JPH02296388A - 半導体発光素子の実装方法 - Google Patents
半導体発光素子の実装方法Info
- Publication number
- JPH02296388A JPH02296388A JP1118011A JP11801189A JPH02296388A JP H02296388 A JPH02296388 A JP H02296388A JP 1118011 A JP1118011 A JP 1118011A JP 11801189 A JP11801189 A JP 11801189A JP H02296388 A JPH02296388 A JP H02296388A
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- Japan
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- light
- semiconductor laser
- semiconductor light
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光ディスクや光通信などに用いられる半導体レ
ーザなどの半導体発光素子の実装方法に関する。
ーザなどの半導体発光素子の実装方法に関する。
従来の技術
半導体レーザは光ディスク、レーザプリンタ、バーコー
ドリーダなどに用いる光源あるいは光通信用の光源とし
て広く民生用機器や産業用機器に利用されている。
ドリーダなどに用いる光源あるいは光通信用の光源とし
て広く民生用機器や産業用機器に利用されている。
一般的に半導体レーザは電流を光に変換する変換効率（
量子効率）が高い。しかし、レーザ発振を起こすための
発振しきい電流値は周囲の温度の変化にともなって変化
するため半導体レーザに定電流源を接続するだけでは安
定して一定の光出力を得ることが困難であり、光出力を
ホトダイオードでモニターして光出力が一定になるよう
にしている。
量子効率）が高い。しかし、レーザ発振を起こすための
発振しきい電流値は周囲の温度の変化にともなって変化
するため半導体レーザに定電流源を接続するだけでは安
定して一定の光出力を得ることが困難であり、光出力を
ホトダイオードでモニターして光出力が一定になるよう
にしている。
第２図に光出力モニター用のホトダイオードを実装した
従来の半導体レーザの実装方法を示す。
従来の半導体レーザの実装方法を示す。
第２図において２０１は半導体レーザおよびホトダイオ
ードを接着するための支持体（ステム）であり、２０２
は半導体レーザチップ、２０３はホトダイオードチップ
である。第２図に示すように半導体レーザ２０２からは
前方および後方の両端面から光が出射する。半導体レー
ザ２０２の後方端面から出射した光はホトダイオード２
０３に入射して電気信号に変換される。ホトダイオード
２０３で反射された光が半導体レーザ２０２に入射する
と半導体レーザ２０２の雑音が増加してしまうのでホト
ダイオード２０３を接着する支持体２０１の表面はホト
ダイオード２０３で反射された光が半導体レーザ２０２
に再び入射することのないように半導体レーザ２０２の
主面とは９００以外の角度に傾斜するように形成されて
いる。半導体レーザ２０２およびホトダイオード２０３
の電極からはそれぞれリード線２０４および２０Ｆ５に
ワイヤー（Ａｕ）２０Ｂおよび２０７がボンディングさ
れる。
ードを接着するための支持体（ステム）であり、２０２
は半導体レーザチップ、２０３はホトダイオードチップ
である。第２図に示すように半導体レーザ２０２からは
前方および後方の両端面から光が出射する。半導体レー
ザ２０２の後方端面から出射した光はホトダイオード２
０３に入射して電気信号に変換される。ホトダイオード
２０３で反射された光が半導体レーザ２０２に入射する
と半導体レーザ２０２の雑音が増加してしまうのでホト
ダイオード２０３を接着する支持体２０１の表面はホト
ダイオード２０３で反射された光が半導体レーザ２０２
に再び入射することのないように半導体レーザ２０２の
主面とは９００以外の角度に傾斜するように形成されて
いる。半導体レーザ２０２およびホトダイオード２０３
の電極からはそれぞれリード線２０４および２０Ｆ５に
ワイヤー（Ａｕ）２０Ｂおよび２０７がボンディングさ
れる。
発明が解決しようとする課題
」二連の従来の半導体レーザの実装方法において、半導
体レーザ２０２およびホトダイオード２０３は互いにほ
ぼ９０’異なる角度で支持体２０１に接着される。した
がって半導体レーザ２０２およびホトダイオード２０３
を接着する場合それぞれにチップを接着しやすいように
支持体２０１の向きを変えて接着しなければならなかっ
た。またワイヤー２０６および２０７のボンディングの
際も同様であり作業が複雑であった。
