JPH02297559A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPH02297559A JPH02297559A JP1080019A JP8001989A JPH02297559A JP H02297559 A JPH02297559 A JP H02297559A JP 1080019 A JP1080019 A JP 1080019A JP 8001989 A JP8001989 A JP 8001989A JP H02297559 A JPH02297559 A JP H02297559A
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- compd
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- phenylenediamine
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
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- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0601—Acyclic or carbocyclic compounds
- G03G5/0612—Acyclic or carbocyclic compounds containing nitrogen
- G03G5/0614—Amines
- G03G5/06142—Amines arylamine
- G03G5/06144—Amines arylamine diamine
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、複写機等の画像形成装置に好適に使用される
電子写真感光体に関する。
電子写真感光体に関する。
(従来技術)
近年、複写機などの画像形成装置における電子写真感光
体として、加工性がよく製造コスト面で有利であると共
に、機能設計の自由度が大きな有機感光体が使用されて
いる。中でも光照射により電荷を発生する電荷発生材料
と、発生した電荷を輸送する電荷輸送材料とを含有する
感光層を備えた機能分離型電子写真感光体が提案されて
いる。
体として、加工性がよく製造コスト面で有利であると共
に、機能設計の自由度が大きな有機感光体が使用されて
いる。中でも光照射により電荷を発生する電荷発生材料
と、発生した電荷を輸送する電荷輸送材料とを含有する
感光層を備えた機能分離型電子写真感光体が提案されて
いる。
上記機能分離型電子写真感光体においては、電荷発生材
料および電荷輸送材料の特性が感光体の電気特性、感光
特性に大きく影響するため従来から種々の物質が研究さ
れ、上記電荷輸送材料としては、ポリビニルカルバゾー
ル、オキサジアゾール系化合物、ピラゾリン系化合物、
ヒドラゾン系化合物等多くの物質が提案されている。
料および電荷輸送材料の特性が感光体の電気特性、感光
特性に大きく影響するため従来から種々の物質が研究さ
れ、上記電荷輸送材料としては、ポリビニルカルバゾー
ル、オキサジアゾール系化合物、ピラゾリン系化合物、
ヒドラゾン系化合物等多くの物質が提案されている。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、上記電荷輸送材料は、電荷輸送能を示す
ドリフト移動度が比較的小さい、また、ドリフト移動度
の電界強度依存性が大きいために、低電界での電荷の移
動が小さく、残留電位が消失しにくくなる。さらに、紫
外線等の照射により劣化し易い等の問題がある。
ドリフト移動度が比較的小さい、また、ドリフト移動度
の電界強度依存性が大きいために、低電界での電荷の移
動が小さく、残留電位が消失しにくくなる。さらに、紫
外線等の照射により劣化し易い等の問題がある。
一方、トリフェニルアミン系の電荷輸送材料はドリフト
移動度の電界依存性が小さいことが知られている0例え
ばUSP3265496号公報には、N、 N、 N=
、 N”−テトラフェニルベンジジン、N、N、N・、
N−−テトラフェニル−1゜4−フェニレンジアミン
、N、N、N・、N・−テトラフェニル−1,3−フェ
ニレンジアミン等が提案されているが、これらの電荷輸
送材料は分子の対称性がよいために分子間の相互作用が
太き(、樹脂との相互作用が小さいので、樹脂中で結晶
化し易(なる等の問題点があり実用に供し得ない。
移動度の電界依存性が小さいことが知られている0例え
ばUSP3265496号公報には、N、 N、 N=
、 N”−テトラフェニルベンジジン、N、N、N・、
N−−テトラフェニル−1゜4−フェニレンジアミン
、N、N、N・、N・−テトラフェニル−1,3−フェ
ニレンジアミン等が提案されているが、これらの電荷輸
送材料は分子の対称性がよいために分子間の相互作用が
太き(、樹脂との相互作用が小さいので、樹脂中で結晶
化し易(なる等の問題点があり実用に供し得ない。
この樺な問題点に鑑み、移動度の電界依存性が小さく、
樹脂との相溶性の良い化合物として、N。
樹脂との相溶性の良い化合物として、N。
N、 No、 N=−テトラフェニル−1,3−フェニ
レンジアミンのそれぞれのフェニル基に対して置換し得
る限り何個置換してもよいm−フェニレンジアミン系化
合物(特願昭62−301703号公報)を先に提案し
た。
レンジアミンのそれぞれのフェニル基に対して置換し得
る限り何個置換してもよいm−フェニレンジアミン系化
合物(特願昭62−301703号公報)を先に提案し
た。
更に、本発明者等は、上記m−フェニレンジアミン系化
合物を電子写真感光体に用いた場合には、用いたm−フ
ェニレンジアミン系化合物のフェニル基に関する置換基
の位置によって電子写真感光体の特性に違いが生じるこ
とを見い出し、先に提案した。
合物を電子写真感光体に用いた場合には、用いたm−フ
ェニレンジアミン系化合物のフェニル基に関する置換基
の位置によって電子写真感光体の特性に違いが生じるこ
とを見い出し、先に提案した。
即ち、N、N、N・、N−−テトラフェニル−1,3−
フェニレンジアミンのそれぞれのフェニル基に、窒素原
子に対してバラ位に置換基を導入した化合物はキャリア
の注入効率が高く、且つ移動度が大きいという特徴を有
している(特願昭63−187311号公報)。また、
