JPH07120694B2 - 液晶表示装置の検査装置及びその検査方法 - Google Patents
液晶表示装置の検査装置及びその検査方法Info
- Publication number
- JPH07120694B2 JPH07120694B2 JP62193153A JP19315387A JPH07120694B2 JP H07120694 B2 JPH07120694 B2 JP H07120694B2 JP 62193153 A JP62193153 A JP 62193153A JP 19315387 A JP19315387 A JP 19315387A JP H07120694 B2 JPH07120694 B2 JP H07120694B2
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- crystal display
- display device
- electrode
- inspection
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- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は、液晶表示装置及びその検査方法に関し、詳し
くは液晶表示パネルに多数の絵素電極をＸ−Ｙマトリク
ス状に配列しかつ各絵素電極にスイッチング素子を設け
たドットマトリクス型映像を表示する液晶表示装置にお
いて、上記各スイッチング素子の特性を検査する装置及
びその検査方法に関するものである。
くは液晶表示パネルに多数の絵素電極をＸ−Ｙマトリク
ス状に配列しかつ各絵素電極にスイッチング素子を設け
たドットマトリクス型映像を表示する液晶表示装置にお
いて、上記各スイッチング素子の特性を検査する装置及
びその検査方法に関するものである。
＜従来の技術＞ 従来、液晶の電気光学効果をテレビ画像あるいはキャラ
クター画像素子に利用した表示装置として、液晶表示パ
ネルが実用化されている。この液晶表示パネルはＸ−Ｙ
ドットマトリクス状に配列された多数の絵素電極と、そ
れに印加された電圧に応じて光を変調する液晶層とを備
え、場合によってはカラー表示を行うため、絵素に対応
して配列された着色手段を付加している。特に、上記着
色手段を付加したパネルにおいては、各絵素電極にそれ
と対応する色に応じた映像信号を印加することにより、
CRT（ブラウン管）と同じ原理で、加色混合され中間色
を含む任意のドットマトリクス型映像を表示することが
できる。近年、このような液晶表示パネルの高品位化に
伴い、上記各絵素電極にスイッチング素子を付加し、こ
のスイッチング素子を介して絵素電極に映像信号を印加
する手法が用いられつつあるが、このようなスイッチン
グ素子の形成工程は複雑であり、このため、絵素の不
良、走査線および信号線の断線あるいはショート、さら
にはスイッチング素子の不良などの発生が問題となって
くる。このため、この種の不良状態の検査および解析は
最終製品の品質管理および品質向上を目指す上で特に重
要となっている。
クター画像素子に利用した表示装置として、液晶表示パ
ネルが実用化されている。この液晶表示パネルはＸ−Ｙ
ドットマトリクス状に配列された多数の絵素電極と、そ
れに印加された電圧に応じて光を変調する液晶層とを備
え、場合によってはカラー表示を行うため、絵素に対応
して配列された着色手段を付加している。特に、上記着
色手段を付加したパネルにおいては、各絵素電極にそれ
と対応する色に応じた映像信号を印加することにより、
CRT（ブラウン管）と同じ原理で、加色混合され中間色
を含む任意のドットマトリクス型映像を表示することが
できる。近年、このような液晶表示パネルの高品位化に
伴い、上記各絵素電極にスイッチング素子を付加し、こ
のスイッチング素子を介して絵素電極に映像信号を印加
する手法が用いられつつあるが、このようなスイッチン
グ素子の形成工程は複雑であり、このため、絵素の不
良、走査線および信号線の断線あるいはショート、さら
にはスイッチング素子の不良などの発生が問題となって
くる。このため、この種の不良状態の検査および解析は
最終製品の品質管理および品質向上を目指す上で特に重
要となっている。
従来、上記絵素の不良を検査する方法として、プローブ
カードなどにより絵素電極とコンタクトし、スイッチン