体レーザ２０２およびホトダイオード２０３は互いにほ
ぼ９０’異なる角度で支持体２０１に接着される。した
がって半導体レーザ２０２およびホトダイオード２０３
を接着する場合それぞれにチップを接着しやすいように
支持体２０１の向きを変えて接着しなければならなかっ
た。またワイヤー２０６および２０７のボンディングの
際も同様であり作業が複雑であった。
また従来の半導体レーザの実装方法においては半導体レ
ーザ２０２とホトダイオード２０３との距離を接近させ
ることは困難であり、ホトダイオード２０３の受光効率
を」二げるために大きな受光面積のホトダイオードを必
要としていた。
ーザ２０２とホトダイオード２０３との距離を接近させ
ることは困難であり、ホトダイオード２０３の受光効率
を」二げるために大きな受光面積のホトダイオードを必
要としていた。
課題を解決するための手段
本発明は上述のような従来の半導体レーザの実装方法に
おける課題を解決するためになされたもので、端面発光
型半導体発光素子を接着するための支持体の一部に前記
半導体発光素子の後方からの出射光を反射するための傾
斜部を有し、前記傾斜部で反射された前記出射光をホト
ダイオードに入射させるという手段を有する。
おける課題を解決するためになされたもので、端面発光
型半導体発光素子を接着するための支持体の一部に前記
半導体発光素子の後方からの出射光を反射するための傾
斜部を有し、前記傾斜部で反射された前記出射光をホト
ダイオードに入射させるという手段を有する。
作用
このような手段により本発明は、半導体レーザチップと
ホトダイオードチップとが互いの主面が平行になるよう
に配置することができるのでチップの接着およびワイヤ
ーのボンディングの工程が簡略化されるという作用を存
する。
ホトダイオードチップとが互いの主面が平行になるよう
に配置することができるのでチップの接着およびワイヤ
ーのボンディングの工程が簡略化されるという作用を存
する。
また半導体レーザとホトダイオードとの距離を接近させ
ることができるので小さな受光面積のホトダイオードで
高い受光効率を得ることができるという作用もをする。
ることができるので小さな受光面積のホトダイオードで
高い受光効率を得ることができるという作用もをする。
実施例
以下本発明を実施例にしたがって説明する。第１図に本
発明の一実施例の半導体発光素子の実装方法を示す。第
１図（ａ）において１０１は半導体レーザおよびホトダ
イオードを接着するための支持体（ステム）であり、１
０２は半導体レーザチップ、 １０４はホトダイオード
チップ、 １０５および１０６はリード線、１０７およ
び１０８はそれぞれ半導体レーザチップ１０２およびホ
トダイオード１０４とリード線１０５および１０６を接
続するワイヤーである。第１図（ｂ）にＡ（第１図（ａ
）に表示）の矢印の方向からみた半導体レーザチップ１
０２の周囲の拡大図を示す。第１図（ｂ）に示すように
半導体レーザ１０２からは前方及び後方の両端面から光
９．Ｑ２が出射する。
発明の一実施例の半導体発光素子の実装方法を示す。第
１図（ａ）において１０１は半導体レーザおよびホトダ
イオードを接着するための支持体（ステム）であり、１
０２は半導体レーザチップ、 １０４はホトダイオード
チップ、 １０５および１０６はリード線、１０７およ
び１０８はそれぞれ半導体レーザチップ１０２およびホ
トダイオード１０４とリード線１０５および１０６を接
続するワイヤーである。第１図（ｂ）にＡ（第１図（ａ
）に表示）の矢印の方向からみた半導体レーザチップ１
０２の周囲の拡大図を示す。第１図（ｂ）に示すように
半導体レーザ１０２からは前方及び後方の両端面から光
９．Ｑ２が出射する。
半導体レーザ１０２の後方端面から出射した光２１は半
導体レーザ１０２の後方に設けられた傾斜部１０３によ
って反射され光路が曲げられる。傾斜部１０３によって
反射した光は図に示すようにポトダイオード１０４の主
面（受光面）１０に入射する。傾斜部１０３は支持体１
０１を切削して形成することも可能であるが、例えば厚
さ２００μｍのシリコン基板１１３をテーパー状にエツ
チングしたのちたとえば表面にＣｒ ／ Ａ ｕを蒸着
して、第１図（ｂ）に示すように支持体１０１に半田で
接着することにより形成できる。ホトダイオード１０４
は第１図（ｂ）に示すように受光面となる主面１０を傾
斜部１０３側に向け、傾斜部１０３に覆いかぶさるよう
に、支持体１０１の平坦部あるいは傾斜部を設けたシリ
コン基板１１３の平坦部に接着する。
導体レーザ１０２の後方に設けられた傾斜部１０３によ
って反射され光路が曲げられる。傾斜部１０３によって
反射した光は図に示すようにポトダイオード１０４の主
面（受光面）１０に入射する。傾斜部１０３は支持体１
０１を切削して形成することも可能であるが、例えば厚
さ２００μｍのシリコン基板１１３をテーパー状にエツ
