JPH02298336A - SiO↓2膜の形成方法 - Google Patents

SiO↓2膜の形成方法

Info

Publication number
JPH02298336A
JPH02298336A JP11559189A JP11559189A JPH02298336A JP H02298336 A JPH02298336 A JP H02298336A JP 11559189 A JP11559189 A JP 11559189A JP 11559189 A JP11559189 A JP 11559189A JP H02298336 A JPH02298336 A JP H02298336A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reaction chamber
gas
vaporizer
valve
liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP11559189A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3024139B2 (ja
Inventor
Hisaharu Kiyota
清田 久晴
Hiroaki Matsuo
浩昭 松尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP1115591A priority Critical patent/JP3024139B2/ja
Publication of JPH02298336A publication Critical patent/JPH02298336A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3024139B2 publication Critical patent/JP3024139B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、ガス供給装置に関し、更に詳しくは、例えば
、CVD材料ガスとしてのテトラエトキンシラン(TE
01)等の安定供給を可能にするガス供給装置に係るも
のである。
[発明の概要] 本発明は、ガス供給装置において、 液体供給部と気化器と反応室とを有し、少なくとも前記
気化器を保温し、前記液体供給部と反応室との間に排気
手段を配設したことにより、反応室へ反応ガスを安定に
供給し得るようにしたものである。
[従来の技術] 近年、液体クロマトグラフ等で用いる、数μQ/分〜数
mQ/分の微量液体をコントロールする供給システムが
開発されている。しかしながら、このような供給システ
ムは、常圧で液体に用いる場合か多く、減圧で用いた場
合は、安定してガスを供給するのが困難であった。
第7図は、上記の供給システムをプラズマCV【)装置
のTF:O8(テトラエトキシシラン)供給装置に適用
した例を示している。
図中、I、2.3は液体ソースボトルであり、これら液
体ソースボトルには、夫々例えば四塩化ケイ素(S i
 CQ−)、エチルアルコール(C,)ISOH)、有
機溶剤が入れである。そして、これら液体ソースボトル
1.2.3は、ともに液体微量ミキサー4に輸送管を介
して連結されていて、各液体ソースを該ミキサー4に供
給し得るようになっている。図中、5はミキシングポン
プを示しており、液体機ffiミキサー4の液体を平滑
流ポンプ6.7に送出し、該平滑流ポンプ6.7から送
出された流体は高圧液体バルブ8を介して気化器9へ送
られて気化される。この気化器9で気化されたガスは、
高圧ガスバルブを10を介してガスミキシングマニホー
ルド11へ送られ、このガスミキシングマニホールド1
1でパージガスと混合されて、CVD装置の反応炉(図
示省略)へと供給されるようになっている。
なお、TRO9は、上記液体微量ミキサー4中で、以下
のような反応により生成される。
S t C(lh+4 CtHsOH→S i  (O
C*Hs)4十4l−1cc [発明が解決しようとする課題] 【、かじながら、このような従来のガス供給装置におい
ては、プラズマCVD装置の反応炉内でのS i Oを
膜の形成速度が、第6図に示すように、1回目の形成と
2回目の形成で異なり、数回連続で膜形成を続けるとそ
の形成速度が安定化するが、再開すると、また形成速度
にバラツキが生じ5i02膜のηさが変動ケる問題点が
ある。
これは、高圧液体バルブ8からガスミキシングマニホー
ルド12の範囲に亘って’r EOSガスが残留し、膜
堆積の初期では配管が冷却するため、各膜形成工程で供
給ガス量にバラツキが生じる原因となっている。
本発明は、このような従来の問題点に着目して創案され
たものであって、反応炉へのガス供給!■を安定にケる
ガス供給装置を得んとするものである。
[課題を解決するための手段」 そこで、本発明は、液体供給部と気化器と反応室とを有
し、少なくとも面記録化器を保温し、iii記液体供給
部と反応室との間に排気手段を配設したことを、その解
決手段としている。
1作用] 液体供給部から供給された液体は、気化器で気化されて
反応ガスになるが、少なくとも気化器が保温されている
ため液化して気化器内に残留することなく排気手段によ
り有効に排出されるため、反応室内での膜堆積に供され
る反応ガスの供給量は、各反応工程で一定となり、均一
な膜形成が可能となる。
[実施例] 以下、本発明に係るガス供給装置の詳細を図面に示す各
実施例に基づいて説明する。各実施例は、本発明をプラ
ズマCVDに供されるTRO8供給装置に適用したもの
である。
なお、従来例と同一部分には同一符号を付して説明する
(第!実施例) 本実施例に係るガス供給装置は、第1図に示すように、
液体供給部Aと、気化器9と、反応室11とから大略構
成されている。
また、液体供給部Aは、液体ソースボトル1゜2.3と
、液体微mミキサー4と、ミキシングポンプ5と、平滑
流ポンプ6゜7と、高圧液体バルブ8とから成っており
、同図に示すように、配管を介して順次連通可能に接続
されている。
そして、気化器9と反応室!!との間には配管を介して
バルブIOが配設され、気化器9とバルブ10との間の
配管には排気手段としてのバルブI2が設けられている
さらに、高圧液体バルブ8と、気化器9と、バルブ10
