JPH02296765A - 非磁性基板材料 - Google Patents
非磁性基板材料Info
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- JPH02296765A JPH02296765A JP1117352A JP11735289A JPH02296765A JP H02296765 A JPH02296765 A JP H02296765A JP 1117352 A JP1117352 A JP 1117352A JP 11735289 A JP11735289 A JP 11735289A JP H02296765 A JPH02296765 A JP H02296765A
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、薄膜磁気ヘッド用の非磁性基板材料に関する
ものである。
ものである。
コンピュータ記録再生用磁気ヘッド、ＶＴＲテープの録
画再生用磁気ヘッド、ＰＣＭ録音テープ用ヘッド、電子
カメラ用ヘッド等の高密度記録用磁気ヘッドとして、従
来のフェライトおよびセンダストを使用したヘッドに代
わって薄膜磁気ヘッドが注目されている。
画再生用磁気ヘッド、ＰＣＭ録音テープ用ヘッド、電子
カメラ用ヘッド等の高密度記録用磁気ヘッドとして、従
来のフェライトおよびセンダストを使用したヘッドに代
わって薄膜磁気ヘッドが注目されている。
第１図は薄膜磁気ヘッドの一例を示すものである。
すなわち、磁気へラド１は非磁性スライダー２と磁気へ
ラドチップ３とからなり、磁気へラドチップ３はスライ
ダー２の２本の空気ベアリング面４．５の一方の面４に
形成されたスリット６中にプラス等でモールド固定され
ている。
ラドチップ３とからなり、磁気へラドチップ３はスライ
ダー２の２本の空気ベアリング面４．５の一方の面４に
形成されたスリット６中にプラス等でモールド固定され
ている。
そして上記磁気へラドチップ３は、その−例を第２図に
示すように、非磁性の基板１０上にスパッタ薄膜が形成
されており、このスパッタ薄膜は、磁性合金層１１．１
２．１３と絶縁層１７．１８とが、また磁性合金／１１
４．１５．１６と絶縁層１９．２０とが、それぞれ交互
に積層した＊ａとなっており、一対のチップ部材は、ギ
ャップ２１を形成するように、磁性合金層１３と１６と
の面でガラス接合されている。
示すように、非磁性の基板１０上にスパッタ薄膜が形成
されており、このスパッタ薄膜は、磁性合金層１１．１
２．１３と絶縁層１７．１８とが、また磁性合金／１１
４．１５．１６と絶縁層１９．２０とが、それぞれ交互
に積層した＊ａとなっており、一対のチップ部材は、ギ
ャップ２１を形成するように、磁性合金層１３と１６と
の面でガラス接合されている。
２２はこのガラス接合部を示す。さらに巻線窓２３に所
定の巻線が施される。
定の巻線が施される。
しかして、上記薄膜磁気ヘッド用の非磁性基板材料に対
して要求される特性の内、熱膨張係数は基板上に真空蒸
着法、スパッタリング法、イオンブレーティング法等の
公知の物理蒸着技術を用いて形成される金属磁性薄膜の
熱膨張係数と近似することが必要であり、また摺動摩擦
に対する耐摩耗性が良好であることが必要である。
して要求される特性の内、熱膨張係数は基板上に真空蒸
着法、スパッタリング法、イオンブレーティング法等の
公知の物理蒸着技術を用いて形成される金属磁性薄膜の
熱膨張係数と近似することが必要であり、また摺動摩擦
に対する耐摩耗性が良好であることが必要である。
ところで、従来、薄膜磁気ヘッドを製造するに際しては
、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム、アルミナ、
亜鉛フェライト、プラス等を非磁性基板材料として用い
、該基板材料上に金属磁性薄膜を形成したものが用いら
れている。
、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム、アルミナ、
亜鉛フェライト、プラス等を非磁性基板材料として用い
、該基板材料上に金属磁性薄膜を形成したものが用いら
れている。
また、本出願人はさきに、改良された非磁性基板材料を
開発して出願し、特開昭５８−２０９１０５号公報、特
