００６】この出願の別の発明の目的は、半導体装置
の製造中はリードを所定位置に保持でき、モールド金型
からのモールド樹脂の流出を防ぐことができ、トランス
ファモールド後にダムバーを取り去る必要を無くした半
導体集積回路搭載用基板を提供することである。
【０００７】この出願の更に別の発明の目的は、半導体
装置の製造中はリードを所定位置に保持でき、モールド
金型からのモールド樹脂の流出を防ぐことができ、トラ
ンスファモールド後にダムバーを取り去る必要を無くし
た半導体装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この出願の請求項１記載
の発明によれば、モールド金型を用い封止樹脂により半
導体集積回路を封止するためのリードフレームは、開口
を有する導電性のフレーム部と、開口内に設けられ、半
導体集積回路をその上に搭載するための導電性のアイラ
ンド部と、アイランド部とフレーム部との間に接続され
て、アイランド部をフレーム部に対して所定位置に支持
する吊りピン部とを備えている。リードフレームはま
た、フレーム部に接続された外端及びフレーム部からア
イランド部に向かって延びてアイランド部から離間した
内端を有し、互いに離間して間に空間を有する複数の導
電性のリード部であって、封止樹脂により封止されるべ
きインナーリード部、封止樹脂の外表面から外部に突出
すべきアウターリード部及びインナーリード部とアウタ
ーリード部との境界を有するリード部を備えている。こ
の発明のリードフレームは更に、すくなくとも封止樹脂
の外表面に対応する位置で、リード部間に延び、少なく
ともリード部の厚さと同じ厚さを有する電気絶縁性かつ
耐熱性の樹脂の橋絡部材とを備え、モールド時にリード
フレームにモールド金型を適用したとき、リード部間の
空間がこの橋絡部材により密閉されるようにしてある。
【０００９】この出願の請求項７記載の発明によれば、
モールド金型を用い封止樹脂により半導体集積回路を実
装するためのリードフレームは、開口を有する導電性の
フレーム部と、フレーム部に接続された外端及びフレー
ム部から内方に向かって延び、互いに離間して内端面で
開口部を形成する内端を有し、互いに離間した複数の導
電性のリード部であって、封止樹脂により封止されるイ
ンナーリード部、封止樹脂の外表面から外部に突出する
アウターリード部及びインナーリード部とアウターリー
ド部との境界を有するリード部とを備えている。リード
フレームは更に、封止樹脂の外表面に対応する位置を含
み、それより内側の領域の全体に亙ってリード部間に延
び、半導体集積回路をその上に搭載するための搭載部を
有し、少なくともリード部の厚さと同じ厚さを有する電
気絶縁性かつ耐熱性の樹脂橋絡部材を備え、リードフレ
ームにモールド金型を適用したとき、リード部間の空間
が橋絡部材により密閉されるようにしてある。
【００１０】この出願の請求項８記載の発明によれば、
モールド金型を用い封止樹脂により半導体集積回路を実
装するための半導体集積回路搭載用基板は、開口を有す
る導電性のフレーム部と、開口内に設けられて回路導体
を有し、半導体集積回路をその上に搭載するための電気
絶縁性の基板と、フレーム部に接続された外端及びフレ
ーム部から基板に向かって延びて基板に入込んで固着さ
れ、半導体集積回路に電気的に接続された内端を有し、
樹脂により封止されるべきインナーリード部、封止樹脂
の外表面から外部に突出すべきアウターリード部及びイ
ンナーリード部とアウターリード部との境界を有する複
数の導電性のリード部とを備えている。この半導体集積
回路搭載用基板には更に、基板の外周からすくなくとも
封止樹脂の外表面に対応する位置までの間に亙って、リ
ード部間に延び、少なくともリード部の厚さと同じ厚さ
を有する電気絶縁性かつ耐熱性樹脂の橋絡部材が設けら
れ、リードフレームにモールド金型を適用したとき、リ
ード部間の空間がこの橋絡部材により密閉されるように
してある。
【００１１】この出願の請求項９記載の発明によれば、
半導体装置は、半導体集積回路をその上に搭載するため
の導電性のアイランドと、アイランド上に搭載された半
導体集積回路と、アイランド部から離間した内端を有し
外方に向かって延び、互いに離間して間に空間を有する
複数の導電性のリードと、半導体集積回路とリードの内
端とを電気的に接続する導電性ワイヤと、アイランド、
半導体集積回路、リード及び導電性ワイヤを封止する封
止樹脂であって、リードを、封止樹脂により封止された
インナーリード部、封止樹脂の外表面から外部に突出し
たアウターリード部に境界により区画する封止樹脂と、
少なくとも封止樹脂の外表面に対応する位置で、リード
間に設けられ、少なくともリードの厚さと同じ厚さを有
する電気絶縁性かつ耐熱性樹脂の橋絡部材とを備えてい
る。
【００１２】この出願の請求項１６記載の発明によれば
半導体装置は、半導体集積回路に近接した内端を有し外
方に向かって延び、導電性ワイヤで半導体集積回路に接
続された導電性のリードと、半導体集積回路をリード及
び導電性ワイヤと共に封止する封止樹脂を備え、更に封
止樹脂の外表面に対応する位置を含みそれより内側の領
域の全体に亙ってリード間に、少なくともリードの厚さ
と同じ厚さを有する電気絶縁性の板状橋絡部材が設けら
れている。
【００１３】また、この出願の請求項１９記載のリード
フレームの製造方法によれば、先ず、開口を有する導電
性のフレーム部と、開口内に設けられ、半導体集積回路
搭載用の導電性アイランド部と、アイランド部をフレー
ム部に支持する吊りピンと、フレーム部に接続された外
端及びフレーム部からアイランド部に向かって延びてア
イランド部から離間した内端を有し、互いに離間して間
に空間を有する複数の導電性のリード部とを備えたフレ
ームシートを用意する。これらリード部は、封止樹脂に
より封止されるべきインナーリード部と、封止樹脂の外
表面から外部に突出すべきアウターリード部と、これら
リード部間の境界とを有している。リード部上のすくな
くとも封止樹脂の外表面に対応する位置には、リード部
間の境界に跨った領域を除いて、第１マスク材料層を設
け、加熱加圧して境界に跨った領域を除いてリード部間
に流動充填させて、リード部間の境界に跨った領域に電
気絶縁性かつ耐熱性の樹脂を充填して加熱硬化させる。
次に第１マスク材料を取り除いて、境界に跨った領域で
リード部間に少なくともリード部の厚さと同じ厚さを有
する電気絶縁性かつ耐熱性の樹脂の橋絡部材が形成され
る。
【００１４】この出願の請求項２２記載の発明によれ
ば、半導体集積回路搭載用基板の製造方法は、開口を有
する導電性のフレーム部と、フレーム部に接続された外
端及びフレーム部から基板に向かって延びて基板に入り
込んで固着され、基板の回路導体に電気的に接続される
内端を有し、封止樹脂により封止されるべきインナーリ
ード部、封止樹脂の外表面から外部に突出すべきアウタ
ーリード部及びインナーリード部とアウターリード部と
の境界を有する複数の導電性のリード部とを備えたフレ
ームシートを用意し、リード部上の少なくとも封止樹脂
の外表面に対応する境界位置よりも外側の領域に第１マ
スク材料層を設け、第１マスク材料を加熱加圧して境界
の外側の領域でリード部間に流動させて充填し、リード
部間の第１マスク材料及びリード部上の位置であって、
基板を形成すべき位置よりも外側の領域に第２マスク材
料層を設け、第２マスク材料層を含めてフレームシート
上に電気絶縁性の樹脂基板材料層を形成し、基板材料層
上にリード部の内端に電気的に接続された導電性回路を
形成し、リード部のアウターリード部上の基板材料層を
