JPH02295108A - レジスト塗布装置 - Google Patents
レジスト塗布装置Info
- Publication number
- JPH02295108A JPH02295108A JP1116678A JP11667889A JPH02295108A JP H02295108 A JPH02295108 A JP H02295108A JP 1116678 A JP1116678 A JP 1116678A JP 11667889 A JP11667889 A JP 11667889A JP H02295108 A JPH02295108 A JP H02295108A
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- JP
- Japan
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- resist
- semiconductor substrate
- wafer chuck
- nozzles
- coated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
レジスト塗布装置の塗布材料を被塗布物の表面に滴下す
るノズルに関し、 簡単且つ容易に設けることが可能な、複数のノズルを具
備するレジスト塗布装置の提供を目的とし、 ウェハーチャックに被塗布物を搭載して前記ウェハーチ
ャックに設けた真空吸着口により前記被塗布物を吸着固
定し、ウェハーチャックの上部に設けたノズルからレジ
ストを前記被塗布物の表面に滴下し、前記ウェハーチャ
ックを高速回転して前記レジストの薄膜を前記被塗布物
の表面に形成するレジスト塗布装置において、複数の前
記ノズルをウェハーチャックの上部に具備するよう構成
する。
るノズルに関し、 簡単且つ容易に設けることが可能な、複数のノズルを具
備するレジスト塗布装置の提供を目的とし、 ウェハーチャックに被塗布物を搭載して前記ウェハーチ
ャックに設けた真空吸着口により前記被塗布物を吸着固
定し、ウェハーチャックの上部に設けたノズルからレジ
ストを前記被塗布物の表面に滴下し、前記ウェハーチャ
ックを高速回転して前記レジストの薄膜を前記被塗布物
の表面に形成するレジスト塗布装置において、複数の前
記ノズルをウェハーチャックの上部に具備するよう構成
する。
本発明は、レジスト塗布装置に係り、特に塗布材料を被
塗布物の表面に滴下するノズルに関するものである。
塗布物の表面に滴下するノズルに関するものである。
近年、半導体装置の高集積化、微細化に伴い、半導体基
板の表面に形成するパターンの線幅を安定させることが
必要になり、そのために形成するレジスト膜の膜厚のバ
ラツキを抑えることが必要になっている． 以上のような状況から半導体基板の表面に均一な膜厚の
レジスト膜を形成することが可能なレジスト塗布装置が
要望されている。
板の表面に形成するパターンの線幅を安定させることが
必要になり、そのために形成するレジスト膜の膜厚のバ
ラツキを抑えることが必要になっている． 以上のような状況から半導体基板の表面に均一な膜厚の
レジスト膜を形成することが可能なレジスト塗布装置が
要望されている。
従来のレジスト塗布装置を第２図により説明する。
従来のレジスト塗布装置においては第２図に示すように
、被塗布物、例えば半導体基板３はウェハーチャック１
の表面に搭載され、ウェハーチャック１に設けた真空吸
着口１ａにより吸着固定されている。
、被塗布物、例えば半導体基板３はウェハーチャック１
の表面に搭載され、ウェハーチャック１に設けた真空吸
着口１ａにより吸着固定されている。
つぎに、このウェハーチャック１の上部に設けられてい
るノズル２からレジスト４を半導体基板３の中央部に滴
下し、ウェハーチャック１を高速回転してレジスト４の
薄膜を半導体基板３の表面に形成している。
るノズル２からレジスト４を半導体基板３の中央部に滴
下し、ウェハーチャック１を高速回転してレジスト４の
薄膜を半導体基板３の表面に形成している。
以上説明した従来のレジスト塗布装置においては、ウェ
ハーチャックに真空により吸着固定した半導体基板に、
ただ一本のノズルによってレジストを半導体基板の中央
部に滴下し、ウェハーチャックを高速回転してレジスト
の薄膜を半導体基板の表面に形成しているので、半導体
基板の直径が大きい大径化した半導体基板の場合には、
レジストの滴下位置と半導体基板の周辺との距離が大き
いから、レジストを半導体基板の表面に塗り広げてゆく
過程において、レジストの溶剤が蒸発するために形成さ
れたレジスト膜厚が不均一になるという問題点があった
。
ハーチャックに真空により吸着固定した半導体基板に、
ただ一本のノズルによってレジストを半導体基板の中央
部に滴下し、ウェハーチャックを高速回転してレジスト
の薄膜を半導体基板の表面に形成しているので、半導体
基板の直径が大きい大径化した半導体基板の場合には、
レジストの滴下位置と半導体基板の周辺との距離が大き
