JPH0922970A - 電子部品 - Google Patents
電子部品Info
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- JPH0922970A JPH0922970A JP7170905A JP17090595A JPH0922970A JP H0922970 A JPH0922970 A JP H0922970A JP 7170905 A JP7170905 A JP 7170905A JP 17090595 A JP17090595 A JP 17090595A JP H0922970 A JPH0922970 A JP H0922970A
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- metal substrate
- heating element
- heat dissipation
- heat
- module
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/874—On different surfaces
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-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】電子機器等に用いられる電子部品の放熱構造に
関し、発熱素子を実装したモジュール部品等の放熱効率
向上と高密度実装化を目的とする。 【構成】発熱素子が実装され、封止材により封止された
電子部品において、前記発熱素子は、金属を基材とする
金属基板上に他の電子部品と共に実装され、前記金属基
板は放熱板としてなる。
関し、発熱素子を実装したモジュール部品等の放熱効率
向上と高密度実装化を目的とする。 【構成】発熱素子が実装され、封止材により封止された
電子部品において、前記発熱素子は、金属を基材とする
金属基板上に他の電子部品と共に実装され、前記金属基
板は放熱板としてなる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子機器等に用いられ
る電子部品の放熱構造に関し、詳細には発熱する発熱素
子が実装され、樹脂等により封止されたモジュール等の
電子部品における放熱構造に関する。
る電子部品の放熱構造に関し、詳細には発熱する発熱素
子が実装され、樹脂等により封止されたモジュール等の
電子部品における放熱構造に関する。
【0002】
【従来の技術】電子部品には、モノリシックIcやその
周辺部品が集積化され、樹脂等により封止されると共に
端子が設けられた所謂モジュールと言われるものがあ
る。そして、モジュールはパワー素子等の発熱部品が実
装される場合がある。このようなモジュールには、発熱
素子から発生する熱の放散のためにヒートシンク(放熱
板)の取り付けが必要である。図4は、従来の発熱素子
を実装したモジュールの構成図である。
周辺部品が集積化され、樹脂等により封止されると共に
端子が設けられた所謂モジュールと言われるものがあ
る。そして、モジュールはパワー素子等の発熱部品が実
装される場合がある。このようなモジュールには、発熱
素子から発生する熱の放散のためにヒートシンク(放熱
板)の取り付けが必要である。図4は、従来の発熱素子
を実装したモジュールの構成図である。
【0003】40は発熱素子が実装されたモジュールで
ある。41は発熱素子であるチップ状の集積回路(Ic
チップ)で、例えば電力増幅回路等が形成されている。
42はIcチップ41と外部回路との接続手段であるリ
ード43とを接続するための金属細線であるボンディン
グワイヤである。44は放熱部材である放熱板であり、
発熱素子であるIcチップ41と密着している。45は
Icチップ41や放熱板44をモールド(封止)するモ
ールド樹脂である。また、46はモジュール40その他
の電子部品等を装着する配線基板であり、47は配線基
板46上に形成された配線パターンである。
ある。41は発熱素子であるチップ状の集積回路(Ic
チップ)で、例えば電力増幅回路等が形成されている。
42はIcチップ41と外部回路との接続手段であるリ
ード43とを接続するための金属細線であるボンディン
グワイヤである。44は放熱部材である放熱板であり、
発熱素子であるIcチップ41と密着している。45は
Icチップ41や放熱板44をモールド(封止)するモ
ールド樹脂である。また、46はモジュール40その他
の電子部品等を装着する配線基板であり、47は配線基
板46上に形成された配線パターンである。
【0004】上記の構成によるモジュール40は、モー
ルド樹脂45によりモールドされたIcチップ41から
の発熱を、Icチップ41に密着された放熱板44によ
り放熱している。
