JPH02295167A - イメージセンサー - Google Patents
イメージセンサーInfo
- Publication number
- JPH02295167A JPH02295167A JP1115569A JP11556989A JPH02295167A JP H02295167 A JPH02295167 A JP H02295167A JP 1115569 A JP1115569 A JP 1115569A JP 11556989 A JP11556989 A JP 11556989A JP H02295167 A JPH02295167 A JP H02295167A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image sensor
- light
- receiving element
- layer
- transparent
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、イメージセンサーとくに完全密着型イメージ
センサーに関する。
センサーに関する。
従来、サンドインチ型の受光素子を用いたイメージセン
サーにおいては，原稿の副走査方向に遮光膜の開口部を
設けている。このような構造のイメージセンサーにおい
ては，基板側より入射した光のうち受光素子から遠い部
分に入射した光は原稿から反射した光が受光素子まで充
分に到達しないため光の強度が充分に確保できないとい
う欠点があった。
サーにおいては，原稿の副走査方向に遮光膜の開口部を
設けている。このような構造のイメージセンサーにおい
ては，基板側より入射した光のうち受光素子から遠い部
分に入射した光は原稿から反射した光が受光素子まで充
分に到達しないため光の強度が充分に確保できないとい
う欠点があった。
これに対して副走査方向に採光部を広げても効果がなく
、又主走査方向に採光部を広げても解像度の関係から限
界があり、限度をこえるとセンサーのＳハが悪くなると
いう問題が生じた。
、又主走査方向に採光部を広げても解像度の関係から限
界があり、限度をこえるとセンサーのＳハが悪くなると
いう問題が生じた。
このような欠点を改良するため、原稿の主走査方向に受
光素子中にスリット状の採光部を設けたものが特開昭５
８− ３８０６１号として提案されている。しかしなが
ら，スリット形成のため受光素子の面積が小さくなりす
ぎ、結果として感度向上に余り寄与できないというのが
実状であった。
光素子中にスリット状の採光部を設けたものが特開昭５
８− ３８０６１号として提案されている。しかしなが
ら，スリット形成のため受光素子の面積が小さくなりす
ぎ、結果として感度向上に余り寄与できないというのが
実状であった。
本発明は、入射光を最も有効に活用した新しいイメージ
センサーを提供することを目的とするものである。
センサーを提供することを目的とするものである。
本発明のイメージセンサーは、透明絶縁基板上に，遮光
部を兼ねた下部電極、光導電型半導体層および透明上部
電極を順次積層してなる受光素子をもつイメージセンサ
ーにおいて，前記受光素子に複数の採光部を格子状に配
置することを特徴とするものである。
部を兼ねた下部電極、光導電型半導体層および透明上部
電極を順次積層してなる受光素子をもつイメージセンサ
ーにおいて，前記受光素子に複数の採光部を格子状に配
置することを特徴とするものである。
とくに、本発明は完全密着型イメージセンサーに適した
ものである。
ものである。
第１図、第２図を参照して本発明のイメージセンサーと
その製法を以下に説明する。
その製法を以下に説明する。
透明絶縁基板１上に、遮光性の導電層（たとえばＣｒ等
）からなる下部電極２を設け．所定の形状に加工する。
）からなる下部電極２を設け．所定の形状に加工する。
このときに受光素子を形成する部分には格子状の採光部
ｌＯも同時に形成する．下部電極２上に、水素化アモル
ファスシリコン、カルコゲナイドガラス等を原料とし，
プラズマＣｖＤ法，スパッタリング法、真空蒸着法など
の手段により光伝導性アモルファス半導体層３を形成す
る。アモルファス半導体層３と透明電極５の間にはオー
ミックコンタクトを形成するためＰ４あるいはｎ０の拡
散層４を形成してもよい。つぎに層間絶縁膜６を形成し
、さらにコンタクトホールを設けて上部電極７を透明電
極５と接続し、最終にパッシベーション膜８を形成する
。
ｌＯも同時に形成する．下部電極２上に、水素化アモル
ファスシリコン、カルコゲナイドガラス等を原料とし，
プラズマＣｖＤ法，スパッタリング法、真空蒸着法など
の手段により光伝導性アモルファス半導体層３を形成す
る。アモルファス半導体層３と透明電極５の間にはオー
ミックコンタクトを形成するためＰ４あるいはｎ０の拡
散層４を形成してもよい。つぎに層間絶縁膜６を形成し
、さらにコンタクトホールを設けて上部電極７を透明電
極５と接続し、最終にパッシベーション膜８を形成する
。
実施例ｌ
透明石英基板１上にスパッタリング法を用いてＣｒを２
０００人の厚みに形成し、遮光層兼下部電極２を形成し
、フォトリソ工法により第１図Ａ，Ｂにみられるように
所定の個所に格子状に採光部を形成した。
０００人の厚みに形成し、遮光層兼下部電極２を形成し
、フォトリソ工法により第１図Ａ，Ｂにみられるように
所定の個所に格子状に採光部を形成した。
つぎに，プラズマＣＶＤ法を用い、水素化アモルファス
シリコン１．０μｍよりなる半導体層３、Ｐ＋アモルフ
ァスシリコン層５００人よりなる拡散Ｍ４を形成し、さ
らにスパッタリング法により■丁０ １０００人よりな
る透明電極５を形成する。
シリコン１．０μｍよりなる半導体層３、Ｐ＋アモルフ
ァスシリコン層５００人よりなる拡散Ｍ４を形成し、さ
らにスパッタリング法により■丁０ １０００人よりな
る透明電極５を形成する。
