JPH05183239A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH05183239A JPH05183239A JP92231A JP23192A JPH05183239A JP H05183239 A JPH05183239 A JP H05183239A JP 92231 A JP92231 A JP 92231A JP 23192 A JP23192 A JP 23192A JP H05183239 A JPH05183239 A JP H05183239A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- submount
- semiconductor laser
- laser device
- resonator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｊ／Ｄに組み立てられた半導体レーザ装置に
おいて、ＬＤチップから出射したレーザ光をサブマウン
ト表面で反射させることなく、直接光としてＰＤチップ
へ入射させる。 【構成】 サブマウント２の共振器長方向の寸法をＬＤ
チップ１の共振器長サイズより小さくし、サブマウント
２の両端をＬＤチップ１の両端面１０よりそれぞれ内側
に位置させた構成とし、ＰＤチップへ直接光のみを入射
させることにより、環境試験等による特性変動のない信
頼度の高い半導体レーザ装置を得ることを特徴としてい
る。
おいて、ＬＤチップから出射したレーザ光をサブマウン
ト表面で反射させることなく、直接光としてＰＤチップ
へ入射させる。 【構成】 サブマウント２の共振器長方向の寸法をＬＤ
チップ１の共振器長サイズより小さくし、サブマウント
２の両端をＬＤチップ１の両端面１０よりそれぞれ内側
に位置させた構成とし、ＰＤチップへ直接光のみを入射
させることにより、環境試験等による特性変動のない信
頼度の高い半導体レーザ装置を得ることを特徴としてい
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ装置に係
り、特にＬＤ（半導体レーザ）チップを搭載するサブマ
ウントの構造に関するものである。
り、特にＬＤ（半導体レーザ）チップを搭載するサブマ
ウントの構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来のＬＤチップが組み込まれた
半導体レーザ装置の構成を示す断面図であり、図４はＬ
Ｄチップが従来のサブマウントにマウントされた状態を
示す断面図である。これらの図において、１はＬＤチッ
プ、２はこのＬＤチップ１がマウントされたサブマウン
ト、３は放熱用ブロック、４はモニタ用のフォトダイオ
ード（ＰＤ）チップ、５はステム、６はワイヤで、ＰＤ
チップ４とリード線７を接続する。８はキャップ、９は
前記ＬＤチップ１の能動領域である活性層、１０はサブ
マウント基体、１１はこのサブマウント基体１０の表面
に形成された半田層である。
半導体レーザ装置の構成を示す断面図であり、図４はＬ
Ｄチップが従来のサブマウントにマウントされた状態を
示す断面図である。これらの図において、１はＬＤチッ
プ、２はこのＬＤチップ１がマウントされたサブマウン
ト、３は放熱用ブロック、４はモニタ用のフォトダイオ
ード（ＰＤ）チップ、５はステム、６はワイヤで、ＰＤ
チップ４とリード線７を接続する。８はキャップ、９は
前記ＬＤチップ１の能動領域である活性層、１０はサブ
マウント基体、１１はこのサブマウント基体１０の表面
に形成された半田層である。
【０００３】次に、動作について説明する。図３におい
て、ＬＤチップ１は熱応力緩和材としてのサブマウント
２を介して放熱用ブロック３に組み立てられ、放熱用ブ
ロック３はモニタ用のＰＤチップ４がすでに組み込まれ
たステム５に組み立てられる。ＬＤチップ１およびＰＤ
チップ４はワイヤ６によりリード線７と電気的に接続さ
れる。最後にステム５に上面から覆うようにキャップ８
が取り付けられ、組立が完了する。図４に示すように、
ＬＤチップ１は、熱特性の向上をはかるため、熱源であ
るＬＤチップ１の活性層９がサブマウント２に近くなる
ように、ジャンクション・ダウン方式（Junction-down:
Ｊ／Ｄ）で組み立てられるのが一般的である。前記サブ
マウント２は、サブマウント基体１０の最表面に半田層
１１が形成された構造となっており、ＬＤチップ１，サ
ブマウント２，放熱用ブロック３が同時に接着される。
図３に示すように、リード線７に電圧を印加するとＬＤ
チップ１に電流が流れ、レーザ発振によりＬＤチップ１
の共振器の両端面から図３中の矢印のごとく、レーザ光
が２方向に放射される。一方のレーザ光は光システム用
の光源として用いられ、もう一方のレーザ光はＰＤチッ
プ４に入射し、モニタされることにより、前方に出射さ
れるレーザ光の出力制御に用いられる。ここで、ＰＤチ
ップ４に入射されるレーザ光は、図４に示すように、Ｌ
Ｄチップ１の活性層９から出射されたレーザ光の直接光
と、サブマウント２の最表面である半田層１１で反射さ
れた反射光とが合成された光となる。
て、ＬＤチップ１は熱応力緩和材としてのサブマウント
２を介して放熱用ブロック３に組み立てられ、放熱用ブ
ロック３はモニタ用のＰＤチップ４がすでに組み込まれ