第２マスク材料と共に取り除き、第１マスク材料を取り
除き、もって封止樹脂の外表面に対応する位置を含みそ
れより内側の領域全体に亙ってリード部間に延び、少な
くともリード部の厚さと同じ厚さを有する電気絶縁性か
つ耐熱性の樹脂の橋絡部材を形成する。
【００１５】この出願の請求項２３、２４および２５記
載の発明によれば、半導体装置の製造方法は、上述の如
くリードフレームあるいは半導体集積回路搭載用基板を
用意し、半導体集積回路を搭載して半導体集積回路とリ
ード部の内端とを導電性ワイヤで電気的に接続し、モー
ルド金型によりリード部を間に挟んで、成型空洞をリー
ド部間の橋絡部材により密閉し、橋絡部材の少なくとも
一部を金型成型空洞内に収容し、トランスファモールド
により半導体集積回路を封止樹脂で封止し、フレーム部
をリード部から切り離す工程を備えている。
【００１６】
【作用】この発明のリードフレームによれば、すくなく
とも封止樹脂の外表面に対応する位置でリード部間に延
び、少なくともリード部の厚さと同じ厚さを有する電気
絶縁性かつ耐熱性の樹脂の橋絡部材を備えているため、
リードフレームにモールド金型を適用したとき、リード
部間の空間がこの橋絡部材により密閉され、モールド金
型の成型空洞からモールド樹脂材料が漏れ出ることがな
い。また、このような橋絡部材は、絶縁性であるので半
導体集積回路の封止樹脂によるトランスファモールド後
にも打ち抜き金型等によりリードから取り除く必要がな
く、例えばリードピッチが０.３ｍｍ乃至０.５ｍｍのフ
ァインピッチリードのリードフレームも容易に実現でき
る。
【００１７】また、リードとリードとの間にはモールド
樹脂材料のバリが形成されることがないので、半導体装
置の製造工程からはバリ取り工程を省くことができる。
【００１８】このように、この出願の発明によれば、半
導体装置の製造中はリードを所定位置に保持でき、モー
ルド金型からのモールド樹脂の流出を防ぐことができ、
トランスファモールド後にダムバーを取り去る必要を無
くすことができる。
【００１９】
【実施例】図１には、モールド金型を用い粉末あるいは
予備成型封止樹脂を熔融し注入流動させて半導体集積回
路を封止し実装するための本発明の実施例のＤＩＰ（Du
alIn-line Package）用のリードフレームを示す。図２
には図１のリードフレームを用いて半導体素子を搭載し
た半導体装置を断面図で示している。リードフレーム
は、リードフレーム材料として周知の銅合金あるいは鉄
合金（４２アロイ、コバール）等の帯状の導電性金属板
材から打ち抜いて形成したものであって、略々正方形の
フレーム部１が幾つか連続して形成されており、フレー
ム部１の内側には全体的に見て略々正方形の開口２が形
成されている。この開口２の略々中心部には、半導体集
積回路（図２参照）をその上に搭載するための導電性の
アイランド部３が設けられ、このアイランド部３とフレ
ーム部１との間にはアイランド部３をフレーム部１に対
して所定位置に支持する吊りピン部４が設けられてい
る。更に、フレーム部１に一体に接続された外端５及び
フレーム部１からアイランド部３に向かって延びている
がアイランド部３から離間した内端６を有し、互いに離
間して間に空間７を有する複数の導電性のリード部８が
設けられている。リード部８は、トランスファモールド
された時に成型後の封止樹脂９（図２参照）の外側面１
０の内側に位置して封止樹脂９により封止されるインナ
ーリード部１１と、封止樹脂９の外表面１０から外部に
突出するアウターリード部１２と、インナーリード部１
１とアウターリード部１２との間の境界１３とを有して
いる。
【００２０】本発明のリードフレームは更に、すくなく
とも封止樹脂９の外表面１０に対応する位置、即ち境界
１３の位置で、リード部８間に固着されてリード部８間
に延び、少なくともリード部８の厚さと同じ厚さを有す
る橋絡部材１４を備えている。橋絡部材１４は、リード
部８を互いに結合してそれらの位置を維持させると共
に、トランスファモールドのためにリードフレームにモ
ールド金型（図示してない）を適用してリード部８を金
型で挟んだ場合に、リード部８間の空間７が橋絡部材１
４により密閉されて、モールド金型の成型空洞から注入
された封止樹脂がこの空間７を通って外部に漏出しない
ようにするものである。橋絡部材１４は、電気絶縁性か
つ耐熱性であり、封止樹脂の注入圧力に耐える強度を有
する樹脂で形成される。このような樹脂は例えば、ビス
マレイミド・トリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、エポキ
シ樹脂、テトラフルオロエチレンで良く、またこれら樹
脂に無機フィラーを混入させたものでも良い。トランス
ファモールドに用いる樹脂と同じエポキシ樹脂を用いる
こともできる。更に、後に説明する電気絶縁性の基板と
リードフレームとを組み合わせた半導体集積回路搭載用
基板に用いる場合には、基板に用いる樹脂と同じものと
することもできる。橋絡部材１４の幅寸法は、図示の例
では、境界１３にちょうど跨って延びるのにだけ充分
な、即ち境界１３の両側に僅かに延びる大きさであり、
この幅寸法は０．２乃至０．５ｍｍである。橋絡部材１
４の厚さは、図示の例では、リード部８と等しいので、
従来のタイバーを有するリードフレームに用いるモール
ド金型がそのまま使用できる。リード部８の無い側、即
ち図１の上下にあって水平方向に延びるフレーム部１に
沿った部分にも橋絡部材１４がフレーム部１に沿って設
けられているので、この部分には封止樹脂のバリができ
ないが、橋絡部材１４が封止樹脂の側面にフランジ状に
突出することになる。この突出部分は必要があれば吊り
ピン４と共にパンチング等により容易に除去することが
できる。
【００２１】図２に示す半導体装置は、図１のリードフ
レームのアイランド部３上に半導体集積回路１５を固着
し、これとインナーリード部１１とをボンディングワイ
ヤ１６で接続し、封止樹脂９で封止して実装したもので
ある。
【００２２】図３および図４には、橋絡部材１７がリー
ド１８よりも約０．００５ｍｍ乃至約０．０１０ｍｍ厚
くなっていて、橋絡部材１７の上下の表面がそれぞれ連
続していて、橋絡部材１７をリード１８が貫通して延び
た関係にある半導体装置の例を示す。このような場合に
は、金型の成型空洞の高さを決定する際には橋絡部材１
７の厚さを考慮する必要がある。橋絡部材１７は更に、
リード１８のアウターリード１２に沿って境界１３から
外方に比較的大きな所定距離だけ延ばされていて、アウ
ターリード１２がその部分について補強されている。こ
の場合、橋絡部材１７の幅寸法は１ｍｍ乃至２ｍｍであ
る。この実施例では、リード１８の曲がり（バタツキ）
に対する抵抗が大きくなり、リード１８に沿った水分の
侵入径路が長くなるので耐湿性が大きくなるという効果
もある。
【００２３】図５および図６に示す実施例は、本発明を
ＱＦＰ（Quad Flat L-Leaded Package）用リードフレー
ムに適用した例であり、それぞれ複数のリードフレーム
を有するフレームシートの平面図およびこのリードフレ
ームを用いて製造した半導体装置の断面図である。図５
のリードフレームと図１のリードフレームとの主な相異
点は、図５のリードフレームでは略々正方形のアイラン
ド部の４つの辺の総てに沿ってリード部が設けられてお
り、リード部を結合する橋絡部材が正方形の総ての辺に
沿ってアイランド部の周囲でリード部に設けられている
ことである。
【００２４】即ち、リードフレームは、開口２２を有す
る導電性のフレーム部２１と、半導体集積回路（図６）
