JPH02295107A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH02295107A JPH02295107A JP1116317A JP11631789A JPH02295107A JP H02295107 A JPH02295107 A JP H02295107A JP 1116317 A JP1116317 A JP 1116317A JP 11631789 A JP11631789 A JP 11631789A JP H02295107 A JPH02295107 A JP H02295107A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hmds
- wafer
- film
- photoresist
- photoresist film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にフォトレジ
ス膜の形成方法に関する。
ス膜の形成方法に関する。
従来、この種のフォトレジスト膜形成方法においては、
フォトレジストと半導体基板（以下ウ工ーハとよぶ）間
へのエッチング液の侵入を防止し、耐ウェットエッチン
グ性を向上させる目的で、ウェハーに対して枚葉式もし
くはバッチ式にてヘキサメチルジシラザン（以下ＨＭＤ
Ｓと記す）雰囲気中にさらす等の処理を行い、その後た
だちにフォトレジストを滴下し、ウェハー上にフォトレ
ジスト膜を形成する方法が用いられていた． 〔発明が解決しようとする課題〕 上述した従来のフォトレジスト膜の形成方法は、ウェハ
ーにＨＭＤＳ処理を行い、その後ただちにそのウェハー
上にフォトレジストを滴下し、フォトレジスト膜を形成
する方法となっているため、ウェハー上に過剰に付着し
たＨＭＤＳの成分は除去されることなく、ウェハーとフ
ォトレジスト膜との間に残ることになる。
フォトレジストと半導体基板（以下ウ工ーハとよぶ）間
へのエッチング液の侵入を防止し、耐ウェットエッチン
グ性を向上させる目的で、ウェハーに対して枚葉式もし
くはバッチ式にてヘキサメチルジシラザン（以下ＨＭＤ
Ｓと記す）雰囲気中にさらす等の処理を行い、その後た
だちにフォトレジストを滴下し、ウェハー上にフォトレ
ジスト膜を形成する方法が用いられていた． 〔発明が解決しようとする課題〕 上述した従来のフォトレジスト膜の形成方法は、ウェハ
ーにＨＭＤＳ処理を行い、その後ただちにそのウェハー
上にフォトレジストを滴下し、フォトレジスト膜を形成
する方法となっているため、ウェハー上に過剰に付着し
たＨＭＤＳの成分は除去されることなく、ウェハーとフ
ォトレジスト膜との間に残ることになる。
ウェハー上に付着した過剰のＨＭＤＳの成分は、そのウ
エハーに対するフォトレジストの接触角を大きくし、フ
ォトレジスト膜とウェハーとの機械的な密着性を大幅に
低下させる効果がある。
エハーに対するフォトレジストの接触角を大きくし、フ
ォトレジスト膜とウェハーとの機械的な密着性を大幅に
低下させる効果がある。
そのため、通常のノボラック系ボジ形フォトレジストを
用いて、フォトレジスト膜を形成したウエハーを露光し
た場合、フォトレジスト膜内部から発生する窒素ガスに
より、機械的密着性の弱い部分のフォトレジストパター
ンの一部がウェハーから欠落するという欠点がある。特
に微細パターン形成に対しては、このようなパターンの
欠落は致命的である。
用いて、フォトレジスト膜を形成したウエハーを露光し
た場合、フォトレジスト膜内部から発生する窒素ガスに
より、機械的密着性の弱い部分のフォトレジストパター
ンの一部がウェハーから欠落するという欠点がある。特
に微細パターン形成に対しては、このようなパターンの
欠落は致命的である。
上述した従来のフォトレジスト膜形成方法に対し、本発
明はＨＭＤＳ処理を行ったウエハーに遠紫外（ＵＶ）光
を照射することによって、ウェハー上に過剰に付着した
ＨＭＤＳの成分を除去するため、単分子層に近いＨＭＤ
Ｓの成分がウェハー上に残る。その結果、ウェハーに対
するフォトレジストの接触角を一定にし、フォトレジス
ト膜とウェハーとの間の耐ウェットエッチング性を損な
うことなく、機械的な密着性を大幅に向上させたフォト
レジスト膜を形成することができる．このため通常のノ
ボラック系ボジ型フォトレジストを用いて、フォトレジ
スト膜を形成した基板を露光した場合、フォトレジスト
膜内部から発生する窒素ガスにより、機械的密着性の弱
い部分のフォトレジストパターンの一部がウェハーがら
欠落するのを防止することができる。
明はＨＭＤＳ処理を行ったウエハーに遠紫外（ＵＶ）光