ルド樹脂45によりモールドされたIcチップ41から
の発熱を、Icチップ41に密着された放熱板44によ
り放熱している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記によるモジュール
40では、比較的簡単な機能の電子部品であっても、放
熱用の放熱板が必要なため高価となり、また放熱板の取
付により製造工程が複雑となるため、更に高価になって
しまう問題がある。本発明は、このような課題を解決す
ることを目的とする。
40では、比較的簡単な機能の電子部品であっても、放
熱用の放熱板が必要なため高価となり、また放熱板の取
付により製造工程が複雑となるため、更に高価になって
しまう問題がある。本発明は、このような課題を解決す
ることを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような課題
を解決するもので、発熱素子が実装され、封止材により
封止された電子部品において、前記発熱素子は、金属を
基材とする金属基板上に他の電子部品と共に実装され、
前記金属基板は放熱板としてなることを特徴とする。
を解決するもので、発熱素子が実装され、封止材により
封止された電子部品において、前記発熱素子は、金属を
基材とする金属基板上に他の電子部品と共に実装され、
前記金属基板は放熱板としてなることを特徴とする。
【0007】また、前記金属基板の前記発熱素子搭載面
の裏面側は、前記封止材から露出していることを特徴と
する。また、前記金属基板の前記発熱素子搭載面の裏面
側は、凹凸が設けられていることを特徴とする。また、
配線基板の実装時において、前記金属基板は、前記発熱
素子に対して前記配線基板から遠方位置側に設けられて
いることを特徴とする。
の裏面側は、前記封止材から露出していることを特徴と
する。また、前記金属基板の前記発熱素子搭載面の裏面
側は、凹凸が設けられていることを特徴とする。また、
配線基板の実装時において、前記金属基板は、前記発熱
素子に対して前記配線基板から遠方位置側に設けられて
いることを特徴とする。
【0008】
【作用】本発明によれば、発熱素子と他の電子部品は放
熱板と一体となっている金属を基材とする金属基板上に
実装されているので、放熱効率の向上と高密度実装化お
よび低価格化が図れる。また、発熱素子が金属基板に実
装され、そして、金属基板の発熱素子搭載面の裏面側が
封止材から露出されているので、放熱効率の向上が図れ
る。
熱板と一体となっている金属を基材とする金属基板上に
実装されているので、放熱効率の向上と高密度実装化お
よび低価格化が図れる。また、発熱素子が金属基板に実
装され、そして、金属基板の発熱素子搭載面の裏面側が
封止材から露出されているので、放熱効率の向上が図れ
る。
【0009】また、発熱素子が実装された金属基板の発
熱素子搭載面の裏面側に、凹凸が設けられているので放
熱板の表面積が大きくなり、放熱効率の向上が図れる。
また、発熱素子が実装された金属基板が、発熱素子に対
して配線基板の実装面より遠方位置側に設けられている
ので、配線基板による放熱効果の低下を防止できる。
熱素子搭載面の裏面側に、凹凸が設けられているので放
熱板の表面積が大きくなり、放熱効率の向上が図れる。
また、発熱素子が実装された金属基板が、発熱素子に対
して配線基板の実装面より遠方位置側に設けられている
ので、配線基板による放熱効果の低下を防止できる。
【0010】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。図1は本発明の第1実施例に係るモジュールを示す
構成図である。図示のように、10は発熱素子等が実装
され、樹脂で封止されたモジュールである。11はモノ
リシックIc等で形成され発熱素子であるチップ状の集
積回路(Icチップ)で、例えば電力増幅回路等が形成
されている。13はモジュール10の内部回路と外部回
路とを接続するリードフレームである。14は熱伝導率
の良好な銅、アルミニュウム等の金属部材により形成さ
れ、放熱板と導体回路基板を兼用した金属基板である。
この金属基板14の部品実装面(下面)には、エポキ
シ、ポリイミド等の部材により絶縁皮膜18が形成さ
れ、その上(図示では金属基板14の下端面)にはエッ
チング等の方法により導体回路19が形成されている。
そして、この導体回路19の各端子部分には、Icチッ
プ11や図示されていない抵抗、コンデンサ等のディス
クリート部品等が実装されている。12はIcチップ1
1のバンプ(接続端子)とモジュール10の内部回路
(導体回路19の所定箇所)とを接続するためのボンデ
ィングワイヤである。
る。図1は本発明の第1実施例に係るモジュールを示す
構成図である。図示のように、10は発熱素子等が実装
され、樹脂で封止されたモジュールである。11はモノ