を搭載するための導電性のアイランド部２３と、アイラ
ンド部２３をフレーム部２１に対して支持する吊りピン
部２４と、フレーム部２１に接続された外端２５及びフ
レーム部２１からアイランド部２３に向かって延びてア
イランド部２３から離間した内端２６を有し、互いに離
間して間に空間２７を有する複数の導電性のリード部２
８とを備えている。リード部２８は、封止樹脂２９（図
６）により封止されるべきインナーリード部３１と、封
止樹脂２９の外表面３０から外部に突出すべきアウター
リード部３２とを備え、インナーリード部３１とアウタ
ーリード部３２とは境界３３により区画される。リード
部２８上の封止樹脂２９の外表面３０に対応する位置、
即ち境界３３に跨った位置に於いて、リード部２８上で
アイランド部２３を囲むように延びた橋絡部材３４が設
けられている。橋絡部材３４の厚さは、リード部２８の
厚さよりも例えば０．０１０〜０．００５ｍｍだけ厚く
なっている。勿論、橋絡部材３４を研磨して厚さをリー
ド部２８と同じ厚さにすることもできる。
【００２５】図７乃至図１２は、一例として図５に示す
ＱＦＰリードフレームの製造方法及び図６に示す半導体
装置の製造方法を概略的に示すものである。まず、図７
及び図８に示す如く、リードフレーム２２を複数個形成
したフレームシートをパンチング等の周知の方法で用意
する。リードフレーム２２は、図５に示すリードフレー
ムに比較して橋絡部材３４が設けられていないことだけ
が相異するが、その他の点では同じ構造である。即ち、
リードフレームは、開口２０を有するフレーム部２１
と、導電性のアイランド部２３と、吊りピン部２４と、
フレーム部２１に接続されて互いに離間して間に空間２
７を有する複数の導電性のリード部２８とを備え、リー
ド部２８は、封止樹脂２９（図６）により封止されるべ
きインナーリード部３１と、封止樹脂２９の外表面３０
から外部に突出すべきアウターリード部３２と、インナ
ーリード部３１とアウターリード部３２とを区画する境
界３３を有している。
【００２６】次に図９に示す如く、リード部２８上の少
なくとも封止樹脂２９の外表面３０に対応する位置にあ
りかつ境界３３に跨った領域３５を除いてリードフレー
ム全体に第１マスク材料層３６を設ける。第１マスク材
料層３６は、溶剤や薬品（酸、アルカリ）等に容易に溶
解し、リード部２８間に侵入できる程度の熱可塑性を有
する樹脂であり、例えば、ポリカーボネート、ポリサル
フォン、ポリフェニレンオキシド等で良い。これらの樹
脂は塩化メチレン等の塩素系溶剤に容易に溶解する。第
１マスク材料層３６は上述の樹脂材料の厚さ０．０３ｍ
ｍ乃至０．０５ｍｍのフィルムをリードフレーム上の所
定位置に乗せて形成したものである。
【００２７】次に第１マスク材料層３６を加熱しながら
上下から圧力を加えると、リード部２８の境界３３に跨
った領域３５を除いてリード部２８間の空間２７（図
７）に流動して充填され、図１０に示す如き状態となる
ので、これを硬化させれば領域３５に間隙３７が形成さ
れる。このとき第１マスク材料層３６の材料が領域３５
内で横方向に僅かにはみ出すので間隙３７は領域３５よ
りも僅かに小さくなるが、後に明らかになる目的のため
には充分な大きさである。この状態で、リード部２８上
の第１マスク材料層３６の厚さは０．０１０〜０．００
５ｍｍ、間隙３７の幅は０．０５０ｍｍである。
【００２８】図１１には、このように形成された第１マ
スク材料層３６上から、リード部２８間の境界３３に跨
って形成された間隙３７に橋絡部材３４、即ち電気絶縁
性かつ耐熱性の樹脂を充填して加熱硬化させる工程を示
してある。この工程は、熱硬化性樹脂をスクーン印刷に
より間隙３７に充填し、オーブンにより加熱硬化させる
工程である。
【００２９】次に、第１マスク材料層３６を上述の溶剤
で取り除けば、図１２に示す如く境界３３に跨った領域
３５でリード部２８間に橋絡部材３４が形成され、この
発明のリードフレーム２１（図４も参照）が完成する。
この橋絡部材３４の厚さは、リード部２８の厚さよりも
第１マスク材料層３６の厚さの分だけ（例えば０．０１
０〜０．００５ｍｍ）厚くなっている。このとき橋絡部
材３４を研磨して厚さをリード部２８と同じ厚さにする
こともできる。
【００３０】図１３には、このようにして製造された本
発明のリードフレームを成型空洞３８を有するモールド
金型３９および４０の間に挟んでトランスファモールド
をした状態を示してある。図１３から明らかな如く、上
下の金型３９および４０の橋絡部材３４に接触する部
分、即ちインナーリード部３１とアウターリード部３２
との境界３３に対応する角部４１は、橋絡部材３４に連
続的に密着し、橋絡部材３４に沿って成型空洞３８を囲
んでおり、リード部２８の間にもトランスファモールド
樹脂が漏れだすような間隙は形成されていない。リード
フレームのアイランド部２３上には半導体素子即ち半導
体集積回路１５が固着され、リード部２８と導電性ワイ
ヤ１６により電気的に接続されている。モールド金型３
９及び４０により形成された成型空洞４０は、封止樹脂
２９により充填されていて、半導体素子１５、リード部
２８、導電性ワイヤ１６及び橋絡部材３４の一部が樹脂
２９により気密封止され、半導体装置がモールド金型３
８および３９内に完成している。
【００３１】図１４乃至図２１には、橋絡部材が、アイ
ランド部の外周から外方に、リード部の境界を越えた位
置まで連続して延びてなるリードフレームと、そのリー
ドフレームを用いた半導体装置と、それらの製造方法を
示す。
【００３２】まず、図１４に示す如く、図７および図８
と同様のリードフレームシートを用意し、これに図１５
及び図１６に示す如く図９の実施例で用いた第１マスク
材料層３６と同じ材料の第１マスク材料層４５を同様の
方法で形成する。このとき、第１マスク材料層４５は図
９の比較的幅の狭い領域３５を除いた全面に設けられて
いるのではなく、リード部２８の境界３３よりも僅かに
外側の位置から更に外側の部分にだけ設けられている点
で図９に示す先の実施例と相違している。
【００３３】次に、図１７に示す如く、リード部２８間
の空間２７（図７参照）も含め第１マスク材料層４５、
リード部２８およびアイランド部２３の全面を、リード
部２８とアイランド部２３との間のアイランド部２３の
外周に沿って延びる空間４６を除いて、完全に上下面共
第２マスクフィルム４７により覆う。従ってリード部２
８のインナーリード部３１間には各インナーリード部３
１の側面と第２マスクフィルム４７により囲まれた空間
４８が形成される。第２マスクフィルム４７は、熱硬化
性樹脂を射出成型して橋絡部材を形成する際にボンデイ
ングパッドを樹脂から保護する作用と共に、第１マスク
４５と橋絡部材用の樹脂とを離型させる離型マスクの作
用をもする。第２マスクフィルム４７の材料は、ポリパ
ラバン酸、ポリフェニレンサルフフォン、テトラフルオ
ロエチレンあるいはポリエチレンテレフタレートであ
る。
【００３４】次に図１８に示す如く、射出成型金型４９
および５０を適用し、上述の空間４８内に射出成型によ
り熱硬化性樹脂を充填し、加熱して硬化させ、射出成型
金型４９および５０を取り外して第２マスクフィルム４
７を除去すれば図１９に示す如き状態になる。これから
更に第１マスクフィルム４５を除去すると、図２０に示
すように、リード部２８の境界３３よりも僅かに外側の
位置からアイランド部２３の外周縁にまで連続して延び
た、アイランド部２３を囲む幅の広い橋絡部材５１が得
られる。橋絡部材５１の厚さは、リード部２８の厚さと
