JPH02294007A - セラミック電子部品の電極形成方法 - Google Patents
セラミック電子部品の電極形成方法Info
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- JPH02294007A JPH02294007A JP1114754A JP11475489A JPH02294007A JP H02294007 A JPH02294007 A JP H02294007A JP 1114754 A JP1114754 A JP 1114754A JP 11475489 A JP11475489 A JP 11475489A JP H02294007 A JPH02294007 A JP H02294007A
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Landscapes
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、積層コンデンサ等のセラミック電子部品を製
造するのに適用される電極の形成方法に関するものであ
る． 従来の技術 従来、セラミック電子部品の電極を形成するのにあたっ
ては銀ペーストの焼付け法を適用するよりも低庶なコス
トで済む電気メッキ法或いは無電解メッキ法が広く採用
されている．また、これらのメッキ法を適応するとき、
通常はメッキ膜が表面全面に形成されて事後にエッチン
グや研磨等で不要部分を除去しなければならないから、
電極層を形成する表面または両端部に金属の活性化ペー
ストを付着した後メッキ処理を施すことによりセラミッ
ク素体の表面または両端部のみに電極層を形成すること
が提案されている（特開昭６３−２４６８０９号）． そのメッキ法による電極形成方法としては、まず、グリ
ーンのセラミック素体を所定の温度で焼成したセラミッ
ク素体を得た後、このセラミック素体の両端部にガラス
フリット含有のＡｇ−Ｐｄ合金またはＡｇ等の金属ペー
ストを付着させて焼付け処理を加えることにより活性皮
膜として形成し、この後にメッキ処理で電極層をラミネ
ート形成する工程を経るのが通常である． 発明が解決しようとする課題 然し、上述した方法では焼成処理後のセラミック素体に
活性化ペーストを付着するから電極ペースト中のガラス
フリットがセラミック素体に浸透することにより焼付け
処理に伴ってクラックを発生させ、しかもメッキ液中の
酸やアルカリでセラミック素体に浸透したガラス成分が
溶出して電極層の接着強度を低下する．また、上述した
工程ではセラミック素体の焼成以外に活性化ペーストの
焼付け処理も行なわなければならないから加熱処理に時
間がかかってコスト高を招くことも免れ得ない。
造するのに適用される電極の形成方法に関するものであ
る． 従来の技術 従来、セラミック電子部品の電極を形成するのにあたっ
ては銀ペーストの焼付け法を適用するよりも低庶なコス
トで済む電気メッキ法或いは無電解メッキ法が広く採用
されている．また、これらのメッキ法を適応するとき、
通常はメッキ膜が表面全面に形成されて事後にエッチン
グや研磨等で不要部分を除去しなければならないから、
電極層を形成する表面または両端部に金属の活性化ペー
ストを付着した後メッキ処理を施すことによりセラミッ
ク素体の表面または両端部のみに電極層を形成すること
が提案されている（特開昭６３−２４６８０９号）． そのメッキ法による電極形成方法としては、まず、グリ
ーンのセラミック素体を所定の温度で焼成したセラミッ
ク素体を得た後、このセラミック素体の両端部にガラス
フリット含有のＡｇ−Ｐｄ合金またはＡｇ等の金属ペー
ストを付着させて焼付け処理を加えることにより活性皮
膜として形成し、この後にメッキ処理で電極層をラミネ
ート形成する工程を経るのが通常である． 発明が解決しようとする課題 然し、上述した方法では焼成処理後のセラミック素体に
活性化ペーストを付着するから電極ペースト中のガラス
フリットがセラミック素体に浸透することにより焼付け
処理に伴ってクラックを発生させ、しかもメッキ液中の
酸やアルカリでセラミック素体に浸透したガラス成分が
溶出して電極層の接着強度を低下する．また、上述した
工程ではセラミック素体の焼成以外に活性化ペーストの
焼付け処理も行なわなければならないから加熱処理に時
間がかかってコスト高を招くことも免れ得ない。
蔵において、本発明は耐湿負荷等の信頼性を高め、しか
も相対的に簡略な工程で高い接着強度の電極層を安価に
形成することができるセラミック電子部品の電極形成方
法を提供することを目的とする． 課題を解決するための手段 本発明に係るセラミック電子部品の電極形成方法におい