いから、レジストを半導体基板の表面に塗り広げてゆく
過程において、レジストの溶剤が蒸発するために形成さ
れたレジスト膜厚が不均一になるという問題点があった
。
本発明は以上のような状況から簡単且つ容易に設けるこ
とが可能な、複数のノズルを具備するレジスト塗布装置
の提供を目的としたものである。
とが可能な、複数のノズルを具備するレジスト塗布装置
の提供を目的としたものである。
本発明のレジスト塗布装置は、ウェハーチャックに被塗
布物を搭載してこのウェハーチャックに設けた真空吸着
口によりこの被塗布物を吸着固定し、ウェハーチャック
の上部に設けたノズルからレジストを被塗布物の表面に
滴下し、このウェハーチャックを高速回転してレジスト
の薄膜をこの被塗布物の表面に形成するレジスト塗布装
置において、複数のノズルををウェハーチャックの上部
に具備するよう構成する。
布物を搭載してこのウェハーチャックに設けた真空吸着
口によりこの被塗布物を吸着固定し、ウェハーチャック
の上部に設けたノズルからレジストを被塗布物の表面に
滴下し、このウェハーチャックを高速回転してレジスト
の薄膜をこの被塗布物の表面に形成するレジスト塗布装
置において、複数のノズルををウェハーチャックの上部
に具備するよう構成する。
即ち本発明においては、ウェハーチャックの上部に複数
のノズルを設け、このウェハーチャックに搭載する被塗
布物を真空により吸着固定し、ウェハーチャックを低速
で回転させながら、この被塗布物の表面にそれぞれのノ
ズルからレジストを滴下して半導体基板の回転中心を中
心とする同心円状にレジストを滴下し、その後ウェハー
チャックを高速で回゜転してレジストの薄膜を半導体基
板の表面に形成することが可能となる。
のノズルを設け、このウェハーチャックに搭載する被塗
布物を真空により吸着固定し、ウェハーチャックを低速
で回転させながら、この被塗布物の表面にそれぞれのノ
ズルからレジストを滴下して半導体基板の回転中心を中
心とする同心円状にレジストを滴下し、その後ウェハー
チャックを高速で回゜転してレジストの薄膜を半導体基
板の表面に形成することが可能となる。
以下第１図により本発明の一実施例を、５本のノズルを
具備するレジスト塗布装置について説明する。
具備するレジスト塗布装置について説明する。
本実施例においては、第１図（ａｌに示すようにウェハ
ーチャック１の上部には５本のノズル２が設けられてい
る。
ーチャック１の上部には５本のノズル２が設けられてい
る。
ウェハーチャック１に搭載された被塗布物、例えば半導
体基板３は真空吸着口１ａにより吸着固定されている。
体基板３は真空吸着口１ａにより吸着固定されている。
このウェハーチャック１を低速、例えば１〜２ｒｐｍで
回転させながらこの５本のノズル２によりレジストを半
導体基板３の表面に滴下すると、第１図（ｂ）に示すよ
うにそれぞれのノズル２によって半導体基板３の回転中
心を中心とする同心円上にレジスト４が滴下される。
回転させながらこの５本のノズル２によりレジストを半
導体基板３の表面に滴下すると、第１図（ｂ）に示すよ
うにそれぞれのノズル２によって半導体基板３の回転中
心を中心とする同心円上にレジスト４が滴下される。
その後ウェハーチャック１を高速回転、例えば５． Ｏ
ＯＯｒｐａ＋で回転させると、半導体基板３の表面に滴
下されたレジスト４が瞬時にして連続した状態で半導体
基板３の表面に広がり、膜厚ｉｏ，ｏｏｏ八のレジスト
膜が半導体基板３の表面に形成される。
ＯＯｒｐａ＋で回転させると、半導体基板３の表面に滴
下されたレジスト４が瞬時にして連続した状態で半導体
基板３の表面に広がり、膜厚ｉｏ，ｏｏｏ八のレジスト
膜が半導体基板３の表面に形成される。
このようにウェハーチャック１を低速回転しながら、複
数のノズル２からそれぞれレジストを半導体基板３の表
面に滴下して同心円状にレジスト４を滴下し、その後ウ
ェハーチャック１を高速回転してレジスト４の薄膜を形
成するので、レジスト４を半導体基板３の表面に塗り広
げるのに時間を要しないから、レジスト４に含まれてい
る溶剤が蒸発するまでにレジスト４を半導体基仮３の表
面に塗布することが可能となる。
数のノズル２からそれぞれレジストを半導体基板３の表
面に滴下して同心円状にレジスト４を滴下し、その後ウ
ェハーチャック１を高速回転してレジスト４の薄膜を形
成するので、レジスト４を半導体基板３の表面に塗り広
げるのに時間を要しないから、レジスト４に含まれてい
る溶剤が蒸発するまでにレジスト４を半導体基仮３の表
面に塗布することが可能となる。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、ノズル
の数を増加して半導体基板の表面に同心円状のレジスト
を滴下するので、大型化した半導体基板の表面に均一な
膜厚のレジスト膜を形成することが可能となり、このレ
ジスト膜を用いて半導体装置のパターンを形成すると線
幅の均一なパターンの形成が可能になる等の利点があり