.12と、反応室11は、第1図中破線で示すように、
保温装置(ヒータ)13により保温されていて、気化し
たガスが液化しないようになっている。なお、保温温度
は、TRO8の蒸気熱がI I 、25Kc a12/
mo12(常圧1常温)であるため、30°〜90℃に
設定する。一般に、この保温は、液体を気化させる部分
を、この液体がうばう潜熱以上の温度に設定しておけば
よい。
また、上記した液体供給部では、液体の送出を定量制御
するようになっており、TF:O9を反応室II内で堆
積させる都度、定量の液体を送+F′lするようになっ
ている。
このようにして、液体の供給を受ける気化器9は、この
液体を気化させて配管及びバルブ10を介して反応室1
1へ気化ガスを供給するようになっている。
次に、このガス供給装置の操作手順と動作について、第
5図に示すタイムチャートにもとづいて説明する。
先ず、反応室Il内で気化ガスを利用する場合は、バル
ブ12を閉めた状態で高圧液体バルブ8とバルブ10を
開ける。この場合、気化器9に搬送された液体は、気化
して気化ガスとなって反応室IIに安定して供給される
次いで、反応室l!内での気化ガスの利用が終了した場
合は、高圧液体バルブ8とバルブIOを閉じ、はつバル
ブI2を開けて、気化器9と反応室11内の気化ガスを
排出させる。この場合、気化ガスは、保温装置により保
温されているため、液化して気化器9や反応室菖1内等
に残留することなく外部へ排出される。なお、バルブ1
2は、図示しない真空ポンプ等に連通、接続されている
次に、再度気化ガスを反応室11内で利用する場合(’
r EOS膜の形成を行なう工程を繰り返す場合)には
、再度、バルブ12を閉じて、高圧液体バルブ8とバル
ブ10を開ける操作を行なえばよい。
かかる操作を行なうことにより、毎回反応室11内に供
給される気化ガスの量は一定となる。特に、気化器9及
び反応室!1などの内に残留ガスや残留液が生じないた
め、安定な気化ガスの供給が可能であり、毎回均一なT
E01膜の形成が可能となる。
(第2実施例) 第2図は、本発明に係るガス供給装置の第2実施例を示
している。
本実施例においては、気化器9と反応室11との間に設
けたバルブ14が、気化ガスを反応室11側へ送出され
るのを許容する機能と、反応室11への気化ガスの送出
を阻止して外部へ気化ガスを排出する機能とを用してい
る。
また、保温装置13は、気化器9.バルブ14及びその
周辺の配管を保温する範囲に配設されている。
本実施例の他の構成は、第1実施例と同様である。
上記したように、本実施例においては、保温する範囲が
気化器9の周辺となっているが、反応室1!での気化ガ
スの利用が終了した際に速やかに気化ガスの排気を行な
えば、気化ガスが反応室ll内で液化して残留すること
がない。
(第3実施例) 第3図は、本発明に係るガス供給装置の第3実施例を示
している。
本実施例においては、第2実施例と同様の機能を有する
バルブ15を、気化器9と反応室11の間に配設すると
共に、反応室l!にも別途バルブ16を接続して、バル
ブ15とバルブI6とを介して共に排気を可能にしてい
る。このため、気化器9側と反応室11側から効率よく
気化ガスの排出が可能となっている。
なお、保温装置I3、第2実施例と同じ範囲を保温する
ように設定されている。
(第4実施例) 第4図は、本発明に係るガス供給装置の第4実施例を示
している。
本実施例においては、気化器9と反応室11との間に排
気に用いるバルブを設けず、反応室11側に設けたバル
ブ16のみで気化ガスの排気を行なうようになっている
他の構成は、L記各実施例と同様である。
以上、本発明をゴEOSの供給装置に適用して各実施例
を説明したが、本発明は、勿論T E OSの供給のみ
に限られるものではなく、例えば、BC123、W P
 e 、 P OC123等の供給に適用してもよい。
また、装置槽酸も、上記各実施例に限られるものではな
く、各種の構成とすることが可能である。
[発明の効果] 以上の説明から明らかなおうイこ、本発明に係るガス供
給装置に依れば、気化器等に残っているガスが排出され
るため、ガスの安定供給が可能となり、例えば、CvD
によって形成する膜を安定して形成出来ると共に、毎回
のCVDにおいて均一な膜形成が行える効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係るガス供給装置の第1実施例を示す
説明図、第2図は同第2実施例を示す説明図、第3図は
同第3実施例を示す説明図、第4図は同第4実施例を示
す説明図、第5図は第1実施例におけるバルブ開閉のタ
イムチャート、第6図は従来例においてTR09を用い
てCVDにより形成される5iOy膜の膜厚とバッチ回
数との関係を示すグラフ、第7図は従来のガス供給装置
の説明図である。 A・・・液体供給部、9・・・気化器、11・・・反応
室、13・・・保温装置。 (入) パ・・l+回教 第6図 第1実施例 第2実施例 第2図 第3実施例 第3図 第4図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)液体供給部と気化器と反応室とを有し、少なくと
    も前記気化器を保温し、前記液体供給部と反応室との間
    に排気手段を配設したことを特徴とするガス供給装置。
JP1115591A 1989-05-09 1989-05-09 SiO▲下2▼膜の形成方法 Expired - Fee Related JP3024139B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1115591A JP3024139B2 (ja) 1989-05-09 1989-05-09 SiO▲下2▼膜の形成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1115591A JP3024139B2 (ja) 1989-05-09 1989-05-09 SiO▲下2▼膜の形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02298336A true JPH02298336A (ja) 1990-12-10
JP3024139B2 JP3024139B2 (ja) 2000-03-21