グ素子の特性を検査する手法が取られていたが、多数の
絵素を検査するためには多大な時間を要すため、工程管
理の手段としては効率の悪い方式であった。
カードなどにより絵素電極とコンタクトし、スイッチン
グ素子の特性を検査する手法が取られていたが、多数の
絵素を検査するためには多大な時間を要すため、工程管
理の手段としては効率の悪い方式であった。
＜発明の構成および作用＞ 本発明は、上述の問題点を解決するため、液晶表示装置
の絵素マトリクスと同様のマトリクス構造で構成された
検出電極マトリクスを備えた検査パネルを設け、上記検
出電極マトリクスを用いて対応する個々の絵素の特性を
検知することによって、従来に比べてより多数の絵素の
詳細な検査をより高速に行うことのできる検査装置を提
供するものである。
の絵素マトリクスと同様のマトリクス構造で構成された
検出電極マトリクスを備えた検査パネルを設け、上記検
出電極マトリクスを用いて対応する個々の絵素の特性を
検知することによって、従来に比べてより多数の絵素の
詳細な検査をより高速に行うことのできる検査装置を提
供するものである。
詳しくは、マトリクス上の絵素と相似であるピッチを有
するマトリクス状に検出電極を配列した検査パネルを設
け、この検査パネルの検出電極マトリクスを液晶表示装
置のスイッチング素子を付加した絵素マトリクス基板と
一致するように対向配置させ、かつ上記各検出電極にス
イッチング素子を付加するとともにこのスイッチング素
子を交点として走査電極と信号電極を設け、走査電極に
電圧を印加することによりスイッチング素子を動作させ
るように構成し、検出電極マトリクスと対向配置しかつ
接触させた液晶表示装置基板のスイッチング素子を動作
させ、各絵素からの信号電流を対応する検出電極に入力
し、この検出電極からの信号をスイッチング素子を介し
て検査パネルの信号電極へ伝えることにより、各絵素の
動作状態を検査するようにしたものである。
するマトリクス状に検出電極を配列した検査パネルを設
け、この検査パネルの検出電極マトリクスを液晶表示装
置のスイッチング素子を付加した絵素マトリクス基板と
一致するように対向配置させ、かつ上記各検出電極にス
イッチング素子を付加するとともにこのスイッチング素
子を交点として走査電極と信号電極を設け、走査電極に
電圧を印加することによりスイッチング素子を動作させ
るように構成し、検出電極マトリクスと対向配置しかつ
接触させた液晶表示装置基板のスイッチング素子を動作
させ、各絵素からの信号電流を対応する検出電極に入力
し、この検出電極からの信号をスイッチング素子を介し
て検査パネルの信号電極へ伝えることにより、各絵素の
動作状態を検査するようにしたものである。
＜実施例＞ 以下、本発明を図面に示す実施例により詳細に説明す
る。
る。
第１図は、本発明の１実施例を示す検査装置の制御機構
を示し、第２図は検査パネル１の要部拡大図である。検
査パネル１は第３図に示すＸ−Ｙマトリクス型液晶表示
装置の基板２に配列されているマトリクス構造の絵素３
と相似のピッチを有するマトリクス構造で検出電極４を
配列している。
を示し、第２図は検査パネル１の要部拡大図である。検
査パネル１は第３図に示すＸ−Ｙマトリクス型液晶表示
装置の基板２に配列されているマトリクス構造の絵素３
と相似のピッチを有するマトリクス構造で検出電極４を
配列している。
上記各検出電極４にはアモルファスシリコン・薄膜トラ
ンジスター（TFT）からなるスイッチング素子５が接続
されており、各スイッチング素子５を交点として走査電
極６と信号電極７が設けられている。
ンジスター（TFT）からなるスイッチング素子５が接続
されており、各スイッチング素子５を交点として走査電
極６と信号電極７が設けられている。
上記構造の検査パネル１の製作には、被検査物であるＸ
−Ｙマトリクス型液晶表示装置の製作プロセスを利用し
ている。即ち、TFTによるアクティブマトリクス方式の
Ｘ−Ｙマトリクス型液晶表示装置において、TFTは第４
図に示す断面構造を有し、ガラス、石英ガラス、セラミ
ックなどの透明絶縁性基板20の上にゲート絶縁膜22、半
導体膜23、ソース電極24、及びドレイン電極25が順次パ
ターン化して積層されて構成されている。上記薄膜の形
成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、CVD
