JPH02301044A - 光磁気ディスクの製造方法 - Google Patents

光磁気ディスクの製造方法

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JPH02301044A
JPH02301044A JP1121816A JP12181689A JPH02301044A JP H02301044 A JPH02301044 A JP H02301044A JP 1121816 A JP1121816 A JP 1121816A JP 12181689 A JP12181689 A JP 12181689A JP H02301044 A JPH02301044 A JP H02301044A
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film
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純一郎 中山
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    • G11B11/10Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
    • G11B11/105Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光ran気ディスクの製造方法に関するもの
である。
〔従来の技術〕
近年、情報の書換えが可能な光メモリ素子としての光磁
気ディスクの開発が活発に進められている。第5図に示
すように、この光磁気ディスクは、基本的には、透光性
の基板l上に光磁気記録膜2を成膜してなり、光磁気記
録膜2上の所望の記録領域にレーザ光等を照射して昇温
させながら、磁気的に記録・消去を行うものである。
ところで、光磁気記録膜2は、一般に希土類遷移金属非
晶質合金からなっているので、空気、水分等に接するこ
とにより容易に劣化するものであるから、第5図の如く
、通常、光磁気記録膜2上に樹脂製の保護膜3を形成し
、光磁気記録膜2を保護するようにしている。その場合
、光磁気記録膜2の外周縁部2aが保護膜3から露出し
ていると、光磁気記録膜2が外周縁部2aから劣化する
恐れがあるため、通常は光磁気記録膜2の外周縁部2a
を基板1の外周縁部1aより4〜5mm程度内周側に位
置させ、保護膜3により光磁気記録膜2の外周縁部2a
をも被覆するようにしている。
このように、光磁気記録膜2の外周縁部2aを保護膜3
により被覆する場合、光磁気記録膜2の成膜は、第6図
に示すように、基板1の外周部を環状のホルダ4により
支持し、矢印への如く、下方から蒸着、スパッタリング
等により行い、基板lにおけるホルダ4で支持された以
外の領域に光磁気記録膜2を形成するものであった。
ここで、第7図に基板lとして半径65mmのポリカー
ボネイト製基板を使用し、基板1の各半径位置における
再生信号品質C/Nを測定した結果を示す。同図中O印
のプロットはディスクのプレーン部における測定値、X
印のプロットはディスクのグループ部における測定値を
示す。但し、上記のプレーン部はディスク外周における
グループの設けられていない領域であり、一方、グルー
プ部はグループの設けられた領域である。
同図から明らかなように、基板lの外周縁部から3〜5
mm程度の領域では、複屈折等の影響でC/Nが大幅に
低下する。なお、第7図のデータの測定条件は、光磁気
ディスクの回転速度:900rpm 、レーザ出カニ6
mW、外部磁場の強さ; 3000e、記録周波数: 
3.14〜3.35M1lz (ビット長0.9μm)
、パルスデューティ(1回の記録周期中に実際に記録の
行われる時間の割合):17%である。
上記のように、ポリカーボネイト製等の基板1を使用す
る場合は、外周縁部近傍でC/Nが低下するので、第5
図の如く、基板lの外周縁部から4〜5mm程度の範囲