同じであるが、アイランド部２３を囲む部分には、第２
マスクフィルム４７の厚さだけ厚くなった部分５２があ
る。これは、図１８に示す射出成型工程で第２マスクフ
ィルム４７の無い部分に対応して形成されたものであ
る。図２１は、このようにして製造されたリードフレー
ムを用いて製造した半導体装置を示し、図２０のリード
フレームのアイランド部２３に半導体素子１５が搭載さ
れ、導電性ワイヤ１６でリード２８と接続され、封止樹
脂２９により気密封止されており、フレーム部２１がリ
ード２８から切り離されている。
【００３５】この実施例によれば、先に説明した実施例
の効果の他に、インナーリード３１が曲がるのを防ぐこ
とができ、またアイランド２３部およびインナーリード
３１のワイヤボンディング部の位置精度を維持すること
ができ、ワイヤボンディング作業の確実性が高くなると
いう効果もある。
【００３６】図２２に示す半導体装置は、アイランド部
２３の外周縁に沿って設けられた立ち上がり部５３を有
する橋絡部材５４を備えたリードフレームを用いて半導
体素子１５を実装している。立ち上がり部５４は図１７
に示す工程の２枚の第２マスクフィルム４７の内上面即
ち半導体素子１５を搭載する面側の第２マスクフィルム
４７を必要な立ち上がり部５３の高さに相当する所望の
厚さとすることにより得ることができる。または、図１
８に示す工程のモールド金型の上型４９の形を変えて、
立ち上がり部５３を形成するための成型空洞を設けるこ
とによっても形成することができる。立ち上がり部５３
の高さは、例えば厚さ０．４ｍｍの半導体素子１５をリ
ードフレームに搭載する場合には０．６ｍｍである。
【００３７】この実施例によれば、トランスファーモー
ルド時に、モールド樹脂２９の流れによりボンディング
ワイヤ１６の曲がり部が所定の位置から移動させられた
場合にも、ボンディングワイヤ１６の移動はこの立ち上
がり部５３により制限されて所定の範囲内に留められ、
ボンディングワイヤ１６が互いに接触したり絶縁不良を
起こしたりすることがなく、半導体装置の歩留まりおよ
び信頼性が高まる。
【００３８】図２３に示す半導体装置は、アイランド部
２３の下面全面に亙って延びた裏打ち部５５を有する橋
絡部材５６を備えたリードフレームを用いて半導体素子
１５を実装している。アイランド部２３下面の裏打ち部
５５は、図１７に示す工程に於いてアイランド部２３下
面には第２マスクフィルム４７を設けずに図１８に示す
射出成型金型４９および５０を適用することによりアイ
ランド部２３下面に薄い空洞を形成し、この空洞の中に
橋絡部材５６を構成する樹脂を充填することにより形成
できる。必要ならば、図１８に示す工程のモールド金型
の下型５０の形を変えて、裏打ち部５５を形成するため
の成型空洞を設けることによっても形成することができ
る。裏打ち部５５とアイランド部２３との間の接合を強
固なものとするために、アイランド部２３の下面に粗化
処理を施すのが望ましい。粗化処理は、リードフレーム
が銅あるいは銅合金である場合には黒化（酸化）処理を
し、リードフレームが４２アロイ（商品名）、コバール
（商品名）あるいはステンレス鋼等である場合には一旦
銅めっきをしてこれに黒化処理をする。
【００３９】この実施例によれば、先に説明した実施例
による効果の他に更に、リードフレームのアイランド部
２３から封止樹脂２９内に走るパッシベーションクラッ
クが生じるのを防止することができる。
【００４０】図２４に示す半導体装置は、アイランド部
２３の他にリード２８のインナーリード部３１の下面全
体にも裏打ち部５７が形成された橋絡部材５８を有する
リードフレームに半導体装置を実装し、裏打ち部５７の
下面には更に熱拡散板５９を設けている。この裏打ち部
５７も第２マスクフィルム４７を設けずに形成した成型
空洞により形成できる。熱拡散板５９は、銅、アルミニ
ウム等の金属板で、半導体素子１５の発生する熱を、ア
イランド部２３、裏打ち部５７、熱拡散板５９、リード
２８下面の裏打ち部５７およびリード２８を通して外部
に消散させるためのものであり、半導体装置の熱放散が
効果的である。
【００４１】図２５に示す半導体装置は、アイランド部
を持たないリードフレームであって、橋絡部材６０に半
導体素子１５を搭載する半導体素子搭載部６１を設けた
半導体装置であり、リードフレームの製造は、図７のリ
ードフレームと同様、導電性のフレーム部から内方に向
かって延び、互いに離間して内端面で開口部を形成する
内端を有し、互いに離間した複数の導電性のリード部を
備えているが、アイランド部の無いフレームシートから
先の実施例と同様に製造される。即ち、図１８の工程に
於いて、モールド金型４９および５０の成型空洞を変形
して半導体集積回路搭載部５９を形成できるような形の
金型を第２マスク材料層４７上に適用し、射出成型によ
りリード部２８間の境界３３位置を含む内側の領域に電
気絶縁性かつ耐熱性の樹脂を充填して加熱硬化させ、半
導体集積回路１５をその上に搭載するための搭載部５９
を有する樹脂橋絡部材６０を形成することができる。次
に、このようなリードフレームの樹脂橋絡部材６０の搭
載部６１上に半導体集積回路１５を搭載し、半導体集積
回路１５とリード部２８の内端とを導電性ワイヤ１６で
電気的に接続し、成型空洞を有するモールド金型により
リード部を間に挟んで、成型空洞をリード部間の橋絡部
材により密閉し、半導体集積回路１５、リード部２８の
アウターリード部、導電性ワイヤ１６及び橋絡部材６０
の一部を、成型空洞内に収容し、トランスファモールド
により半導体集積回路を封止樹脂で封止し、フレーム部
をリード部２８から切り離すと、図２５に示す半導体装
置が製造できる。
【００４２】このような半導体装置によれば、リードフ
レームにアイランド部２３が無いためにアイランド部２
３をフレーム部２１に対して支持する吊りピン２４（図
７）が不要になり、インナーリード３１の設計に寸法的
余裕が生じ、ファインピッチ化に更に有利となる。
【００４３】図２６乃至図３１には、リードフレーム上
に導電性回路を有し半導体素子を搭載するための絶縁性
の樹脂基板を備えた本発明の半導体集積回路搭載用基
板、それを用いた半導体装置およびそれらの製造方法を
示す。図２６に於いて、図１４乃至図１７に示す工程と
同様に、リード部２８の境界３３から僅かに外側の位置
よりも外部の領域で第１マスクフィルム４５が適用さ
れ、熱圧着によりこの部分でリード部２８間に充填され
る。次に、リード部２８間の空間２７も含め第１マスク
材料層４５およびリード部２８上の位置であって、絶縁
基板を形成すべき位置よりも外側の領域を、完全に上下
面共第２マスクフィルム４７により覆う。従ってリード
部２８のインナーリード部３１間には各インナーリード
部３１の側面と第２マスクフィルム４７により囲まれた
空間４８が形成される。
【００４４】図２７に示す工程に於いては、第２マスク
材料層４７を含めてフレームシート上に電気絶縁性のプ
リプレグ樹脂基板材料層６４がフレームシートの両側か
ら押圧され、プリプレグ樹脂がリード部２８間の空間２
７にまで入り込んでいる。基板材料層６４の上面には半
導体装置を電気的に接続するための導電性回路用の導電
材料層６５が形成されている。
【００４５】図２８に於いては、基板材料層上に導電性
回路パターン６６が形成され、その一部はスルーホール
６７を介してインナーリード３１に接続されている。
【００４６】次に絶縁基板６８の外縁の位置（第２マス
クフィルム４７の縁に対応する）で絶縁基板材料層６４
にレーザー加工により溝を形成し、絶縁基板６８を形成
すべき位置よりも外側の部分を第２マスクフィルム４７
