JPH02297900A - シンクロトロン放射光発生装置 - Google Patents
シンクロトロン放射光発生装置Info
- Publication number
- JPH02297900A JPH02297900A JP11792589A JP11792589A JPH02297900A JP H02297900 A JPH02297900 A JP H02297900A JP 11792589 A JP11792589 A JP 11792589A JP 11792589 A JP11792589 A JP 11792589A JP H02297900 A JPH02297900 A JP H02297900A
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- synchrotron radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、半導体製造や医療などに用いられるシンク
ロトロン放射光発生装置に関するものである。
ロトロン放射光発生装置に関するものである。
［従来の技術］
第２図は「小型シンクロトロン放射光発生リングの開発
と課題」冨増、低温工学 Ｖ ｏ 、１２３゜Ｎｏ、ｌ
（１９８８）に示されている従来のシンクロトロン
放射光発生装置を示す平面構成図である。図において、
（１）は荷電粒子ビームを、閉軌道を構成する管状の
真空槽へ入射するセプタム電磁石、 （２）は入射の時
に荷電粒子の軌道をずらせるためのキッカ電磁石、 （
３）はビームを集束するための四極電磁石、 （４）は
荷電粒子を曲げる二極電磁石、 （５）は荷電粒子を加
速する高周波空洞、 （６）はウィグラ、アンジュレー
タなどの挿入光源であり、電子等の荷電粒子がこの挿入
光源（６）を通るときにその交番磁界りこよって蛇行す
る事によって、シンクロトロン放射光を発生するもので
ある。 （７）はシンクロトロン放射光を取り出す装置
である。
と課題」冨増、低温工学 Ｖ ｏ 、１２３゜Ｎｏ、ｌ
（１９８８）に示されている従来のシンクロトロン
放射光発生装置を示す平面構成図である。図において、
（１）は荷電粒子ビームを、閉軌道を構成する管状の
真空槽へ入射するセプタム電磁石、 （２）は入射の時
に荷電粒子の軌道をずらせるためのキッカ電磁石、 （
３）はビームを集束するための四極電磁石、 （４）は
荷電粒子を曲げる二極電磁石、 （５）は荷電粒子を加
速する高周波空洞、 （６）はウィグラ、アンジュレー
タなどの挿入光源であり、電子等の荷電粒子がこの挿入
光源（６）を通るときにその交番磁界りこよって蛇行す
る事によって、シンクロトロン放射光を発生するもので
ある。 （７）はシンクロトロン放射光を取り出す装置
である。
次に動作について説明する。図には省略されている予備
加速器で加速された電子は輸送管を経由してセプタム電
磁石（１）で曲げられ、真空槽へ入る。キッカ電磁石（
２）は当初軌道を閉軌道の外側へずらし、入射粒子を取
り込みながら徐々に軌道を内側へ戻す。入射された電子
は四極電磁石（３）で集束され、二極電磁石（４）の作
る垂直磁界で曲げられて閉軌道を周回する。この間、電
子が挿入光源（６）を通るときにその交番磁界によって
蛇行する事によって発生する放射光を、取り出し装置（
７）によって取り出して、半導体を製造したり、医学に
応用する。
加速器で加速された電子は輸送管を経由してセプタム電
磁石（１）で曲げられ、真空槽へ入る。キッカ電磁石（
２）は当初軌道を閉軌道の外側へずらし、入射粒子を取
り込みながら徐々に軌道を内側へ戻す。入射された電子
は四極電磁石（３）で集束され、二極電磁石（４）の作
る垂直磁界で曲げられて閉軌道を周回する。この間、電
子が挿入光源（６）を通るときにその交番磁界によって
蛇行する事によって発生する放射光を、取り出し装置（
７）によって取り出して、半導体を製造したり、医学に
応用する。
Ｃ発明が解決しようとする課題］
従来のシンクロトロン放射光発生装置は以上のように構
成されているが、挿入光源（６）が周回軌道に入ってい
るため、電子等の荷電粒子が蓄積されにくいという欠点
があった。すなわち、挿入光源は開口部が狭いので、電
子が入射する時に、その空間を制限して蓄積を困難にし
、また入射後に挿入光源を稼働することによって、電子
の集束間係を乱す結果、不安定状態が起き、電子の損失
を招く。このことは不安定状態になり易い、周長が５
ｏ ｔｎｎトド小型のシンクロトロン放射光発生装置の
時に特に問題となる。
成されているが、挿入光源（６）が周回軌道に入ってい
るため、電子等の荷電粒子が蓄積されにくいという欠点
があった。すなわち、挿入光源は開口部が狭いので、電
子が入射する時に、その空間を制限して蓄積を困難にし
、また入射後に挿入光源を稼働することによって、電子
の集束間係を乱す結果、不安定状態が起き、電子の損失
を招く。このことは不安定状態になり易い、周長が５
ｏ ｔｎｎトド小型のシンクロトロン放射光発生装置の
時に特に問題となる。
この発明は上記のような従来のものの問題点を解決する
力めになされたもので、小型で、かつ電子が蓄積され易
