JPH02296345A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH02296345A JPH02296345A JP1116919A JP11691989A JPH02296345A JP H02296345 A JPH02296345 A JP H02296345A JP 1116919 A JP1116919 A JP 1116919A JP 11691989 A JP11691989 A JP 11691989A JP H02296345 A JPH02296345 A JP H02296345A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- lead
- leads
- resin
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の実装構造に関し、さらに詳しくは
半導体装置のリードの配置の改良に関する。
半導体装置のリードの配置の改良に関する。
半導体装置は、一般にリードフレームに設けたダイパッ
ドに半導体素子を取り付け、半導体素子の外部電極とリ
ードフレームの端子とをそれぞれワイヤで接続し、これ
をエポキシ樹脂の如き熱硬化性樹脂にて樹脂対１］二し
た後各端子を切断して製造している。
ドに半導体素子を取り付け、半導体素子の外部電極とリ
ードフレームの端子とをそれぞれワイヤで接続し、これ
をエポキシ樹脂の如き熱硬化性樹脂にて樹脂対１］二し
た後各端子を切断して製造している。
ところで、最近では電子機器の小型化、薄型化にともな
い、これに使用する半導体装置も高密度実装するために
、薄くかつ小型の半導体装置の出現が望まれている。こ
のような要請に答えるべく、フィルムキャリアのデバイ
スホールに半導体素子を配設し、通常長方形の半導体素
子の電極とフィルムキャリアのリードとを直接接続し、
これに液状の樹脂（例えばエポキシ樹脂）からなる封市
伺を印刷あるいはポツティングして樹脂対１［−シだ方
式の半導体装置が使用されるようになった。第４図はフ
ィルムキャリアを用いた半導体装置を説明するための平
面図である。図に於て、１は長さ方向に等間隔に、後述
の半導体素子６．６ａ、６ｂ、６ Ｃ％・・・の表面積
より大きい面積のデバイスホール２．２ａ、２ｂ、２Ｃ
１・・・が設けられた厚さ２５から１２５μｍ程度のフ
ィルムキャリア（以下フィルムという）である。３はフ
ィルム１に設けられた銅の如き導電率の高い厚さ１０〜
７０μｍ、幅３０〜２００μｍ程度の金属箔からなる多
数のり−ドで、その一部はデバイスホール内に突出して
自由端となっている。４はフィルム１を搬送するための
スプロケット穴である。
い、これに使用する半導体装置も高密度実装するために
、薄くかつ小型の半導体装置の出現が望まれている。こ
のような要請に答えるべく、フィルムキャリアのデバイ
スホールに半導体素子を配設し、通常長方形の半導体素
子の電極とフィルムキャリアのリードとを直接接続し、
これに液状の樹脂（例えばエポキシ樹脂）からなる封市
伺を印刷あるいはポツティングして樹脂対１［−シだ方
式の半導体装置が使用されるようになった。第４図はフ
ィルムキャリアを用いた半導体装置を説明するための平
面図である。図に於て、１は長さ方向に等間隔に、後述
の半導体素子６．６ａ、６ｂ、６ Ｃ％・・・の表面積
より大きい面積のデバイスホール２．２ａ、２ｂ、２Ｃ
１・・・が設けられた厚さ２５から１２５μｍ程度のフ
ィルムキャリア（以下フィルムという）である。３はフ
ィルム１に設けられた銅の如き導電率の高い厚さ１０〜
７０μｍ、幅３０〜２００μｍ程度の金属箔からなる多
数のり−ドで、その一部はデバイスホール内に突出して
自由端となっている。４はフィルム１を搬送するための
スプロケット穴である。
第５図は上記のようなフィルム１に半導体素子を取り付
ける装置の一例を示す模式図で、半導体素子塔載台５上
に載置された半導体素子６は、位置決めガイド７により
所定の位置に位置決めされる。一方、テープレール８に
ガイドされ、スプロケットにより紙面の垂直方向に送ら
れたフィルム］−は、そのデバイスホール２が半導体素
子６上に達した位置で停止して、半導体素子６に設けた
多数の電極つと、各り−１・′３とをそれぞれ整合させ
る。ついで加熱されたボンディングツール］Ｏを下降さ
せて各リード３を加圧し、所定の角度にフォーミングし
て各リード３と電極９を接合し接続する。次にフィルム
１を移動してそれぞれリード３を切断し、または第６図
に示す従来の半導体装置の断面図のごとくスキージ印刷
、ボッティング等により半導体素子６及びリード３の一
部を液状の封止樹脂を用いて封止して樹脂封止部１−１
を形成した後、リード３をリード保持用のフィルム１を
含み切断して半導体装置を製造していた。
ける装置の一例を示す模式図で、半導体素子塔載台５上
に載置された半導体素子６は、位置決めガイド７により
所定の位置に位置決めされる。一方、テープレール８に
ガイドされ、スプロケットにより紙面の垂直方向に送ら
れたフィルム］−は、そのデバイスホール２が半導体素
子６上に達した位置で停止して、半導体素子６に設けた
多数の電極つと、各り−１・′３とをそれぞれ整合させ
る。ついで加熱されたボンディングツール］Ｏを下降さ
せて各リード３を加圧し、所定の角度にフォーミングし
て各リード３と電極９を接合し接続する。次にフィルム
１を移動してそれぞれリード３を切断し、または第６図
に示す従来の半導体装置の断面図のごとくスキージ印刷
、ボッティング等により半導体素子６及びリード３の一
部を液状の封止樹脂を用いて封止して樹脂封止部１−１
を形成した後、リード３をリード保持用のフィルム１を
含み切断して半導体装置を製造していた。