Family

ID=14666396

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1115591A Expired - Fee Related JP3024139B2 (ja) 1989-05-09 1989-05-09 SiO▲下2▼膜の形成方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3024139B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0624895A (ja) * 1992-07-06 1994-02-01 Fujikura Ltd Cvd原料気化装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0624895A (ja) * 1992-07-06 1994-02-01 Fujikura Ltd Cvd原料気化装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP3024139B2 (ja) 2000-03-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6269221B1 (en) Liquid feed vaporization system and gas injection device
US6454860B2 (en) Deposition reactor having vaporizing, mixing and cleaning capabilities
US6432205B1 (en) Gas feeding system for chemical vapor deposition reactor and method of controlling the same
US5702531A (en) Apparatus for forming a thin film
WO1999043866A1 (en) Liquid vaporizer systems and methods for their use
US20080296791A1 (en) Vaporizing apparatus and semiconductor processing system
US20090050210A1 (en) Methods for Operating Liquid Chemical Delivery Systems Having Recycling Elements
US8382903B2 (en) Vaporizer and semiconductor processing system
EP1724817A1 (en) Film forming apparatus
CN101608734B (zh) 试剂分配装置及输送方法
JP4933894B2 (ja) 気化器モジュール
JP2015073021A (ja) 原子層堆積装置および原子層堆積方法
US20170167027A1 (en) Material Delivery System and Method
CN111742394A (zh) 气化器、基板处理装置及半导体器件的制造方法
JPH02298336A (ja) SiO↓2膜の形成方法
KR102678271B1 (ko) 혼합식 열교환기
KR20060121819A (ko) 박막 성막장치
JPH06104187A (ja) 材料ガス供給管の加熱装置
JP3595190B2 (ja) 半導体の製造方法及び半導体製造装置
JPH06316765A (ja) 液体原料用気化器
JPH08279466A (ja) 半導体製造装置
JP2002367987A (ja) 強誘電体薄膜の形成方法および装置
JP4007732B2 (ja) プロセスガス搬送用配管及び成膜装置
JPH10229075A (ja) 液体材料気化装置
JPH02214536A (ja) 液体原料気化装置

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees