JPH0229711Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0229711Y2 JPH0229711Y2 JP1983069616U JP6961683U JPH0229711Y2 JP H0229711 Y2 JPH0229711 Y2 JP H0229711Y2 JP 1983069616 U JP1983069616 U JP 1983069616U JP 6961683 U JP6961683 U JP 6961683U JP H0229711 Y2 JPH0229711 Y2 JP H0229711Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- internal electrodes
- block
- block unit
- electrodes
- stray capacitance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
考案の分野
この考案は、積層コンデンサCブロツク装置に
関するもので、特に、相隣い合うコンデンサ素子
間に生ずる浮遊容量をできるだけ小さくし、しか
も高密度に多くのコンデンサ素子を設けることが
できるようにするための構造に関するものであ
る。
関するもので、特に、相隣い合うコンデンサ素子
間に生ずる浮遊容量をできるだけ小さくし、しか
も高密度に多くのコンデンサ素子を設けることが
できるようにするための構造に関するものであ
る。
先行技術の説明
従来より、積層コンデンサCブロツク装置は製
造されており、その外観および内部構造は、一般
には、第1図ないし第3図に示すものであつた。
すなわち、外観を示す第1図に示すように、複数
個の対をなす外部電極1がCブロツク本体2の両
端面に沿つて横方向に並べられている。そして、
第1図の線−に沿う断面図を示す第2図、な
らびに同じく線−に沿う断面図を示す第3図
に示すように、複数個の内部電極3が誘電体層4
を介して対向しており、このような複数個の内部
電極3の各グループが横方向に並べられている。
第3図に示すように、外部電極1は、それぞれ関
連の内部電極3に接続されている。したがつて、
各対をなす2個の外部電極1とそれに接続される
内部電極3との組合わせにより、各々電気的に独
立したコンデンサ素子が得られる。
造されており、その外観および内部構造は、一般
には、第1図ないし第3図に示すものであつた。
すなわち、外観を示す第1図に示すように、複数
個の対をなす外部電極1がCブロツク本体2の両
端面に沿つて横方向に並べられている。そして、
第1図の線−に沿う断面図を示す第2図、な
らびに同じく線−に沿う断面図を示す第3図
に示すように、複数個の内部電極3が誘電体層4
を介して対向しており、このような複数個の内部
電極3の各グループが横方向に並べられている。
第3図に示すように、外部電極1は、それぞれ関
連の内部電極3に接続されている。したがつて、
各対をなす2個の外部電極1とそれに接続される
内部電極3との組合わせにより、各々電気的に独
立したコンデンサ素子が得られる。
このような従来の構造では、外観的にも内部構
造面でも、単体の積層コンデンサチツプを横に並
べただけのものにすぎず、特定のコンデンサ素子
数を得るのも、単体の積層コンデンサを特定数使
用する場合と、スペース面に関して大きな改善を
見い出すには至つていない。また、スペース面に
関するメリツトを得るために、各単位積層コンデ
ンサ間の間隔を小さくすることが行なわれるが、
これによると、相隣り合うコンデンサ素子間に生
ずる浮遊容量が、実際使用する場合において、大
きな障害となる。
造面でも、単体の積層コンデンサチツプを横に並
べただけのものにすぎず、特定のコンデンサ素子
数を得るのも、単体の積層コンデンサを特定数使
用する場合と、スペース面に関して大きな改善を
見い出すには至つていない。また、スペース面に
関するメリツトを得るために、各単位積層コンデ
ンサ間の間隔を小さくすることが行なわれるが、
これによると、相隣り合うコンデンサ素子間に生
ずる浮遊容量が、実際使用する場合において、大
きな障害となる。
考案の目的
それゆえに、この考案の目的は、より小さなス
ペースの中に各々電気的に独立したより多くのコ
ンデンサ素子を設けながら、浮遊容量の発生を極
小に抑えることのできる積層コンデンサCブロツ
ク装置の構造を提供することである。
ペースの中に各々電気的に独立したより多くのコ
ンデンサ素子を設けながら、浮遊容量の発生を極
小に抑えることのできる積層コンデンサCブロツ
ク装置の構造を提供することである。
考案の概要
この考案は、必ずしも正確な表現ではないかも
しれないが、簡単に言えば、従来の第1図等に示
す積層コンデンサCブロツク装置をユニツトと
し、このユニツトを複数個段階状に積み重ねたも
のである。この積み重ね状態において、1つのC
ブロツクユニツト内の内部電極とこれと隣り合う
Cブロツクユニツトの内部電極とは上下に並ばな