開昭５９−９０８号公報および特開昭６２−１２５５１
１号公報にて開示されている。
開発して出願し、特開昭５８−２０９１０５号公報、特
開昭５９−９０８号公報および特開昭６２−１２５５１
１号公報にて開示されている。
しかして、これらの非磁性基板材料は、基板材料として
鏡面仕上げ加工が施された後、トリクロールエチレン、
アセトン等の有機溶媒中で洗浄され、ついで、この基板
上に公知の物理蒸着技術を用いて数μｍ−数１０μｌの
膜厚に、Ｆｅ −Ｎｉ Ｐ、、Ｆｅ−Ａ１−６ｉ系また
はＣ。
鏡面仕上げ加工が施された後、トリクロールエチレン、
アセトン等の有機溶媒中で洗浄され、ついで、この基板
上に公知の物理蒸着技術を用いて数μｍ−数１０μｌの
膜厚に、Ｆｅ −Ｎｉ Ｐ、、Ｆｅ−Ａ１−６ｉ系また
はＣ。
−Ｎｂ−Ｚｒ系等の金属磁性薄膜が形成され、その後、
磁気特性改善のため熱処理が施される。
磁気特性改善のため熱処理が施される。
上記従来の基板材料の多くはく前記本出願人が開発した
ものを除いて）、その熱膨張係数が金属磁性薄膜の熱膨
張係数と大きく異なっているため、蒸着した金属磁性薄
膜が剥離し易いという欠点を有していた。
ものを除いて）、その熱膨張係数が金属磁性薄膜の熱膨
張係数と大きく異なっているため、蒸着した金属磁性薄
膜が剥離し易いという欠点を有していた。
この点、本出願人が開発したものは、かかる問題点はほ
ぼ解決されたが、熱膨張係数が１２０〜１３５Ｘ１０−
’／’Ｃの範囲しかとれないため、Ｃｏ −Ｎｂ−Ｚｒ
系金属磁性薄膜を蒸着するための基板材料としてはなお
不十分であり、また、加工性を悪化させないため硬さが
低いので、摺動摩擦に対する耐摩耗性が十分でないこと
が知見された。
ぼ解決されたが、熱膨張係数が１２０〜１３５Ｘ１０−
’／’Ｃの範囲しかとれないため、Ｃｏ −Ｎｂ−Ｚｒ
系金属磁性薄膜を蒸着するための基板材料としてはなお
不十分であり、また、加工性を悪化させないため硬さが
低いので、摺動摩擦に対する耐摩耗性が十分でないこと
が知見された。
本発明は上記の点を解消しで、特にＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ系
金属磁性薄膜のような熱膨張係数の低い金属磁性ｍｍに
も対応しうる熱膨張係数を有するとともに、摺動摩擦に
対する耐摩耗性の高いｉ膜磁気ヘッド用非磁性基板材料
を提供することを目的とするものである。
金属磁性薄膜のような熱膨張係数の低い金属磁性ｍｍに
も対応しうる熱膨張係数を有するとともに、摺動摩擦に
対する耐摩耗性の高いｉ膜磁気ヘッド用非磁性基板材料
を提供することを目的とするものである。
本発明の非磁性材料は、Ｍｎ０５１〜６６モル％、Ｎｉ
Ｏ３４〜４９ モル％を含み、岩塩型結晶構造を有する
ものに、Ｃａ Ｏ、Ｙ ２０ ｘ、ＺｒＯ２、およびＡ
ｌｚＯｓの１種または２種以上を１〜１５モル％さらに
含有せしめたことを特徴とするものである。
Ｏ３４〜４９ モル％を含み、岩塩型結晶構造を有する
ものに、Ｃａ Ｏ、Ｙ ２０ ｘ、ＺｒＯ２、およびＡ
ｌｚＯｓの１種または２種以上を１〜１５モル％さらに
含有せしめたことを特徴とするものである。
上記本発明の非磁性基板材料において、主成分たるＭｎ
Ｏの含有率を５１〜６６モル％としたのは、ＭｎＯの含
有率が ６６モル％を超えるとビッカース硬度が低くな
り摺動摩擦に対して十分な耐摩耗性を得られないからで
ある。また、ＭｎＯの含有率が ５１％モル％未満であ
ると飽和磁化の値が大きくなるため上記の範囲とした。
Ｏの含有率を５１〜６６モル％としたのは、ＭｎＯの含
有率が ６６モル％を超えるとビッカース硬度が低くな
り摺動摩擦に対して十分な耐摩耗性を得られないからで
ある。また、ＭｎＯの含有率が ５１％モル％未満であ
ると飽和磁化の値が大きくなるため上記の範囲とした。
また、添加成分である Ｃａｂ、Ｙ２Ｏ３、ＺｒＯ□、
およびＡｌ２Ｏ，の１種または２種以上を１〜１５モル
％としたのは、これらの添加物は焼結性を高め、気孔量
を減少させる作用を有するものであるが、添加成分の含
有率が１モル％未満では、この効果が少なく、また１５
モル％を超えると材料の硬度が高くなりすぎて、加工性
を悪化させるため、上記の範囲とした。
およびＡｌ２Ｏ，の１種または２種以上を１〜１５モル
％としたのは、これらの添加物は焼結性を高め、気孔量