ては、焼成前のセラミック素体の表面または両端部にＰ
ｄ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｒｈ等の耐熱性を有する金属レジネー
トを付着した後、そのセラミック素体に焼成処理を加え
て金属レジネートによる活性皮膜を表面または両端部に
焼付けたセラミック素体を得、この後に電気メッキ或い
は無電解メッキでセラミック素体の表面または両端部に
電極層を形成することが行なわれている。
も相対的に簡略な工程で高い接着強度の電極層を安価に
形成することができるセラミック電子部品の電極形成方
法を提供することを目的とする． 課題を解決するための手段 本発明に係るセラミック電子部品の電極形成方法におい
ては、焼成前のセラミック素体の表面または両端部にＰ
ｄ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｒｈ等の耐熱性を有する金属レジネー
トを付着した後、そのセラミック素体に焼成処理を加え
て金属レジネートによる活性皮膜を表面または両端部に
焼付けたセラミック素体を得、この後に電気メッキ或い
は無電解メッキでセラミック素体の表面または両端部に
電極層を形成することが行なわれている。
作 用
このセラミック電子部品の電極形成方法では、セラミッ
ク素体の表面または両端部に金属レジネートを付着させ
てセラミック素体の焼成処理と共に活性皮膜として形成
するからクラックや電極強度の低下を招くガラス成分が
セラミック素体に浸透することがなく、また、工程的に
も金属レジネートの焼付け工程を省略できるところから
工程を簡略化させてコストの低減も図り得るようになる
。
ク素体の表面または両端部に金属レジネートを付着させ
てセラミック素体の焼成処理と共に活性皮膜として形成
するからクラックや電極強度の低下を招くガラス成分が
セラミック素体に浸透することがなく、また、工程的に
も金属レジネートの焼付け工程を省略できるところから
工程を簡略化させてコストの低減も図り得るようになる
。
実施例
この電極の形成方法は積層コンデンサ等のセラミック電
子部品を製造するのに適用できるものであり、それはＢ
ａＴｉＯ．系，ＳｒＴｉ０３Ｃ ａ Ｔ ｔ Ｏ ３系
等の誘電体磁器材料を用いて製造することがでぎる．ま
ず、話電体磁器材料のグリーンシ一トにＰｄ，Ｐｄ−Ａ
ｇ合金，Ｃｕ，Ｎｉ等で内部電極を形成し、そのグリー
ンシ一トを複数枚積層させて両端に並接続される内部電
極を有するグリーンのセラミック積層体を得る．次に、
このセラミック積層体の外部電極を形成する両端部には
Ｐｄ，Ａｕ．Ｐｔ，Ｒｈ等の高温で劣化しない耐熱性を
有する金属レジネートをジャブ付け等で付着する．その
後、グリーンのセラミック積層体に１３００〜１４００
℃程度で焼成処理を加えることにより有機溶剤を飛散す
ると同時に、金゛属レジネートを活性皮膜として形成す
る．この焼結されたセラミック積層体に電気メッキまた
は無電解メッキでメッキ処理を施せば、金属レジネート
による活性皮膜の形成部位にのみ両端部の外部電極とな
るメッキ膜を形成することができる。
子部品を製造するのに適用できるものであり、それはＢ
ａＴｉＯ．系，ＳｒＴｉ０３Ｃ ａ Ｔ ｔ Ｏ ３系
等の誘電体磁器材料を用いて製造することがでぎる．ま
ず、話電体磁器材料のグリーンシ一トにＰｄ，Ｐｄ−Ａ
ｇ合金，Ｃｕ，Ｎｉ等で内部電極を形成し、そのグリー
ンシ一トを複数枚積層させて両端に並接続される内部電
極を有するグリーンのセラミック積層体を得る．次に、
このセラミック積層体の外部電極を形成する両端部には
Ｐｄ，Ａｕ．Ｐｔ，Ｒｈ等の高温で劣化しない耐熱性を
有する金属レジネートをジャブ付け等で付着する．その
後、グリーンのセラミック積層体に１３００〜１４００
℃程度で焼成処理を加えることにより有機溶剤を飛散す
ると同時に、金゛属レジネートを活性皮膜として形成す
る．この焼結されたセラミック積層体に電気メッキまた
は無電解メッキでメッキ処理を施せば、金属レジネート
による活性皮膜の形成部位にのみ両端部の外部電極とな
るメッキ膜を形成することができる。
このようにセラミック電子部品の端部電極を形成すれば
活性皮膜のガラス成分がセラミック素体に浸透すること
がないから端部電極層の成形下付近にクランクが生ずる
ことはなく、しかもそのガラス成分がメッキ液中の酸や
アルカリで電極層の形成下に溶出する事態も生じないた
めに電極の強度が低下することもない。これに加えて、
セラミック積層体の焼成処理で金属レジネートも焼付け
処理できるから製造工程も短縮することができる。
活性皮膜のガラス成分がセラミック素体に浸透すること
がないから端部電極層の成形下付近にクランクが生ずる