リシックIc等で形成され発熱素子であるチップ状の集
積回路(Icチップ)で、例えば電力増幅回路等が形成
されている。13はモジュール10の内部回路と外部回
路とを接続するリードフレームである。14は熱伝導率
の良好な銅、アルミニュウム等の金属部材により形成さ
れ、放熱板と導体回路基板を兼用した金属基板である。
この金属基板14の部品実装面(下面)には、エポキ
シ、ポリイミド等の部材により絶縁皮膜18が形成さ
れ、その上(図示では金属基板14の下端面)にはエッ
チング等の方法により導体回路19が形成されている。
そして、この導体回路19の各端子部分には、Icチッ
プ11や図示されていない抵抗、コンデンサ等のディス
クリート部品等が実装されている。12はIcチップ1
1のバンプ(接続端子)とモジュール10の内部回路
(導体回路19の所定箇所)とを接続するためのボンデ
ィングワイヤである。
【0011】また、放熱効果を高めるために、更に他の
部品に対して熱による悪影響を与えないために、金属基
板14はモジュール10におけるモジュール10やその
他の電子部品等を実装する電子機器の配線基板16から
離れた位置(図示モジュール10の上部発熱部品に対し
て、配線基板16から遠方位置側)に設けられており、
しかも上端面(放熱面)は後述するモジュール10のパ
ッケージから露出されている。
部品に対して熱による悪影響を与えないために、金属基
板14はモジュール10におけるモジュール10やその
他の電子部品等を実装する電子機器の配線基板16から
離れた位置(図示モジュール10の上部発熱部品に対し
て、配線基板16から遠方位置側)に設けられており、
しかも上端面(放熱面)は後述するモジュール10のパ
ッケージから露出されている。
【0012】15はモジュール10のパッケージであ
り、モジュール10の構成部品を封止するモールド樹脂
により形成される。また、16はモジュール10その他
の電子部品等を装着するセラミック等の絶縁板からなる
配線基板であり、配線基板16の表面にはエッチング等
の方法により導体(銅等)による配線パターンが形成さ
れている。
り、モジュール10の構成部品を封止するモールド樹脂
により形成される。また、16はモジュール10その他
の電子部品等を装着するセラミック等の絶縁板からなる
配線基板であり、配線基板16の表面にはエッチング等
の方法により導体(銅等)による配線パターンが形成さ
れている。
【0013】上記構成によるモジュール10によれば、
発熱素子であるIcチップ11から発生する熱が、熱伝
導率の良い金属基板14を伝導して、モールド樹脂15
より露出されている金属基板14の放熱面から外部へ放
熱される。上述のとおり本実施例によるモジュール10
は、内部に発熱素子が実装され、熱伝導率のあまり良く
ない樹脂系部材で封止されているが、外部へ放熱面を露
出させている金属基板14により発熱素子からの熱が効
率良く放熱されるので、放熱効率を向上させることがで
きる。また、金属基板14の部品実装面に導体回路19
が形成されているので、高密度実装化を実現することが
できる。
発熱素子であるIcチップ11から発生する熱が、熱伝
導率の良い金属基板14を伝導して、モールド樹脂15
より露出されている金属基板14の放熱面から外部へ放
熱される。上述のとおり本実施例によるモジュール10
は、内部に発熱素子が実装され、熱伝導率のあまり良く
ない樹脂系部材で封止されているが、外部へ放熱面を露
出させている金属基板14により発熱素子からの熱が効
率良く放熱されるので、放熱効率を向上させることがで
きる。また、金属基板14の部品実装面に導体回路19
が形成されているので、高密度実装化を実現することが
できる。
【0014】次に本発明の第2実施例を説明する。図2
は本発明の第2実施例に係るモジュールを示す構成図で
ある。なお、第1実施例と同様なものについては同一符
号を付し、その説明を省略する。図示のように、20は
本実施例の発熱素子を実装したモジュールであり、24
は放熱板と導体回路基板を兼用する金属基板である。本
実施例の第1実施例と相違する点は、この金属基板24
の形状の違いである。即ち、金属基板24は放熱面(金
属基板24の上端面)をプレス加工、鋳造等により凹凸
が形成され、表面積が広くなっている。このため金属基
板24の放熱能力が向上している。
は本発明の第2実施例に係るモジュールを示す構成図で
ある。なお、第1実施例と同様なものについては同一符
号を付し、その説明を省略する。図示のように、20は
本実施例の発熱素子を実装したモジュールであり、24
は放熱板と導体回路基板を兼用する金属基板である。本
実施例の第1実施例と相違する点は、この金属基板24
の形状の違いである。即ち、金属基板24は放熱面(金
属基板24の上端面)をプレス加工、鋳造等により凹凸
が形成され、表面積が広くなっている。このため金属基