メタ位に置換基を導入した化合物は分子の対称性が悪い
ため分子間の相互作用が小さく、逆に樹脂との相互作用
が大きくなっているので樹脂中で掻めて結晶化しにくい
という特徴を有している(特願昭63−187312号
公報)。
フェニレンジアミンのそれぞれのフェニル基に、窒素原
子に対してバラ位に置換基を導入した化合物はキャリア
の注入効率が高く、且つ移動度が大きいという特徴を有
している(特願昭63−187311号公報)。また、
メタ位に置換基を導入した化合物は分子の対称性が悪い
ため分子間の相互作用が小さく、逆に樹脂との相互作用
が大きくなっているので樹脂中で掻めて結晶化しにくい
という特徴を有している(特願昭63−187312号
公報)。
しかしながら、バラ位に置換基を導入した化合物は電子
写真感光体に用いると高感度の感光体が得られるものの
、高濃度で使用すると結晶化を起こしやす(なるという
課題を残している。一方、メタ位に置換基を導入した化
合物は結晶化を起こしにくいという点では優れているも
のの、生産性が悪いため、電子写真感光体に用いるとコ
ストが高くなってしまう。
写真感光体に用いると高感度の感光体が得られるものの
、高濃度で使用すると結晶化を起こしやす(なるという
課題を残している。一方、メタ位に置換基を導入した化
合物は結晶化を起こしにくいという点では優れているも
のの、生産性が悪いため、電子写真感光体に用いるとコ
ストが高くなってしまう。
従って、本発明の目的は高感度で且つローコストの電子
写真感光体を提供することにある。
写真感光体を提供することにある。
(問題点を解決するための手段および作用)本発明は、
導電性基体上に下記一般式(1)(式中、R1、Raは
窒素原子に対してメタ位、R1、R3は窒素原子に対し
てバラ位に置換した基テアリアルキル基、アルコキシル
基、ハロケン原子を示し、すべての置換基は同一でも、
それぞれ互いに異なっていてもよ(、Rは水素原子、ア
ルキル基、アルコキシル基、ハロゲン原子を示す)で表
されるm−フェニレンジアミン系化合物を含有する感光
層を設けたことを特徴とする電子写真感光体により前記
目的を達成するものである。
導電性基体上に下記一般式(1)(式中、R1、Raは
窒素原子に対してメタ位、R1、R3は窒素原子に対し
てバラ位に置換した基テアリアルキル基、アルコキシル
基、ハロケン原子を示し、すべての置換基は同一でも、
それぞれ互いに異なっていてもよ(、Rは水素原子、ア
ルキル基、アルコキシル基、ハロゲン原子を示す)で表
されるm−フェニレンジアミン系化合物を含有する感光
層を設けたことを特徴とする電子写真感光体により前記
目的を達成するものである。
上記一般式CI)で表されるm−フェニレンジアミン系
化合物は、バラ位に置換した化合物に比べて分子の対称
性が悪いために分子間の相互作用が小さく、逆に樹脂と
の相互作用が大きいので、結晶化しにくくなっている。
化合物は、バラ位に置換した化合物に比べて分子の対称
性が悪いために分子間の相互作用が小さく、逆に樹脂と
の相互作用が大きいので、結晶化しにくくなっている。
従って、上記一般式〔I〕で示される化合物は、樹脂に
十分溶解し、樹脂中での濃度を上げることができるため
、移動度が上がり高感度の感光体が得られるのである。
十分溶解し、樹脂中での濃度を上げることができるため
、移動度が上がり高感度の感光体が得られるのである。
また、上記一般式〔1〕で示される化合物は、合成収率
が高いので、生産性に優れ、コストの低い感光体を提供
することができる。
が高いので、生産性に優れ、コストの低い感光体を提供
することができる。
(発明の好適態様)
本発明の電子写真感光体に使用されるm−フェニレンジ
アミン系化合物は、前記一般式〔夏〕で表され式中R’
、R2、R’ 、R’ 、Hのうちアルキル基として
は、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル
、イソブチル、terL−ブチル、ペンチル、ヘキシル
等の炭素数1〜6の低級アルキル基が例示される。アル
コキシル基としては、メトキシ、エトキシ、プロポキシ
、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、tert
−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ基等のア
ルキル部分が炭素数1〜6の低級アルコキシル基が例示
される。
アミン系化合物は、前記一般式〔夏〕で表され式中R’
、R2、R’ 、R’ 、Hのうちアルキル基として
は、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル
、イソブチル、terL−ブチル、ペンチル、ヘキシル
等の炭素数1〜6の低級アルキル基が例示される。アル
コキシル基としては、メトキシ、エトキシ、プロポキシ
、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、tert
−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ基等のア
ルキル部分が炭素数1〜6の低級アルコキシル基が例示
される。
具体的には、下記一般式〔I〕で表されるm−フェニレ
ンジアミン系化合物 等が例示され、置換IRの位置は特定されないが、5の
位置等が示される。
ンジアミン系化合物 等が例示され、置換IRの位置は特定されないが、5の
位置等が示される。
本発明の前記一般式〔I〕で表される化合物は種々の方
法により合成することができるが、この−例を下記反応
により説明する。
法により合成することができるが、この−例を下記反応
により説明する。
(以下余白)
HH
(C)
H
(C)
CH3C1+。
即ち、上記式(A)で表されるレソルシノールと上記式
(B)で表されるm−トルイジンをヨウ素と共に窒素気
流下で反応させて上記式(C)で表されるN、N’−ジ
(3−トリル)−1,3−フェニレンジアミンを得る。
(B)で表されるm−トルイジンをヨウ素と共に窒素気
流下で反応させて上記式(C)で表されるN、N’−ジ
(3−トリル)−1,3−フェニレンジアミンを得る。
さらに、N、N=−ジ(3−トリル)−1,3−フェニ
レンジアミンと上記式(D)で表されるヨードトルエン
を炭酸カリウム、銅粉と共にニトロベンゼン中で還流さ
せることにより上記式(E)で表されるN、 N=−ジ
(3−トリル)−N、N’−ジ(4−トリル)−1,3
