JPH02298084A - 発光ダイオード素子の封止方法 - Google Patents
発光ダイオード素子の封止方法Info
- Publication number
- JPH02298084A JPH02298084A JP1118956A JP11895689A JPH02298084A JP H02298084 A JPH02298084 A JP H02298084A JP 1118956 A JP1118956 A JP 1118956A JP 11895689 A JP11895689 A JP 11895689A JP H02298084 A JPH02298084 A JP H02298084A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- emitting diode
- epoxy resin
- light emitting
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
- H10W70/68—Shapes or dispositions thereof
- H10W70/682—Shapes or dispositions thereof comprising holes having chips therein
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は発光ダイオード素子の封止において、銀(Ag
)メッキを有する反射ケースとボッティング用エポキシ
樹脂の密着力改良に関する。
)メッキを有する反射ケースとボッティング用エポキシ
樹脂の密着力改良に関する。
従来の技術
近時、高耐熱性の熱可塑性樹脂へメッキ配線した立体配
線基板を利用した表面実装用発光ダイオード表示器が提
案されている(例えば、特願昭63−98620.特願
昭63−113133)。
線基板を利用した表面実装用発光ダイオード表示器が提
案されている(例えば、特願昭63−98620.特願
昭63−113133)。
前記発光ダイオード表示器の構造を第2図の平面図に示
す。第2図において、1は熱可塑性樹脂で射出成形され
た反射ケースであり、2,3.4に示す斜線部はCu/
N i/Agの三層メッキまたはN i/Agの2層メ
ッキが施されており、前記メッキ層はスルーホール5.
6を通して電極用メッキ端子7.8と接続されている。
す。第2図において、1は熱可塑性樹脂で射出成形され
た反射ケースであり、2,3.4に示す斜線部はCu/
N i/Agの三層メッキまたはN i/Agの2層メ
ッキが施されており、前記メッキ層はスルーホール5.
6を通して電極用メッキ端子7.8と接続されている。
なお、メッキランド2,3の間には約0.311IIl
の幅で下地の熱可塑性樹脂がメッキされていない状態で
立体絶縁パターンを形成している。反射ケースの内部は
発光ダイオード素子の保護、光の取り出し効率向上のた
めに透明エポキシ樹脂12でボッティングにより封止さ
れている。そして、この表示器は、電極用メッキ端子7
から同8へ数mA〜数十mAの電流を流すことにより発
光ダイオード素子9が発光し、可視発光ランプとして作
動する。
の幅で下地の熱可塑性樹脂がメッキされていない状態で
立体絶縁パターンを形成している。反射ケースの内部は
発光ダイオード素子の保護、光の取り出し効率向上のた
めに透明エポキシ樹脂12でボッティングにより封止さ
れている。そして、この表示器は、電極用メッキ端子7
から同8へ数mA〜数十mAの電流を流すことにより発
光ダイオード素子9が発光し、可視発光ランプとして作
動する。
発明が解決しようとする課題
しかし、前記発光ダイオード表示器においてはAgメッ
キとエポキシ樹脂との濡れ性が悪(、密着力が弱いため
、熱衝撃試験や吸湿リフロー試験(85℃、85%RH
の高温高湿下で1008 r以上放置後リフロー性けを
行う試験)において、Agメッキとエポキシ樹脂の界面
剥離が発生し、特に吸湿リフローにおいては吸湿水分の
界面における水蒸気膨張によりAgペースト外れ等の問
題が生じる。本発明の目的は前記欠点を解消し、熱衝撃
特性や吸湿リフロー特性を改善した発光ダイオード素子
の封止方法を提供するにある。
キとエポキシ樹脂との濡れ性が悪(、密着力が弱いため
、熱衝撃試験や吸湿リフロー試験(85℃、85%RH
の高温高湿下で1008 r以上放置後リフロー性けを
行う試験)において、Agメッキとエポキシ樹脂の界面
剥離が発生し、特に吸湿リフローにおいては吸湿水分の
界面における水蒸気膨張によりAgペースト外れ等の問
題が生じる。本発明の目的は前記欠点を解消し、熱衝撃
特性や吸湿リフロー特性を改善した発光ダイオード素子
の封止方法を提供するにある。
課題を解決するための手段
本発明は前記課題を解決するために、反射ケースにAg
メッキ後、脂肪族有機化合物系のAg変色防止剤を用い
て、Agメッキ表面にキレート皮膜を形成し、次いで発
光ダイオード素子のAgペーストによる固定およびAu
Mjによる結線後、エポキシ樹脂で反射ケース内をボッ
ティングして封止するものである。
メッキ後、脂肪族有機化合物系のAg変色防止剤を用い
て、Agメッキ表面にキレート皮膜を形成し、次いで発
光ダイオード素子のAgペーストによる固定およびAu
Mjによる結線後、エポキシ樹脂で反射ケース内をボッ
ティングして封止するものである。
作用