を減少させる作用を有するものであるが、添加成分の含
有率が１モル％未満では、この効果が少なく、また１５
モル％を超えると材料の硬度が高くなりすぎて、加工性
を悪化させるため、上記の範囲とした。
さらに、本発明において結晶構造を岩塩型としたのは、
本発明の組成に係る材料はスピネル型結晶構造もとりう
るが、岩塩型結晶構造にすることにより、熱膨張係数が
、金属磁性薄膜に近似し、また気孔が減少するからであ
る。
本発明の組成に係る材料はスピネル型結晶構造もとりう
るが、岩塩型結晶構造にすることにより、熱膨張係数が
、金属磁性薄膜に近似し、また気孔が減少するからであ
る。
市販の試薬特級のＭ ｎ ＣＯ）、Ｎｉｐ、Ａｌ２Ｏ。
を、ＭｎＯ：ＮｉＯを６０ ： ４０モル％に対し
、Ａｌ２Ｏ，を１．５．２．５．５．０．７．５．１０
゜０．１２．５．１５．０ 各モル％になるように秤量
し、純水を加えボールミル中で１２〜２４Ｈｒ混合し、
Ｎ２＄囲気中にて ９００℃ ×４Ｈ「仮焼後、ボール
ミル中で粉砕した。これを３３Ｘ４０Ｘ１４ａ＋ａのブ
ロック形状に３ ｔｏｎ／ｅ１１２の圧力で成形し、得
られた成形体を１次焼成（Ｎ、雰囲気中１３３０℃Ｘ６
Ｈｒ）を行なった後、Ａｒ雰囲気中１１０００ａｔにて
１２００℃ＸＩＨｒのＨＩＰ処理を行なった。
、Ａｌ２Ｏ，を１．５．２．５．５．０．７．５．１０
゜０．１２．５．１５．０ 各モル％になるように秤量
し、純水を加えボールミル中で１２〜２４Ｈｒ混合し、
Ｎ２＄囲気中にて ９００℃ ×４Ｈ「仮焼後、ボール
ミル中で粉砕した。これを３３Ｘ４０Ｘ１４ａ＋ａのブ
ロック形状に３ ｔｏｎ／ｅ１１２の圧力で成形し、得
られた成形体を１次焼成（Ｎ、雰囲気中１３３０℃Ｘ６
Ｈｒ）を行なった後、Ａｒ雰囲気中１１０００ａｔにて
１２００℃ＸＩＨｒのＨＩＰ処理を行なった。
得られた焼結体のＸ線回折を行なった結果、いずれも岩
塩型結晶構造を有していることが認められた。
塩型結晶構造を有していることが認められた。
また、熱膨張係数、およびビッカース硬度の測定結果を
第３図に示す１図で示すようにＡＩ。
第３図に示す１図で示すようにＡＩ。
Ｏｌの含有率が多くなると、ビッカース硬度が増大する
とともに、熱膨張係数が減少してき、Ａｆ２０ｚ含有率
が１５モル％を超すと、熱膨張係数が１１０ＸＩ Ｏ−
’／’Ｃ以下になることが認められる。
とともに、熱膨張係数が減少してき、Ａｆ２０ｚ含有率
が１５モル％を超すと、熱膨張係数が１１０ＸＩ Ｏ−
’／’Ｃ以下になることが認められる。
ＭｎＯ：ＮｉＯのモル比が６０ ： ４０に対して、
Ｃａｂ、Ｙ２Ｏ−、ＡｂＯｓ 、Ｚｒ０ｚが、１．５
．２．５．５，０，７．５各モル％になるように秤量し
た原料を加えた以外は実施例Ｉと同様にして焼結体を得
た。得られた焼結体の気孔率の測定結果を第４図に示す
。
Ｃａｂ、Ｙ２Ｏ−、ＡｂＯｓ 、Ｚｒ０ｚが、１．５
．２．５．５，０，７．５各モル％になるように秤量し
た原料を加えた以外は実施例Ｉと同様にして焼結体を得
た。得られた焼結体の気孔率の測定結果を第４図に示す
。
気孔率の測定は、焼結体をダイヤモンドカッターで切断
し、その切断面を鏡面仕上げして走査型電子顕微鏡（Ｘ
３０００倍）で写真撮影し、気孔の直径と数とを測定
し求めた。
し、その切断面を鏡面仕上げして走査型電子顕微鏡（Ｘ
３０００倍）で写真撮影し、気孔の直径と数とを測定
し求めた。
添加成分の含有率が１モル％未満になると、焼結体内に
多くの気孔が残存し、緻密な焼結体が得られないことが
認められる。
多くの気孔が残存し、緻密な焼結体が得られないことが
認められる。
ＭｎＯ： ＮｉＯのモル比が５０ ： ５０，５５：
４５，６０ ： ４０，６５ ： ３５および７０
：３０になるように秤量した以外は実施例Ｉと同様にし
て焼結体を得た。
４５，６０ ： ４０，６５ ： ３５および７０
：３０になるように秤量した以外は実施例Ｉと同様にし
て焼結体を得た。
得られた焼結体のビッカース硬度を第５図に、飽和磁化
の測定結果を第６図に示す。
の測定結果を第６図に示す。
ＭｎＯの含有率が多くなるとビッカース硬度が低くなり
、また、飽和磁化の値が大きくなることが認められる。
、また、飽和磁化の値が大きくなることが認められる。
上述のように本発明によると、種々の金属磁性薄膜にも
対応でさるような熱膨張係数を有するとともに、摺動摩