を照射することによって、ウェハー上に過剰に付着した
ＨＭＤＳの成分を除去するため、単分子層に近いＨＭＤ
Ｓの成分がウェハー上に残る。その結果、ウェハーに対
するフォトレジストの接触角を一定にし、フォトレジス
ト膜とウェハーとの間の耐ウェットエッチング性を損な
うことなく、機械的な密着性を大幅に向上させたフォト
レジスト膜を形成することができる．このため通常のノ
ボラック系ボジ型フォトレジストを用いて、フォトレジ
スト膜を形成した基板を露光した場合、フォトレジスト
膜内部から発生する窒素ガスにより、機械的密着性の弱
い部分のフォトレジストパターンの一部がウェハーがら
欠落するのを防止することができる。
本発明の半導体装置の製造方法はＨＭＤＳ処理を行った
ウェハーにＵＶ光を照射することによって、ウェハー上
に過剰に付着しなＨＭＤＳの成分を除去し、単分子層に
近いＨＭＤＳの成分をウェハー上に残すものである。
ウェハーにＵＶ光を照射することによって、ウェハー上
に過剰に付着しなＨＭＤＳの成分を除去し、単分子層に
近いＨＭＤＳの成分をウェハー上に残すものである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例を説明するための工
程順に示した半導体チップの断面図である。
（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例を説明するための工
程順に示した半導体チップの断面図である。
まず、第１図（ａ）に示すように、シリコン基板１をＨ
ＭＤＳ雰囲気中に約１分間さらし、表面にＨＭＤＳ膜２
を形成する。この時のＨＭＤＳ膜２は過剰のＨＭＤＳが
付着した状態にある。
ＭＤＳ雰囲気中に約１分間さらし、表面にＨＭＤＳ膜２
を形成する。この時のＨＭＤＳ膜２は過剰のＨＭＤＳが
付着した状態にある。
次に、第１図（ｂ）に示すように、ＨＭＤＳ膜２にＵＶ
光３を約１分間照射する，この照射により過剰に付着し
たＨＭＤＳはガスとなって除去されシリコン基板１の表
面には単分子層に近いＨＭＤＳ膜２が残る。
光３を約１分間照射する，この照射により過剰に付着し
たＨＭＤＳはガスとなって除去されシリコン基板１の表
面には単分子層に近いＨＭＤＳ膜２が残る。
以下第１図（ｃ）に示すように、回転塗布法によりフォ
トレジスト膜３を形成する。
トレジスト膜３を形成する。
このように本実施例によれば、過剰のＨＭＤＳが除去さ
れるため、シリコン基板１に対するフォトレジストの接
触角は一定になり、フォトレジスト膜３とシリコン基板
１との間の耐ウエットエッチング性を損なうことなく、
機械的な密着性を大幅に向上させたフォトレジスト膜を
形成することができる。
れるため、シリコン基板１に対するフォトレジストの接
触角は一定になり、フォトレジスト膜３とシリコン基板
１との間の耐ウエットエッチング性を損なうことなく、
機械的な密着性を大幅に向上させたフォトレジスト膜を
形成することができる。
このため、通常のノボラック系ボジ型フォトレジストを
用いて、フォトレジスト膜を形成した基板を露光した場
合、フォトレジスト膜内部から発生する窒素ガスにより
、機械的密着性の弱い部分のフォトレジストパターンの
一部が基板から欠落するのを防止することができる。
用いて、フォトレジスト膜を形成した基板を露光した場
合、フォトレジスト膜内部から発生する窒素ガスにより
、機械的密着性の弱い部分のフォトレジストパターンの
一部が基板から欠落するのを防止することができる。
なお、シリコン基板１をスピンモー夕にて回転させなが
ら、ＵＶ光を照射することによって過剰に付着したＨＭ
ＤＳを除去してもよい。この場合、シリコン基板面内で
より均一にＵＶ光を照射することができる。
ら、ＵＶ光を照射することによって過剰に付着したＨＭ
ＤＳを除去してもよい。この場合、シリコン基板面内で
より均一にＵＶ光を照射することができる。
以上説明したように本発明は、ＨＭＤＳ処理を行ったウ
ェハーにＵ■光を照射することによって、過剰に付着し
たＨＭＤＳの成分を除去できるため、単分子層に近いＨ
ＭＤＳの成分をウェハー上に残すことができる。その結
果、ウェハーに対するフォトレジストの接触角を一定に
し、フォトレジスト膜とウェハーとの間の耐ウエットエ
ッチング性を損なうことなく、機械的な密着性を大幅に
向上させたフォトレジスト膜を形成することができる。
ェハーにＵ■光を照射することによって、過剰に付着し
たＨＭＤＳの成分を除去できるため、単分子層に近いＨ
ＭＤＳの成分をウェハー上に残すことができる。その結
果、ウェハーに対するフォトレジストの接触角を一定に
し、フォトレジスト膜とウェハーとの間の耐ウエットエ