板24の放熱能力が向上している。
【0015】上述のとおり本実施例によるモジュール2
0では、金属基板24の放熱面に凹凸を形成し、表面積
を拡大しているので、放熱効率を向上させることができ
る。次に本発明の第3実施例を説明する。図3は本発明
の第3実施例に係るモジュールを示す構成図である。な
お、第1実施例と同様なものについては同一符号を付
し、その説明を省略する。
0では、金属基板24の放熱面に凹凸を形成し、表面積
を拡大しているので、放熱効率を向上させることができ
る。次に本発明の第3実施例を説明する。図3は本発明
の第3実施例に係るモジュールを示す構成図である。な
お、第1実施例と同様なものについては同一符号を付
し、その説明を省略する。
【0016】図示のように、30は本実施例の発熱素子
を実装したモジュールであり、34は放熱板と導体回路
基板を兼用する金属基板である。本実施例の第1実施例
と相違する点は、この金属基板34に対するモールド
(封止)構造の違いにある。即ち、金属基板34はモー
ルド樹脂15で完全に封止(放熱面も露出されていな
い)されている。これは、金属基板34の放熱面を外部
へ露出させる構造では、モールド樹脂15と金属基板3
4の境界面に剥離現象(パッケージクラック)を生じる
恐れがあるためで、本実施例ではこのパッケージクラッ
クを有効に防止できる。
を実装したモジュールであり、34は放熱板と導体回路
基板を兼用する金属基板である。本実施例の第1実施例
と相違する点は、この金属基板34に対するモールド
(封止)構造の違いにある。即ち、金属基板34はモー
ルド樹脂15で完全に封止(放熱面も露出されていな
い)されている。これは、金属基板34の放熱面を外部
へ露出させる構造では、モールド樹脂15と金属基板3
4の境界面に剥離現象(パッケージクラック)を生じる
恐れがあるためで、本実施例ではこのパッケージクラッ
クを有効に防止できる。
【0017】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明に係る
電子部品によれば、発熱素子その他の電子部品が金属基
板上に実装されているので、特別な放熱部品を用いるこ
となく効率的に放熱でき、低コストで高密度実装化が図
れる。また、金属基板の部品搭載面の裏面側を封止材か
ら露出させているので、放熱し易くなり放熱効率が向上
する。
電子部品によれば、発熱素子その他の電子部品が金属基
板上に実装されているので、特別な放熱部品を用いるこ
となく効率的に放熱でき、低コストで高密度実装化が図
れる。また、金属基板の部品搭載面の裏面側を封止材か
ら露出させているので、放熱し易くなり放熱効率が向上
する。
【0018】また、金属基板の部品搭載面の裏面側に凹
凸を設けて放熱面積を大きくしているので、放熱し易く
なり放熱効率が向上する。また、金属基板を、発熱部品
に対して電子機器等の配線基板より遠方位置側に設ける
ことにより配線基板側への放熱を抑えることができ、配
線基板に搭載された部品が熱により悪影響を受けること
を防止できる。
凸を設けて放熱面積を大きくしているので、放熱し易く
なり放熱効率が向上する。また、金属基板を、発熱部品
に対して電子機器等の配線基板より遠方位置側に設ける
ことにより配線基板側への放熱を抑えることができ、配
線基板に搭載された部品が熱により悪影響を受けること
を防止できる。
【図1】本発明の第1実施例に係るモジュールを示す構
成図である。
成図である。
【図2】本発明の第2実施例に係るモジュールを示す構
成図である。
成図である。
【図3】本発明の第3実施例に係るモジュールを示す構
成図である。
成図である。
【図4】従来の発熱素子を実装したモジュールの構成図
である。
である。
10・・・・モジュール 11・・・・Icチップ 12・・・・ボンディングワイヤ 13・・・・リード 14・・・・金属基板 15・・・・モールド樹脂 16・・・・配線基板 18・・・・絶縁皮膜 19・・・・導体回路
Claims (4)
- 【請求項1】 発熱素子が実装され、封止材により封止
された電子部品において、 前記発熱素子は、金属を基材とする金属基板上に他の電
子部品と共に実装され、前記金属基板は放熱板としてな
ることを特徴とする電子部品。 - 【請求項2】 前記金属基板の前記発熱素子搭載面の裏
面側は、前記封止材から露出していることを特徴とする
請求項1記載の電子部品。 - 【請求項3】 前記金属基板の前記発熱素子搭載面の裏
面側は、凹凸が設けられていることを特徴とする請求項
1記載の電子部品。 - 【請求項4】 配線基板の実装時において、前記金属基
板は、前記発熱素子に対して前記配線基板から遠方位置
側に設けられていることを特徴とする請求項1記載の電