−フェニレンジアミンが得られる。
レンジアミンと上記式(D)で表されるヨードトルエン
を炭酸カリウム、銅粉と共にニトロベンゼン中で還流さ
せることにより上記式(E)で表されるN、 N=−ジ
(3−トリル)−N、N’−ジ(4−トリル)−1,3
−フェニレンジアミンが得られる。
本発明の電子写真感光体は、導電性基体上に、前記一般
式〔I〕で表されるm−フェニレンジアミン系化合物を
含有する感光層を設けることを特徴とするものであり、
導電性基体上に少なくとも一層中に電荷発生材料及び電
荷輸送材料を含んだ機能分離型単層感光体、導電性基体
上に少なくとも電荷発生層と電荷輸送層の二層を積層し
た機能分離型積層感光体等、いずれのタイプの電子写真
感光体にも適用することができる0本発明の前記一般式
[1]で表される化合物は、従来公知の他の電荷輸送材
料と組み合わせて使用してもよい。
式〔I〕で表されるm−フェニレンジアミン系化合物を
含有する感光層を設けることを特徴とするものであり、
導電性基体上に少なくとも一層中に電荷発生材料及び電
荷輸送材料を含んだ機能分離型単層感光体、導電性基体
上に少なくとも電荷発生層と電荷輸送層の二層を積層し
た機能分離型積層感光体等、いずれのタイプの電子写真
感光体にも適用することができる0本発明の前記一般式
[1]で表される化合物は、従来公知の他の電荷輸送材
料と組み合わせて使用してもよい。
その際、他の電荷輸送材料としては、従来公知の電子吸
引性化合物、電子供与性化合物を用いることができる。
引性化合物、電子供与性化合物を用いることができる。
上記電子吸引性化合物としては、例えば、テトラシアノ
エチレン、2.4.7−)リニトロー9−フルオレノン
、2,4.8−)リニトロチオキサントン、3,4,5
.7−テトラニトロ−9−フルオレノン、ジニトロベン
ゼン、ジニトロアントラセン、ジニトロアクリジン、ニ
トロアントラキノン、ジニトロアントラキノン、無水コ
ハク酸、無水マレイン酸、ジブロモ無水マレイン酸等が
例示される。
エチレン、2.4.7−)リニトロー9−フルオレノン
、2,4.8−)リニトロチオキサントン、3,4,5
.7−テトラニトロ−9−フルオレノン、ジニトロベン
ゼン、ジニトロアントラセン、ジニトロアクリジン、ニ
トロアントラキノン、ジニトロアントラキノン、無水コ
ハク酸、無水マレイン酸、ジブロモ無水マレイン酸等が
例示される。
また、電子供与性化合物としては、2.5−ジ(4−メ
チルアミノフェニル)、1.3.4−オキサジアゾール
、等のオキサジアゾール系化合物、9−(4−ジエチル
アミノスチリル)アントラセン等のスチリル化合物、ポ
リビニルカルバゾール等のカルバゾール系化合物、1−
フェニル−3−(p−ジメチルアミノフェニル)ピラゾ
リン等のピラゾリン化合物、ヒドラゾン化合物、トリフ
ェニルアミン系化合物、インドール系化合物、オキサゾ
ール系化合物、イソオキサゾール系化合物、チアゾール
系化合物、チアジアゾール系化合物、イミダゾール系化
合物、ピラゾール系化合物、トリアゾール系化合物等の
含窒素環式化合物、縮合多環式化合物が例示される。こ
れらの電荷輸送材料は一種または二種以上混合して用い
られる。なお、ポリビニルカルバゾール等成膜性を有す
る電荷輸送材料を用いる場合には、結着樹脂は必ずしも
必要ではない。
チルアミノフェニル)、1.3.4−オキサジアゾール
、等のオキサジアゾール系化合物、9−(4−ジエチル
アミノスチリル)アントラセン等のスチリル化合物、ポ
リビニルカルバゾール等のカルバゾール系化合物、1−
フェニル−3−(p−ジメチルアミノフェニル)ピラゾ
リン等のピラゾリン化合物、ヒドラゾン化合物、トリフ
ェニルアミン系化合物、インドール系化合物、オキサゾ
ール系化合物、イソオキサゾール系化合物、チアゾール
系化合物、チアジアゾール系化合物、イミダゾール系化
合物、ピラゾール系化合物、トリアゾール系化合物等の
含窒素環式化合物、縮合多環式化合物が例示される。こ
れらの電荷輸送材料は一種または二種以上混合して用い
られる。なお、ポリビニルカルバゾール等成膜性を有す
る電荷輸送材料を用いる場合には、結着樹脂は必ずしも
必要ではない。
例えば単層型電子写真感光体とするには、電荷輸送材料
としての前記一般式〔I〕で表される化合物と、電荷発
生材料と結着樹脂等を含有する感光層を導電性基板上に
形成すればよい。また積層型の電子写真感光体とするに
は、導電性基板上に、蒸着または塗布等の手段により上
記電荷発生材料を含有する電荷発生層を形成し、この電
荷発生層上に、前記一般式〔I〕で表される化合物と結
着樹脂とを含有する電荷輸送層を形成したり、上記とは
逆に、導電性基板上に上記と同様の電荷輸送層を形成し
、次いで蒸着または塗布等の手段により前記電荷発生材
料を含有する電荷発生層を形成すればよい。また、電荷
発生層は電荷発生材料と電荷輸送材料を結着樹脂中に分
散して塗布して形成してもよい。
としての前記一般式〔I〕で表される化合物と、電荷発
生材料と結着樹脂等を含有する感光層を導電性基板上に
形成すればよい。また積層型の電子写真感光体とするに
は、導電性基板上に、蒸着または塗布等の手段により上
記電荷発生材料を含有する電荷発生層を形成し、この電
荷発生層上に、前記一般式〔I〕で表される化合物と結
着樹脂とを含有する電荷輸送層を形成したり、上記とは
逆に、導電性基板上に上記と同様の電荷輸送層を形成し
、次いで蒸着または塗布等の手段により前記電荷発生材
料を含有する電荷発生層を形成すればよい。また、電荷
発生層は電荷発生材料と電荷輸送材料を結着樹脂中に分
散して塗布して形成してもよい。
上記電荷発生材料としては、例えばセレン、セレン−テ
ルル、アモルファスシリコン、ビリリウム塩、アゾ系顔
料、ジスアゾ系顔料、アンサンスロン系顔料、フタロシ
アニン系顔料、インジゴ系顔料、トリフェニルメタン系
顔料、スレン系顔料、トルイジン系顔料、ピラゾリン系
顔料、ペリレン系顔料、キナクリドン系顔料、ピロール
系顔料等が例示され、所望の領域に吸収波長域を有する
ように、一種または二種以上混合して用いられる。
ルル、アモルファスシリコン、ビリリウム塩、アゾ系顔
料、ジスアゾ系顔料、アンサンスロン系顔料、フタロシ
アニン系顔料、インジゴ系顔料、トリフェニルメタン系
顔料、スレン系顔料、トルイジン系顔料、ピラゾリン系
顔料、ペリレン系顔料、キナクリドン系顔料、ピロール
系顔料等が例示され、所望の領域に吸収波長域を有する
