JPH02297901A - 非直線抵抗体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は側面に高抵抗層を形成した非直線抵抗体の製造
方法に関する。

（従来の技術） 一般に、非直線抵抗体は避雷器の構成要素として使用さ
れ、酸化亜鉛を主成分とするものである。

そして、非直線抵抗体は酸化亜鉛に酸化ビスマス等の添
加物を添加して成形または仮焼後、側面に抵抗層を形成
するＺｎ、Ｓｉｎ、、　Ｚｎ７Ｓｂ２Ｏ３、、Ｓｉ、０
３などを塗布し、焼結する等の方法で製造されている。

また、非直線抵抗体に要求される特性の一つに放電耐量
特性がある。この放電耐量特性は１例えばＷＬ流値６５
ｋＡ波形４ｘｌＯｕの衝！！電流を５分間隔で非直線抵
抗体に印加し、この非直線抵抗体の内５０％が破壊する
印加回数（以下５０％破壊回数と呼ぶ）などで表わされ
る。

ところで、従来の製造方法にあっては、焼結時に非直線
抵抗体の表面付近からＢｉ２０Ｊ　が飛散すると考えら
れている。しかも、このＤｉ、０．は放電耐量特性の向
上に寄与することも知られている。このため、従来の製
造方法では安定した放電耐量特性を有する非直線抵抗体
を提供することが困難であった。

（発明が解決しようとする課題） このように、従来の非直線抵抗体の製造方法にあっては
、焼結時にＢｉ２Ｏ３が飛散するために放電耐量特性を
向上させることができなかった６本発明は上記の点を考
慮して成されたもので、放電耐量特性が向上する非直線
抵抗体の製造方法を提供することを目的とする。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段） 上記目的を達成するために本発明においては。

成形体の側面にＺｎＯを４０乃至９０モル％、Ｓｂ２Ｏ
３を１０乃至６０モル％含む第１の側面剤を塗布し、さ
らに。

７口、Ｓｉｎ、、を主成分としＢｉ２Ｏ，をＯ乃至３０
モル％含む。

５ｉ０２を主成分としＢｉ、０３をＯ乃至３０モル％含
む、Ｆｅ２Ｏ，を主成分としＢｉ２Ｏ，をＯ乃至３０モ
ル％含むあるいは５ｉｎ２を主成分とし５ｂ２０３を０
乃至３０モル％含む第２の側面剤を塗布している。

（作用） このようにして非直線抵抗体を製造することにより、焼
結時［１ｉ、　０．の飛散が抑制され、非直線抵抗体の
放電耐量を向上することができる。

（実施例） 以下本発明の一実施例を表及び図面を参照して説明する
。

初めに、成形体の成形工程について説明する。

ＺｎＯの粉末に、添加物としてＢｉよ０．１．０モル％
。

Ｃｏ２０．０．５モル％、　Ｍｎ０２０．５モル％、　
５ｂ２０．１．０モル％、　ＮｉＯ１，０モル％を夫々
添加し、充分に粉砕、混合後、造粒して原料粉が得られ
る。この原料粉を直径４０ｎｎ、厚さ３０ｍの大きさに
圧縮成形して成形体が得られる。

次に、成形体を９００℃で２時間焼成し冷却する仮焼工
程にて仮焼体が得られる。

さらに、仮焼体の側面には、第１の抵抗層成形工程にて
第１の側面剤が塗布される。この第１の側面剤はＺｎＯ
とｓｂ、　ｏ３を適当な割合で混合した原料粉と、エチ
ルセルロース２５ｗｔ％、ブチルカルピトール７５ｗｔ
％からなるバインダーとを重量比で１対３の割合で配合
し、均一になるように混練したペーストである。

そして、乾燥後筒１の側面側上には、第２の抵抗層成形
工程にて第２の側面剤が塗布される。この第２の側面剤
は主成分であるＺｎ２ＳｉＯ４とＢｉ２Ｏ３を適当な割
合で混合した原料粉と、エチルセルロース２５ｗｔ％、
ブチルカルピトール７５ｗｔ％からなるバインダーとを
重量比で１対３の割合で配合し、均一になるように混練
したペーストである。

また、乾燥後、気中にて１２００℃で焼結して焼結体を
得る焼結工程が施される。

最後に、焼結体の両端面を研磨し、周縁近傍のを除きア
ルミニウム溶射にて電極が形成される。

このようにして得られた非直線抵抗体は図に示すような
構成となる。即ち、図中１はＺｎＯを主成分とする焼結
体である。また、２はｚｎ７Ｓｂ２０１２を主成分とす
る第１の抵抗層であり、３はＺｎ、　Ｓｉｎ。

を主成分とする第２の抵抗層である。さらに、４は電極
である。なお、第１及び第２の抵抗Ｍ２゜３の成分はＸ
線回折により確認された。

また、第１の側面剤の最適構成比及び第２の側面剤の最
適構成比を得るために、夫々表１及び表２に示すような
構成比の側面剤を準備した。

そして、これら第１及び第２の側面剤を組合せて得られ
た非直線抵抗体の特性を表３−１及び表３−２に示す。

なお、比較のために表３−２に従来例としてＢｉｂ、　
、　Ｓｂ２Ｏ３、５ｉｎ２を夫々１０モル％。

１０モル％、８０モル％含む側面剤を仮焼体に塗布した
場合の結果も示している。

（以下余白） 表　　１ 第１の側面剤 表　　２ 第２の側面剤 表３−１ 表３−２ 表３−１及び表３−２かられかるように、Ｖ　１ｍＡ／
　ｎｗｎ及びＶ　１ｍＡ／　Ｖ　ＩＯμＡは従来例と同
様な結果が得られた。