ことはなく、しかもそのガラス成分がメッキ液中の酸や
アルカリで電極層の形成下に溶出する事態も生じないた
めに電極の強度が低下することもない。これに加えて、
セラミック積層体の焼成処理で金属レジネートも焼付け
処理できるから製造工程も短縮することができる。
その工程に則って次の条件で積層コンデンサを製作し、
従来法による積層コンデンサと比較するべくクラックの
発生状況並びに耐湿負荷を確記したところ別表で示す結
果が得られた。
従来法による積層コンデンサと比較するべくクラックの
発生状況並びに耐湿負荷を確記したところ別表で示す結
果が得られた。
本発明の第１実施例として：
Ｂ ａ Ｔ １ ０ ｓ系話電体磁器材料にグリーンシ
一トを用いてＰｄで内部電極を形成し、それを複数枚積
層させて内部電極を有するグリーンのセラミック積層体
を得、この両端部にＰｄレジネートをジャブ付けで付着
した後１３００〜１４００℃で焼成処理を加え、最後に
電気メッキでＮｉ．Ｓｎを二層重ねたメッキ膜で端部電
極層を形成した． 本発明の第２実施例として： セラミック積層体並びに金属レジネートには第１実施例
と同材料を用い、また、セラミック積層体の焼成工程ま
では同一の処理を行なった。
一トを用いてＰｄで内部電極を形成し、それを複数枚積
層させて内部電極を有するグリーンのセラミック積層体
を得、この両端部にＰｄレジネートをジャブ付けで付着
した後１３００〜１４００℃で焼成処理を加え、最後に
電気メッキでＮｉ．Ｓｎを二層重ねたメッキ膜で端部電
極層を形成した． 本発明の第２実施例として： セラミック積層体並びに金属レジネートには第１実施例
と同材料を用い、また、セラミック積層体の焼成工程ま
では同一の処理を行なった。
端部電極層を形成するのにあたっては、Ｃｕを無電解メ
ッキで付着することによりメッキ膜を形成した。
ッキで付着することによりメッキ膜を形成した。
従来法として：
ＢａＴｉ０３系屈電体磁器材料のグリーンシ一トを用い
てＰｄで内部電極を形成し、それを複数枚積層させて内
部電極を有するグリーンのセラミック積層体を得た．こ
れに１ ３００〜１４００℃で焼成処理を加えて両端部
にＡｇ−Ｐｄ系ペーストを付着した後ａＯＯ℃で焼付処
理を施し、最後にＮｉ，Ｓｎを二層重ねて電気メッキす
ることにより端部電極層を形成した． その本発明の第１．２実施例並びに従来法で得た積層コ
ンデンサに対し、耐湿負荷は４０℃９５％ＲＨ ５０
ＶＤＣ印加で確認した。
てＰｄで内部電極を形成し、それを複数枚積層させて内
部電極を有するグリーンのセラミック積層体を得た．こ
れに１ ３００〜１４００℃で焼成処理を加えて両端部
にＡｇ−Ｐｄ系ペーストを付着した後ａＯＯ℃で焼付処
理を施し、最後にＮｉ，Ｓｎを二層重ねて電気メッキす
ることにより端部電極層を形成した． その本発明の第１．２実施例並びに従来法で得た積層コ
ンデンサに対し、耐湿負荷は４０℃９５％ＲＨ ５０
ＶＤＣ印加で確認した。
（表）
この試験結果から、本発明の実施例１．２による積層コ
ンデンサはクラツクが発生しないことは勿論、耐湿負荷
にも優れるものであることが分かる。
ンデンサはクラツクが発生しないことは勿論、耐湿負荷
にも優れるものであることが分かる。
なお、上述した実施例は積層コンデンサを製造する場合
を例示したが、抵抗やサーミスタ等のセラミック電子部
品を製造する場合にも適用することができる． 発明の効果 以上の如く、本発明に係るセラミック電子部品の電極形
成方法によれば、クラツクの発生や電極の接合強度を低
下する等を招かないところから歩留りを向上で籾、また
、工程を簡略化でぎることによりコストの低減を図るこ
とを可能にするものである．
を例示したが、抵抗やサーミスタ等のセラミック電子部
品を製造する場合にも適用することができる． 発明の効果 以上の如く、本発明に係るセラミック電子部品の電極形
成方法によれば、クラツクの発生や電極の接合強度を低
下する等を招かないところから歩留りを向上で籾、また
、工程を簡略化でぎることによりコストの低減を図るこ
とを可能にするものである．
Claims (1)
- 焼成前のセラミック素体の表面または両端部にＰｄ，Ａ
ｕ，Ｐｔ，Ｒｈ等の耐熱性を有する金属レジネートを付
着した後、そのセラミック素体に焼成処理を加えて金属
レジネートによる活性皮膜を表面または両端部に焼付け
たセラミック素体を得、この後に電気メッキ或いは無電
解メッキでセラミック素体の表面または両端部に電極層
を形成することを特徴とするセラミック電子部品の電極