ように、一種または二種以上混合して用いられる。
また、上記感光層、電荷発生層、および電荷輸送層にお
ける結着樹脂としては、種々の樹脂が使用でき、例えば
、スチレン系重合体、スチレン−ブタジェン共重合体、
スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−マレ
イン酸共重合体、アクリル系重合体、スチレン−アクリ
ル系共重合体、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共
重合体、塩素化ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリプ
ロピレン、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリエス
テル、アルキッド樹脂、ポリアミド、ポリウレタン、ポ
リカーボネート、ボリアリレート、ポリスルホン、ジア
リルフタレート樹脂、ケトン樹脂、ポリビニルブチラー
ル樹脂、ポリエーテル樹脂等の熱可塑性樹脂や、シリコ
ーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、
メラミン樹脂、その他架橋性の熱硬化性樹脂、および、
エポキシアクリレート、ウレタン−アクリレート等の光
硬化型樹脂等、各種の重合体が例示できる。これらの結
着樹脂は、一種または二種以上混合して用いられる。
ける結着樹脂としては、種々の樹脂が使用でき、例えば
、スチレン系重合体、スチレン−ブタジェン共重合体、
スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−マレ
イン酸共重合体、アクリル系重合体、スチレン−アクリ
ル系共重合体、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共
重合体、塩素化ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリプ
ロピレン、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリエス
テル、アルキッド樹脂、ポリアミド、ポリウレタン、ポ
リカーボネート、ボリアリレート、ポリスルホン、ジア
リルフタレート樹脂、ケトン樹脂、ポリビニルブチラー
ル樹脂、ポリエーテル樹脂等の熱可塑性樹脂や、シリコ
ーン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、
メラミン樹脂、その他架橋性の熱硬化性樹脂、および、
エポキシアクリレート、ウレタン−アクリレート等の光
硬化型樹脂等、各種の重合体が例示できる。これらの結
着樹脂は、一種または二種以上混合して用いられる。
また、塗布手段により電荷発生層および電荷輸送層を形
成する場合、溶剤が使用される。前記溶剤としては、種
々の有機溶剤が使用でき、メタノール、エタノール、イ
ソプロパツール、ブタノール等のアルコール類、n−ヘ
キサン、オクタン、シクロヘキサン等の脂肪族系炭化水
素、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素
、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭素、クロ
ロベンゼン等のハロゲン化炭化水素、ジメチルエーテル
、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレング
リコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチ
ルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等
のエーテル類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロ
ヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸メチル等の
エステル類、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキ
シド等種々の溶剤が例示され、一種または二種以上混合
して用いられる。
成する場合、溶剤が使用される。前記溶剤としては、種
々の有機溶剤が使用でき、メタノール、エタノール、イ
ソプロパツール、ブタノール等のアルコール類、n−ヘ
キサン、オクタン、シクロヘキサン等の脂肪族系炭化水
素、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素
、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭素、クロ
ロベンゼン等のハロゲン化炭化水素、ジメチルエーテル
、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレング
リコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチ
ルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等
のエーテル類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロ
ヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸メチル等の
エステル類、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキ
シド等種々の溶剤が例示され、一種または二種以上混合
して用いられる。
また、前記電荷発生層の感度をよ(するため、例えば、
ターフェニル、ハロナフトキノン類、アセナフチレン等
従来公知の増感剤を前記電荷発生材料と共に用いてもよ
い。さらには電荷輸送材料や電荷発生材料の分散性、塗
工性等をよくするため、界面活性剤、レベリング剤等を
使用してもよい。
ターフェニル、ハロナフトキノン類、アセナフチレン等
従来公知の増感剤を前記電荷発生材料と共に用いてもよ
い。さらには電荷輸送材料や電荷発生材料の分散性、塗
工性等をよくするため、界面活性剤、レベリング剤等を
使用してもよい。
上記導電性基板としては、導電性を有する種々の材料が
使用でき、例えば、アルミニウム、銅、錫、白金、金、