チングしたのちたとえば表面にＣｒ ／ Ａ ｕを蒸着
して、第１図（ｂ）に示すように支持体１０１に半田で
接着することにより形成できる。ホトダイオード１０４
は第１図（ｂ）に示すように受光面となる主面１０を傾
斜部１０３側に向け、傾斜部１０３に覆いかぶさるよう
に、支持体１０１の平坦部あるいは傾斜部を設けたシリ
コン基板１１３の平坦部に接着する。
以上の説明からもわかるように本発明によれば半導体レ
ーザ１０２の主面１１とホトダイオード１０４の主面１
０とが互いに平行になるように配置することができるの
で、従来のように支持体を回転させることなく半導体レ
ーザ１０２とホトダイオード１０４を支持体に接着する
ことができる。
ーザ１０２の主面１１とホトダイオード１０４の主面１
０とが互いに平行になるように配置することができるの
で、従来のように支持体を回転させることなく半導体レ
ーザ１０２とホトダイオード１０４を支持体に接着する
ことができる。
さらにワイヤー１０７．１０８をリード線１０５．１０
６に接続する際も同様に支持体１０１の向きを変える必
要がないので組み立て作業が簡単になる。
６に接続する際も同様に支持体１０１の向きを変える必
要がないので組み立て作業が簡単になる。
またこのようにすることによって半導体レーザ１０２と
ホトダイオード１０４との距離を従来の約３ｍｍから１
ｍｍ以内に接近させることができるのでホトダイオード
の受光面積を小さくすることができ、さらに後方から出
射した光をほとんどすべてホトダイオードに入射させる
ことができるのでホトダイオードの受光効率も良くなる
。
ホトダイオード１０４との距離を従来の約３ｍｍから１
ｍｍ以内に接近させることができるのでホトダイオード
の受光面積を小さくすることができ、さらに後方から出
射した光をほとんどすべてホトダイオードに入射させる
ことができるのでホトダイオードの受光効率も良くなる
。
第１図（Ｃ）に傾斜部を凹面鏡にした場合の本発明の他
の実施例を半導体レーザチップの周囲の拡大図で示す。
の実施例を半導体レーザチップの周囲の拡大図で示す。
第１図（Ｃ）では傾斜部と半導体レーザ１０２を接着す
るサブマウントを一体化した一例を示す。傾斜部は例え
ば厚さ３００μｍのシリコン基板１２３をテーパー状に
曲率をもたせてエツチングしたのちたとえば表面にＣｒ
／ Ａ ｕを蒸着して、第１図（Ｃ）に示すように支
持体１０１に半田で接着することにより形成できる。ホ
トダイオード１０４は第１図（Ｃ）に示すように受光面
となる主面を傾斜部１０３側に向け、傾斜部１０３に覆
いかぶさるように、傾斜部を設けたシリコン基板１２３
の平坦部に接着する。
るサブマウントを一体化した一例を示す。傾斜部は例え
ば厚さ３００μｍのシリコン基板１２３をテーパー状に
曲率をもたせてエツチングしたのちたとえば表面にＣｒ
／ Ａ ｕを蒸着して、第１図（Ｃ）に示すように支
持体１０１に半田で接着することにより形成できる。ホ
トダイオード１０４は第１図（Ｃ）に示すように受光面
となる主面を傾斜部１０３側に向け、傾斜部１０３に覆
いかぶさるように、傾斜部を設けたシリコン基板１２３
の平坦部に接着する。
半導体レーザ１０２の後方から出射した光がホトダイオ
ード１０４の主面（受光面）に集光されるようにシリコ
ン基板１２３に設けた傾斜部１０３の曲率を調整すると
ホトダイオードの受光効率は第１図（ｂ）に示した本発
明の一実施例よりもさらに良くなり、受光面積も小さく
てすむ。
ード１０４の主面（受光面）に集光されるようにシリコ
ン基板１２３に設けた傾斜部１０３の曲率を調整すると
ホトダイオードの受光効率は第１図（ｂ）に示した本発
明の一実施例よりもさらに良くなり、受光面積も小さく
てすむ。
また第１図（Ｃ）のようにするとホトダイオード１０４
に対して光は斜めに入射するのでホトダイオード１０４
で反射された光が半導体レーザ１０２に入射して半導体
レーザ１０２の雑音を増加させることもない。
に対して光は斜めに入射するのでホトダイオード１０４
で反射された光が半導体レーザ１０２に入射して半導体
レーザ１０２の雑音を増加させることもない。
発明の効果
以」−述べてきたように本発明は、端面発光型半導体発
光素子を接着するための支持体の一部に光出力モニター
光を反則するための傾斜部を有し、前記傾斜部で反射さ
れた前記モニター光をホトダイオードに入射させるとい
う構成により、半導体レーザチップとホトダイオ−トチ
・ツブとが互いの主面が平行になるように配置すること
ができるのでチップの接着およびワイヤーのボンディン
グの工程が簡略化されるという効果を有する。
光素子を接着するための支持体の一部に光出力モニター
光を反則するための傾斜部を有し、前記傾斜部で反射さ
れた前記モニター光をホトダイオードに入射させるとい
う構成により、半導体レーザチップとホトダイオ−トチ
・ツブとが互いの主面が平行になるように配置すること