と共にリードフレームから取り除くと、インナーリード
３１とアウタリード３２の一部とが露出されて図２９に
示す状態となる。
【００４７】これからさらに第１マスク材料４５を取り
除き、フレーム部２１（例えば図２０参照）を取り除け
ば、図３０に示す半導体集積回路搭載用基板が得られ
る。この半導体集積回路搭載用基板は、絶縁基板６８の
外周から少なくとも封止樹脂（図３１）の外表面に対応
する位置（境界３３）までの間に亙って、リード部２８
間に延び、少なくともリード部２８の厚さと同じ厚さを
有する電気絶縁性かつ耐熱性樹脂の橋絡部材６９とを備
えている。この実施例では、絶縁基板６８と橋絡部材６
９とは同材質の一体のものであり、厚さが異なるだけで
ある。
【００４８】図３１にはこの半導体集積回路搭載用基板
に半導体素子１５を搭載し、導電性ワイヤ１６でスルー
ホール６７を含む導電性回路６６に接続し、これらをイ
ンナーリード３１と共にトランスファーモールドにより
封止樹脂２９で気密に封止して実装した半導体装置を示
す。
【００４９】図３２に示す半導体装置に於いては、絶縁
基板７０にヒートシンク７１が固着されている。図示の
例では、図３１のアイランド部２３は除去され、絶縁基
板７０の上面に開口７２が設けられてヒートシンク７１
の上面が露出され、このヒートシンク７１の露出面に半
導体集積回路１５が熱伝導関係に固着されている。ヒー
トシンク７１の下部は絶縁基板７０から突出していて、
下面が封止樹脂２９から露出している。この実施例に於
いては、重量の大きなヒートシンク７１を高強度の絶縁
基板７０に容易にしっかりと取り付けることができ、半
導体装置の放熱性を高めることができる。
【００５０】図３３に示す半導体装置に於いては、絶縁
基板７４の側面端面が境界３３の僅かに外側の位置にあ
り、図３１の橋絡部材６９の厚さが絶縁基板７４の厚さ
と同じにされ、側面が完成した半導体装置の封止樹脂２
９の側面から露出しているものと考えることができる。
この構造は、図２６の第２マスク４７を第１マスク４５
上にだけ設け、図２９のレーザー加工による切断剥離作
業を第１マスク４５の端面の位置で行うことにより得ら
れる。
【００５１】図３４に示す半導体装置は、リード２８の
外端部に固着されて外端部を互いに剛体的に結合する電
気絶縁性の保護部材７６を設けた半導体集積回路搭載用
基板７７を用いて製造したものである。この構造の半導
体集積回路搭載用基板７７を製造するためには、図２６
の工程に於いて、リード部２８上の少なくとも封止樹脂
２９の外表面に対応する境界３３の位置よりも外側であ
って、リード部２８の外端を除く領域に第１マスク材料
層４５を設け、第１マスク材料層４５上にだけ第２マス
ク材料層４７を設け、第２マスク材料層４７を含めてフ
レームシート上に電気絶縁性の樹脂基板材料層５４を形
成し、リード部２８のアウターリード部３２上の基板材
料層５４を第２マスク材料４７と共に取り除く。このよ
うにすると、リード部２８の外端に沿って枠状に連続し
てリード部を互いに剛体的に結合する基板のプリプレグ
材料製の保護部材７６が形成される。この保護部材７６
により、各リード２８は電気的独立を維持しながら機械
的に保持されるので、半導体集積回路１５を搭載する前
の半導体素子搭載用基板７７の状態でも、あるいは半導
体集積回路１５を搭載した後でも、パターンや各接続部
の電気的試験を行うことができ、出荷や輸送の途中での
リード部の損傷を防ぐことができる。この保護部材７６
は、図３１に示す半導体装置に限らず図３２乃至図３４
に示す半導体装置に設けることもできる。
【００５２】
【発明の効果】 本発明によれば、モールド金型を用い
粉末あるいは予備成型封止樹脂を熔融し注入流動させて
半導体集積回路を封止して実装するためのリードフレー
ムあるいは半導体集積回路搭載用基板は、フレーム部に
接続され、封止樹脂により部分的に封止されてインナー
リード部とアウターリード部とに境界される複数の導電
性のリード部と、少なくとも封止樹脂の外表面に対応す
る位置で、リード部間に延び、少なくともリード部の厚
さと同じ厚さを有する電気絶縁性かつ耐熱性の樹脂の橋
絡部材とを備えており、リード部が電気的に独立したま
ま機械的に保持されると共に、リードフレームにモール
ド金型を適用したとき、リード部間の空間が橋絡部材に
より密閉される。従って、従来必要であったタイバーの
打ち抜き作業が不必要になり、リードのピッチを極めて
小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるＤＩＰ用リードフレームの平面図
【図２】図１に示すリードフレームを用いた半導体装置
の側面断面図
【図３】本発明による別の実施例の半導体装置を示す側
面断面図
【図４】図３の半導体装置の橋絡部材を示す斜視図
【図５】本発明によるＱＦＰ用リードフレームの平面図
【図６】図５に示すリードフレームを用いた半導体装置
の側面断面図
【図７】図５のリードフレームを製造するためのフレー
ムシートの平面図
【図８】図７の線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩに沿ったリードフ
レームの断面図
【図９】リードフレームに第１マスク材料層を施す工程
を示す断面図
【図１０】第１マスク材料層を熱圧着した状態を示す断
面図
【図１１】熱硬化性樹脂を充填した状態を示す断面図
【図１２】第１マスク材料層を除去して完成したリード
フレームの断面図
【図１３】図１２のリードフレームに半導体集積回路を
実装してトランスファモールドした半導体装置の断面図
【図１４】本発明による別の製造工程を示すリードフレ
ームの側面断面図
【図１５】第１マスク材料層を施す工程を示す断面図
【図１６】第１マスク材料を熱圧着した状態を示す断面
図
【図１７】第２マスクを施した状態を示す断面図
【図１８】射出成型金型を適用した状態を示す断面図
【図１９】第２マスクを除去した状態を示す断面図
【図２０】第１マスク材料層を除去して完成したリード
フレームの断面図
【図２１】図２０のリードフレームに半導体集積回路を
実装してトランスファモールドした半導体装置の断面図
【図２２】立上り部を有する橋絡部材を備えた半導体装
置の断面図
【図２３】アイランド部の下面に橋絡部材の裏打ち部が
設けられた半導体装置の断面図
【図２４】熱拡散板を備えた半導体装置の断面図
【図２５】半導体集積回路搭載部を有する橋絡部材を備
えた半導体装置の断面図
【図２６】本発明の絶縁基板を備えた半導体集積回路搭
載用基板の製造工程を示す図１７に対応する断面図
【図２７】絶縁基板用のプリプレグ樹脂を施した状態を
示す断面図
【図２８】スルーホールを形成した状態を示す断面図
【図２９】絶縁基板の一部を除去した状態を示す断面図
【図３０】第１マスクを除去した半導体集積回路搭載用
基板を示す断面図
【図３１】図３０の集積回路搭載用基板を用いた半導体
装置の断面図
【図３２】ヒートシンクを備えた半導体装置の断面図
【図３３】半導体集積回路搭載用基板を用い、半導体装
置の断面図
【図３４】リード外端部に保護部材を備えた半導体装置
の断面図
【符号の説明】
１、２１ フレーム部 １５ 半導体集積回路 ３、２３ アイランド部 ４、２４ 吊りピン部 ８、２８ リード部 ９、２９ 封止樹脂 １１、３１ インナーリード部 １２、３２ アウターリード部 １４、１７、３４、５１、５４、５６、５８、６０、６
９ 橋絡部材 １３、３３ 境界

Claims (29)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 モールド金型を用い粉末あるいは予備成
