JPH0229754A - パターン形成方法およびパターン形成材料 - Google Patents
パターン形成方法およびパターン形成材料Info
- Publication number
- JPH0229754A JPH0229754A JP63179180A JP17918088A JPH0229754A JP H0229754 A JPH0229754 A JP H0229754A JP 63179180 A JP63179180 A JP 63179180A JP 17918088 A JP17918088 A JP 17918088A JP H0229754 A JPH0229754 A JP H0229754A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern forming
- pattern
- forming material
- styrene resin
- styrene
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- Pending
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体製造工程のうち、リングラフイエ稈を用
いるパターン形成方法およびパター ン形成材料に関す
る。
いるパターン形成方法およびパター ン形成材料に関す
る。
（従来の技術）
従来、遠紫外光、特に、ＫｒＦエキシマレーザを用いて
パターンを形成する材料として２−ニトロベンジルエス
テル化合物を感光体として使用する場合があった。［た
とえば、Ｔ、 Ｍ、１１ｏ１ｆｅｔａ１．＋Ｊ、 Ｖａ
ｃ、 Ｓｃｉ、 Ｔｅｃｈｎｏｌ、、 Ｂ ５ 、３９
６． （１９８７） ］ところが従来の材料はポリマー
としてＰＭＭＡ（ポリメチルメタアクリレート）型を使
用しており、パターンの膜減りが大きく、解像性に乏し
いという欠点があった。
パターンを形成する材料として２−ニトロベンジルエス
テル化合物を感光体として使用する場合があった。［た
とえば、Ｔ、 Ｍ、１１ｏ１ｆｅｔａ１．＋Ｊ、 Ｖａ
ｃ、 Ｓｃｉ、 Ｔｅｃｈｎｏｌ、、 Ｂ ５ 、３９
６． （１９８７） ］ところが従来の材料はポリマー
としてＰＭＭＡ（ポリメチルメタアクリレート）型を使
用しており、パターンの膜減りが大きく、解像性に乏し
いという欠点があった。
第２図を用いて従来の２−二トロベンジルエステル化合
物を用いたパターン形成材料によるパタ−ン形成方法を
説明する。
物を用いたパターン形成材料によるパタ−ン形成方法を
説明する。
従来のパターン形成材料の組成としては。
２−ニトロベンジルコリン酸エステル ５．Ｏｇ
ＰＭＭＡ−ＰＭＡＡ（ポリメチルアクリル酸）共重合体
（ＰＭＭＡ： ＰＭＡＡ＝１ ： ｌ、分子量５０００
）２０．０ ｇ シクロヘキサノン ９０．０
ｇであった。
ＰＭＭＡ−ＰＭＡＡ（ポリメチルアクリル酸）共重合体
（ＰＭＭＡ： ＰＭＡＡ＝１ ： ｌ、分子量５０００
）２０．０ ｇ シクロヘキサノン ９０．０
ｇであった。
基板ｌ上に従来のパターン形成材料２′を１．２戸厚に
形成した（第２図（ａ））。つぎに、マスク３を介して
ＮＡｏ、３６のＫｒＦエキシマレーザ光４光子ステッパ
り所望のパターンを露光した（第２図（ｂ））。最後に
、２．３８％アルカリ水溶液３０秒でパターン２’Ａを
形成した（第２図（Ｃ））。パターン２′Ａは０．４戸
ライン・アンド・スペースパターンではあったが、アス
ペクト比は６０’ 、膜減りは２０％に達し、後工程で
のパターン寸法変動が大きい不良パターンであった。こ
のような不良パターンは、半導体素子製造の歩留まり低
下の原因となるため危惧すべき問題である。
形成した（第２図（ａ））。つぎに、マスク３を介して
ＮＡｏ、３６のＫｒＦエキシマレーザ光４光子ステッパ
り所望のパターンを露光した（第２図（ｂ））。最後に
、２．３８％アルカリ水溶液３０秒でパターン２’Ａを
形成した（第２図（Ｃ））。パターン２′Ａは０．４戸
ライン・アンド・スペースパターンではあったが、アス
ペクト比は６０’ 、膜減りは２０％に達し、後工程で
のパターン寸法変動が大きい不良パターンであった。こ
のような不良パターンは、半導体素子製造の歩留まり低
下の原因となるため危惧すべき問題である。
（発明が解決しようとする課題）
本発明は、従来のパターン形成材料の性能の不良を材料
的に解決することを目的とする。
的に解決することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明は、従来の２−二トロベンジルエステル化合物を
用いたパターン形成材料の性能を向上させるために、ス