上記のようにして製造された半導体装置は第７図に示す
ごとく多数のり一部３をプリンＩ・配線回路基板１−２
に設けた配線用の端子１３にそれぞれ半田付け、あるい
は導電性接着剤、異方性導電シートなどで接続していた
。
ごとく多数のり一部３をプリンＩ・配線回路基板１−２
に設けた配線用の端子１３にそれぞれ半田付け、あるい
は導電性接着剤、異方性導電シートなどで接続していた
。
しかし前述の従来技術ではリード３が樹脂封止部］］の
外方向に突き出しているために、外方向に突き出したリ
ード分の実装面積が広くなってしまうという問題点を有
する。そこで本発明はこのような問題点を解決するため
に為されたものであり、その目的はフィルムキャリア実
装した半導体装置において半導体素子の裏面に絶縁層を
配置して、半導体素子と接続したリードをＵ字状に曲げ
て半導体素子の側面を通り半導体素子裏面の絶縁層上に
配置して樹脂封止することにより、リードは樹脂封止部
より突き出すことなくしたがって実装面積も小さくする
ことのできる半導体装置を提供するところにある。
外方向に突き出しているために、外方向に突き出したリ
ード分の実装面積が広くなってしまうという問題点を有
する。そこで本発明はこのような問題点を解決するため
に為されたものであり、その目的はフィルムキャリア実
装した半導体装置において半導体素子の裏面に絶縁層を
配置して、半導体素子と接続したリードをＵ字状に曲げ
て半導体素子の側面を通り半導体素子裏面の絶縁層上に
配置して樹脂封止することにより、リードは樹脂封止部
より突き出すことなくしたがって実装面積も小さくする
ことのできる半導体装置を提供するところにある。
本発明の半導体装置は、半導体素子の裏面に絶縁層を配
置して、半導体素子と接続したリードをＵ字状に曲げて
半導体素子の側面を通り半導体素子裏面の絶縁層上に配
置して樹脂封止したことを特徴とする。
置して、半導体素子と接続したリードをＵ字状に曲げて
半導体素子の側面を通り半導体素子裏面の絶縁層上に配
置して樹脂封止したことを特徴とする。
本発明の」１記の構成によればリードが樹脂封止部より
突き出すことをな（することができるために、実装面積
を小さくすることが可能である。
突き出すことをな（することができるために、実装面積
を小さくすることが可能である。
第１図は本発明の一実施例を説明するための断面図であ
る。３はリード、６は半導体素子てあり、１１は樹脂封
止部である。半導体素子６の電極９に接続したり一部３
は、リード３を切断して半導体素子側面１４を通りＵ字
状に曲げて、半導体素子裏面１５に配置する。このとき
、リード保持用のフィルム１が絶縁層の役割を果たし、
半導体素子６と、リード３とのショートを防止する働き
をする。この後、リード３の、外部接続範囲１６を残し
て樹脂封止を行うことにより、従来の半導体装置に比較
して、受面積の半導体装置ができあがる。また第２図に
示すごとく半導体装Ｔ−６の裏面１５に、予め、絶縁の
ために、封止樹脂を塗布したり、リード３をＵ￥状に曲
げる際に、半導体素子６の裏面１５とリード３との間に
間隙を設けて成形し樹脂封止の際に間隙を樹脂にて充填
して半導体素子６とのンヨーＩ・を防止しても同様の効
果を得ることが出来る。第３図は本発明の半導体装置の
実装例であり、上記のごとくして製造された半導体装置
の外部接続範囲］６をそれぞれプリント配線基板１２に
設けた配線用の端子］３に半田付け、導電接着剤異方性
導電シートなどで接続して使用することかでき、従来に
比較して実装密度を高くすることが出来る。
る。３はリード、６は半導体素子てあり、１１は樹脂封
止部である。半導体素子６の電極９に接続したり一部３
は、リード３を切断して半導体素子側面１４を通りＵ字
状に曲げて、半導体素子裏面１５に配置する。このとき
、リード保持用のフィルム１が絶縁層の役割を果たし、
半導体素子６と、リード３とのショートを防止する働き
をする。この後、リード３の、外部接続範囲１６を残し
て樹脂封止を行うことにより、従来の半導体装置に比較
して、受面積の半導体装置ができあがる。また第２図に
示すごとく半導体装Ｔ−６の裏面１５に、予め、絶縁の
ために、封止樹脂を塗布したり、リード３をＵ￥状に曲
げる際に、半導体素子６の裏面１５とリード３との間に
間隙を設けて成形し樹脂封止の際に間隙を樹脂にて充填
して半導体素子６とのンヨーＩ・を防止しても同様の効
果を得ることが出来る。第３図は本発明の半導体装置の
実装例であり、上記のごとくして製造された半導体装置
の外部接続範囲］６をそれぞれプリント配線基板１２に
設けた配線用の端子］３に半田付け、導電接着剤異方性
導電シートなどで接続して使用することかでき、従来に
比較して実装密度を高くすることが出来る。
以上述べたごとく本発明によれば半導体素子の裏面に絶
縁層を設置して、半導体素子と接続したリードを、Ｕ字
状に曲げて、半導体素子の側面を通り半導体素子裏面の
絶縁層上に配置し、樹脂封止したことにより、従来の半
導体装置に比較して、リードを樹脂対Ｉ］一部より突き
出すことを無くして実装面積を小さく抑えるという効果
を有する。
縁層を設置して、半導体素子と接続したリードを、Ｕ字
状に曲げて、半導体素子の側面を通り半導体素子裏面の
絶縁層上に配置し、樹脂封止したことにより、従来の半
導体装置に比較して、リードを樹脂対Ｉ］一部より突き
出すことを無くして実装面積を小さく抑えるという効果
を有する。
を示す説明図、第６図及び第７図は従来の問題！、′λ
を説明するための断面図である。
を説明するための断面図である。
］ ・
２ ・
３ ・
６ ・
９ ・
１ ］ ・
１２ ・
］ ３ ・
１４ ・
１５・
１６・
フィルム
デバイスホール
リード
半導体素子
電極
樹脂封止部
プリント配線基板
配線用端子