Agメッキ表面に前記キレート皮膜を施すことにより、
ボッティング用エポキシ樹脂とAgメッキの濡れ性を著
しく向上させることができ、密着力の向上により熱衝撃
試験や吸湿リフロー試験における界面ff1ll 1を
防止することができる。
ボッティング用エポキシ樹脂とAgメッキの濡れ性を著
しく向上させることができ、密着力の向上により熱衝撃
試験や吸湿リフロー試験における界面ff1ll 1を
防止することができる。
実施例
以下、本発明の実施例について説明する。従来技術と同
様に、第1図の断面図に示す発光ダイオード表示器の斜
線部にCu / N i / A gり三層メッキはN
i / A gの二層メッキと施す。次に、市販の脂
肪族有機化合物から成るAg変色防止剤を用いてAgメ
ッキ表面にキレート皮膜13を形成する。例えば、Ag
メッキ終了後、流水等で水洗いし、ついで、Ag変色防
止剤を純水で10倍程度に希釈した溶液に、常温で1〜
5秒程度浸漬した後、流水等で水洗、乾燥を行うことに
より上記キレート皮膜13を作成できる。その後、従来
技術と同様にメッキランド2に発光ダイオード素子9を
Agペースト10で固定し、Au&!flllによりメ
ッキランド3と結線する。そして、最終的に、反射ケー
スの内部を透明エポキシ樹脂12でボッティングするこ
とにより封止する。発光ダイオード表示器の動作につい
ては従来技術における説明と同様である。
様に、第1図の断面図に示す発光ダイオード表示器の斜
線部にCu / N i / A gり三層メッキはN
i / A gの二層メッキと施す。次に、市販の脂
肪族有機化合物から成るAg変色防止剤を用いてAgメ
ッキ表面にキレート皮膜13を形成する。例えば、Ag
メッキ終了後、流水等で水洗いし、ついで、Ag変色防
止剤を純水で10倍程度に希釈した溶液に、常温で1〜
5秒程度浸漬した後、流水等で水洗、乾燥を行うことに
より上記キレート皮膜13を作成できる。その後、従来
技術と同様にメッキランド2に発光ダイオード素子9を
Agペースト10で固定し、Au&!flllによりメ
ッキランド3と結線する。そして、最終的に、反射ケー
スの内部を透明エポキシ樹脂12でボッティングするこ
とにより封止する。発光ダイオード表示器の動作につい
ては従来技術における説明と同様である。
このように、樹脂封止前にAgメッキ表面をキレート皮
膜13で保護した発光ダイオード表示器はAgメッキと
エポキシ樹脂の密着力が向上し、熱衝撃試験や吸湿リフ
ロー試験での界面剥離を防止できる。
膜13で保護した発光ダイオード表示器はAgメッキと
エポキシ樹脂の密着力が向上し、熱衝撃試験や吸湿リフ
ロー試験での界面剥離を防止できる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、Agメッキを有する反射
ケースにAg変色防止処理、すなわちAgメッキ表面に
脂肪族有機化合物によるキレート皮膜を形成した後、エ
ポキシ樹脂で反射ケースの内部をボッティング封止する
ことにより、電極用Agメッキ端子の変色防止という当
然の効果以外に、ボッティング用エポキシ樹脂とAgメ
ッキ濡れ性を著しく向上させることができ、密着力の向
上により熱衝撃試験や吸湿リフロー試験における界面剥
離を防止することができる。また、前記処理により、A
u線のAgメッキ表面へのワイヤーボンディング特性は
悪化せず、同等もしくは向上が計れる。
ケースにAg変色防止処理、すなわちAgメッキ表面に
脂肪族有機化合物によるキレート皮膜を形成した後、エ
ポキシ樹脂で反射ケースの内部をボッティング封止する
ことにより、電極用Agメッキ端子の変色防止という当
然の効果以外に、ボッティング用エポキシ樹脂とAgメ
ッキ濡れ性を著しく向上させることができ、密着力の向
上により熱衝撃試験や吸湿リフロー試験における界面剥
離を防止することができる。また、前記処理により、A
u線のAgメッキ表面へのワイヤーボンディング特性は
悪化せず、同等もしくは向上が計れる。
第1図本発明の実施により得られた表面実装用発光ダイ
オード表示器の断面図第2図は従来例装置の平面図であ
る。 1・・・・・・反射ケース、2.3・・・・・・メッキ
ランド、4・・・・・・メッキ面5,6・・・・・・ス
ルーホール、7,8・・・・・・電極用メッキ端子、9
・・・・・・発光ダイオード素子、1o・・・・・・A
gペースト、11・・・・・・Au14.12・・・・
・・透明エポキシ樹脂、13・・・・・・キレート皮膜
。
オード表示器の断面図第2図は従来例装置の平面図であ
る。 1・・・・・・反射ケース、2.3・・・・・・メッキ
ランド、4・・・・・・メッキ面5,6・・・・・・ス
ルーホール、7,8・・・・・・電極用メッキ端子、9
・・・・・・発光ダイオード素子、1o・・・・・・A
gペースト、11・・・・・・Au14.12・・・・
・・透明エポキシ樹脂、13・・・・・・キレート皮膜
。
Claims (1)
- 発光ダイオード素子を載置する電極部および前記発光
ダイオード素子と結線するためのワイヤーボンディング
用電極部に形成された銀メッキ面に脂肪族有機化合物に
よるキレート皮膜を形成する処理工程をそなえたことを