チレン樹脂をポリマーとして用いた。
用いたパターン形成材料の性能を向上させるために、ス
チレン樹脂をポリマーとして用いた。
（作 用）
本発明の２−二トロベンジルエステル化合物とスチレン
樹脂と溶媒より成るパターン形成材料は高解像度で高コ
ントラストのパターンを得ることが可能な材料であるこ
とを本発明者らは見出した。
樹脂と溶媒より成るパターン形成材料は高解像度で高コ
ントラストのパターンを得ることが可能な材料であるこ
とを本発明者らは見出した。
すなわち、スチレン樹脂は遠紫外光やＫｒＦエキシマレ
ーザ光に対して透明性が高く、従来の材料の問題であっ
た解像性不良や膜減りの発生に関しては、このポリマー
自体の性能により、はとんど解決できることを見出した
。
ーザ光に対して透明性が高く、従来の材料の問題であっ
た解像性不良や膜減りの発生に関しては、このポリマー
自体の性能により、はとんど解決できることを見出した
。
２−ニトロベンジルエステル化合物とスチレン樹脂の組
合せによれば、遠紫外域での露光前後の透過率の差が従
来の材料に比べて５０％以上大きく。
合せによれば、遠紫外域での露光前後の透過率の差が従
来の材料に比べて５０％以上大きく。
又、未露光部の２−二トロベンジルエステル化合物がス
チレン樹脂のアルカリ可溶性を大きく阻止するために、
未露光部と露光部のアルカリ溶解速度差が大となり、高
コントラストの微細パターンが得られることになる。
チレン樹脂のアルカリ可溶性を大きく阻止するために、
未露光部と露光部のアルカリ溶解速度差が大となり、高
コントラストの微細パターンが得られることになる。
なお、スチレン樹脂としては、露光後にアルカリ可溶性
を促進させるために、マイレン酸、マイレン酸エステル
又はマイレン酸ハーフエステルとの共重合体が望ましい
が、アルカリ可溶なスチレン樹脂であれば特に限定はな
い。
を促進させるために、マイレン酸、マイレン酸エステル
又はマイレン酸ハーフエステルとの共重合体が望ましい
が、アルカリ可溶なスチレン樹脂であれば特に限定はな
い。
（実施例）
第１図を用いて、本発明の一実施例のパターン形成材料
を用いたパターン形成方法について説明する。なお、こ
こで本発明のパターン形成材料の組成は下記の通りとし
た。
を用いたパターン形成方法について説明する。なお、こ
こで本発明のパターン形成材料の組成は下記の通りとし
た。
２−ニトロベンジルコリン酸エステル ５．０ｇ
半導体等の基板１上に本発明のパターン形成材料２を１
．２戸厚に形成した（第１図（ａ））、次に、マスク３
を介してＮＡｏ、３６のＫｒＦエキシマレーザ光４光子
ステッパり所望のパターンを露光した（第１図（ｂ））
。最後に、２．３８％アルカリ水溶液３０秒でパターン
２Ａを形成した（第２図（Ｃ））。パターン２Ａは、膜
減りのない、アスペクト比８５°の良好な０．４−ライ
ン・アンド・スペースパターンであった。
半導体等の基板１上に本発明のパターン形成材料２を１
．２戸厚に形成した（第１図（ａ））、次に、マスク３
を介してＮＡｏ、３６のＫｒＦエキシマレーザ光４光子
ステッパり所望のパターンを露光した（第１図（ｂ））
。最後に、２．３８％アルカリ水溶液３０秒でパターン
２Ａを形成した（第２図（Ｃ））。パターン２Ａは、膜
減りのない、アスペクト比８５°の良好な０．４−ライ
ン・アンド・スペースパターンであった。
なお、本発明のパターン形成材料の代わりに、下記の材
料を用いた場合にも同様の良好な結果が得られた６もち
ろん、これらに本発明が限られるものではない。
料を用いた場合にも同様の良好な結果が得られた６もち
ろん、これらに本発明が限られるものではない。
２−ニトロベンジルコリン酸エステル ５．０
ｇシクロヘキサノン ８５．０ ｇ シクロヘキサノン ９０．０ｇ ２−ニトロベンジルデカン酸エステル ５．５ｇ エチルセロソルブアセテート ７７．０
ｇ（発明の効果） 本発明のパターン形成方法および材料を用いることによ
り紫外線、特に、エキシマレーザ光で微細パターンを高
コントラスト形状に形成することができ、半導体素子製
造の歩留まり向上につながり工業的価値が高い。
ｇシクロヘキサノン ８５．０ ｇ シクロヘキサノン ９０．０ｇ ２−ニトロベンジルデカン酸エステル ５．５ｇ エチルセロソルブアセテート ７７．０
ｇ（発明の効果） 本発明のパターン形成方法および材料を用いることによ
り紫外線、特に、エキシマレーザ光で微細パターンを高
コントラスト形状に形成することができ、半導体素子製
造の歩留まり向上につながり工業的価値が高い。
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例のパターン形
成材料を用いたパターン形成方法の工程断面図、第２図