    型封止樹脂を熔融し注入流動させて半導体集積回路を封
    止するためのリードフレームであって、 開口を有する導電性のフレーム部と、 上記開口内に設けられ、半導体集積回路をその上に搭載
    するための導電性のアイランド部と、 上記アイランド部と上記フレーム部との間に接続されて
    上記アイランド部を上記フレーム部に対して所定位置に
    支持する吊りピン部と、 上記フレーム部に接続された外端及び上記フレーム部か
    ら上記アイランド部に向かって延びて上記アイランド部
    から離間した内端を有し、互いに離間して間に空間を有
    する複数の導電性のリード部であって、封止樹脂により
    封止されるべきインナーリード部、上記封止樹脂の外表
    面から外部に突出すべきアウターリード部及び上記イン
    ナーリード部と上記アウターリード部との境界を有する
    リード部と、 すくなくとも上記封止樹脂の上記外表面に対応する位置
    で、上記リード部間に延び、少なくとも上記リード部の
    厚さと同じ厚さを有する電気絶縁性かつ耐熱性の樹脂の
    橋絡部材とを備え、 上記リードフレームに上記モールド金型を適用したと
    き、上記リード部間の上記空間が上記橋絡部材により密
    閉されるリードフレーム。
  2. 【請求項２】 上記橋絡部材の幅寸法が上記境界にちょ
    うど跨って延びるのにだけ充分な大きさである請求項１
    記載のリードフレーム。
  3. 【請求項３】 上記橋絡部材が、上記リード部の上記ア
    ウターリード部に沿って上記境界から外方に所定距離だ
    け延びて、上記アウターリード部をその部分について補
    強してなる請求項１記載のリードフレーム。
  4. 【請求項４】 上記橋絡部材が、上記アイランド部の外
    周から外方に、上記リード部の上記境界を越えて延びて
    なる請求項１あるいは３記載のリードフレーム。
  5. 【請求項５】 上記橋絡部材が、上記アイランド部の外
    周に立上り部分を有する請求項１、３あるいは４記載の
    リードフレーム。
  6. 【請求項６】 上記橋絡部材が、上記アイランド部の裏
    面にまで延びてなる請求項１及び３乃至５のいづれか記
    載のリードフレーム。
  7. 【請求項７】 モールド金型を用い粉末あるいは予備成
    型封止樹脂を熔融し注入流動させて半導体集積回路を封
    止するためのリードフレームであって、 開口を有する導電性のフレーム部と、 上記フレーム部に接続された外端及び上記フレーム部か
    ら内方に向かって延び、互いに離間して内端面で開口部
    を形成する内端を有し、互いに離間した複数の導電性の
    リード部であって、封止樹脂により封止されるインナー
    リード部、上記封止樹脂の外表面から外部に突出するア
    ウターリード部及び上記インナーリード部と上記アウタ
    ーリード部との境界を有するリード部と、 上記封止樹脂の上記外表面に対応する位置を含みそれよ
    り内側の領域の全体に亙って上記リード部間に延び、上
    記半導体集積回路をその上に搭載するための搭載部を有
    し、少なくとも上記リード部の厚さと同じ厚さを有する
    電気絶縁性かつ耐熱性の樹脂橋絡部材とを備えたリード
    フレーム。
  8. 【請求項８】 モールド金型を用い粉末あるいは予備成
    型封止樹脂を熔融し注入流動させて半導体集積回路を封
    止するための半導体集積回路搭載用基板であって、 開口を有する導電性のフレーム部と、 上記開口内に設けられて半導体集積回路に接続される回
    路導体を有し、半導体集積回路をその上に搭載するため
    の電気絶縁性の基板と、 上記フレーム部に接続された外端及び上記フレーム部か
    ら上記基板に向かって延びて上記基板に入り込んで固着
    され、上記回路導体に電気的に接続された内端を有し、
    封止樹脂により封止されるべきインナーリード部、上記
    封止樹脂の外表面から外部に突出すべきアウターリード
    部及び上記インナーリード部と上記アウターリード部と
    の境界を有する複数の導電性のリード部と、 上記基板の外周からすくなくとも上記封止樹脂の上記外
    表面に対応する位置までの間に亙って、上記リード部間
    に延び、少なくとも上記リード部の厚さと同じ厚さを有
    する電気絶縁性かつ耐熱性樹脂の橋絡部材とを備え、 上記フレーム部に上記モールド金型を適用したとき、上
    記リード部間の上記空間が上記橋絡部材により密閉され
    る半導体集積回路搭載用基板。
  9. 【請求項９】 半導体集積回路をその上に搭載するため
    の導電性のアイランドと、 上記アイランド上に搭載された半導体集積回路と、 上記アイランドから離間した内端を有し外方に向かって
    延び、互いに離間して間に空間を有する複数の導電性の
    リードと、 上記半導体集積回路と上記リードの上記内端とを電気的
    に接続する導電性ワイヤと、 上記アイランド、上記半導体集積回路、上記リード及び
    上記導電性ワイヤを封止する封止樹脂であって、上記リ
    ードを、上記封止樹脂により封止されたインナーリード
    部、上記封止樹脂の外表面から外部に突出したアウター
    リード部に境界により区画する封止樹脂と、 少なくとも上記封止樹脂の上記外表面に対応する位置
    で、上記リード間に設けられ、少なくとも上記リードの
    厚さと同じ厚さを有する電気絶縁性かつ耐熱性樹脂の橋
    絡部材とを備えてなる半導体装置。
  10. 【請求項１０】 上記橋絡部材の幅寸法が上記境界にち
    ょうど跨って延びるのにだけ充分な大きさである請求項
    ９記載の半導体装置。
  11. 【請求項１１】 上記橋絡部材が、上記リードの上記ア
    ウターリード部に沿って上記境界から外方に所定距離だ
    け延びて、上記アウターリード部をその部分について補
    強してなる請求項９あるいは１０記載の半導体装置。
  12. 【請求項１２】 上記橋絡部材が、上記アイランドの外
    周から外方に、上記リードの上記境界を越えて延びてな
    る請求項９あるいは１１記載の半導体装置。
  13. 【請求項１３】 上記橋絡部材が、上記アイランドの外
    周に立上り部分を有する請求項９、１１あるいは１２記
    載の半導体装置。
  14. 【請求項１４】 上記橋絡部材が、上記アイランドの裏
    面にまで延びてなる請求項９、１１、１２あるいは１３
    記載の半導体装置。
  15. 【請求項１５】 上記アイランドの裏面の上記橋絡部材
    に熱拡散板が設けられてなる請求項１４記載の半導体装
    置。
  16. 【請求項１６】 半導体集積回路と、 上記半導体集積回路に近接した内端を有し外方に向かっ
    て延び、互いに離間して間に空間を有する複数の導電性
    のリードと、 上記半導体集積回路と上記リードの上記内端とを電気的
    に接続する導電性ワイヤと、 上記半導体集積回路、上記リード及び上記導電性ワイヤ
    を封止する封止樹脂であって、上記リードを、上記封止
    樹脂により封止されたインナーリード部、上記封止樹脂
    の外表面から外部に突出したアウターリード部に境界に
    より区画する封止樹脂と、 上記封止樹脂の上記外表面に対応する位置を含みそれよ
    り内側の領域の全体に亙って上記リード間に延び、少な