子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7170905A JPH0922970A (ja) | 1995-07-06 | 1995-07-06 | 電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7170905A JPH0922970A (ja) | 1995-07-06 | 1995-07-06 | 電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0922970A true JPH0922970A (ja) | 1997-01-21 |
Family
ID=15913514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7170905A Pending JPH0922970A (ja) | 1995-07-06 | 1995-07-06 | 電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0922970A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011023463A (ja) * | 2009-07-14 | 2011-02-03 | Denso Corp | 半導体モジュール |
| US8299603B2 (en) | 2007-01-22 | 2012-10-30 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor device |
| WO2013114647A1 (ja) * | 2012-01-31 | 2013-08-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
| DE112016004423T5 (de) | 2015-09-29 | 2018-06-28 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitervorrichtung und verfahren zum herstellen derselben |
| JP2019192847A (ja) * | 2018-04-27 | 2019-10-31 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 電子装置 |
| CN110662372A (zh) * | 2018-06-28 | 2020-01-07 | 阿尔派株式会社 | 电子单元及其制造方法 |
| JP2020129700A (ja) * | 2014-04-09 | 2020-08-27 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
-
1995
- 1995-07-06 JP JP7170905A patent/JPH0922970A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8299603B2 (en) | 2007-01-22 | 2012-10-30 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor device |
| JP2011023463A (ja) * | 2009-07-14 | 2011-02-03 | Denso Corp | 半導体モジュール |
| US9449893B2 (en) | 2009-07-14 | 2016-09-20 | Denso Corporation | Semiconductor module |
| WO2013114647A1 (ja) * | 2012-01-31 | 2013-08-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
| JPWO2013114647A1 (ja) * | 2012-01-31 | 2015-05-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
| TWI502695B (zh) * | 2012-01-31 | 2015-10-01 | 三菱電機股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
| US9390995B2 (en) | 2012-01-31 | 2016-07-12 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2020129700A (ja) * | 2014-04-09 | 2020-08-27 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20031216 |