銀、バナジウム、モリブデン、クロム、カドミウム、チ
タン、ニッケル、パラジウム、インジウム、ステンレス
鋼、真鍮の金属単体や、上記金属が蒸着またはラミネー
トされたプラスチック材料、ヨウ化アルミニウム、酸化
錫、酸化インジウム等で被覆されたガラス等が例示され
る。上記導電性基板はシート状やドラム状いずれであっ
てもよく、基板自体が導電性を有するが基板の表面が導
電性を有し、使用に際し、十分な機械的強度を有するも
のが好ましい。
使用でき、例えば、アルミニウム、銅、錫、白金、金、
銀、バナジウム、モリブデン、クロム、カドミウム、チ
タン、ニッケル、パラジウム、インジウム、ステンレス
鋼、真鍮の金属単体や、上記金属が蒸着またはラミネー
トされたプラスチック材料、ヨウ化アルミニウム、酸化
錫、酸化インジウム等で被覆されたガラス等が例示され
る。上記導電性基板はシート状やドラム状いずれであっ
てもよく、基板自体が導電性を有するが基板の表面が導
電性を有し、使用に際し、十分な機械的強度を有するも
のが好ましい。
上記電荷輸送材料としての本発明の化合物と結着樹脂は
、電荷の輸送を阻害しない範囲および結晶化しない範囲
で種々の割合で使用することができるが、結着樹脂10
0重量部に対して、前記一般式〔I〕で表される化合物
50〜80重量部、特に60〜75重量部使用すること
が好ましい。
、電荷の輸送を阻害しない範囲および結晶化しない範囲
で種々の割合で使用することができるが、結着樹脂10
0重量部に対して、前記一般式〔I〕で表される化合物
50〜80重量部、特に60〜75重量部使用すること
が好ましい。
また、一般式〔l〕で表される化合物を含有する電荷輸
送層は、2〜1001!m1特に5〜30μm程度の層
厚に形成されるのが好ましい。
送層は、2〜1001!m1特に5〜30μm程度の層
厚に形成されるのが好ましい。
上記電荷発生材料を前記結着樹脂と共に用いる場合、電
荷発生材料と結着樹脂とは、種々の割合で使用すること
ができるが、電荷発生材料10重量部に対して、結着樹
脂1〜300重量部、特に5〜150重量部用いるのが
好ましい。また、上記電荷発生層は、適宜の層厚を有し
ていてもよいが、0.01〜20am、特に0.1〜1
0μm程度に形成されるのが好ましい。
荷発生材料と結着樹脂とは、種々の割合で使用すること
ができるが、電荷発生材料10重量部に対して、結着樹
脂1〜300重量部、特に5〜150重量部用いるのが
好ましい。また、上記電荷発生層は、適宜の層厚を有し
ていてもよいが、0.01〜20am、特に0.1〜1
0μm程度に形成されるのが好ましい。
また、単層型電子写真用感光体においては、上記基板と
感光層との間に、また、積層型電子写真用感光体におい
ては、前記基板と電荷発生層との間や基板と電荷輸送層
との間および電荷発生層と電荷輸送層との間に、感光体
の特性を阻害しない範囲でバリア層が形成されていても
よく、感光体の表面には、保護層が形成されていてもよ
い。
感光層との間に、また、積層型電子写真用感光体におい
ては、前記基板と電荷発生層との間や基板と電荷輸送層
との間および電荷発生層と電荷輸送層との間に、感光体
の特性を阻害しない範囲でバリア層が形成されていても
よく、感光体の表面には、保護層が形成されていてもよ
い。
上記電荷発生層および電荷輸送層を塗布手段により形成
するには、前記電荷発生材料等と結着樹脂等を従来公知
の方法、例えば、ロールミル、ボールミル、アトライタ
、ペイントシェーカーあるいは超音波分散器等を用いて
調製し、従来公知の塗布手段により塗布、乾燥すればよ
い。なお、前記のように電荷発生層は、前記電荷発生材
料を蒸着することにより形成してもよい。
するには、前記電荷発生材料等と結着樹脂等を従来公知
の方法、例えば、ロールミル、ボールミル、アトライタ
、ペイントシェーカーあるいは超音波分散器等を用いて
調製し、従来公知の塗布手段により塗布、乾燥すればよ
い。なお、前記のように電荷発生層は、前記電荷発生材
料を蒸着することにより形成してもよい。
以下、実施例に基づき、本発明をより詳細に説明する。
(実験例)
金威
レソルシノールfig、m−)ルイジン22゜6g、ヨ
ウ素0.5gを窒素気流下で3日間還流反応させた。反
応後、室温まで冷却し、生じた固体をメタノール500
mI!、で洗浄してN、 N’ −ジ(3−トリル)
−1,3−フェニレンジアミンを得た0次に、N、
N’−ジ(3−トリル)−1゜3−フェニレンジアミン
14.4g、ヨードトルエン20.4g、炭酸カリウム
9.7g、銅粉末2gをニトロベンゼン100mj!中
で24時間還流反応させた0反応後、水蒸気蒸溜により
ニトロベンゼン、ヨードトルエンを留去し、残金を水洗
し、メタノールで洗浄した。次に残金をベンゼン900
m1中に加え、水溶物を濾別し、活性アルミナカラムク
ロマト展開液(ベンゼン−ヘキサン1:1)で1stフ
ラクシヨンを得た。さらにこのフラクションを、ベンゼ
ン−ヘキサンl;2を展開液とし活性アルミナカラムク
ロマトで分離し、1stフラクシヨンを得た。溶媒を留
去しこの一部をアセトニトリルに常温で溶解させ、生じ
た結晶を種として、アセトニトリルから結晶化させるこ
とにより、N、N’−ジ(3−トリル)−N。
ウ素0.5gを窒素気流下で3日間還流反応させた。反
応後、室温まで冷却し、生じた固体をメタノール500
mI!、で洗浄してN、 N’ −ジ(3−トリル)
−1,3−フェニレンジアミンを得た0次に、N、
N’−ジ(3−トリル)−1゜3−フェニレンジアミン
14.4g、ヨードトルエン20.4g、炭酸カリウム
9.7g、銅粉末2gをニトロベンゼン100mj!中
で24時間還流反応させた0反応後、水蒸気蒸溜により
ニトロベンゼン、ヨードトルエンを留去し、残金を水洗
し、メタノールで洗浄した。次に残金をベンゼン900
m1中に加え、水溶物を濾別し、活性アルミナカラムク
ロマト展開液(ベンゼン−ヘキサン1:1)で1stフ
ラクシヨンを得た。さらにこのフラクションを、ベンゼ
ン−ヘキサンl;2を展開液とし活性アルミナカラムク
ロマトで分離し、1stフラクシヨンを得た。溶媒を留
去しこの一部をアセトニトリルに常温で溶解させ、生じ
た結晶を種として、アセトニトリルから結晶化させるこ
とにより、N、N’−ジ(3−トリル)−N。
N′−ジ(4−トリル)−1,3−フェニレンジアミン
(メタ、バラ混合置換化合物)を得た。
(メタ、バラ混合置換化合物)を得た。
上記合成例と同様にして得られたN、 N’ −ジ(