特徴する発光ダイオード素子の封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1118956A JPH02298084A (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 発光ダイオード素子の封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1118956A JPH02298084A (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 発光ダイオード素子の封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02298084A true JPH02298084A (ja) | 1990-12-10 |
Family
ID=14749435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1118956A Pending JPH02298084A (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 発光ダイオード素子の封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02298084A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH058960U (ja) * | 1991-07-15 | 1993-02-05 | スタンレー電気株式会社 | 表面実装型led |
| JPH058961U (ja) * | 1991-07-15 | 1993-02-05 | スタンレー電気株式会社 | 表面実装型led |
| JP2001077430A (ja) * | 1999-09-02 | 2001-03-23 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
| JP2003347597A (ja) * | 2002-05-29 | 2003-12-05 | Kyocera Corp | 発光素子搭載用基板 |
| JP2006303092A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 発光素子搭載用パッケージ |
| JP2006344925A (ja) * | 2005-05-11 | 2006-12-21 | Sharp Corp | 発光素子搭載用フレームおよび発光装置 |
| JP2006351568A (ja) * | 2005-06-13 | 2006-12-28 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 発光素子搭載パッケージの製造方法 |
| JP2007109915A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Stanley Electric Co Ltd | 発光ダイオード |
| JP2007266343A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
| JP2007294988A (ja) * | 2007-06-18 | 2007-11-08 | Kyocera Corp | 発光素子搭載用基板及び発光装置 |
| JP2008010591A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置およびその製造方法、パッケージ、発光素子実装用の基板 |
| JP2008072013A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| JP2008311339A (ja) * | 2007-06-13 | 2008-12-25 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 発光素子収納用パッケージ及びその製造方法及びそれを用いた発光装置 |
| CN101432899A (zh) * | 2006-04-28 | 2009-05-13 | 岛根县 | 半导体发光组件及其制造方法、半导体发光装置 |
| JP2010538490A (ja) * | 2007-09-06 | 2010-12-09 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 発光デバイスパッケージ及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-05-12 JP JP1118956A patent/JPH02298084A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH058960U (ja) * | 1991-07-15 | 1993-02-05 | スタンレー電気株式会社 | 表面実装型led |
| JPH058961U (ja) * | 1991-07-15 | 1993-02-05 | スタンレー電気株式会社 | 表面実装型led |
| JP2001077430A (ja) * | 1999-09-02 | 2001-03-23 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
| JP2003347597A (ja) * | 2002-05-29 | 2003-12-05 | Kyocera Corp | 発光素子搭載用基板 |
