JPH02299250A - 電気光学装置の製造方法 - Google Patents
電気光学装置の製造方法Info
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- JPH02299250A JPH02299250A JP1120796A JP12079689A JPH02299250A JP H02299250 A JPH02299250 A JP H02299250A JP 1120796 A JP1120796 A JP 1120796A JP 12079689 A JP12079689 A JP 12079689A JP H02299250 A JPH02299250 A JP H02299250A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Or Calibration Of Command Recording Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は各画素単位にスイッチング素子を有するマトリ
ックス型表示装置、プロジェクタ−などに用いられる電
気光学装置の製造方法に関する。
ックス型表示装置、プロジェクタ−などに用いられる電
気光学装置の製造方法に関する。
本発明はマトリ、クス型表示装置の基板上に配置された
すべての画素電極のスイッチング素子に起こりうる欠陥
を発見するため、スイッチング素子が形成された状態に
おいて、画素電極を複数単位に結合し、結合した複数の
画素電極を一括して欠陥検査を行い、その後に結合した
複数の画素電極を所望する完成した状態に切り離す製造
方法を用いて、基板単体の状態で検査を行えるようにし
たものである。
すべての画素電極のスイッチング素子に起こりうる欠陥
を発見するため、スイッチング素子が形成された状態に
おいて、画素電極を複数単位に結合し、結合した複数の
画素電極を一括して欠陥検査を行い、その後に結合した
複数の画素電極を所望する完成した状態に切り離す製造
方法を用いて、基板単体の状態で検査を行えるようにし
たものである。
従来の技術では基板単体の状態でスイッチング素子のす
べてに起こりうる欠陥を発見するためには、すべての画
素電極各々に検査用測定端子を接触させて検査する方法
としたＩ＊査効率向上のため検査用測定端子の多端子化
による複数のスイッチング素子の一括検査を行っていた
。
べてに起こりうる欠陥を発見するためには、すべての画
素電極各々に検査用測定端子を接触させて検査する方法
としたＩ＊査効率向上のため検査用測定端子の多端子化
による複数のスイッチング素子の一括検査を行っていた
。
上記のような１べての画素？、極に多端子接点を接触さ
せて検査する方法では、画素電極間隔や端子構造などか
ら端子数に制約を受け、一括検査を行える画素電極の数
も制限され検査の効率向上は充分に行えない。また検査
用測定端子がすべての画素電極と接触するため端子によ
る画素電極のｔ員傷が多い。検査用測定端子間でもつ誤
差と画素電極間の誤差を含んだ位置決めが難しいなどの
欠点を有していた。
せて検査する方法では、画素電極間隔や端子構造などか
ら端子数に制約を受け、一括検査を行える画素電極の数
も制限され検査の効率向上は充分に行えない。また検査
用測定端子がすべての画素電極と接触するため端子によ
る画素電極のｔ員傷が多い。検査用測定端子間でもつ誤
差と画素電極間の誤差を含んだ位置決めが難しいなどの
欠点を有していた。
上記問題を解決するために本発明においては、画素電極
を複数単位に結合し、結合した画素電極の一点のみ検査
測定用の端子を接触させ検査できることから画素電極間
隔や端子構造などの制約がなく、多くの画素電極を一括
して接続することができる。同様に画素電極の損傷も激
減する。また検査測定用の端子と画素電極それぞれの誤
差がなくなり位置決めが容易になった。
を複数単位に結合し、結合した画素電極の一点のみ検査
測定用の端子を接触させ検査できることから画素電極間
隔や端子構造などの制約がなく、多くの画素電極を一括
して接続することができる。同様に画素電極の損傷も激
減する。また検査測定用の端子と画素電極それぞれの誤
差がなくなり位置決めが容易になった。
〔作用〕
上記のような製造方法を用いることによって検査に閏す
る費用の削減、信頼性の向上、製品の劣化防止がはから
れた。
る費用の削減、信頼性の向上、製品の劣化防止がはから
れた。
以下に２端子非線形抵抗素子をスイッチング素子とした
本発明の実施例を図面に基づいて説明する。第４図は本
発明を用いたマトリックス型液晶表示装置の該基板の平
面図である。ガラス基板の上に単位画素電極１、スイッ
チングユニット２、電極３を複数列形成して成り立つ。
本発明の実施例を図面に基づいて説明する。第４図は本
発明を用いたマトリックス型液晶表示装置の該基板の平
面図である。ガラス基板の上に単位画素電極１、スイッ
チングユニット２、電極３を複数列形成して成り立つ。
本発明による製造方法は、第１図で示す電極３およびス
イッチング素子２が成り立っている状態において第２図
に示す各スイッチング素子２に対応した画素電極ｌの結
合した画素型ｔｆｉ４を形成する。結合した画素電極４
と電極３はスイッチング素子２を介して接続されること
になる。なお、画素電極４の形成が先でもよい。この状
態で第３図に示す結合された画素電極４と電極３に検査
測定用端子を接触させ、結合された画素電極すべてのス
イッチング素子の検査を一括して行う。この測定では画
素電極４と電極３間の電流を測定する。