に、光磁気記録膜2を設けないことがC/Nを維持する
上からも好都合であった。但し、ガラス製基板等の外周
縁部近傍でもC/Nが低下しない基板1を使用する場合
も、第6図の方法で光磁気記録膜2を成膜する際に、ホ
ルダ4による基板1の支持化lが4〜5mm程度は必要
となるため、光磁気記録膜2の外周縁部2aは基板1の
外周縁部1aより4〜5mm程度内周側に位置するもの
であった。
〔発明が解決しようとする課題〕
その場合、上記の光磁気ディスクでは、基板1の外周縁
部1a近傍のかなり広い領域(半径方向に4〜5mm程
度)に光磁気記録111!2が形成されないので、記憶
容量を増大させる上で不利になるという問題を有してい
る。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は上記の課題を解決して、光磁気記録膜を可能な
限り基板の外周縁部近4まで延長して形成し、しかも、
光磁気記録膜の外周縁部を保護膜により被覆できるよう
にした光磁気ディスクの製造方法を提供することを目的
としている。
そのため、本明細書の特許請求の範囲の欄における請求
項第1項記載の光磁気ディスクの製造方法は、少なくと
も透光性の基板と、光磁気記録膜と、光磁気記録膜を保
護する樹脂製の保護膜とを備えた光磁気ディスクの製造
方法において、基板の全域に光磁気記録膜を成膜した後
、光磁気記録膜の外周縁部近傍に光磁気記録膜を通過し
て基板に到達する深さを有する環状溝を設け、続いて、
上記環状溝内を含む光磁気記録膜の表面に保護膜を形成
するようにしたことを特徴とするものである。
又、請求項第2項に記載の光磁気ディスクの製造方法は
、請求項第1項の方法とは若干異なる方法で請求項第1
項のものと同等の機能を有する光磁気ディスクの製造を
行うものであって、少なくとも透光性の基板と、光磁気
記録膜と、光磁気記録膜を保護する樹脂製の保護膜とを
備えた光磁気ディスクの製造方法において、基板の全域
に光磁気記録膜を成膜した後、基板の外周縁部の角部及
びその表面の光磁気記録膜を除去して基板の外周縁部の
角部にテーパ状部を形成し、続いて、上記基板のテーパ
状部及び光磁気記録膜の表面に保護膜を形成するように
したことを特徴としている。
請求項第3項に記載の光磁気ディスクの製造方法は、更
に若干異なる方法で上記と同様の光磁気ディスクの製造
を行うものであって、少なくとも透光性の基板と、光磁
気記録膜と、光磁気記録膜を保護する樹脂製の保護膜と
を備えた光磁気ディスクの製造方法において、予め、基
板の外周縁部の角部にテーパ状部を形成した後、基板上
に光磁気記録膜を成膜し、続いて、上記テーパ状部を含
む光磁気記録膜の表面に保護膜を形成するようにしたこ
とを特徴としている。
請求項第4項に記載の光磁気ディスクの製造方法は、更
に他の方法で上記と類似した光磁気ディスクの製造を行
うものであって、少なくとも透光性の基板と、光磁気記
録膜と、光磁気記録膜を保護する樹脂製の保護膜とを備
えた光磁気ディスクの製造方法において、基板の全域に
光磁気記録膜を成膜した後、その内径が基板の外径より
やや大きく、その深さが基板の厚みと同等又はそれ以上
である有底筒状のホルダ内に基板を挿入し、続いて、光
磁気記録膜の表面並びに光磁気記録膜及び基板の外周縁
部とホルダの内周面との間の間隙に樹脂を充填すること
により光磁気記録膜の表面並びに光磁気記録膜及び基板
の外周縁部に保護膜を形成するようにしたことを特徴と
している。
〔作 用〕
上記請求項第1項の製造方法では、予め基板の全域に光
磁気記録膜を成膜しておき、その後、光磁気記録膜の外
周縁部近傍に光磁気記録膜を通過して基板に到達する環
状溝を設け、この環状溝内を含む光磁気記録膜の表面に
保護膜を形成するようにしている。この場合、環状溝よ
り内周側の光磁気記録膜が記録に使用されるが、この範
囲の光磁気記録膜は環状溝内に充填された保護膜により
その外周縁部を被覆されることになる。そして、この場