| JP2006303092A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 発光素子搭載用パッケージ |
| JP2006344925A (ja) * | 2005-05-11 | 2006-12-21 | Sharp Corp | 発光素子搭載用フレームおよび発光装置 |
| JP2006351568A (ja) * | 2005-06-13 | 2006-12-28 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 発光素子搭載パッケージの製造方法 |
| JP2007109915A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Stanley Electric Co Ltd | 発光ダイオード |
| JP2007266343A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
| CN101432899A (zh) * | 2006-04-28 | 2009-05-13 | 岛根县 | 半导体发光组件及其制造方法、半导体发光装置 |
| JP2008010591A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置およびその製造方法、パッケージ、発光素子実装用の基板 |
| JP2008072013A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| JP2008311339A (ja) * | 2007-06-13 | 2008-12-25 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 発光素子収納用パッケージ及びその製造方法及びそれを用いた発光装置 |
| JP2007294988A (ja) * | 2007-06-18 | 2007-11-08 | Kyocera Corp | 発光素子搭載用基板及び発光装置 |
| JP2010538490A (ja) * | 2007-09-06 | 2010-12-09 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 発光デバイスパッケージ及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH02298084A (ja) | 発光ダイオード素子の封止方法 | |
| JP3964205B2 (ja) | 半導体装置パッケージの組立方法 | |
| KR100286151B1 (ko) | 집적 회로 패키지, 리드 프레임, 및 그 제조물 | |
| JPH06151977A (ja) | 光半導体装置 | |
| JPS59161850A (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびそれに用いるリ−ドフレ−ム | |
| JPH02298056A (ja) | 集積回路の信頼性の高いプラスチック・パッケージ | |
| US20030194830A1 (en) | Semiconductor chip package and manufacturing method thereof | |
| JP2989703B2 (ja) | チップ部品型発光ダイオード | |
| CN209947868U (zh) | 一种贴片式发光二极管的封装结构 | |
| JPS5769767A (en) | Resin sealed type semiconductor device | |
| JP2596542B2 (ja) | リードフレームおよびそれを用いた半導体装置 | |
| CN110265536A (zh) | 一种贴片式发光二极管的封装结构及封装工艺 | |
| JPH01305551A (ja) | 半導体装置用リードフレームおよび半導体装置 | |
| JPH08242019A (ja) | チップ型発光ダイオード | |
| KR940005200A (ko) | 배선기판상의 배선표면 처리방법 | |
| CN102867791A (zh) | 多芯片倒装先蚀刻后封装基岛埋入封装结构及其制造方法 | |
| JPH0567069B2 (ja) | ||
| JPS60218863A (ja) | 半導体リ−ドフレ−ム | |
| JPS57139949A (en) | Resin sealing type semiconductor device | |
| JPH0526761Y2 (ja) | ||
| JPH0290637A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS57128085A (en) | Manufacture of display unit with light emitting diode | |
| JPS56142659A (en) | Semiconductor device | |
| JPS60196961A (ja) | 混成集積回路装置の製造方法 | |
| JPH05218265A (ja) | 半導体装置用複合リードフレーム |