ができるのでチップの接着およびワイヤーのボンディン
グの工程が簡略化されるという効果を有する。
また半導体レーザとホトダイオードとの距離を接近させ
ることができるので小さな受光面積のホトダイオードで
高い受光効率を得ることができるという効果も有する。
ることができるので小さな受光面積のホトダイオードで
高い受光効率を得ることができるという効果も有する。
第１図（ａ）は本発明の半導体レーザの実装方法を用い
た装置の概略斜視図、第１図（ｂＬ （Ｃ）は本発明
の一実施例および他の実施例の半導体レーザの実装方法
により作成さ−れた装置の要部断面図、第２図は従来の
半導体レーザの実装方法により作成された装置の概略斜
視図である。 １０１・拳・支持体、１０２・１１φ半導体レーザチッ
プ、 １０３・・・傾斜部、 １０４−・・ホトダイオ
ード、 １１３、１２３・・・シリコン基板。
た装置の概略斜視図、第１図（ｂＬ （Ｃ）は本発明
の一実施例および他の実施例の半導体レーザの実装方法
により作成さ−れた装置の要部断面図、第２図は従来の
半導体レーザの実装方法により作成された装置の概略斜
視図である。 １０１・拳・支持体、１０２・１１φ半導体レーザチッ
プ、 １０３・・・傾斜部、 １０４−・・ホトダイオ
ード、 １１３、１２３・・・シリコン基板。
Claims (5)
- （１）端面発光型半導体発光素子を接着するための支持
体の一部に前記半導体発光素子の後方からの出射光を反
射するための傾斜部を有し、前記傾斜部で反射された前
記出射光をホトダイオードに入射させることを特徴とす
る半導体発光素子の実装方法。 - （２）半導体発光素子とホトダイオードの主面を互いに
平行に実装することを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の半導体発光素子の実装方法。 - （３）傾斜部が結晶をエッチングすることにより形成さ
れたものであることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の半導体発光素子の実装方法。 - （４）結晶の主面にホトダイオードの主面を接着するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の半導体発光
素子の実装方法。 - （５）傾斜部が曲率をもつ凹面を形成していることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体発光素子の
実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1118011A JPH02296388A (ja) | 1989-05-11 | 1989-05-11 | 半導体発光素子の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1118011A JPH02296388A (ja) | 1989-05-11 | 1989-05-11 | 半導体発光素子の実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02296388A true JPH02296388A (ja) | 1990-12-06 |
Family
ID=14725849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1118011A Pending JPH02296388A (ja) | 1989-05-11 | 1989-05-11 | 半導体発光素子の実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02296388A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5875205A (en) * | 1993-12-22 | 1999-02-23 | Siemens Aktiengesellschaft | Optoelectronic component and method for the manufacture thereof |
-
1989
- 1989-05-11 JP JP1118011A patent/JPH02296388A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5875205A (en) * | 1993-12-22 | 1999-02-23 | Siemens Aktiengesellschaft | Optoelectronic component and method for the manufacture thereof |
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