く、従って高性能なシンクロトロン放射光発生装置を実
現することを目的としている。
力めになされたもので、小型で、かつ電子が蓄積され易
く、従って高性能なシンクロトロン放射光発生装置を実
現することを目的としている。
［課題を解決するための手段］
この発明に係わるシンクロトロン放射光発生装置は、分
岐路を設けて、そこに挿入光源を配置し、荷電粒子の入
射時とシンクロトロン放射光の取り出し時との軌道を切
り換えるようにしたものである。
岐路を設けて、そこに挿入光源を配置し、荷電粒子の入
射時とシンクロトロン放射光の取り出し時との軌道を切
り換えるようにしたものである。
［作用］
この発明においては挿入光源を有する分岐路を設け、荷
電粒子の入射時とシンクロトロン放射光の取り出し時と
の軌道の切り換えを行なうことにより、ビームを安定に
蓄積することが可能になるので、シンクロトロン放射光
発生装置が小型で、かつ高性能にできる。
電粒子の入射時とシンクロトロン放射光の取り出し時と
の軌道の切り換えを行なうことにより、ビームを安定に
蓄積することが可能になるので、シンクロトロン放射光
発生装置が小型で、かつ高性能にできる。
［実施例］
以下、この発明の一実施例によるシンクロトロン放射光
発生装置を第１図について説明する。図において、 （
１）は荷電粒子ビームを真空槽へ入射するセプタム電磁
石、 （ｌａ）はビームの軌道を分岐または合流するセ
プタム電磁石、 （２ａ）（２ｂ）（２ｃ）（２ｄ）は
、入射時と分岐時とで粒子の軌道を切り換えるためのキ
ッカ電磁石、（３）及び（３ａ）はビームを集束するた
めの四極電磁石、 （４）は荷電粒子を曲げる二極電磁
石、（５）は粒子を加速する高周波空洞、 （６）はウ
ィグラ、アンジュレータなどの挿入光源、 （７）はシ
ンクロトロン放射光を取り出す装置である。
発生装置を第１図について説明する。図において、 （
１）は荷電粒子ビームを真空槽へ入射するセプタム電磁
石、 （ｌａ）はビームの軌道を分岐または合流するセ
プタム電磁石、 （２ａ）（２ｂ）（２ｃ）（２ｄ）は
、入射時と分岐時とで粒子の軌道を切り換えるためのキ
ッカ電磁石、（３）及び（３ａ）はビームを集束するた
めの四極電磁石、 （４）は荷電粒子を曲げる二極電磁
石、（５）は粒子を加速する高周波空洞、 （６）はウ
ィグラ、アンジュレータなどの挿入光源、 （７）はシ
ンクロトロン放射光を取り出す装置である。
また、真空槽の周長は５０ｍを越えないよう設計されて
いる。
いる。
次に動作について説明する０図には省略されている予備
加速器で加速された電子は輸送管を経由してセプタム電
磁石（１）で曲げられ、真空槽へ入る。キッカ電磁石（
２ａ）（２ｂ）（２ｃ）は当初軌道を閉軌道の外側へず
らし、入射粒子を取り込みながら徐々に軌道を内側へ戻
す。入射された電子は四極電磁石（３）で集束され、二
極電磁石（４）の作る垂直磁界で曲げられて閉軌道を周
回する。従来例と異なり、入射の間には電子は挿入光源
（６）を通過しないので、その狭い開口部によって損失
を受けることがなく、蓄積が容易である。十分な電子数
が蓄積され、電子の状態が安定になった後、セプタム電
磁石（ｌａ）とキッカ電磁石（２ａ）（２ｂ）（２ｃ）
（２ｄ）を起動し、電子を分岐路に導く。分岐路では電
子が挿入光源（６）を通るときに、その交番磁界によっ
て蛇行する事によって発生する放射光を取り出し装置（
７）によって取り出して、半導体を製造したり、医学に
応用する。なおこの際、８個の四極電磁石（３ａ）によ
って、電子の状態が不安定状態にならないよう制御する
ので、挿入光源の集束作用による電子の損失を避けるこ
とができる。
加速器で加速された電子は輸送管を経由してセプタム電
磁石（１）で曲げられ、真空槽へ入る。キッカ電磁石（
２ａ）（２ｂ）（２ｃ）は当初軌道を閉軌道の外側へず
らし、入射粒子を取り込みながら徐々に軌道を内側へ戻
す。入射された電子は四極電磁石（３）で集束され、二
極電磁石（４）の作る垂直磁界で曲げられて閉軌道を周
回する。従来例と異なり、入射の間には電子は挿入光源
（６）を通過しないので、その狭い開口部によって損失
を受けることがなく、蓄積が容易である。十分な電子数
が蓄積され、電子の状態が安定になった後、セプタム電
磁石（ｌａ）とキッカ電磁石（２ａ）（２ｂ）（２ｃ）
（２ｄ）を起動し、電子を分岐路に導く。分岐路では電
子が挿入光源（６）を通るときに、その交番磁界によっ
て蛇行する事によって発生する放射光を取り出し装置（
７）によって取り出して、半導体を製造したり、医学に
応用する。なおこの際、８個の四極電磁石（３ａ）によ
って、電子の状態が不安定状態にならないよう制御する
ので、挿入光源の集束作用による電子の損失を避けるこ
とができる。
万一、ビームが不安定になった場合にはセプタム電磁石
（ｌａ）とキッカ電磁石（２嶋）（２ｂ）（２ｃ）（２
ｄ）の動作を停止して、電子をもとの周回軌道に戻して
安定化し、再利用することも可能である。
（ｌａ）とキッカ電磁石（２嶋）（２ｂ）（２ｃ）（２
ｄ）の動作を停止して、電子をもとの周回軌道に戻して
安定化し、再利用することも可能である。
また、上記実施例における構成では、キッカ電磁石（２