たステム５に組み立てられる。ＬＤチップ１およびＰＤ
チップ４はワイヤ６によりリード線７と電気的に接続さ
れる。最後にステム５に上面から覆うようにキャップ８
が取り付けられ、組立が完了する。図４に示すように、
ＬＤチップ１は、熱特性の向上をはかるため、熱源であ
るＬＤチップ１の活性層９がサブマウント２に近くなる
ように、ジャンクション・ダウン方式（Junction-down:
Ｊ／Ｄ）で組み立てられるのが一般的である。前記サブ
マウント２は、サブマウント基体１０の最表面に半田層
１１が形成された構造となっており、ＬＤチップ１，サ
ブマウント２，放熱用ブロック３が同時に接着される。
図３に示すように、リード線７に電圧を印加するとＬＤ
チップ１に電流が流れ、レーザ発振によりＬＤチップ１
の共振器の両端面から図３中の矢印のごとく、レーザ光
が２方向に放射される。一方のレーザ光は光システム用
の光源として用いられ、もう一方のレーザ光はＰＤチッ
プ４に入射し、モニタされることにより、前方に出射さ
れるレーザ光の出力制御に用いられる。ここで、ＰＤチ
ップ４に入射されるレーザ光は、図４に示すように、Ｌ
Ｄチップ１の活性層９から出射されたレーザ光の直接光
と、サブマウント２の最表面である半田層１１で反射さ
れた反射光とが合成された光となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の半導体
レーザ装置においては、活性層９がサブマウント２側に
接近されたＪ／Ｄ方式で組み立てられているため、半田
層１１で反射したレーザ光のＰＤチップ４に入射した光
は、特に環境試験等に用いた場合には、半田層１１の表
面状態が変化するため、ＰＤチップ４に入射する光の状
態が不安定となり、ＬＤチップ１の前方向に出射される
レーザ光の出力制御を行う上で問題があった。また、上
記経時的変化のみならず製造時にサブマウント２表面の
半田層１１による活性層９へのショート等の発生による
歩留り低下等の問題点もあった。
レーザ装置においては、活性層９がサブマウント２側に
接近されたＪ／Ｄ方式で組み立てられているため、半田
層１１で反射したレーザ光のＰＤチップ４に入射した光
は、特に環境試験等に用いた場合には、半田層１１の表
面状態が変化するため、ＰＤチップ４に入射する光の状
態が不安定となり、ＬＤチップ１の前方向に出射される
レーザ光の出力制御を行う上で問題があった。また、上
記経時的変化のみならず製造時にサブマウント２表面の
半田層１１による活性層９へのショート等の発生による
歩留り低下等の問題点もあった。
【０００５】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、ＬＤチップから出射されたレー
ザ光のモニタ用のＰＤチップへの入射光量が安定となる
半導体レーザ装置を得ることを目的とする。
ためになされたもので、ＬＤチップから出射されたレー
ザ光のモニタ用のＰＤチップへの入射光量が安定となる
半導体レーザ装置を得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体レー
ザ装置は、ＬＤ共振器方向のサブマウント寸法をＬＤチ
ップの共振器長よりも小さくしてサブマウントの両端を
ＬＤチップの両端面よりそれぞれ内側に位置させたもの
である。
ザ装置は、ＬＤ共振器方向のサブマウント寸法をＬＤチ
ップの共振器長よりも小さくしてサブマウントの両端を
ＬＤチップの両端面よりそれぞれ内側に位置させたもの
である。
【０００７】また、サブマウント寸法をＬＤチップの共
振器長よりも小さくする手段として、サブマウントのＬ
Ｄチップの対向面側に段差を形成することにより行った
ものである。
振器長よりも小さくする手段として、サブマウントのＬ
Ｄチップの対向面側に段差を形成することにより行った
ものである。
【０００８】
【作用】本発明においては、ＬＤチップから出射された
レーザ光はサブマウントに反射することなく直接光とし
て、ＰＤチップに入射される。
レーザ光はサブマウントに反射することなく直接光とし
て、ＰＤチップに入射される。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図について説明す
る。図１は本発明の一実施例によるＬＤチップとサブマ
ウントの関係を示す断面図である。図１において、図
３、図４と同一符号は同一構成部分を示すが、本実施例
ではサブマウント基体１０のＬＤ共振器方向のサブマウ
ント寸法Ｌ10をＬＤチップ１の共振器長Ｌ1 より小さく
形成し、サブマウント２の端面２ａがＬＤチップ１の共
振器の端面１ａの内側になるように取り付けたものであ
る。
る。図１は本発明の一実施例によるＬＤチップとサブマ
ウントの関係を示す断面図である。図１において、図
３、図４と同一符号は同一構成部分を示すが、本実施例
ではサブマウント基体１０のＬＤ共振器方向のサブマウ
ント寸法Ｌ10をＬＤチップ１の共振器長Ｌ1 より小さく
形成し、サブマウント２の端面２ａがＬＤチップ１の共
振器の端面１ａの内側になるように取り付けたものであ
る。
【００１０】半導体レーザ装置の基本動作については従
来例で述べたので省略する。図１に示すような本発明に
よるサブマウント２を用いてＬＤチップ１をＪ／Ｄに組
み立てた場合、ＬＤチップ１の活性層９から出射された
レーザ光は、サブマウント２の半田層１１で反射するこ