（ａ）〜（ｃ）は従来のパターン形成材料を用いたパタ
ーン形成方法の工程断面図である。 １ ・・・基板、 ２・・・本発明のパターン形成材料
、 ３・・・マスク、 ４ ・・・ＫｒＦエキシマレー
ザ光、 ２Ａ ・・・パターン。
成材料を用いたパターン形成方法の工程断面図、第２図
（ａ）〜（ｃ）は従来のパターン形成材料を用いたパタ
ーン形成方法の工程断面図である。 １ ・・・基板、 ２・・・本発明のパターン形成材料
、 ３・・・マスク、 ４ ・・・ＫｒＦエキシマレー
ザ光、 ２Ａ ・・・パターン。
Claims (5)
- （１）基板上に、２−ニトロベンジルエステル化合物と
スチレン樹脂および溶媒よりなるパターン形成材料を形
成し、遠紫外光で露光し、現像することを特徴とするパ
ターン形成方法。 - （２）スチレン樹脂がスチレンとマイレン酸又はマイレ
ン酸エステル又はマイレン酸ハーフエステルとの共重合
樹脂であることを特徴とする請求項（１）記載のパター
ン形成方法。 - （３）遠紫外光がＫｒＦエキシマレーザ光であることを
特徴とする請求項（１）記載のパターン形成方法。 - （４）２−ニトロベンジルエステル化合物とスチレン樹
脂および溶媒よりなることを特徴とするパターン形成材
料。 - （５）スチレン樹脂がスチレンとマイレン酸又はマイレ
ン酸エステル又はマイレン酸ハーフエステルとの共重合
樹脂であることを特徴とする請求項（４）記載のパター
ン形成材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63179180A JPH0229754A (ja) | 1988-07-20 | 1988-07-20 | パターン形成方法およびパターン形成材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63179180A JPH0229754A (ja) | 1988-07-20 | 1988-07-20 | パターン形成方法およびパターン形成材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0229754A true JPH0229754A (ja) | 1990-01-31 |
Family
ID=16061337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63179180A Pending JPH0229754A (ja) | 1988-07-20 | 1988-07-20 | パターン形成方法およびパターン形成材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0229754A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03223857A (ja) * | 1990-01-30 | 1991-10-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
| JPH05232645A (ja) * | 1992-02-21 | 1993-09-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | カラー画像形成方法 |
| JP2008055892A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Toshiba Tec Corp | リボンカセット、及びこのリボンカセットを用いたプリンタ |
-
1988
- 1988-07-20 JP JP63179180A patent/JPH0229754A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03223857A (ja) * | 1990-01-30 | 1991-10-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
| JPH05232645A (ja) * | 1992-02-21 | 1993-09-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | カラー画像形成方法 |
| JP2008055892A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Toshiba Tec Corp | リボンカセット、及びこのリボンカセットを用いたプリンタ |
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