3−トリル)−1,3−フェニレンジアミン14.4g
と、ヨードトルエン21.8g、炭酸カリウム9.7g
、銅粉末2gをニトロトルエン100mA!中で24時
間還流反応させた。反応後、水蒸気蒸溜によりニトロベ
ンゼン、ヨードトルエンを留去し、残金を水洗し、メタ
ノールで洗浄した0次に残金をベンゼン900m1中に
加え、水溶物を濾別し、活性アルミナカラムクロマト展
開液(ベンゼン−ヘキサン1:1)で1stフラクシヨ
ンヲ得た。さらにこのフラクションを、ベンゼン−ヘキ
サン1:2を展開液とし活性アルミナカラムクロマトで
分離し、1stフラクシゴンを得た。溶媒を留去しこの
一部をアセトニトリルに常温で溶解させ、生じた結晶を
種として、アセトニトリルから結晶化させることにより
でN、N。
3−トリル)−1,3−フェニレンジアミン14.4g
と、ヨードトルエン21.8g、炭酸カリウム9.7g
、銅粉末2gをニトロトルエン100mA!中で24時
間還流反応させた。反応後、水蒸気蒸溜によりニトロベ
ンゼン、ヨードトルエンを留去し、残金を水洗し、メタ
ノールで洗浄した0次に残金をベンゼン900m1中に
加え、水溶物を濾別し、活性アルミナカラムクロマト展
開液(ベンゼン−ヘキサン1:1)で1stフラクシヨ
ンヲ得た。さらにこのフラクションを、ベンゼン−ヘキ
サン1:2を展開液とし活性アルミナカラムクロマトで
分離し、1stフラクシゴンを得た。溶媒を留去しこの
一部をアセトニトリルに常温で溶解させ、生じた結晶を
種として、アセトニトリルから結晶化させることにより
でN、N。
N’、N’−テトラキス(3−トリル)−1,3−フェ
ニレンジアミン(メタ置換化合物)を得た。
ニレンジアミン(メタ置換化合物)を得た。
上記合成例のm−トルイジンの代わりにP−トルイジン
22.6gを用いて上記合成例と同様にして、N、N’
−ジ(4−トリル)−1,3−フェニレンジアミンを得
た。N、N’−ジ(4−トリル)−1,3−フェニレン
ジアミン14.4gと、ヨードトルエン20.4g、炭
酸カリウム9゜7g、銅粉末2gをニトロベンゼン10
0mIl中で24時間還流反応させた0反応後、水蒸気
蒸溜によりニトロベンゼン、ヨードトルエンを留去し、
残金を水洗し、メタノールで洗浄した0次に残金をベン
ゼン900mf中に加え、水溶物を濾別し、活性アルミ
ナカラムクロマト展開液(ベンゼン−ヘキサン1:l)
で1stフラクシヨンを得た。
22.6gを用いて上記合成例と同様にして、N、N’
−ジ(4−トリル)−1,3−フェニレンジアミンを得
た。N、N’−ジ(4−トリル)−1,3−フェニレン
ジアミン14.4gと、ヨードトルエン20.4g、炭
酸カリウム9゜7g、銅粉末2gをニトロベンゼン10
0mIl中で24時間還流反応させた0反応後、水蒸気
蒸溜によりニトロベンゼン、ヨードトルエンを留去し、
残金を水洗し、メタノールで洗浄した0次に残金をベン
ゼン900mf中に加え、水溶物を濾別し、活性アルミ
ナカラムクロマト展開液(ベンゼン−ヘキサン1:l)
で1stフラクシヨンを得た。
さらにこのフラクションを、ベンゼン−ヘキサン1:2
を展開液とし活性アルミナカラムクロマトで分離し、1
stフラクシヨンを得た。溶媒を留去しこの一部をアセ
トニトリルに常温で溶解させ、生じた結晶を種として、
アセトニトリルがら結晶化させることによりN、N、N
’、N’ −テトラキス(4−)リル)−1,3−フェ
ニレンジアミン(バラ置換化合物)を得た。
を展開液とし活性アルミナカラムクロマトで分離し、1
stフラクシヨンを得た。溶媒を留去しこの一部をアセ
トニトリルに常温で溶解させ、生じた結晶を種として、
アセトニトリルがら結晶化させることによりN、N、N
’、N’ −テトラキス(4−)リル)−1,3−フェ
ニレンジアミン(バラ置換化合物)を得た。
11■上
重両発生材料としてN、 N’−ジ(3,5−ジメチル
フェニル)ペリレン−3,4,9,10−テトラカルボ
キシジイミド8重量部、電荷輸送材料としてN、N’−
ジ(3−トリル)−N、N’−ジ(4−トリル)−1,
3−フェニレンジアミン(メタ、バラ混合置換化合物)
50重量部、結看樹脂としてポリカーボネート樹脂10
0重量部および所定量のテトラヒドロフランを用い、超
音波分散器にて分散液を調製すると共に、アルマイト処
理されたアルミニウム板上に塗布し、厚さ23μmの感
光層を有する単層型の電子写真感光体を作製した。
フェニル)ペリレン−3,4,9,10−テトラカルボ
キシジイミド8重量部、電荷輸送材料としてN、N’−
ジ(3−トリル)−N、N’−ジ(4−トリル)−1,
3−フェニレンジアミン(メタ、バラ混合置換化合物)
50重量部、結看樹脂としてポリカーボネート樹脂10
0重量部および所定量のテトラヒドロフランを用い、超
音波分散器にて分散液を調製すると共に、アルマイト処
理されたアルミニウム板上に塗布し、厚さ23μmの感
光層を有する単層型の電子写真感光体を作製した。
1胤LL
電荷輸送材料としてN、 N’ −ジ(3−トリル)
−N、N’−ジ(4−トリル)−1,3−フェニレンジ
アミン(メタ、バラ混合置換化合物)70重量部を用い
る以外は実施例1と同様にして単層型の電子写真感光体
を作製した。
−N、N’−ジ(4−トリル)−1,3−フェニレンジ
アミン(メタ、バラ混合置換化合物)70重量部を用い
る以外は実施例1と同様にして単層型の電子写真感光体
を作製した。
裏施■主
電荷輸送材料としてN、 N’ −ジ(3−トリル)
−N、N’−ジ(4−トリル)−1,3−フェニレンジ
アミン(メタ、バラ混合置換化合物)90重量部を用い
る以外は実施例1と同様にして単層型の電子写真感光体
を作製した。
−N、N’−ジ(4−トリル)−1,3−フェニレンジ
アミン(メタ、バラ混合置換化合物)90重量部を用い
る以外は実施例1と同様にして単層型の電子写真感光体
を作製した。
此1
電荷輸送材料としてN、 N、 N’ N’ −テト
ラキス(4−トリル)−1,3−フェニレンジアミン(
バラ置換化合物)70重量部を用いる以外は実施例1と
同様にして単層型の電子写真感光体を作製した。
ラキス(4−トリル)−1,3−フェニレンジアミン(
バラ置換化合物)70重量部を用いる以外は実施例1と
同様にして単層型の電子写真感光体を作製した。
、医較圀」−
電荷輸送材料としてN、N、N’、N’ −テトラキ
ス(4−トリル)−1,3−フェニレンジアミン(パラ
置換化合物)100重量部を用いる以外は実施例1と同