となく、モニタ用のＰＤチップ４に入射するので、環境
試験によるモニタ用のＰＤチップ４への入射光は安定
し、信頼性の高い半導体レーザ装置が得られる。
来例で述べたので省略する。図１に示すような本発明に
よるサブマウント２を用いてＬＤチップ１をＪ／Ｄに組
み立てた場合、ＬＤチップ１の活性層９から出射された
レーザ光は、サブマウント２の半田層１１で反射するこ
となく、モニタ用のＰＤチップ４に入射するので、環境
試験によるモニタ用のＰＤチップ４への入射光は安定
し、信頼性の高い半導体レーザ装置が得られる。
【００１１】図２は本発明の他の実施例を示す断面図
で、サブマウント２全体の寸法は従来例と同じ寸法であ
るが、ＬＤチップ１の対向面側、つまり共振器後端面部
に対応する部分を切り欠いて段差１２を設けることによ
り、サブマウント寸法Ｌ10をＬＤチップ１の共振器長Ｌ
1 より小さくしたものであり、作用としては、図１の実
施例と同様である。なお、図２の実施例で、反対側（図
２の左側）に段差１２を設けることもできる。
で、サブマウント２全体の寸法は従来例と同じ寸法であ
るが、ＬＤチップ１の対向面側、つまり共振器後端面部
に対応する部分を切り欠いて段差１２を設けることによ
り、サブマウント寸法Ｌ10をＬＤチップ１の共振器長Ｌ
1 より小さくしたものであり、作用としては、図１の実
施例と同様である。なお、図２の実施例で、反対側（図
２の左側）に段差１２を設けることもできる。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、サブマ
ウント寸法をＬＤチップの共振器長より小さくしてサブ
マウントの両端をＬＤチップの両端面よりそれぞれ内側
に位置させたので、ＬＤチップから出射されたレーザ光
がサブマウントの半田層で反射することなく、直接光の
みがＰＤチップに入射する。したがって、環境試験等に
より半田層の表面状態が変化したとしても、その変化の
影響を受けることがなくなり、信頼性の高い半導体レー
ザ装置が得られる効果がある。
ウント寸法をＬＤチップの共振器長より小さくしてサブ
マウントの両端をＬＤチップの両端面よりそれぞれ内側
に位置させたので、ＬＤチップから出射されたレーザ光
がサブマウントの半田層で反射することなく、直接光の
みがＰＤチップに入射する。したがって、環境試験等に
より半田層の表面状態が変化したとしても、その変化の
影響を受けることがなくなり、信頼性の高い半導体レー
ザ装置が得られる効果がある。
【００１３】また、サブマウントのＬＤチップの対向面
側に段差を形成してサブマウント寸法をＬＤチップの共
振器長より小さくしたので、既存のサブマウントに若干
の加工を施すことで使用可能である利点がある。
側に段差を形成してサブマウント寸法をＬＤチップの共
振器長より小さくしたので、既存のサブマウントに若干
の加工を施すことで使用可能である利点がある。
【図１】本発明の一実施例による半導体レーザ装置のＬ
Ｄチップがサブマウントにダイボンドされた状態を示す
断面図である。
Ｄチップがサブマウントにダイボンドされた状態を示す
断面図である。
【図２】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図３】従来の半導体レーザ装置を示す断面図である。
【図４】従来のＬＤチップのサブマウントへのダイボン
ド状態を示す断面図である。
ド状態を示す断面図である。
１ ＬＤチップ １ａ 端面 ２ サブマウント ２ａ 端面 ３ 放熱用ブロック ４ ＰＤチップ ５ ステム ６ ワイヤ ７ リード線 ８ キャップ ９ 活性層 １０ サブマウント基体 １１ 半田層 １２ 段差
Claims (2)
- 【請求項１】 両端面からそれぞれレーザ光を放射する
ＬＤチップを熱応力緩和材としてのサブマウントを介し
て放熱用ブロックに組み立てた半導体レーザ装置におい
て、前記サブマウントのＬＤ共振器方向のサブマウント
寸法を前記ＬＤチップの共振器長よりも小さくして前記
サブマウントの両端を前記ＬＤチップの両端面よりそれ
ぞれ内側に位置させたことを特徴とする半導体レーザ装
置。 - 【請求項２】 両端面からそれぞれレーザ光を放射する
ＬＤチップを熱応力緩和材としてのサブマウントを介し
て放熱用ブロックに組み立てた半導体レーザ装置におい
て、前記サブマウントのＬＤチップの対向面側に段差を
形成し、前記サブマウントのＬＤ共振器方向のサブマウ
ント寸法を前記ＬＤチップの共振器長よりも小さくして
前記サブマウントの両端を前記ＬＤチップの両端面より
それぞれ内側に位置させたことを特徴とする半導体レー
ザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP92231A JPH05183239A (ja) | 1992-01-06 | 1992-01-06 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP92231A JPH05183239A (ja) | 1992-01-06 | 1992-01-06 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05183239A true JPH05183239A (ja) | 1993-07-23 |
Family