また、従来例の５０％破壊回数は６．８回であった。

そして、第１の側面剤については次のことが言える。つ
まり、５ｂ２ｏ、の構成比を増加させ１０モル％付近で
放電耐量特性が向上し、６０モル％を越えると放電耐量
特性が逆に低下する。

これは、５ｂ２ｏ、が１０モル％未満では５ｂ２０３ｉ
が不足し充分なｚｎ２Ｓｂ２０゜が形成されず、５ｂ２
ｏ、が６０モル％を越えた場合では５ｂ２ｏ、量が逆に
多すぎ均一な７．ｎ、５ｂ２０工２が形成されないと考
えられる。

また、ｓｂ、　ｏ、がＺｎＯを主成分とする焼結体のＺ
ｎＯと反応Ｚｎ７ＳＥｌｚＯｘｉを形成するので、焼結
体と第１の抵抗層との密着性が高くなる。

他方、第２の側面剤については次のことがわかる。つま
り、Ｂｉ２Ｏ３の構成比を増加させ３０モル％を越える
と、放電耐量特性が低下する。

これは、　Ｄｉ２０．が多すぎてＺｎ２ＳｉＯ、の一部
が流れ落ち、第２の抵抗層厚みが薄くなるためと考えら
れる。

また、Ｚｎ２ＳｉＯ４は構造的に極めて安定しており、
焼結体からのＢｉ２Ｏ，の飛散を抑制することができる
。

このように、第１の抵抗層と第２の抵抗層の効果により
、放電耐量特性が向上する。

なお、本実施例においては、仮焼体の側面に第１の側面
剤及び第２の側面剤を塗布しているけれども、仮焼工程
を必要に応じ追加あるいは省Ｖ１８１゜た場合でも本実
施例と同様な効果があることが確認された。

また１発明者は異なる第２の側面剤について検討した。

例えば、第２の側面剤の主成分１ｎ、　５ｉｎ４を５ｉ
ｎ２あるいはＦｅ２　ｏ、に置換した。尚、Ｆｅ、　０
．に置換した場合第２の抵抗層の主成分はＺｎ、　Ｆｅ
ｄ４である。

さらに、第２の側面剤の主成分Ｚｎ、ＳｉＯ４をＳｉＯ
□に、Ｂ１□Ｏ１をｓｂ、　ｏ、に夫々置換した。この
とき、第２の抵抗層の主成分はＺｎ２ＳｉＯ４とＺｎ７
Ｓｂ、　０．、である。

これらいずれの場合も上記実施例と同様な効果があるこ
とが確認された。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明においては、成形体の側面に
ＺｎＯを４０乃至９０モル％、５ｂ２ｏ、を１０乃至６
０モル％含む第１の側面剤を塗布し、さらに、Ｚｎ２Ｓ
ｉＯ、を主成分としＤｉ、　Ｏ，をＯ乃至３０モル％含
む、５ｉｎ２を主成分としＢｉ、０．をＯ乃至３０モル
％含む、Ｆｅ、２Ｏ３を主成分としＢｉ、　Ｏ，を０乃
至３０モル％含むあるいはＳｉｎ、を主成分としｓｂ、
　ｏ、をＯ乃至３０モル％含む第２の側面剤を塗布して
いるので、焼結時［１ｉ２Ｏ３の飛散が抑制され、非直
線抵抗体の放電耐量を向上することができる。

【図面の簡単な説明】

図は本発明の一実施例により得られた非直線抵抗体の断
面図である。 １・・・焼結体、　　　　　　２・・・第１の抵抗層。 ３・・・第２の抵抗層、　　４・・・電極。 代理人　弁理士　則　近　憲　佑 同　　第子丸　健

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）酸化亜鉛を主成分とし添加物としてＢｉ＿２Ｏ＿
   ３を含む原料を圧縮成形する成形工程と、 前記成形工程により得られた成形体の側面にＺｎＯを４
   ０乃至９０モル％、Ｓｂ＿２Ｏ＿３を１０乃至６０モル
   ％含む第１の側面剤を塗布する第１の抵抗層成形工程と
   、 この第１の抵抗層成形工程により得られた成形体の側面
   にＺｎ＿２ＳｉＯ＿４を主成分としＢｉ＿２Ｏ＿３を０
   乃至３０モル％含む、ＳｉＯ＿２を主成分としＢｉ＿２
   Ｏ＿３を０乃至３０モル％含む、Ｆｅ＿２Ｏ＿３を主成
   分としＢｉ＿２Ｏ＿３を０乃至３０モル％含むあるいは
   ＳｉＯ＿２を主成分としＳｂ＿２Ｏ＿３を０乃至３０モ
   ル％含む第２の側面剤を塗布する第２の抵抗層成形工程
   と、 この第２の抵抗層成形工程により得られた成形体を焼結
   する焼結工程とを備えてなる非直線抵抗体の製造方法。
2. （２）第１の抵抗層成形工程の前後の少なくともいずれ
   か一方で成形体を７００乃至１１００℃で仮焼してなる
   請求項１記載の非直線抵抗体の製造方法。