いように横方向にずらされていて、それによつて
浮遊容量の発生が防止される。この結果、同一C
ブロツクユニツト内の横方向に並ぶ各コンデンサ
素子間の間隔は、その間の浮遊容量が実質上無視
できる程度にあけられることになる。
しれないが、簡単に言えば、従来の第1図等に示
す積層コンデンサCブロツク装置をユニツトと
し、このユニツトを複数個段階状に積み重ねたも
のである。この積み重ね状態において、1つのC
ブロツクユニツト内の内部電極とこれと隣り合う
Cブロツクユニツトの内部電極とは上下に並ばな
いように横方向にずらされていて、それによつて
浮遊容量の発生が防止される。この結果、同一C
ブロツクユニツト内の横方向に並ぶ各コンデンサ
素子間の間隔は、その間の浮遊容量が実質上無視
できる程度にあけられることになる。
考案の効果
この考案によれば、相隣り合うCブロツクユニ
ツトの内部電極は、下に並ばないように横方向に
ずらされているので、浮遊容量の発生を極小に抑
えることが可能となり、しかも、このような浮遊
容量の抑制効果に基づき、Cブロツク装置全体と
てのコンデンサ素子の配置密度を高めることがで
き、より小さなスペースの中に、より多くのコン
デンサ素子を設けることが可能となる。また、段
階状にCブロツクユニツトが積み重ねられるの
で、コンデンサ素子から引出される外部電極は、
各Cブロツクユニツトの側部または上部に設ける
ことができ、ワイヤボンデイングによる結線も可
能となる。
ツトの内部電極は、下に並ばないように横方向に
ずらされているので、浮遊容量の発生を極小に抑
えることが可能となり、しかも、このような浮遊
容量の抑制効果に基づき、Cブロツク装置全体と
てのコンデンサ素子の配置密度を高めることがで
き、より小さなスペースの中に、より多くのコン
デンサ素子を設けることが可能となる。また、段
階状にCブロツクユニツトが積み重ねられるの
で、コンデンサ素子から引出される外部電極は、
各Cブロツクユニツトの側部または上部に設ける
ことができ、ワイヤボンデイングによる結線も可
能となる。
実施例の説明
この考案の一実施例が、第4図および第5図に
示されている。第4図は外観を示す斜視図であ
り、第5図は第4図の線−に沿う断面図であ
る。
示されている。第4図は外観を示す斜視図であ
り、第5図は第4図の線−に沿う断面図であ
る。
この実施例では、2個のCブロツクユニツト
5,6を含み、両者とも直方体形状である。上の
Cブロツクユニツト5は、下のCブロツクユニツ
ト6の幅より小さな寸法の幅を有しており、両者
を積み重ねることにより、階段状の構成となる。
各Cブロツクユニツト5,6には、それぞれ、外
部電極7,8および内部電極9,10が形成され
る。第5図に示されるように、内部電極9と内部
電極10とは、上下に並ばないように横方向にず
らされている。これによつて、たとえばCブロツ
クユニツト5に形成されている内部電極9の組
は、これと横に隣り合う内部電極9の組に対して
十分に離隔したようになるので、たとえばコンデ
ンサ素子C1とC3との間に発生する浮遊容量は
実質上ほぼ無視することができる。同様に、Cブ
ロツクユニツト6の内部電極10についても、各
組間の距離を十分に離隔させたようにでき、浮遊
容量の発生を無視することができる。また、Cブ
ロツクユニツト5とCブロツクユニツト6との間
においても、内部電極9の組と内部電極10の組
との距離を十分に遠ざけることができ、たとえ
ば、コンデンサ素子C1とC2との間に発生する
浮遊容量を抑制させることができる。なお、好ま
しくは、以下に述べるように構成することも可能
である。
5,6を含み、両者とも直方体形状である。上の
Cブロツクユニツト5は、下のCブロツクユニツ
ト6の幅より小さな寸法の幅を有しており、両者
を積み重ねることにより、階段状の構成となる。
各Cブロツクユニツト5,6には、それぞれ、外
部電極7,8および内部電極9,10が形成され
る。第5図に示されるように、内部電極9と内部
電極10とは、上下に並ばないように横方向にず
らされている。これによつて、たとえばCブロツ
クユニツト5に形成されている内部電極9の組
は、これと横に隣り合う内部電極9の組に対して
十分に離隔したようになるので、たとえばコンデ
ンサ素子C1とC3との間に発生する浮遊容量は
実質上ほぼ無視することができる。同様に、Cブ
ロツクユニツト6の内部電極10についても、各
組間の距離を十分に離隔させたようにでき、浮遊
容量の発生を無視することができる。また、Cブ
ロツクユニツト5とCブロツクユニツト6との間
においても、内部電極9の組と内部電極10の組
との距離を十分に遠ざけることができ、たとえ
ば、コンデンサ素子C1とC2との間に発生する
浮遊容量を抑制させることができる。なお、好ま
しくは、以下に述べるように構成することも可能
である。
Cブロツクユニツト5とCブロツクユニツト6
との間に延びてガード電極11が形成される。ガ
イド電極11は、たとえば上のCブロツクユニツ
ト5の幅方向のほぼ全体にわたつて延びてもよい