ID=11468197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP92231A Pending JPH05183239A (ja) | 1992-01-06 | 1992-01-06 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05183239A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001237481A (ja) * | 2000-02-24 | 2001-08-31 | Citizen Electronics Co Ltd | レーザダイオード用マウント構造及びその実装方法 |
| JP2006128558A (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Sony Corp | 半導体レーザ、半導体レーザの実装方法、半導体レーザ実装構造体および光ディスク装置 |
| JP2007189075A (ja) * | 2006-01-13 | 2007-07-26 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子、半導体レーザ素子の実装構造、半導体レーザ素子の製造方法及び半導体レーザ素子の実装方法 |
| US7729402B2 (en) | 2002-10-29 | 2010-06-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser assembly |
| WO2019180773A1 (ja) * | 2018-03-19 | 2019-09-26 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPWO2023276624A1 (ja) * | 2021-06-30 | 2023-01-05 | ||
| DE112020007153T5 (de) | 2020-08-12 | 2023-03-02 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleiterlasermaschine |
-
1992
- 1992-01-06 JP JP92231A patent/JPH05183239A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001237481A (ja) * | 2000-02-24 | 2001-08-31 | Citizen Electronics Co Ltd | レーザダイオード用マウント構造及びその実装方法 |
| US7729402B2 (en) | 2002-10-29 | 2010-06-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser assembly |
| JP2006128558A (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Sony Corp | 半導体レーザ、半導体レーザの実装方法、半導体レーザ実装構造体および光ディスク装置 |
| JP2007189075A (ja) * | 2006-01-13 | 2007-07-26 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子、半導体レーザ素子の実装構造、半導体レーザ素子の製造方法及び半導体レーザ素子の実装方法 |
| WO2019180773A1 (ja) * | 2018-03-19 | 2019-09-26 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPWO2019180773A1 (ja) * | 2018-03-19 | 2020-04-23 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| DE112020007153T5 (de) | 2020-08-12 | 2023-03-02 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleiterlasermaschine |
| US11699890B2 (en) | 2020-08-12 | 2023-07-11 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor laser machine |
| JPWO2023276624A1 (ja) * | 2021-06-30 | 2023-01-05 | ||
| WO2023276624A1 (ja) * | 2021-06-30 | 2023-01-05 | 京セラ株式会社 | 発光体、発光体の製造方法および製造装置、発光素子およびその製造方法、並びに電子機器 |
| JP2025090672A (ja) * | 2021-06-30 | 2025-06-17 | 京セラ株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
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