法、プラズマCVD法、減圧CVD法などを用い、シャドウマ
スクやフォトリソグラフィーの技術によってパターン化
している。このTFTを本発明の検査パネル１のスイッチ
ング素子として用い、同一の行のTFTに属するゲート電
極21を共通の検査電極６に接続し、同一の列のTFTに属
するソース電極24を共通の信号電極７に接続し、ドレイ
ン電極25を検出電極４に接続している。このドレイン電
極25は液晶表示装置では絵素電極に接続されている。
−Ｙマトリクス型液晶表示装置の製作プロセスを利用し
ている。即ち、TFTによるアクティブマトリクス方式の
Ｘ−Ｙマトリクス型液晶表示装置において、TFTは第４
図に示す断面構造を有し、ガラス、石英ガラス、セラミ
ックなどの透明絶縁性基板20の上にゲート絶縁膜22、半
導体膜23、ソース電極24、及びドレイン電極25が順次パ
ターン化して積層されて構成されている。上記薄膜の形
成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、CVD
法、プラズマCVD法、減圧CVD法などを用い、シャドウマ
スクやフォトリソグラフィーの技術によってパターン化
している。このTFTを本発明の検査パネル１のスイッチ
ング素子として用い、同一の行のTFTに属するゲート電
極21を共通の検査電極６に接続し、同一の列のTFTに属
するソース電極24を共通の信号電極７に接続し、ドレイ
ン電極25を検出電極４に接続している。このドレイン電
極25は液晶表示装置では絵素電極に接続されている。
尚、本発明の検査パネル１の製作プロセスは上記プロセ
スに限定されないが、被検査物の液晶表示装置の製作プ
ロセスを利用して一部を変更して用いると、極めて安価
かつ容易に製作することが可能となる。
スに限定されないが、被検査物の液晶表示装置の製作プ
ロセスを利用して一部を変更して用いると、極めて安価
かつ容易に製作することが可能となる。
上記検査パネル１に設ける走査電極６および信号電極７
は、第１図に示すように、それぞれ走査電極駆動回路1
0、信号電極駆動回路11に接続され、これら駆動回路1
0、11を制御回路12により駆動している。又、上記信号
電極駆動回路11はＡ−Ｄコンバータを含む信号検出回路
13を介して記憶装置14に接続され、この記憶装置14はコ
ンピューター15と接続されている。
は、第１図に示すように、それぞれ走査電極駆動回路1
0、信号電極駆動回路11に接続され、これら駆動回路1
0、11を制御回路12により駆動している。又、上記信号
電極駆動回路11はＡ−Ｄコンバータを含む信号検出回路
13を介して記憶装置14に接続され、この記憶装置14はコ
ンピューター15と接続されている。
上記制御機構においては、検査時に走査電極駆動回路10
より走査電極６に電圧が印加され、スイッチング素子５
が作動する。このスイッチング素子５を介して検出電極
４より得られる検知信号を信号電極７に伝え、この信号
電極７より信号検出回路13を通って記憶装置14に検知信
号が記憶される。さらに、この記憶装置14よりコンピュ
ーター15に検知信号を入力することにより液晶表示装置
のスイッチング素子の特性を正確に検出することができ
る。即ち、スイッチング素子５には特性のばらつきが存
在すると考えられ、このような従来の目的以外の因子の
特性が、本来目的とする液晶表示装置の特性の評価に影
響を及ぼすことを防ぎ、液晶表示装置の特性の正確な評
価を行うために、ある基準サンプル（例えば、液晶表示
装置のスイッチング素子を抵抗素子に置き換えたような
サンプル）にて、液晶表示装置に信号電圧を印加し、各
絵素に流れ込む電流を測定し、この基準測定値に対する
比率を以て測定電流値を規格化し、液晶表示装置のスイ
ッチング素子の特性の評価を行っている。このような測
定データの処理をコンピューター15で行うことにより、
断線不良、絵素欠陥、表示ムラなどの液晶表示装置の表
示特性に関する有用な評価が得られることとなる。
より走査電極６に電圧が印加され、スイッチング素子５
が作動する。このスイッチング素子５を介して検出電極
４より得られる検知信号を信号電極７に伝え、この信号
電極７より信号検出回路13を通って記憶装置14に検知信
号が記憶される。さらに、この記憶装置14よりコンピュ
ーター15に検知信号を入力することにより液晶表示装置
のスイッチング素子の特性を正確に検出することができ
る。即ち、スイッチング素子５には特性のばらつきが存
在すると考えられ、このような従来の目的以外の因子の
特性が、本来目的とする液晶表示装置の特性の評価に影
響を及ぼすことを防ぎ、液晶表示装置の特性の正確な評
価を行うために、ある基準サンプル（例えば、液晶表示
装置のスイッチング素子を抵抗素子に置き換えたような
サンプル）にて、液晶表示装置に信号電圧を印加し、各
絵素に流れ込む電流を測定し、この基準測定値に対する
比率を以て測定電流値を規格化し、液晶表示装置のスイ
ッチング素子の特性の評価を行っている。このような測
定データの処理をコンピューター15で行うことにより、
断線不良、絵素欠陥、表示ムラなどの液晶表示装置の表
示特性に関する有用な評価が得られることとなる。
次に、検査方法を説明すると、第３図に示す如く検査パ
ネル１の検出電極４のマトリクスと液晶表示装置２の絵
素電極３のマトリクスとが一致しかつ接触するように検
査パネル１を液晶表示装置２に対向配置する。この場
合、検査パネル１のスイッチング素子および液晶表示装
置２のスイッチング素子に損傷を与えないようにするた
め、検査パネル１の検出電極４の厚みがスイッチング素
子の厚みより厚くなるように形成する。この状態で、液
晶表示装置２のスイッチング素子を作動させ、液晶表示
装置に信号を入力すると、各絵素電極３からの電流は検
査パネル１の対応する検出電極４に流れる。この検知電
流がスイッチング素子５を介して信号電極７に伝わり、
信号電極７り信号検出回路13を通って記憶装置14に記憶
される。上記動作は、走査電極６の走査により、全検出
電極４からの検知信号が記憶装置14に記憶される。この
記憶装置14より、さらに検知信号がコンピューター15に
入力され、液晶表示装置２の表示特性が正確に評価され
る。
ネル１の検出電極４のマトリクスと液晶表示装置２の絵
素電極３のマトリクスとが一致しかつ接触するように検
査パネル１を液晶表示装置２に対向配置する。この場
合、検査パネル１のスイッチング素子および液晶表示装
置２のスイッチング素子に損傷を与えないようにするた
め、検査パネル１の検出電極４の厚みがスイッチング素
子の厚みより厚くなるように形成する。この状態で、液
晶表示装置２のスイッチング素子を作動させ、液晶表示
装置に信号を入力すると、各絵素電極３からの電流は検
査パネル１の対応する検出電極４に流れる。この検知電
流がスイッチング素子５を介して信号電極７に伝わり、
信号電極７り信号検出回路13を通って記憶装置14に記憶
される。上記動作は、走査電極６の走査により、全検出
電極４からの検知信号が記憶装置14に記憶される。この
記憶装置14より、さらに検知信号がコンピューター15に
入力され、液晶表示装置２の表示特性が正確に評価され
る。
上記の検査方法は、被検査物である液晶表示装置の製作
プロセスにおいて、液晶表示装置のスイッチング素子マ
トリクスが完成した段階で行なうものである。しかしな
がら、これとは別に、液晶表示装置のスイッチング素子
マトリクス上に、絶縁性の保護膜が形成された段階にお
いても本実施例による検査装置を用いて検査を行なうこ
とができる。即ち、第３図のように検査パネル１、液晶
表示装置２を対向配置すると、検出電極４は液晶表示装
置の絵素電極上に形成された絶縁保護膜を介して液晶表
示装置の絵素電極との間にコンデンサーを形成する。こ
の状態で液晶表示装置のスイッチング素子を作動させ、
液晶表示装置に信号を入力すると、検査パネルの検出電
極には、過渡電流または交流電流が生じるから、これを
検知信号として前述の検査方法と同様に評価を行なえば
よい。さらにこの場合においては上記絶縁性保護膜の絶
縁不良を検出することも可能である。
プロセスにおいて、液晶表示装置のスイッチング素子マ
トリクスが完成した段階で行なうものである。しかしな
がら、これとは別に、液晶表示装置のスイッチング素子
マトリクス上に、絶縁性の保護膜が形成された段階にお
いても本実施例による検査装置を用いて検査を行なうこ
とができる。即ち、第３図のように検査パネル１、液晶
表示装置２を対向配置すると、検出電極４は液晶表示装
置の絵素電極上に形成された絶縁保護膜を介して液晶表
示装置の絵素電極との間にコンデンサーを形成する。こ
の状態で液晶表示装置のスイッチング素子を作動させ、
液晶表示装置に信号を入力すると、検査パネルの検出電
極には、過渡電流または交流電流が生じるから、これを
検知信号として前述の検査方法と同様に評価を行なえば
よい。さらにこの場合においては上記絶縁性保護膜の絶
縁不良を検出することも可能である。
＜発明の効果＞ 以上の説明より明らかなように、本発明の検査装置を用
いると、液晶表示装置の各絵素の導通状態を検知して液
晶表示装置の表示特性の検査を一度に全て短時間で且つ
正確に行うことができる。この検査結果に基づき、不良
原因の究明やさらに製造工程の改善を施し、品質の向上
を図ることができる。また、検査パネルの各検出電極と
液晶表示装置の絵素電極上に形成された絶縁膜とを接触
させることにより、検査パネルの検出電極は絶縁膜を介
して液晶表示装置の絵素電極との間にコンデンサーを形
成したことと同じになり、この状態で液晶表示装置を動
作させ、液晶表示装置に信号を入力すると、検査パネル
の検出電極には、過渡電流または交流電流が生じるか
ら、これを検出信号として用いて液晶表示装置の表示特
性の検査することができ、絶縁膜の絶縁不良をも検出す
ることができる。さらに、本発明の検査装置は被検査物
であるアクティブマトリクス方式の液晶表示装置の製造
工程を利用して製作することが可能であるため、極めて
安価かつ容易に実施することができ、実用価値の大なる
ものである。
いると、液晶表示装置の各絵素の導通状態を検知して液
晶表示装置の表示特性の検査を一度に全て短時間で且つ
正確に行うことができる。この検査結果に基づき、不良
原因の究明やさらに製造工程の改善を施し、品質の向上
を図ることができる。また、検査パネルの各検出電極と
液晶表示装置の絵素電極上に形成された絶縁膜とを接触
させることにより、検査パネルの検出電極は絶縁膜を介
して液晶表示装置の絵素電極との間にコンデンサーを形
成したことと同じになり、この状態で液晶表示装置を動
作させ、液晶表示装置に信号を入力すると、検査パネル
の検出電極には、過渡電流または交流電流が生じるか
ら、これを検出信号として用いて液晶表示装置の表示特
性の検査することができ、絶縁膜の絶縁不良をも検出す
ることができる。さらに、本発明の検査装置は被検査物
であるアクティブマトリクス方式の液晶表示装置の製造
工程を利用して製作することが可能であるため、極めて
安価かつ容易に実施することができ、実用価値の大なる
ものである。
第１図は本発明の１実施例を示す検査装置の制御機構を
含む全体のブロック図である。第２図は検査パネルの要
部拡大平面図である。第３図は検査方法を示す概略図で
ある。第４図は製作方法を示すための断面図である。 １……検査パネル、２……液晶表示装置、３……絵素、
４……検出電極、６……走査電極、７……信号電極、13
……信号検出回路、14……記憶装置、15……コンピュー
ター。
含む全体のブロック図である。第２図は検査パネルの要
部拡大平面図である。第３図は検査方法を示す概略図で
ある。第４図は製作方法を示すための断面図である。 １……検査パネル、２……液晶表示装置、３……絵素、
４……検出電極、６……走査電極、７……信号電極、13
……信号検出回路、14……記憶装置、15……コンピュー
ター。
Claims (3)
- 【請求項１】Ｘ−Ｙマトリクス状に配列した各絵素にス
イッチング素子を付加した構造を有する液晶表示装置の
各スイッチング素子の特性を検査する液晶表示装置の検
査装置において、マトリクス状の前記絵素と相似である
ピッチを有する検出電極をマトリクス状に配列した検査
パネルを設け、該検査パネルのマトリクス状検出電極を
前記液晶表示装置のマトリクス状絵素と一致するように
対向配置し、各検出電極と前記液晶表示装置の絵素電極
もしくは絵素電極上に形成された絶縁膜とを接触させ、
各絵素からの電流を前記検査パネルの検出電極により全
絵素を一度に検出することを特徴とする液晶表示装置の
検査装置。 - 【請求項２】前記検査パネルの各検出電極にはスイッチ
ング素子が付加されると共に該スイッチング素子を交点
とする走査電極と信号電極が配設され、該走査電極に電
圧を印加することにより動作するスイッチング素子を介
して信号電極から前記検出電極により得た信号が検出さ
れる特許請求の範囲第１項記載の液晶表示装置の検査装
置。 - 【請求項３】被検査物の液晶表示装置の製造工程を利用
して検査パネルを製作し、該検査パネルのマトリクス状
検出電極を液晶表示装置のマトリクス状絵素と一致する
ように対向配置し、各検出電極と前記液晶表示装置の絵