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1114754A JPH02294007A (ja) | 1989-05-08 | 1989-05-08 | セラミック電子部品の電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1114754A JPH02294007A (ja) | 1989-05-08 | 1989-05-08 | セラミック電子部品の電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02294007A true JPH02294007A (ja) | 1990-12-05 |
Family
ID=14645849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1114754A Pending JPH02294007A (ja) | 1989-05-08 | 1989-05-08 | セラミック電子部品の電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02294007A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004040084A (ja) * | 2002-04-15 | 2004-02-05 | Avx Corp | めっき端子 |
| JP2004040085A (ja) * | 2002-04-15 | 2004-02-05 | Avx Corp | メッキ技術によるコンポーネント形成 |
| JP2004312023A (ja) * | 2003-04-08 | 2004-11-04 | Avx Corp | めっきターミネーション |
| US7576968B2 (en) | 2002-04-15 | 2009-08-18 | Avx Corporation | Plated terminations and method of forming using electrolytic plating |
| JP2009224802A (ja) * | 2003-04-08 | 2009-10-01 | Avx Corp | 無電解めっきターミネーションを形成する方法 |
-
1989
- 1989-05-08 JP JP1114754A patent/JPH02294007A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004040084A (ja) * | 2002-04-15 | 2004-02-05 | Avx Corp | めっき端子 |
| JP2004040085A (ja) * | 2002-04-15 | 2004-02-05 | Avx Corp | メッキ技術によるコンポーネント形成 |
| US7576968B2 (en) | 2002-04-15 | 2009-08-18 | Avx Corporation | Plated terminations and method of forming using electrolytic plating |
| US9666366B2 (en) | 2002-04-15 | 2017-05-30 | Avx Corporation | Method of making multi-layer electronic components with plated terminations |
| US10020116B2 (en) | 2002-04-15 | 2018-07-10 | Avx Corporation | Plated terminations |
| US10366835B2 (en) | 2002-04-15 | 2019-07-30 | Avx Corporation | Plated terminations |
| US11195659B2 (en) | 2002-04-15 | 2021-12-07 | Avx Corporation | Plated terminations |
| JP2004312023A (ja) * | 2003-04-08 | 2004-11-04 | Avx Corp | めっきターミネーション |
| JP2004327983A (ja) * | 2003-04-08 | 2004-11-18 | Avx Corp | めっきターミネーション |
| JP2009224802A (ja) * | 2003-04-08 | 2009-10-01 | Avx Corp | 無電解めっきターミネーションを形成する方法 |
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