側面
裏面
外部接続範囲
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図本発明
の他の実施例を示す断面図、第３図は本発明を用いた実
装例の断面図、第４図及び第５図はフィルムキャリアを
用いた半導体装置の製造側出願人 セイコーエプソン株
式会ｒ１ 代理人 弁理士 鈴 木 喜三部（他１名）−ｎ ４
の他の実施例を示す断面図、第３図は本発明を用いた実
装例の断面図、第４図及び第５図はフィルムキャリアを
用いた半導体装置の製造側出願人 セイコーエプソン株
式会ｒ１ 代理人 弁理士 鈴 木 喜三部（他１名）−ｎ ４
Claims (1)
- （１）フィルムキャリアの切り欠き部に半導体素子を配
設し、該半導体素子に設けた多数の電極に前記フィルム
キャリアのリードをそれぞれ接続して前記リードを切断
し、または前記半導体素子及びリードの一部を樹脂等に
より封止したのち前記リードを切断したことからなる半
導体装置に於て、前記半導体素子の裏面に絶縁層を配置
して、該半導体素子と接続した前記リードをＵ字形状に
曲げて該半導体素子の側面を通り前記半導体素子裏面の
絶縁層上に配置して樹脂封止しかつリードの一部が封止
樹脂より露出していることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1116919A JPH02296345A (ja) | 1989-05-10 | 1989-05-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1116919A JPH02296345A (ja) | 1989-05-10 | 1989-05-10 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02296345A true JPH02296345A (ja) | 1990-12-06 |
Family
ID=14698915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1116919A Pending JPH02296345A (ja) | 1989-05-10 | 1989-05-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02296345A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2762929A1 (fr) * | 1997-05-02 | 1998-11-06 | Nec Corp | Boitier de semi-conducteur ayant un element semi-conducteur, une structure de fixation de boitier de semi-conducteur montee sur une plaquette de circuits imprimes, et procede d'assemblage de boitier de semi-conducteur |
| EP0798780A3 (en) * | 1996-03-27 | 2000-09-13 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device, manufacturing method thereof and aggregate type semiconductor device |
-
1989
- 1989-05-10 JP JP1116919A patent/JPH02296345A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0798780A3 (en) * | 1996-03-27 | 2000-09-13 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device, manufacturing method thereof and aggregate type semiconductor device |
| US6208021B1 (en) | 1996-03-27 | 2001-03-27 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device, manufacturing method thereof and aggregate type semiconductor device |
| US6403398B2 (en) | 1996-03-27 | 2002-06-11 | Oki Electric Industry Co, Ltd. | Semiconductor device, manufacturing method thereof and aggregate type semiconductor device |
| FR2762929A1 (fr) * | 1997-05-02 | 1998-11-06 | Nec Corp | Boitier de semi-conducteur ayant un element semi-conducteur, une structure de fixation de boitier de semi-conducteur montee sur une plaquette de circuits imprimes, et procede d'assemblage de boitier de semi-conducteur |
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