JPH02298052A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH02298052A JPH02298052A JP11921089A JP11921089A JPH02298052A JP H02298052 A JPH02298052 A JP H02298052A JP 11921089 A JP11921089 A JP 11921089A JP 11921089 A JP11921089 A JP 11921089A JP H02298052 A JPH02298052 A JP H02298052A
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- Japan
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- semiconductor device
- semiconductor element
- metal body
- heat dissipation
- heat
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、放熱を必要とする半導体装置に関するもの
である。
である。
（従来の技術〕
以下、半導体装置はＴａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂ
ｇ＋ｄｉｎｇ（以下、ＴＡＢという）の場合を基に説明
する。
ｇ＋ｄｉｎｇ（以下、ＴＡＢという）の場合を基に説明
する。
第３図は、従来のＴＡＢ方式により形成された半導体装
置パンケージ構造を示す断面図である。
置パンケージ構造を示す断面図である。
図に於いて、（１１は半導体素子、偉）は半導体素子！
１１の突起電極、（３ａ）はサポートテープ、（４）は
例えば３５μｍ厚さの銅箔より成る半導体素子ｉｌ＋の
リードで、電極（２）に接続され、サポートテープ（３
ａ）上に支持されたインナーリード部（４ａ）及びサポ
ートテープ（３ａ）の外端部から外側に向けて形成され
、外部回路へ接続されるアラ） ＩＪ−ド部（４ｂ）か
ら成る。（５）は導電性キャップで、例えば０．１鶴厚
さの鉄−ニッケル合金より成るシートを絞り加工した後
、Ａｇめっきして形成され、この上に半導体素子ｆｉ＋
の裏面がはんだ又は導電性接着剤により接着され、サポ
ートテープ（３ａ）を保持すると共に、半導体素子＜１
１に裏面電位が必要な時はその電路となり、動作中は半
導体素子ｔ１）の放熱面ともなる。
１１の突起電極、（３ａ）はサポートテープ、（４）は
例えば３５μｍ厚さの銅箔より成る半導体素子ｉｌ＋の
リードで、電極（２）に接続され、サポートテープ（３
ａ）上に支持されたインナーリード部（４ａ）及びサポ
ートテープ（３ａ）の外端部から外側に向けて形成され
、外部回路へ接続されるアラ） ＩＪ−ド部（４ｂ）か
ら成る。（５）は導電性キャップで、例えば０．１鶴厚
さの鉄−ニッケル合金より成るシートを絞り加工した後
、Ａｇめっきして形成され、この上に半導体素子ｆｉ＋
の裏面がはんだ又は導電性接着剤により接着され、サポ
ートテープ（３ａ）を保持すると共に、半導体素子＜１
１に裏面電位が必要な時はその電路となり、動作中は半
導体素子ｔ１）の放熱面ともなる。
（５ａ）はサポートテープ（３ａ）を支持する為のフラ
ンジ部、（６）は半導体素子ｆ１＋を導電性キャップ（
５）に接着する第１の接着部材で、はんだ又は導電性接
着剤等が用いられる。（７）は例えばエポキシ樹脂等の
封止樹脂で、半導体素子＋ｌ＋及びその各接続部等を覆
って形成され、これらを保護する。
ンジ部、（６）は半導体素子ｆ１＋を導電性キャップ（
５）に接着する第１の接着部材で、はんだ又は導電性接
着剤等が用いられる。（７）は例えばエポキシ樹脂等の
封止樹脂で、半導体素子＋ｌ＋及びその各接続部等を覆
って形成され、これらを保護する。
上記のように構成された半導体装置を組立てるには、サ
ポートテープ（３ａ）上に形成されたインチ−リード部
（４ａ）の先端部と半導体素子１１１の電極（２）とを
位置合わせをし、ボンディングツール（図示せず）を用
いて両者（４ａ）、 （２１を加熱・圧着する。
ポートテープ（３ａ）上に形成されたインチ−リード部
（４ａ）の先端部と半導体素子１１１の電極（２）とを
位置合わせをし、ボンディングツール（図示せず）を用
いて両者（４ａ）、 （２１を加熱・圧着する。
次に、導電性キャップ（５）の底部に第１の接着部材（