様にして単層型の電子写真感光体を作製した。
ス(4−トリル)−1,3−フェニレンジアミン(パラ
置換化合物)100重量部を用いる以外は実施例1と同
様にして単層型の電子写真感光体を作製した。
上記各感光体の帯電特性および感光特性をドラム感度試
験機(ジエンチック社製、ジエンチックシンシア 30
M)を用いて、前記各感光体を正に帯電させ、各感光体
の表面電位vsr(v)を測定した。また、ハロゲン光
を用いて、感光体を露光し、上記表面電位が1/2とな
るまでの時間を求め、半減露光量El/2 (μJ/c
m”)を算出すると共に、露光後、0.15秒経過後の
表面電位を残留電位V、、(V)とした。また、上記各
感光体の結晶化状態を目視で調べ、結晶化が見られるか
どうかを調べた。
験機(ジエンチック社製、ジエンチックシンシア 30
M)を用いて、前記各感光体を正に帯電させ、各感光体
の表面電位vsr(v)を測定した。また、ハロゲン光
を用いて、感光体を露光し、上記表面電位が1/2とな
るまでの時間を求め、半減露光量El/2 (μJ/c
m”)を算出すると共に、露光後、0.15秒経過後の
表面電位を残留電位V、、(V)とした。また、上記各
感光体の結晶化状態を目視で調べ、結晶化が見られるか
どうかを調べた。
上記実施例および比較例で得られた電子写真感光体の帯
電特性および感光特性の測定結果を表1に示す。
電特性および感光特性の測定結果を表1に示す。
表1
比較例の電子写真感光体は結晶化して電子写真特性が評
価できなかった。
価できなかった。
表1から明らかなように、本発明の電子写真感光体はい
ずれも結晶化することなく帯電特性に優れ、半減露光量
が小さく、感度が良いと共に、残量電位が小さいことが
判明した。これに対して比較例の感光体は結晶化してし
まうものであった。
ずれも結晶化することなく帯電特性に優れ、半減露光量
が小さく、感度が良いと共に、残量電位が小さいことが
判明した。これに対して比較例の感光体は結晶化してし
まうものであった。
(発明の効果)
以上のように本発明の電子写真感光体は、結晶化しにく
いメタ、パラ混合置換したm−フェニレンジアミン系化
合物を含有しているため、高感度の感光体を得ることが
できる。
いメタ、パラ混合置換したm−フェニレンジアミン系化
合物を含有しているため、高感度の感光体を得ることが
できる。
また、本発明の電子写真感光体は、生産性の高いメタ、
バラ混合置換したm−フェニレンジアミン系化合物を用
いているので、コストの低い感光体を得ることができる
。
バラ混合置換したm−フェニレンジアミン系化合物を用
いているので、コストの低い感光体を得ることができる
。
特許出願人 三田工業株式会社
日本蒸溜工業株式会社
日本触媒化学工業株式会社
Claims (3)
- (1)導電性基体上に、下記一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔 I 〕 (式中、R^1、R^4は窒素原子に対してメタ位、R
^2、R^3は窒素原子に対してパラ位に置換した基で
ありアルキル基、アルコキシル基、ハロゲン原子を示し
、すべての置換基は同一でも、それぞれ互いに異なって
いてもよく、Rは水素原子、アルキル基、アルコキシル
基、ハロゲン原子を示す) で表されるm−フェニレンジアミン系化合物を含有する
感光層を設けたことを特徴とする電子写真感光体。 - (2)前記感光層が、電荷発生材料と共に前記一般式〔
I 〕で表されるm−フェニレンジアミン系化合物を電
荷輸送材料として単一層中に存在させたことを特徴とす
る請求項第1項記載の電子写真感光体。 - (3)前記感光層が、少なくとも電荷発生層と電荷輸送
層との積層感光体から成り、該電荷輸送層が前記一般式
〔 I 〕で表されるm−フェニレンジアミン系化合物を
含有することを特徴とする請求項第1項記載の電子写真
感光体。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1080019A JPH0734117B2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 電子写真感光体 |
| US07/498,647 US5087544A (en) | 1989-03-30 | 1990-03-26 | Perylene electrophotosensitive material with m-phenylenediamine |
| EP90106166A EP0390195B1 (en) | 1989-03-30 | 1990-03-30 | Electrophotosensitive material |
| DE69006877T DE69006877T2 (de) | 1989-03-30 | 1990-03-30 | Elektrophotoempfindliches Material. |
| KR1019900004261A KR930002248B1 (ko) | 1989-03-30 | 1990-03-30 | 전자 사진 감광체 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1080019A JPH0734117B2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02297559A true JPH02297559A (ja) | 1990-12-10 |
| JPH0734117B2 JPH0734117B2 (ja) | 1995-04-12 |
Family
ID=13706586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1080019A Expired - Fee Related JPH0734117B2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 電子写真感光体 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5087544A (ja) |
| EP (1) | EP0390195B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0734117B2 (ja) |
| KR (1) | KR930002248B1 (ja) |