ａ）（２ｂ）（２ｃ）は、入射時と分岐時との両方に用
いることができるので、短い閉軌道を構成でき、分岐路
をもった、小型のシンクロトロン放射光発生装置が比較
的容易に構成できる。
ａ）（２ｂ）（２ｃ）は、入射時と分岐時との両方に用
いることができるので、短い閉軌道を構成でき、分岐路
をもった、小型のシンクロトロン放射光発生装置が比較
的容易に構成できる。
なお、上記実施例では外側巻線と内側巻線の曲率を一定
としたが、必ずしも一定である必要はない。
としたが、必ずしも一定である必要はない。
［発明の効果］
以上のように、この発明によれば分岐路を設けて、そこ
に挿入光源を配置し、荷電粒子の入射時とシンクロトロ
ン放射光の取り出し時との軌道を切り換えるようにした
ので、荷電粒子が安定に蓄積され、小型で高性能なシン
クロトロン放射光発生装置が安価に得られるとい７う効
果がある。
に挿入光源を配置し、荷電粒子の入射時とシンクロトロ
ン放射光の取り出し時との軌道を切り換えるようにした
ので、荷電粒子が安定に蓄積され、小型で高性能なシン
クロトロン放射光発生装置が安価に得られるとい７う効
果がある。
第１図はこの発明の一実施例によるシンクロトロン放射
光発生装置を示す平面構成図、及び第２図は従来のシン
クロトロン放射光発生装置を示す平面構成図である。 図において、 （１）（ｌａ）はセプタム電磁石、（２
ａ）（２ｂ）（２ｃ）（２ｄ）はキッカ電磁石、 （３
）（３ａ）は四極電磁石、 （４）は二極電磁石、 （
５）は高周波空洞、 （６）は挿入光源、（７）は放射
光取り出し装置である。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
光発生装置を示す平面構成図、及び第２図は従来のシン
クロトロン放射光発生装置を示す平面構成図である。 図において、 （１）（ｌａ）はセプタム電磁石、（２
ａ）（２ｂ）（２ｃ）（２ｄ）はキッカ電磁石、 （３
）（３ａ）は四極電磁石、 （４）は二極電磁石、 （
５）は高周波空洞、 （６）は挿入光源、（７）は放射
光取り出し装置である。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 周長５０ｍ以下の閉軌道を構成する真空槽、上記真空槽
中に荷電粒子を入射する入射装置、上記荷電粒子を曲げ
る二極電磁石、上記荷電粒子を集束する四極電磁石、上
記荷電粒子を加速する高周波空洞、上記閉軌道を周回す
る荷電粒子を分岐し、再び上記閉軌道に合流させる分岐
路、入射時、及び分岐時に上記荷電粒子の軌道を切り換
えるキッカ電磁石、上記分岐路中に設けられ、シンクロ
トロン放射光を発生する挿入光源、並びに上記挿入光源
より上記シンクロトロン放射光を取り出す取り出し手段
を備えたシンクロトロン放射光発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11792589A JPH02297900A (ja) | 1989-05-11 | 1989-05-11 | シンクロトロン放射光発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11792589A JPH02297900A (ja) | 1989-05-11 | 1989-05-11 | シンクロトロン放射光発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02297900A true JPH02297900A (ja) | 1990-12-10 |
Family
ID=14723591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11792589A Pending JPH02297900A (ja) | 1989-05-11 | 1989-05-11 | シンクロトロン放射光発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02297900A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024246890A2 (en) | 2023-05-28 | 2024-12-05 | Adam's Systems Technology Ltd | Power generation cyclic particle accelerator system and method |
-
1989
- 1989-05-11 JP JP11792589A patent/JPH02297900A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2024246890A2 (en) | 2023-05-28 | 2024-12-05 | Adam's Systems Technology Ltd | Power generation cyclic particle accelerator system and method |
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