擦に対する耐摩耗性の高いものである。
対応でさるような熱膨張係数を有するとともに、摺動摩
擦に対する耐摩耗性の高いものである。
Ｐ１４ｉ図は薄膜磁気ヘッドの一例を示す斜視図、第２
図は磁気へラドチップの斜視図、第３〜６図は実施例に
おける測定結果を示すグラフである。 第 ｌ ＠ 代理人 弁理士 本 間 崇７−−−−−−
慮気へ・ソド ２−−−−−−スライダー Ｊ−−−−−一慮気へラドチップ ４．５−−−一臣気ベアリング面 ６−−−−−−スリット 第 図 メ０ −−−−−−−一 基」之え ／ｌ〜／６−−−−−−−慮性会会層 ！７〜２θ −−−−一硬繞層 ２／−−−−−−−−ギャップ ２２ −−−−−−−−一力゛ヲスホ【４ト部２３−−
−−−−−−−一恩諜宴 含７に率ｃモルχ）
図は磁気へラドチップの斜視図、第３〜６図は実施例に
おける測定結果を示すグラフである。 第 ｌ ＠ 代理人 弁理士 本 間 崇７−−−−−−
慮気へ・ソド ２−−−−−−スライダー Ｊ−−−−−一慮気へラドチップ ４．５−−−一臣気ベアリング面 ６−−−−−−スリット 第 図 メ０ −−−−−−−一 基」之え ／ｌ〜／６−−−−−−−慮性会会層 ！７〜２θ −−−−一硬繞層 ２／−−−−−−−−ギャップ ２２ −−−−−−−−一力゛ヲスホ【４ト部２３−−
−−−−−−−一恩諜宴 含７に率ｃモルχ）
Claims (1)
- （１）ＭｎＯ５１〜６６モル％、ＮｉＯ３４〜４９モル
％を含み、岩塩型結晶構造を有す る材料において、ＣａＯ、Ｙ＿２Ｏ＿３、ＺｒＯ＿２、
およびＡｌ＿２Ｏ＿３の１種または２種以上を１〜１５
モル％さらに含有せしめたことを特徴とする非磁性基板
材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1117352A JPH02296765A (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 非磁性基板材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1117352A JPH02296765A (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 非磁性基板材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02296765A true JPH02296765A (ja) | 1990-12-07 |
Family
ID=14709568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1117352A Pending JPH02296765A (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 非磁性基板材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02296765A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5347412A (en) * | 1992-04-06 | 1994-09-13 | Hitachi Metals, Ltd. | Floating magnetic head |
| GB2393563A (en) * | 2002-09-27 | 2004-03-31 | Seagate Technology Llc | Slider layer with similar coefficient of thermal expansion to transducer |
-
1989
- 1989-05-12 JP JP1117352A patent/JPH02296765A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5347412A (en) * | 1992-04-06 | 1994-09-13 | Hitachi Metals, Ltd. | Floating magnetic head |
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