    くとも上記リードの厚さと同じ厚さを有する電気絶縁性
    の板状橋絡部材とを備えてなる半導体装置。
  17. 【請求項１７】 半導体集積回路に接続される回路導体
    を有し、半導体集積回路をその上に搭載するための電気
    絶縁性の基板と、 外端及び上記外端から上記基板に向かって延びて上記基
    板に入り込んで固着されて上記回路導体に電気的に接続
    された内端を有する互いに離間した複数の導電性のリー
    ドと、 上記半導体集積回路と上記リードの上記内端とを電気的
    に接続する導電性ワイヤと、 上記半導体集積回路、上記リード及び上記導電性ワイヤ
    を封止する封止樹脂であって、上記リードを、上記封止
    樹脂により封止されたインナーリード部、上記封止樹脂
    の外表面から外部に突出したアウターリード部に境界に
    より区画する封止樹脂と、 上記基板の外周から少なくとも上記封止樹脂の上記外表
    面に対応する位置までの間に亙って上記リード部間に延
    び、上記半導体集積回路をその上に搭載するための搭載
    部を有し、少なくとも上記リード部の厚さと同じ厚さを
    有する電気絶縁性の橋絡部材とを備えた半導体装置。
  18. 【請求項１８】 上記基板に支持されて上記半導体集積
    回路と熱伝導関係に接続され、少なくとも一部が上記封
    止樹脂から露出したヒートシンクを備えた請求項１７記
    載の半導体装置。
  19. 【請求項１９】 請求項１乃至３のいづれか記載のリー
    ドフレームを製造するために、 開口を有する導電性のフレーム部と、上記開口内に設け
    られ、半導体集積回路をその上に搭載するための導電性
    のアイランド部と、上記アイランド部と上記フレーム部
    との間に接続されて上記アイランド部を上記フレーム部
    に対して所定位置に支持する吊りピンと、上記フレーム
    部に接続された外端及び上記フレーム部から上記アイラ
    ンド部に向かって延びて上記アイランド部から離間した
    内端を有し、互いに離間して間に空間を有する複数の導
    電性のリード部であって、上記封止樹脂により封止され
    るべきインナーリード部、上記封止樹脂の外表面から外
    部に突出すべきアウターリード部及び上記インナーリー
    ド部と上記アウターリード部との境界を有するリード部
    とを備えたフレームシートを用意し、 上記リード部上のすくなくとも上記封止樹脂の上記外表
    面に対応する位置にありかつ上記境界に跨った領域を除
    いて第１マスク材料層を設け、 上記第１マスク材料を加熱加圧して上記境界に跨った領
    域を除いて上記リード部間に流動させて充填し、 上記リード部間の上記境界に跨った領域に電気絶縁性か
    つ耐熱性の樹脂を充填して加熱硬化させ、 上記第１マスク材料を取り除いて、上記境界に跨った領
    域で上記リード部間に少なくとも上記リード部の厚さと
    同じ厚さを有する上記電気絶縁性かつ耐熱性の樹脂の橋
    絡部材を形成する工程を備えたリードフレームの製造方
    法。
  20. 【請求項２０】 請求項１及び４乃至６のいづれか記載
    のリードフレームを製造するために、 開口を有する導電性のフレーム部と、上記開口内に設け
    られ、半導体集積回路をその上に搭載するための導電性
    のアイランド部と、上記アイランド部と上記フレーム部
    との間に接続されて上記アイランド部を上記フレーム部
    に対して所定位置に支持する吊りピンと、上記フレーム
    部に接続された外端及び上記フレーム部から上記アイラ
    ンド部に向かって延びて上記アイランド部から離間した
    内端を有し、互いに離間して間に空間を有する複数の導
    電性のリード部であって、上記封止樹脂により封止され
    るべきインナーリード部、上記封止樹脂の外表面から外
    部に突出すべきアウターリード部及び上記インナーリー
    ド部と上記アウターリード部との境界を有するリード部
    とを備えたフレームシートを用意し、 上記リード部上のすくなくとも上記封止樹脂の上記外表
    面に対応する境界位置よりも外側の領域に第１マスク材
    料層を設け、 上記第１マスク材料を加熱加熱して上記境界の外側の領
    域で上記リード部間に流動させて充填し、 上記リード部上に第２マスク材料層を設け、 上記第２マスク材料層上に金型を適用して、射出成型に
    より上記リード部間の上記境界位置を含む内側の領域に
    電気絶縁性かつ耐熱性の樹脂を充填して加熱硬化させ、 上記第１及び第２マスク材料を取り除いて、上記アイラ
    ンド部の外周から上記境界を越えて延びた内側領域で上
    記リード部および上記アイランド部間に、少なくとも上
    記リード部の厚さと同じ厚さを有する上記電気絶縁性か
    つ耐熱性の樹脂の橋絡部材を形成する工程を備えたリー
    ドフレームの製造方法。
  21. 【請求項２１】 請求項７記載のリードフレームを製造
    するために、 開口を有する導電性のフレーム部と、上記フレーム部に
    接続された外端及び上記フレーム部から内方に向かって
    延び、互いに離間して内端面で開口部を形成する内端を
    有し、互いに離間した複数の導電性のリード部であっ
    て、上記封止樹脂により封止されるインナーリード部、
    上記封止樹脂の外表面から外部に突出するアウターリー
    ド部及び上記インナーリード部と上記アウターリード部
    との境界を有するリード部とを備えたフレームシートを
    用意し、 上記リード部上のすくなくとも上記封止樹脂の上記外表
    面に対応する境界位置よりも外側の領域に第１マスク材
    料層を設け、 上記第１マスク材料を加熱加圧して上記境界の外側の領
    域で上記リード部間に流動させて充填し、 上記リード部上に第２マスク材料層を設け、 上記第２マスク材料層上に金型を適用して、射出成型に
    より上記リード部間の上記境界位置を含む内側の領域に
    電気絶縁性かつ耐熱性の樹脂を充填して加熱硬化させ、 上記第１及び第２マスク材料を取り除いて、上記封止樹
    脂の上記外表面に対応する位置を含みそれより内側の領
    域の全体に亙って上記リード部間に延び、上記半導体集
    積回路をその上に搭載するための搭載部を有し、少なく
    とも上記リード部の厚さと同じ厚さを有する電気絶縁性
    かつ耐熱性の樹脂橋絡部材を形成する工程を備えたリー
    ドフレームの製造方法。
  22. 【請求項２２】 請求項８記載の半導体集積回路搭載用
    基板を製造するために、 開口を有する導電性のフレーム部と、上記フレーム部に
    接続された外端及び上記フレーム部から上記基板に向か
    って延びて上記基板に入り込んで固着され、上記基板の
    上記回路導体に電気的に接続される内端を有し、上記封
    止樹脂により封止されるべきインナーリード部、上記封
    止樹脂の外表面から外部に突出すべきアウターリード部
    及び上記インナーリード部と上記アウターリード部との
    境界を有する複数の導電性のリード部とを備えたフレー
    ムシートを用意し、 上記リード部上のすくなくとも上記封止樹脂の上記外表
    面に対応する境界位置よりも外側の領域に第１マスク材
    料層を設け、 上記第１マスク材料を加熱加熱して上記境界の外側の領