６）となる角状のはんだを配置し、若しくは導電性接着
剤を塗布し、該部材（６）上に上記半導体素子（１）を
位置合わせをして乗せ、はんだを加熱・固化させ、若し
、くは、導電性接着剤を加熱・硬化させることにより、
半導体素子１１１と導電性キャップ（５）とを接着する
０次に、サポートテープ（３ａ）と導電性キャップ（５
）のフランジ部（５ａ）間を型締めした状態で樹脂（７
）により封止して半導体装置が完成する。
６）となる角状のはんだを配置し、若しくは導電性接着
剤を塗布し、該部材（６）上に上記半導体素子（１）を
位置合わせをして乗せ、はんだを加熱・固化させ、若し
、くは、導電性接着剤を加熱・硬化させることにより、
半導体素子１１１と導電性キャップ（５）とを接着する
０次に、サポートテープ（３ａ）と導電性キャップ（５
）のフランジ部（５ａ）間を型締めした状態で樹脂（７
）により封止して半導体装置が完成する。
従来の半導体装置は上記のように構成され、テープ本体
（３）から打ち抜きアウタリード部（４ａ）を成形後例
えばセラミック基板やプリント基板等の所定の位置には
んだ又は導電性接着剤により接続して用いられる。
（３）から打ち抜きアウタリード部（４ａ）を成形後例
えばセラミック基板やプリント基板等の所定の位置には
んだ又は導電性接着剤により接続して用いられる。
Ｃ発明が解決しようとする課題〕
従来の半導体装置は以上のように構成されていたので、
導電性キャップとして０，１ｕ厚しかないため熱容量が
小さく、しかも放熱性が悪いという問題点があった。近
年、半導体の人出力の増加に伴い、半導体の発熱量が多
くなり、高速動作や使用可能入出力が制限されている。
導電性キャップとして０，１ｕ厚しかないため熱容量が
小さく、しかも放熱性が悪いという問題点があった。近
年、半導体の人出力の増加に伴い、半導体の発熱量が多
くなり、高速動作や使用可能入出力が制限されている。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、凹状の金属体を使用し、かつ表面積を増や
すことにより放熱性を向上させた半導体装置を得ること
を目的とする。
れたもので、凹状の金属体を使用し、かつ表面積を増や
すことにより放熱性を向上させた半導体装置を得ること
を目的とする。
この発明に係る半導体装置は、金属体にスリットを入れ
、かつ半導体素子搭載部の金属体の肉厚を薄くしたもの
である。
、かつ半導体素子搭載部の金属体の肉厚を薄くしたもの
である。
この発明における金属体のスリー／ ）は放熱の表面積
を増加させ、また肉厚を薄くすることはそこに取付ける
放熱フィン迄の熱抵抗を低下させる作用をする。
を増加させ、また肉厚を薄くすることはそこに取付ける
放熱フィン迄の熱抵抗を低下させる作用をする。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はこの発明の一実施例を示す半導体装置の断面図、第
２図は第１図の半導体装置に放熱フィンを取付けた状態
の断面図である。
図はこの発明の一実施例を示す半導体装置の断面図、第
２図は第１図の半導体装置に放熱フィンを取付けた状態
の断面図である。
なお、図中前記従来のものと同一符号は同一であるので
説明は省略する。図において、（８目よ金属体、（８ａ
）は金属体（８１の半導体素子（１）の搭載部に設けら
れた凹部、（８ｂ）は金属体（８）の側面に設けられた
スリット、（９）は金属体（８）に接着され放熱させる
ための高熱伝導材からなる放熱フィン、ＤＩは金属体（
８）と放熱フィン（９）とを接着するための高熱伝導性
の接着剤及び金属ろう材である。
説明は省略する。図において、（８目よ金属体、（８ａ
）は金属体（８１の半導体素子（１）の搭載部に設けら
れた凹部、（８ｂ）は金属体（８）の側面に設けられた
スリット、（９）は金属体（８）に接着され放熱させる
ための高熱伝導材からなる放熱フィン、ＤＩは金属体（
８）と放熱フィン（９）とを接着するための高熱伝導性
の接着剤及び金属ろう材である。
次に、動作について説明する。なお、半導体素子（１）
に金属体（８）を接着しトランスファーモールド法で樹
脂封止する工程までは前記従来のものと同一であるので
、説明は省略する。但し、金属体（８）は０．１ｆｉ厚
の導電性キャップの代りに、０．３〜３龍厚の範囲のも
のを使用している０発熱した半導体素子（１）の放熱は
熱伝導率の高い金属体（８）を通り、大気中へ輻射され
る効果が大きく、金属体の表面積が大きい程効率が良い
、金属体（８）に設けられたスリット（８ｂ）は、この
