JPH02297713A - 磁気記録体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、高い保磁力を有する面内記録型の磁気記録体
に関する。

（従来の技術） 蒸着法やスパッタ法で例えばアルミニウム材から成る非
磁性体基板上にＣｒ膜を形成し、次いで該Ｃｒ膜上にＣ
ｏ合金膜を形成した磁気記録体は知られている。この磁
気記録体は面内方向に高い保磁力を有するので高密度記
録可能なハードディスク媒体として多用されている。

この磁気記録体の保磁力の発生メカニズムは次の通りで
ある。すなわち、蒸着法やスパッタ法により非磁性体基
板上にＣｒ膜を形成するとそのＢＣＣの（１１０）面が
基板面と平行になるように結晶配向した柱状粒子膜が得
られる。該Ｃｒ膜上に連続的にＣｏ合金膜を形成すると
、Ｃｏ合金膜のＨＣＰのＣ軸の原子間距離とＣｒ膜の（
１１０）面の原子間距離がほとんど等しいため、Ｃｏ合
金膜はＣ軸が基板面に平行になるようにエピタキシャル
成長する。このＣｏ合金膜のＨＣＰのＣ軸は磁化容易軸
なので、該Ｃｏ合金膜は面内磁化膜となる。

また下地のＣｒ膜は比較的明瞭な柱状粒子構造をとるの
で、該Ｃｒ膜上に成長したＣｏ合金膜も相互に隔離した
粒子構造となる。このように結晶磁気異方性を面内にも
った単磁区粒子構造となる結果、高保磁力が発生する。

もし下地のＣｒ膜がない場合、或いはＣｒ膜の表面が汚
染されてエピタキシャル成長が出来ないような場合には
、Ｃｏ合金膜はＣ軸を基板面に垂直にした結晶配向をと
ってしまう。いわゆる垂直磁化膜はこのような場合に相
当する。

このように、この種の面内記録型の磁気記録体では、下
地のＣｒ膜は００合金膜の結晶方向と粒子形状を制御し
ており、高保磁力を発生させる上で極めて重要な役割を
はたしている。

前記００合金膜としては、例えばＣｏ−旧、Ｃｏ　−Ｎ
ｉ−Ｃｒ、　Ｃｏ−Ｎ１−Ｐｔ、　Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ　
−Ｃｒ　−Ｐｔ、　Ｃ。

−Ｎｌ　−Ｚｒ、　Ｃｏ　−Ｎｌ　−Ｗ　、　Ｃｏ　−
Ｏｒ　−Ｔａ等の合金膜が知られている。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら、記録密度を増加させるために、更に高い
保磁力が要求されている。

本発明は、更に、保磁力を向上させた面内記録型の磁気
記録体を提供することを目的とする。

（課題を解決するための手段） 磁気記録媒体の保磁力の発生には、下地のＣｒ膜が次の
二点で重要な役割をはたしており、その一つはＣｒ膜上
に形成されるＣｏ合金膜の結晶方位の制御であり、もう
一つはＣｏ合金膜を粒子の集合体状の膜構造にすること
である。

そこで本発明者らは、下地Ｃｒ膜の特に後者の作用に着
眼し、該下地Ｃｒ膜の結晶粒を微細化すべく種々試みた
ところ、Ｃｒに固溶しないか、或いは固溶しにくい元素
をＣｒ１．：添加混入することによりＣｒ膜の結晶粒は
微細化して柱状粒子構造が明瞭となり、高い保磁力が得
られることを知見した。

本発明の磁気記録体は、前記知見に基づいてなされたも
のであって、非磁性体基板上にＣｒ膜とＣｏ合金膜を連
続的に形成してなる面内記録型の磁気記録体において、
前記Ｃｒ膜中に少なくともＰを添加したことを特徴とす
る。

Ｃｒに添加するＰは単独で添加してもよいが、Ｐと同様
にＣｒに固溶或いは固溶しにくい例えばＳｌ、希土類元
素、Ｃｕ等と共に添加してもよい。

例えばＣｒにＰとＳｔ、希土類元素、Ｃｕ等を共に添加
すればＰ単独添加に比して保磁力が更に向上する。

（作　用） 下地となるＣｒ膜中に少なくともＰを添加することによ
って、ＰはＣｒに固溶しにくいため、Ｃｒ結晶粒子の粒
界に偏析するなどして、Ｃｒ結晶粒子が粗大化すること
を防止したり、粒子間の隔離を促進する。

（実施例） 次に本発明を実施例につき説明する。

実験例１ 本実験例では、下地となるＣｒ膜中に添加する添加物と
してＰ単独、ＰとＳｌの組成比をｌ：１としたｐ−ｓｔ
混合物を用い、非磁性体基板上へのＣｒ膜と、００合金
膜の連続的形成を次のように行った。

先ず、下地となるＣｒ膜材としてＣｒへのＰの添加量が
１％の膜材を用意した。

次に、アルミニウム板上にＮ１−Ｐを無電解メッキした
非磁性体基板を径ツイフチの直流マグネトロンカソード
を３台備えたバッチ式スパッタ装置内に載置した後、該
スパッタ装置の処理室内を真空ポンプを介して真空度ｌ
Ｘｌ０−６Ｔｏｒｒ以下に設定し、続いて、処理室内が
２Ｘ１０−’Ｔｏｒｒとなるようにアルゴンガスを導入
した。。