素電極もしくは絵素電極上に形成された絶縁膜とを接触
させ、各絵素からの電流を前記検査パネルの検出電極に
より全絵素を一度に検出することを特徴とする液晶表示
装置の検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62193153A JPH07120694B2 (ja) | 1987-07-31 | 1987-07-31 | 液晶表示装置の検査装置及びその検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62193153A JPH07120694B2 (ja) | 1987-07-31 | 1987-07-31 | 液晶表示装置の検査装置及びその検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6435597A JPS6435597A (en) | 1989-02-06 |
| JPH07120694B2 true JPH07120694B2 (ja) | 1995-12-20 |
Family
ID=16303164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62193153A Expired - Lifetime JPH07120694B2 (ja) | 1987-07-31 | 1987-07-31 | 液晶表示装置の検査装置及びその検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07120694B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0434491A (ja) * | 1990-05-31 | 1992-02-05 | Minato Electron Kk | アクティブマトリクス基板試験方法及びその試験対向電極基板 |
| JP2001133487A (ja) | 1999-11-01 | 2001-05-18 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 電位センサ |
| US7081908B2 (en) | 2001-02-22 | 2006-07-25 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Apparatus and method for testing electrode structure for thin display device using FET function |
| JP2006194787A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Oht Inc | センサ、検査装置および検査方法 |
| JP2006194786A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Oht Inc | センサ、検査装置および検査方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5440573A (en) * | 1977-09-07 | 1979-03-30 | Toshiba Corp | Measuring instrument for characteristics of semiconductor pellet |
| JPS5599734A (en) * | 1979-01-26 | 1980-07-30 | Hitachi Ltd | Pattern-sheet for characteristic test of semiconductor element |
| JPS58118697A (ja) * | 1982-01-08 | 1983-07-14 | 株式会社東芝 | 表示パネル検査装置 |
-
1987
- 1987-07-31 JP JP62193153A patent/JPH07120694B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6435597A (en) | 1989-02-06 |
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