イッチング素子２が成り立っている状態において第２図
に示す各スイッチング素子２に対応した画素電極ｌの結
合した画素型ｔｆｉ４を形成する。結合した画素電極４
と電極３はスイッチング素子２を介して接続されること
になる。なお、画素電極４の形成が先でもよい。この状
態で第３図に示す結合された画素電極４と電極３に検査
測定用端子を接触させ、結合された画素電極すべてのス
イッチング素子の検査を一括して行う。この測定では画
素電極４と電極３間の電流を測定する。
従って、第３図で示された列でスイッチング素子２の一
つでもソヨートを起こしていると電流が所定値よりも大
きく検出され素子２の異常のあることが分かる。
つでもソヨートを起こしていると電流が所定値よりも大
きく検出され素子２の異常のあることが分かる。
そして検査の終了後に第４図に示す所望する単位画素型
１ｆｌｔ毎に分離形成する。
１ｆｌｔ毎に分離形成する。
以上述べたように上記製造方法を用いることにより、検
査費用の削減・画素電極の損傷防止に伴う歩留まり向上
、検査装置の簡素化に伴う設備費用の削減・稼働率の向
上がはかられた。また上記製造方法は２端子素子の金属
−絶縁膜−金属のＭＩＭやリングダイオードまたＳｉＮ
ｘ、５ｉＣｘなどの半絶縁１模を使用するものなど、多
くの製造に用いることができる。またＴＰＴなどへの応
用も可能である。
査費用の削減・画素電極の損傷防止に伴う歩留まり向上
、検査装置の簡素化に伴う設備費用の削減・稼働率の向
上がはかられた。また上記製造方法は２端子素子の金属
−絶縁膜−金属のＭＩＭやリングダイオードまたＳｉＮ
ｘ、５ｉＣｘなどの半絶縁１模を使用するものなど、多
くの製造に用いることができる。またＴＰＴなどへの応
用も可能である。
第１図、第２図、第３図は本発明の製造方法の実施例を
示す平面図である。第４図は本発明の実施例を示す２端
子非線形素子をスイッチング素子としたマトリックス型
液晶表示装置の２１板の平面図である。 ｌ・・・単位画素電極 ２・・・スイッチング素子 ３・・・電極 ４・・・結合した画素電極 以上
示す平面図である。第４図は本発明の実施例を示す２端
子非線形素子をスイッチング素子としたマトリックス型
液晶表示装置の２１板の平面図である。 ｌ・・・単位画素電極 ２・・・スイッチング素子 ３・・・電極 ４・・・結合した画素電極 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 単位画素にスイッチング素子を設けたマトリックス
型電気光学装置の製造方法において、少なくとも、基板
上に列状の単位画素電極どうしを接続して形成する工程
、 各単位画素電極と対応したスイッチング素子を形成する
工程、 多数のスイッチング素子の特性を一括して検査する工程
、 前記画素電極を分離して単位画素電極を形成する工程、 を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1120796A JPH02299250A (ja) | 1989-05-15 | 1989-05-15 | 電気光学装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1120796A JPH02299250A (ja) | 1989-05-15 | 1989-05-15 | 電気光学装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02299250A true JPH02299250A (ja) | 1990-12-11 |
Family
ID=14795212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1120796A Pending JPH02299250A (ja) | 1989-05-15 | 1989-05-15 | 電気光学装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02299250A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002108243A (ja) * | 2000-06-05 | 2002-04-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示パネル、検査方法及び該表示パネルの作製方法 |
| JP2006267416A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Victor Co Of Japan Ltd | アクティブマトリクス基板の検査方法 |
-
1989
- 1989-05-15 JP JP1120796A patent/JPH02299250A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002108243A (ja) * | 2000-06-05 | 2002-04-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示パネル、検査方法及び該表示パネルの作製方法 |
| JP2006267416A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Victor Co Of Japan Ltd | アクティブマトリクス基板の検査方法 |
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