次いで該基板を温度２００℃に加熱保持し、これに−３
００Ｖのバイアス電圧を印加しながら直流マグネトロン
スパッタ法で該基板上に厚さ５００人の前記組成のＣｒ
膜を形成し、続いて該Ｃｒ膜上に厚さ５００人のＣｏ−
２０ａｔ％Ｎｌ　−１０ａｔ％Ｃｒ組成から成るＣｏ合
金膜を形成した後、更に該Ｇｏ合金膜上に厚さ３００人
のＣ保護膜を形成した磁気記録体を作成した。

また、下地Ｃｒ膜材としてＰを１％含むＣｒ膜材の代わ
りにＣｒへのＰの添加量を３％、５％としたＣｒ膜材、
ＣｒへのＰ−Ｓｌ混合物の添加量を０，５％、１％、３
％、５％としたＣｒ膜材、ＣｒにＰ或いはｐ−ｓｔ混合
物を全く添加しないＣｒ膜材を用いた以外は前記と同様
の方法で夫々の磁気記録体を作成した。

尚、基板上に形成する下地のＣｒ膜層の前記添加物の添
加量調整は叶ターゲット上に載置する該添加物のベレッ
トの面積を変化させて行い、また下地のＣｒ膜上に形成
するＣｏ合金膜はＣｏ−２０ａｔ％ＮＩＧＴターゲット
（商品名　日本真空技術株式会社製）上にＮ１およびＣ
ｒベレットを載置してｃｏ−２０ａｔ％旧−１０ａｔ％
Ｃｒ組成となるように調整した。

そして得られた各磁気記録体の保磁力を測定した。得ら
れたｎ１定結果を第１図に示す。

また、下地のＣｒ膜を無添加のＣｒ膜としたときの磁気
記録体の保磁力（Ｏｅ）は１３００であった。

尚、Ｃｒ膜中の添加物の分析はオージェ分析法により行
い、また保磁力は振動式磁束計（ｖＳＭ）によりａｐｌ
定した。

第１図に示すように非磁性体基板上に形成する下地のＣ
ｒ膜に少なくともＰを添加することによって、添加しな
い場合に比して保磁力が向上したことが確認された。

また、ＣｒにＰと８１を共に添加することによってＰ単
独添加よりも保磁力が更に向上することが確認された。

Ｐをｌａｔ％添加したＣｒ膜を非磁性体基板上に形成す
る下地とし、該Ｃｒ膜上に前記００合金膜およびＣ膜を
形成して作成された磁気記録体の断面をＳＥＸにより観
察したところ、Ｐを全く添加していないＣｒ単独膜を下
地とし、該Ｃｒ膜上に前記Ｃｏ合金膜およびＣ膜を形成
して作成された磁気記録体に比してＣｒ膜の柱状粒子構
造が明確で、粒子も微細化していることが確認された。

前記実験例では非磁性体基板上に形成する下地のＣｒ膜
層への添加物の添加をＣｒターゲツ！・上に該添加物の
ベレットを載置して行ったが、これ等の添加物をＣｒに
予め添加した合金をターゲットとして用いても同様の効
果が得られることが確認された。

実験例２ 前記実験例１で作成した各磁気記録体のディスクを５Ｍ
ＩＩｚにおいて記録再生した場合のＳ／Ｎ比をｎ１定し
た。得られた結果を第２図に示す。

第２図から明らかなようにＣｒ膜中に少なくともＰを添
加することによって、添加しない場合に比してＳ／Ｎ比
が３〜６ｄＢ向上した。またＣｒにＰと８１を共に添加
することによってＰ単独添加に比してＳ／Ｎ比が更に向
上した。これは磁気記録体の保磁力が向上したためと考
えられる。

比較実験例 非磁性体基板上に形成する下地のＣｒ膜への添加する添
加物として前記添加物の代わりにＷ。

Ｖ、　Ｎｏ、　ＴＩを用い、その添加量を夫々ｌａｔ％
とした以外は実験例１と同様方法で磁気記録体を作成し
た。そして得られた各磁気記録体の保磁力を実験例１と
同様方法で測定した。得られたａｌｌｌｌ定結節３図に
示す。

第３図から明らかなように下地となるＣｒ膜への添加物
として少なくともＷ、　　Ｖ、　Ｎｏ、　ＴＩの元素を
用いると得られる磁気記録体の保磁力は向上せずにむし
ろ減少することが確認された。

（発明の効果） このように本発明磁気記録体によるときは、非磁性体基
板上のＣｒ膜中に少なくともＰを添加せしめることによ
って、非磁性体基板上に形成されたＣｒ膜構造は柱状構
造が明瞭となり、各粒子間の隔離作用が大きくなるので
、該Ｃｒ膜上に形成されるＣｏ合金膜の粒子間の隔離が
進行するため、従来の無添加のＣｒ単独膜を下地とした
磁気記録体に比して保磁力を向上させることが出来る効
果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明実験例における磁気記録体の保磁力と添
加物の添加量変化との関係を示す特性図、第２図は本発
明の磁気記録体のディスクの記録再生時におけるＳ／Ｎ
比と添加元素の添加量変化との関係を示す特性図、第３
図は比較実験例における磁気記録体の保磁力と添加元素
のの関係を示す特性図である。 平成　年　月　日

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 非磁性体基板上にＣｒ膜とＣｏ合金膜を連続的に形成し
   てなる面内記録型の磁気記録体において、前記Ｃｒ膜中
   に少なくともＰを添加したことを特徴とする磁気記録体
   。