    域で上記リード部間に流動させて充填し、 上記リード部間の上記第１マスク材料及び上記リード部
    上の位置であって、上記基板を形成すべき位置よりも外
    側の領域に第２マスク材料層を設け、 上記第２マスク材料層を含めて上記フレームシート上に
    電気絶縁性の樹脂基板材料層を形成し、 上記基板材料層上に上記リード部の上記内端に電気的に
    接続された導電性回路を形成し、 上記リード部の上記アウターリード部上の上記基板材料
    層を上記第２マスク材料と共に取り除き、 上記第１マスク材料を取り除き、 もって上記封止樹脂の上記外表面に対応する位置を含み
    それより内側の領域全体に亙って上記リード部間に延
    び、少なくとも上記リード部の厚さと同じ厚さを有する
    電気絶縁性かつ耐熱性の樹脂の橋絡部材を形成する工程
    を備えた半導体集積回路搭載用基板の製造方法。
  23. 【請求項２３】 請求項９記載の半導体装置を製造する
    ために、 請求項１９記載のリードフレームの製造方法により請求
    項１記載のリードフレームを用意し、 上記アイランド部上に半導体集積回路を搭載し、 上記半導体集積回路と上記リード部の上記内端とを導電
    性ワイヤで電気的に接続し、 成型空洞を有する上記モールド金型により上記リード部
    を間に挟んで、上記成型空洞を上記リード部間の上記橋
    絡部材により密閉し、上記アイランド部、上記半導体集
    積回路、上記リード部の上記アウターリード部、上記導
    電性ワイヤ及び少なくとも上記橋絡部材の一部を、上記
    成型空洞内に収容し、 トランスファモールドにより上記半導体集積回路を封止
    樹脂で封止し、 上記フレーム部を上記リード部から切り離す工程を備え
    た半導体装置の製造方法。
  24. 【請求項２４】 請求項１６記載の半導体装置を製造す
    るために、 請求項２１記載のリードフレームの製造方法により請求
    項７記載のリードフレームを用意し、 上記樹脂橋絡部材の上記搭載部上に半導体集積回路を搭
    載し、 上記半導体集積回路と上記リード部の上記内端とを導電
    性ワイヤで電気的に接続し、 成型空洞を有する上記モールド金型により上記リード部
    を間に挟んで、上記成型空洞を上記リード部間の上記橋
    絡部材により密閉し、上記半導体集積回路、上記リード
    部の上記アウターリード部、上記導電性ワイヤ及び少な
    くとも上記橋絡部材の一部を、上記成型空洞内に収容
    し、 トランスファモールドにより上記半導体集積回路を封止
    樹脂で封止し、 上記フレーム部を上記リード部から切り離す工程を備え
    た半導体装置の製造方法。
  25. 【請求項２５】 請求項１７記載の半導体装置を製造す
    るために、 請求項２２記載の半導体集積回路搭載用基板の製造方法
    により請求項８記載の半導体集積回路搭載用基板を用意
    し、 上記基板上に上記半導体集積回路を搭載し、 上記半導体集積回路と上記リード部の上記内端とを導電
    性ワイヤで電気的に接続し、 成型空洞を有するモールド金型により上記リード部を間
    に挟んで、上記成型空洞を上記リード部間の上記橋絡部
    材により密閉し、上記半導体集積回路、上記リード部の
    上記アウターリード部、上記導電性ワイヤおよび少なく
    とも上記橋絡部材の一部を上記成型空洞内に収容し、 トランスファモールドにより上記半導体集積回路を封止
    樹脂で封止し、 上記フレーム部を上記リード部から切り離す工程を備え
    た半導体装置の製造方法。
  26. 【請求項２６】 モールド金型を用い、粉末あるいは予
    備成型封止樹脂を熔融し注入流動させて半導体集積回路
    を封止するための半導体集積回路搭載用基板であって、 半導体集積回路に電気的に接続される回路導体を有し、
    半導体集積回路をその上に搭載するための電気絶縁性の
    基板と、 内端部が上記基板に入り込んで固着されて上記基板の回
    路導体に電気的に接続され、外端部が上記基板から突出
    した複数の導電性のリードであって、各々封止樹脂によ
    り封止されるべきインナーリード部、上記封止樹脂の外
    表面から外部に突出すべきアウターリード部及び上記イ
    ンナーリード部と上記アウターリード部との境界を有す
    るリードと、 上記基板の外周から少なくとも上記封止樹脂の上記外表
    面に対応する位置までの間に亙って、上記リード間に延
    び、少なくとも上記リードの厚さと同じ厚さを有する電
    気絶縁性かつ耐熱性樹脂の橋絡部材と、 上記リードの上記外端部に固着されて上記外端部を互い
    に剛体的に結合する電気絶縁性の保護部材とを備え、 上記フレーム部に上記モールド金型を適用したとき、上
    記リード部間の上記空間が上記橋絡部材により密閉され
    る半導体集積回路搭載用基板。
  27. 【請求項２７】 上記リードの上記外端に固着されて上
    記外端を互いに剛体的に結合する電気絶縁性の保護部材
    とを備えた請求項１７記載の半導体装置。
  28. 【請求項２８】 請求項２６記載の半導体集積回路搭載
    用基板を製造するために、 開口を有する導電性のフレーム部と、上記フレーム部に
    接続された外端及び上記フレーム部から上記基板に向か
    って延びて上記基板に入り込んで固着され、上記半導体
    集積回路に電気的に接続される内端を有し、上記封止樹
    脂により封止されるべきインナーリード部、上記封止樹
    脂の外表面から外部に突出すべきアウターリード部及び
    上記インナーリード部と上記アウターリード部との境界
    を有する複数の導電性のリード部とを備えたフレームシ
    ートを用意し、 上記リード部上の上記外端を除いて上記リード部上のす
    くなくとも上記封止樹脂の上記外表面に対応する境界位
    置よりも外側の領域に第１マスク材料層を設け、 上記第１マスク材料に圧力を加えて上記外端と上記境界
    との間の領域で上記第１マスク材料を上記リード部間に
    流動させて充填して硬化させ、 上記リード部間の上記第１マスク材料及び上記リード部
    上の位置であって、上記基板を形成すべき位置よりも外
    側の領域に、上記リード部の上記外端を除いて第２マス
    ク材料層を設け、 上記第２マスク材料層を含めて上記フレームシート上に
    電気絶縁性の樹脂基板材料層を形成し、 上記基板材料層上に上記リード部の内端に接続された導
    電性回路を形成し、 上記リード部の上記第２マスク材料層上の上記基板材料
    層を上記第２マスク材料と共に取り除いて、上記リード
    部の上記外端を互いに剛体的に結合する上記基板材料の
    保護部材と上記樹脂基板とを形成し、 上記第１マスク材料を取り除き、 もって上記封止樹脂の上記外表面に対応する位置を含み
    それより内側の領域全体に亙って上記リード部間に延
    び、少なくとも上記リード部の厚さと同じ厚さを有する
    電気絶縁性かつ耐熱性の樹脂の橋絡部材を形成する工程
    を備えた半導体集積回路搭載用基板の製造方法。
  29. 【請求項２９】 上記第１マスク材料を取り除く工程の
    後に、上記保護部材の外側で上記フレーム部を上記リー
    ド部から切り離す工程を備えた請求項２８記載の半導体
    集積回路搭載用基板の製造方法。
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