ッチング性を損なうことなく、機械的な密着性を大幅に
向上させたフォトレジスト膜を形成することができる。
このため、通常のノボラック系ポジ型フォトレジストを
用いて、フォトレジスト膜を形成した基板を露光した場
合、フォトレジスト膜内部から発生する窒素ガスにより
、機械的密着性の弱い部分のフォトレジストパターンの
一部がウェハーから欠落するのを防止することができ、
ウェハー全面にわたって微細パターンを再現性良く形成
することができる。
用いて、フォトレジスト膜を形成した基板を露光した場
合、フォトレジスト膜内部から発生する窒素ガスにより
、機械的密着性の弱い部分のフォトレジストパターンの
一部がウェハーから欠落するのを防止することができ、
ウェハー全面にわたって微細パターンを再現性良く形成
することができる。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例を説明するた
めの半導体チップの断面図である。 １・・・シリコン基板、２・・・ＨＭＤＳ膜、３・・・
ＵＶ光、４・・・フォトレジスト膜。
めの半導体チップの断面図である。 １・・・シリコン基板、２・・・ＨＭＤＳ膜、３・・・
ＵＶ光、４・・・フォトレジスト膜。
Claims (1)
- 半導体基板表面をヘキサメチルジシラザン処理を行った
のち回転塗布法によりフォトレジスト膜を形成する半導
体装置の製造方法において、ヘキサメチルジシラザン処
理を行った前記半導体基板表面に遠紫外光を照射するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1116317A JPH02295107A (ja) | 1989-05-09 | 1989-05-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1116317A JPH02295107A (ja) | 1989-05-09 | 1989-05-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02295107A true JPH02295107A (ja) | 1990-12-06 |
Family
ID=14683996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1116317A Pending JPH02295107A (ja) | 1989-05-09 | 1989-05-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02295107A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011066113A (ja) * | 2009-09-16 | 2011-03-31 | Tokyo Electron Ltd | 疎水化処理装置、疎水化処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
| WO2012144286A1 (ja) * | 2011-04-19 | 2012-10-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、コンピュータ記憶媒体、基板処理装置及びインプリントシステム |
-
1989
- 1989-05-09 JP JP1116317A patent/JPH02295107A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011066113A (ja) * | 2009-09-16 | 2011-03-31 | Tokyo Electron Ltd | 疎水化処理装置、疎水化処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
| WO2012144286A1 (ja) * | 2011-04-19 | 2012-10-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、コンピュータ記憶媒体、基板処理装置及びインプリントシステム |
| JP2012227319A (ja) * | 2011-04-19 | 2012-11-15 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、基板処理装置及びインプリントシステム |
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