が、幅方向のほぼ中央でわずかな幅で延びてもよ
い。このガード電極11は、外部電極7,8が形
成されていないCブロツクユニツト5,6の端面
に形成された引出電極12に接続され、この引出
電極12を介してアースされる。このような構成
にすれば、上述のコンデンサ素子C1とC2と
は、アースされたガード電極11を挟んで位置す
るため、この両者間に発生する浮遊容量は、完全
に無視することができるようになる。
との間に延びてガード電極11が形成される。ガ
イド電極11は、たとえば上のCブロツクユニツ
ト5の幅方向のほぼ全体にわたつて延びてもよい
が、幅方向のほぼ中央でわずかな幅で延びてもよ
い。このガード電極11は、外部電極7,8が形
成されていないCブロツクユニツト5,6の端面
に形成された引出電極12に接続され、この引出
電極12を介してアースされる。このような構成
にすれば、上述のコンデンサ素子C1とC2と
は、アースされたガード電極11を挟んで位置す
るため、この両者間に発生する浮遊容量は、完全
に無視することができるようになる。
第4図によく示されるように、外部電極7,8
は、各Cブロツクユニツト5,6の上面にまで延
びて形成される。このようにすることにより、ワ
イヤボンデイングによる結線の作業が容易にな
る。なお、外部電極7,8の材料としては、銀、
銀−パラジウム合金、ニツケルなど、および従来
のチツプコンデンサに用いている材料は、すべて
使用可能である。
は、各Cブロツクユニツト5,6の上面にまで延
びて形成される。このようにすることにより、ワ
イヤボンデイングによる結線の作業が容易にな
る。なお、外部電極7,8の材料としては、銀、
銀−パラジウム合金、ニツケルなど、および従来
のチツプコンデンサに用いている材料は、すべて
使用可能である。
このような積層コンデンサCブロツク装置を得
るためには、Cブロツクユニツト5,6を、低融
点のガラスフリツトまたは有機接着剤で、接着す
ればよい。すなわち、低融点のガラスフリツトを
用いる場合には、たとえば上のCブロツクユニツ
ト5の下面にガラスフリツトを塗布し、下のCブ
ロツクユニツト6の上に重ね合わせ、500〜800℃
で、5〜20分間熱処理することにより、強固な接
着を行なうことができる。有機接着剤の場合は、
一層容易であり、接着後、150℃で、30〜60分間
熱処理すればよい。
るためには、Cブロツクユニツト5,6を、低融
点のガラスフリツトまたは有機接着剤で、接着す
ればよい。すなわち、低融点のガラスフリツトを
用いる場合には、たとえば上のCブロツクユニツ
ト5の下面にガラスフリツトを塗布し、下のCブ
ロツクユニツト6の上に重ね合わせ、500〜800℃
で、5〜20分間熱処理することにより、強固な接
着を行なうことができる。有機接着剤の場合は、
一層容易であり、接着後、150℃で、30〜60分間
熱処理すればよい。
第6図および第7図には、この考案の他の実施
例が示される。第6図は外観を示す斜視図であ
り、第7図は第6図の線−に沿う断面図であ
る。
例が示される。第6図は外観を示す斜視図であ
り、第7図は第6図の線−に沿う断面図であ
る。
この実施例では、3個のCブロツクユニツト1
3,14,15が用いられる。各Cブロツクユニ
ツト13,14,15の幅方向の寸法は、段階的
に大きくされ、したがつて、積み重ね状態におい
ては、段階状の構造をとる。各Cブロツクユニツ
ト13,14,15には、それぞれ、内部電極1
6,17,18および外部電極19,20,21
が設けられる。そして、ガード電極22,23
が、各Cブロツクユニツト13,14,15の界
面に沿つて形成され、引出電極24と接続された
状態とされ、この引出電極24を介してアースさ
れる。
3,14,15が用いられる。各Cブロツクユニ
ツト13,14,15の幅方向の寸法は、段階的
に大きくされ、したがつて、積み重ね状態におい
ては、段階状の構造をとる。各Cブロツクユニツ
ト13,14,15には、それぞれ、内部電極1
6,17,18および外部電極19,20,21
が設けられる。そして、ガード電極22,23
が、各Cブロツクユニツト13,14,15の界
面に沿つて形成され、引出電極24と接続された
状態とされ、この引出電極24を介してアースさ
れる。
この実施例においても、内部電極16と17と
18とは、上下に並ばないように横方向にずらさ
れている。さらに、この実施例では、Cブロツク
ユニツト13,14,15の積み重ね状態におい
て、すべての内部電極16,17,18が他のも
のと上下に並ばないようにずらされている。
18とは、上下に並ばないように横方向にずらさ
れている。さらに、この実施例では、Cブロツク
ユニツト13,14,15の積み重ね状態におい
て、すべての内部電極16,17,18が他のも
のと上下に並ばないようにずらされている。
しかしながら、内部電極の配置方法について
は、少なくとも、相隣り合うCブロツクユニツト
の内部電極が互いに上下に並ばないように横方向
にずらされていれば十分であり、第7図の構造に
変えて、第8図に示すような構造とすることがで