| DE (1) | DE69006877T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5393629A (en) * | 1991-04-26 | 1995-02-28 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Electrophotographic photoreceptor |
| JP2007011312A (ja) * | 2005-06-01 | 2007-01-18 | Mitsubishi Chemicals Corp | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、および画像形成装置 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5262260A (en) * | 1989-06-22 | 1993-11-16 | Toagosei Chemical Industry Co., Ltd. | Photoreceptor containing carrier transport with polysilane and phenylene diamine |
| JPH04300853A (ja) * | 1991-03-29 | 1992-10-23 | Mita Ind Co Ltd | フェニレンジアミン誘導体及びそれを用いた感光体 |
| US5334470A (en) * | 1991-09-02 | 1994-08-02 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic element with M-phenylenediamine derivatives therein |
| US5494765A (en) * | 1993-01-14 | 1996-02-27 | Mita Industrial Co. Ltd | Electrophotosensitive material using a phenylenediamine derivative |
| US5660960A (en) * | 1994-09-29 | 1997-08-26 | Konica Corporation | Image forming apparatus |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0237356A (ja) * | 1988-07-27 | 1990-02-07 | Mita Ind Co Ltd | 電子写真用感光体 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE626527A (ja) * | 1961-12-29 | |||
| US3615404A (en) * | 1968-04-25 | 1971-10-26 | Scott Paper Co | 1 3-phenylenediamine containing photoconductive materials |
| US4728593A (en) * | 1985-07-12 | 1988-03-01 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photoconductive polyimide-electron donor charge transfer complexes |
-
1989
- 1989-03-30 JP JP1080019A patent/JPH0734117B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-03-26 US US07/498,647 patent/US5087544A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-03-30 DE DE69006877T patent/DE69006877T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-03-30 EP EP90106166A patent/EP0390195B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-03-30 KR KR1019900004261A patent/KR930002248B1/ko not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0237356A (ja) * | 1988-07-27 | 1990-02-07 | Mita Ind Co Ltd | 電子写真用感光体 |
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| US5393629A (en) * | 1991-04-26 | 1995-02-28 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Electrophotographic photoreceptor |
| JP2007011312A (ja) * | 2005-06-01 | 2007-01-18 | Mitsubishi Chemicals Corp | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、および画像形成装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0734117B2 (ja) | 1995-04-12 |
| EP0390195B1 (en) | 1994-03-02 |
| DE69006877D1 (de) | 1994-04-07 |
| KR930002248B1 (ko) | 1993-03-27 |
| EP0390195A1 (en) | 1990-10-03 |
| US5087544A (en) | 1992-02-11 |
| DE69006877T2 (de) | 1994-06-09 |
| KR900014938A (ko) | 1990-10-25 |
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