目的のために設けられたもので、更に外部装置に設けら
れた空冷ファン（図示せず）により強制的に冷気を半導
体素子の近くまで送風することが可能となる。又、放熱
フィン（９）からの放熱を一層効果的にするためには、
半導体素子ｆｌｌから放熱フィン（９）までの伝熱経路
を出来るだけ短くすることが望ましいため、金属体（８
）上に、凹部（８ａ）を設け、肉厚を薄くした。これに
より、従来の熱抵抗１／３に低減出来た。
に金属体（８）を接着しトランスファーモールド法で樹
脂封止する工程までは前記従来のものと同一であるので
、説明は省略する。但し、金属体（８）は０．１ｆｉ厚
の導電性キャップの代りに、０．３〜３龍厚の範囲のも
のを使用している０発熱した半導体素子（１）の放熱は
熱伝導率の高い金属体（８）を通り、大気中へ輻射され
る効果が大きく、金属体の表面積が大きい程効率が良い
、金属体（８）に設けられたスリット（８ｂ）は、この
目的のために設けられたもので、更に外部装置に設けら
れた空冷ファン（図示せず）により強制的に冷気を半導
体素子の近くまで送風することが可能となる。又、放熱
フィン（９）からの放熱を一層効果的にするためには、
半導体素子ｆｌｌから放熱フィン（９）までの伝熱経路
を出来るだけ短くすることが望ましいため、金属体（８
）上に、凹部（８ａ）を設け、肉厚を薄くした。これに
より、従来の熱抵抗１／３に低減出来た。
以上の様にこの発明によれば、半導体素子を搭載する金
属体側面にスリットを設けかつ放熱フィンを取付ける部
分の肉厚を薄くすることにより、半導体素子からの放熱
効果が大きくなり、半導体素子への熱ストレスが軽減さ
れ信転性の高い高速動作が可能で多入出力の半導体装置
が得られる効果がある。
属体側面にスリットを設けかつ放熱フィンを取付ける部
分の肉厚を薄くすることにより、半導体素子からの放熱
効果が大きくなり、半導体素子への熱ストレスが軽減さ
れ信転性の高い高速動作が可能で多入出力の半導体装置
が得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置を示す断
面側面図、第２図は第１図の半導体装置に放熱フィンを
取付けた場合の断面側面図、第３図は従来の半導体装置
を示す断面側面図である。 図において、（１１は半導体素子、（７）は封止樹脂、
（８）は金属体、（８ａ）は金属体凹部、（８ｂ）は金
属体のスリットを示す。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄第２図 ９ 本Ｊ轄フィン １０・右参２着材
面側面図、第２図は第１図の半導体装置に放熱フィンを
取付けた場合の断面側面図、第３図は従来の半導体装置
を示す断面側面図である。 図において、（１１は半導体素子、（７）は封止樹脂、
（８）は金属体、（８ａ）は金属体凹部、（８ｂ）は金
属体のスリットを示す。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄第２図 ９ 本Ｊ轄フィン １０・右参２着材
Claims (1)
- 半導体素子の裏面を金属体上に搭載し、半導体素子の
表面を樹脂封止し、かつ、前記金属体を露出させた半導
体装置において、前記金属体の側面に多くのスリットを
形成したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11921089A JPH02298052A (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11921089A JPH02298052A (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02298052A true JPH02298052A (ja) | 1990-12-10 |
Family
ID=14755664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11921089A Pending JPH02298052A (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02298052A (ja) |
-
1989
- 1989-05-12 JP JP11921089A patent/JPH02298052A/ja active Pending
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