、著しい信頼性向上の効果が期待できるレジスト塗布装
置の提供が可能である。
の数を増加して半導体基板の表面に同心円状のレジスト
を滴下するので、大型化した半導体基板の表面に均一な
膜厚のレジスト膜を形成することが可能となり、このレ
ジスト膜を用いて半導体装置のパターンを形成すると線
幅の均一なパターンの形成が可能になる等の利点があり
、著しい信頼性向上の効果が期待できるレジスト塗布装
置の提供が可能である。
第１図は本発明による一実施例を示す図、第２図は従来
のレジスト塗布装置を示す図、である。 図において、 １はウエハーチャンク、 １ａは真空吸着口、 ２はノズル、 ３は半導体基板、 ４はレジスト、 を示す。 ＋ａｔ 側断面図 従来のレジスト塗布装置を示す図 第２図 ｆｂｌ Ａ−Ａ矢視 本発明による一大施例を示す図 第 １ 図
のレジスト塗布装置を示す図、である。 図において、 １はウエハーチャンク、 １ａは真空吸着口、 ２はノズル、 ３は半導体基板、 ４はレジスト、 を示す。 ＋ａｔ 側断面図 従来のレジスト塗布装置を示す図 第２図 ｆｂｌ Ａ−Ａ矢視 本発明による一大施例を示す図 第 １ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ウェハーチャック（１）に被塗布物（３）を搭載して前
記ウェハーチャック（１）に設けた真空吸着口（１ａ）
により前記被塗布物（３）を吸着固定し、ウェハーチャ
ック（１）の上部に設けたノズル（２）からレジスト（
４）を前記被塗布物（３）の表面に滴下し、前記ウェハ
ーチャック（１）を高速回転して前記レジスト（４）の
薄膜を前記被塗布物（３）の表面に形成するレジスト塗
布装置において、 複数の前記ノズル（２）をウェハーチャック（１）の上
部に具備することを特徴とするレジスト塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1116678A JPH02295108A (ja) | 1989-05-09 | 1989-05-09 | レジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1116678A JPH02295108A (ja) | 1989-05-09 | 1989-05-09 | レジスト塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02295108A true JPH02295108A (ja) | 1990-12-06 |
Family
ID=14693173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1116678A Pending JPH02295108A (ja) | 1989-05-09 | 1989-05-09 | レジスト塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02295108A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5823439A (ja) * | 1981-08-04 | 1983-02-12 | Nec Kyushu Ltd | 半導体製造装置 |
| JPS62195121A (ja) * | 1986-02-21 | 1987-08-27 | Nec Corp | スピンコ−タ− |
| JPS62286225A (ja) * | 1986-06-04 | 1987-12-12 | Nec Corp | 半導体製造装置 |
| JPS63151021A (ja) * | 1986-12-16 | 1988-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レジスト塗布方法およびレジスト塗布装置 |
-
1989
- 1989-05-09 JP JP1116678A patent/JPH02295108A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5823439A (ja) * | 1981-08-04 | 1983-02-12 | Nec Kyushu Ltd | 半導体製造装置 |
| JPS62195121A (ja) * | 1986-02-21 | 1987-08-27 | Nec Corp | スピンコ−タ− |
| JPS62286225A (ja) * | 1986-06-04 | 1987-12-12 | Nec Corp | 半導体製造装置 |
| JPS63151021A (ja) * | 1986-12-16 | 1988-06-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レジスト塗布方法およびレジスト塗布装置 |
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