きる。第8図において、第7図に示す部分に相当
の部分は同様の参照番号を付し、それ以上の説明
を省略する。
は、少なくとも、相隣り合うCブロツクユニツト
の内部電極が互いに上下に並ばないように横方向
にずらされていれば十分であり、第7図の構造に
変えて、第8図に示すような構造とすることがで
きる。第8図において、第7図に示す部分に相当
の部分は同様の参照番号を付し、それ以上の説明
を省略する。
これらの実施例によれば、従来、10〜15個の素
子を設けるのがせいぜいであつたものを、実装密
度を上げることが可能となり、20〜50個の素子ま
で増加されることができる。また、相隣り合うコ
ンデンサ素子間に生ずる浮遊容量を、従来の1/5
〜1/10に減少させることができる。
子を設けるのがせいぜいであつたものを、実装密
度を上げることが可能となり、20〜50個の素子ま
で増加されることができる。また、相隣り合うコ
ンデンサ素子間に生ずる浮遊容量を、従来の1/5
〜1/10に減少させることができる。
実施例においては、Cブロツクユニツトが2〜
3段に積み重ねられたものを例示したが、この積
み重ね数はさらに多数でもよい。
3段に積み重ねられたものを例示したが、この積
み重ね数はさらに多数でもよい。
第1図ないし第3図は、従来の積層コンデンサ
Cブロツク装置を示し、第1図は外観の斜視図で
あり、第2図は第1図の−に沿う断面図であ
り、第3図は第1図の−に沿う断面図であ
る。第4図および第5図は、この考案の一実施例
を示し、第4図は外観を示す斜視図であり、第5
図は第4図の線−に沿う断面図である。第6
図および第7図と第8図とは、それぞれこの考案
の他の実施例を示す。 図において、5,6,13,14,15はCブ
ロツクユニツト、7,8,19,20,21は外
部電極、9,10,16,17,18は内部電極
である。
Cブロツク装置を示し、第1図は外観の斜視図で
あり、第2図は第1図の−に沿う断面図であ
り、第3図は第1図の−に沿う断面図であ
る。第4図および第5図は、この考案の一実施例
を示し、第4図は外観を示す斜視図であり、第5
図は第4図の線−に沿う断面図である。第6
図および第7図と第8図とは、それぞれこの考案
の他の実施例を示す。 図において、5,6,13,14,15はCブ
ロツクユニツト、7,8,19,20,21は外
部電極、9,10,16,17,18は内部電極
である。
Claims (1)
- 複数個の内部電極とこれら内部電極のうち関連
のものに接続される1対の外部電極とをそれぞれ
備える、各々電気的に独立した複数個の積層コン
デンサが1個のCブロツクユニツト内に形成さ
れ、このCブロツクユニツトが複数個階段状に積
み重ねられ、この積み重ね状態において、1つの
Cブロツクユニツトの内部電極とこれと隣り合う
Cブロツクユニツトの内部電極とは上下に並ばな
いように横方向にずらされている、積層コンデン
サCブロツク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6961683U JPS59176135U (ja) | 1983-05-09 | 1983-05-09 | 積層コンデンサcブロツク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6961683U JPS59176135U (ja) | 1983-05-09 | 1983-05-09 | 積層コンデンサcブロツク装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59176135U JPS59176135U (ja) | 1984-11-24 |
| JPH0229711Y2 true JPH0229711Y2 (ja) | 1990-08-09 |
Family
ID=30199768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6961683U Granted JPS59176135U (ja) | 1983-05-09 | 1983-05-09 | 積層コンデンサcブロツク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59176135U (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5194440U (ja) * | 1975-01-28 | 1976-07-29 | ||
| JPS5194441U (ja) * | 1975-01-28 | 1976-07-29 |
-
1983
- 1983-05-09 JP JP6961683U patent/JPS59176135U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59176135U (ja) | 1984-11-24 |
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