プラズマＣＶＤ法により窒化けい素ｓｏｏｏ人よりなる
眉間絶縁層６を設け，ついで、眉間絶縁層上にＩＴＯ層
に達するコンタクトホールを形成してからスパッタリン
グによりＡＱを１μｍ厚で形成して上部電極７とする。
眉間絶縁層６を設け，ついで、眉間絶縁層上にＩＴＯ層
に達するコンタクトホールを形成してからスパッタリン
グによりＡＱを１μｍ厚で形成して上部電極７とする。
最終にプラズマｃｖＤ法により窒化けい素膜をつくり、
保護層（パッシベーション膜）８とした。
保護層（パッシベーション膜）８とした。
本実施例による完全密看型イメージセンサーは８ ｄｏ
ｔ／ｍｓ＋ ． １６ｄｏｔ／ｍ＋＋、２４ｄｏｔ／１
１０、３２ｄｏｔ／ｍｎ＋で受光部に対する採光部の面
積比は１／４とした。
ｔ／ｍｓ＋ ． １６ｄｏｔ／ｍ＋＋、２４ｄｏｔ／１
１０、３２ｄｏｔ／ｍｎ＋で受光部に対する採光部の面
積比は１／４とした。
本発明のセンサーではＳハが３０ｄＢを確保した。
実施例２
実施例１の完全密着型イメージセンサーでは、Ｃｒが共
通な下部電極２となっているが実施例２では第２図Ａ，
Ｂにみられるとおり、この部分にも採光部９を別に設け
ることによって光量を増加させた構造を持った完全密着
型イメージセンサーである．本実施例による完全密着型
イメージセンサーは、２４ｄｏｔ／ｗｍ、３２ｄｏｔ／
ｍ、３６ｄｏｔ／ｍ． ４８ｄｏｔ／ｗｅでいずれもＳ
／Ｎか３０ｄＢ以上となった． 〔効 果〕 本発明は、採取した光を極めて有効に活用できるので，
Ｓ／Ｎが向上する。このため，解像度の高い場合にとく
に有利である。
通な下部電極２となっているが実施例２では第２図Ａ，
Ｂにみられるとおり、この部分にも採光部９を別に設け
ることによって光量を増加させた構造を持った完全密着
型イメージセンサーである．本実施例による完全密着型
イメージセンサーは、２４ｄｏｔ／ｗｍ、３２ｄｏｔ／
ｍ、３６ｄｏｔ／ｍ． ４８ｄｏｔ／ｗｅでいずれもＳ
／Ｎか３０ｄＢ以上となった． 〔効 果〕 本発明は、採取した光を極めて有効に活用できるので，
Ｓ／Ｎが向上する。このため，解像度の高い場合にとく
に有利である。
第１図Ａ，Ｂは本発明の実施例１の完全密着型イメージ
センサーの平面図とその断面図であり、第２図Ａ，Ｂは
実施例２の完全密着型イメージセンサーの平面図と断面
図である。 第３図Ａ，Ｂは従来型の完全密着型イメージセンサーで
ある。 １・・・透明絶縁基板 ２・・・遮光層，下部電極３
・・・水素化アモルファスシリコン ４・・・ピアモルファスシリコン ５・・・透明電極 ６・・・層間絶縁膜７・・・
上部電極 ８・・・パッシベーション膜９・・
・従来タイプの採光窓 ｌＯ・・・本発明の格子状採光窓 特許出願人 株式会社 リ コ ー 第 ■ 図 （Ａ） ＜８） 第２ 図 （Ａ） （日）
センサーの平面図とその断面図であり、第２図Ａ，Ｂは
実施例２の完全密着型イメージセンサーの平面図と断面
図である。 第３図Ａ，Ｂは従来型の完全密着型イメージセンサーで
ある。 １・・・透明絶縁基板 ２・・・遮光層，下部電極３
・・・水素化アモルファスシリコン ４・・・ピアモルファスシリコン ５・・・透明電極 ６・・・層間絶縁膜７・・・
上部電極 ８・・・パッシベーション膜９・・
・従来タイプの採光窓 ｌＯ・・・本発明の格子状採光窓 特許出願人 株式会社 リ コ ー 第 ■ 図 （Ａ） ＜８） 第２ 図 （Ａ） （日）
Claims (1)
- １、透明絶縁基板上に、遮光部を兼ねた下部電極、光導
電型半導体層および透明上部電極を順次積層してなる受
光素子をもつイメージセンサーにおいて、前記受光素子
に複数の採光部を格子状に配置することを特徴とするイ
メージセンサー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1115569A JPH02295167A (ja) | 1989-05-09 | 1989-05-09 | イメージセンサー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1115569A JPH02295167A (ja) | 1989-05-09 | 1989-05-09 | イメージセンサー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02295167A true JPH02295167A (ja) | 1990-12-06 |
Family
ID=14665808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1115569A Pending JPH02295167A (ja) | 1989-05-09 | 1989-05-09 | イメージセンサー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02295167A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5352921A (en) * | 1991-03-18 | 1994-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and image sensor |
-
1989
- 1989-05-09 JP JP1115569A patent/JPH02295167A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5352921A (en) * | 1991-03-18 | 1994-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device and image sensor |
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