合、上記環状溝を基板の外周縁部に充分に近接した位置
に設けること、具体的には、例えば、環状溝が基板の外
周縁部から1mm以内程度の狭い領域に含まれるように
することが可能であるので、光磁・気記録膜を基板の外
周縁部に極めて近い位置まで延長して形成し、記憶容量
の増加を図ることが可能になる。
又、請求項第2項の製造方法では、予め、基板の全域に
光磁気記録膜を成膜しておき、その後、基板の外周縁部
の角部をその表面の光磁気記録膜とともに切り欠いて基
板の外周縁部の角部にテーパ状部を形成し、続いて、上
記基板のテーパ状部及び光磁気記録膜の表面に保護膜を
形成するようにしている。この場合は、上記基板のテー
パ状部より内周側に光磁気記録膜が残存することになる
が、この光磁気記録膜の外周縁部は上記テーパ状部上の
保護膜により被覆されることになる。そして、この場合
も、上記テーパ状部を、例えば、基板の外周縁部から1
mm以内程度の狭い範囲に設けて、光磁気記録膜を基板
の外周縁部の極く近傍まで延長することができる。
次に、請求項第3項の製造方法では、外周縁部の角部に
テーパ状部を形成した基板上に光磁気記録膜を成膜した
後、上記テーパ状部を含む光磁気記録膜の表面に保護膜
を形成するようにしている。この場合、保護膜の形成時
に、保護膜を構成する樹脂が基板のテーバ状部に沿って
自重により流下するので、光磁気記録膜の外周縁部が保
護膜により被覆される。そして、この場合も、テーパ状
部は基板の外周縁部の極く近傍の領域のみに設ければ良
いので、光磁気記録膜を基板の外周縁部の極(近傍まで
延長して形成することが可能になる。
又、請求項第4項に記載の製造方法は、まず、基板の全
域に光磁気記録膜を成膜し、続いて、基板を有底筒状の
ホルダ内に挿入して、光磁気記録膜の表面並びに光磁気
記録膜及び基板とホルダ間の空間に樹脂を充填すること
により、光磁気記録膜の表面並びに基板及び光磁気記録
膜の外周縁部に保護膜を形成するようにしている。この
方法によれば、基板の全域に光磁気記録膜を形成・し、
しかも、光磁気記録膜の外周縁部を保護膜で覆うことが
できる。
〔実施例1〕 本明細書の特許請求の範囲の欄における請求項第1項に
関連する一実施例を第1図に基づいて説明すれば、以下
の通りである。
第1図(C)に示すように、本実施例に係る光磁気ディ
スク10は、透光性の基板11と、膜面と垂直な方向に
磁化容易軸を有する光磁気記録膜12と、光磁気記録膜
12を覆う樹脂製の保護膜13とを備えている。基板1
1の外周縁部11a近傍には、光磁気記録膜12を通過
して基板11に到る断面はぼ■字形の環状溝1−4が設
けられ、環状溝14内には保護膜13を構成する樹脂が
充填されている。
以下、光磁気ディスク10の製造手順を説明する。
まず、第1図(a)に示すように、ガラス、ポリカーボ
ネイトあるいはPMMA (ポリメタクリル酸メチル)
等の樹脂又は金属等からなる透光性の基板11の表面の
全域に蒸着、スパッタリング等により光磁気記録膜12
を形成する。ここで、基+ff1llの材料として、ポ
リカーボネイト等の外周縁部近傍で複屈折等の影響で再
生信号品質C/Nの低下するものを使用する場合、予め
基板11を製品サイズより若干大きめに形成しておいて
、外周縁部近傍を裁断して除去するのが好ましい。
例えば、直径120mmの基板11を使用する場合、予
め直径130mm程度に形成しておいて、C/Nの低下
する外周縁部近傍を裁断すれば、基板11をポリカーボ
ネイト等で形成する場合でも外周縁部近傍でのC/Nを
確保することができるようになる。なお、第1図(a)
には中央部に円形孔を設けた基板11を示したが、この
円形孔は必ずしも設けなくて良い。
光磁気記録膜12が成膜されれば、続いて、第1図(b
)に示すように、光磁気記録膜12の外周縁部近傍に、
光磁気記録膜12を通過して基板11に到達する断面は
ぼV字状の幅の狭い環状溝14を形成する。例えば、基
板11の直径、が120mmの場合、基板11の外周縁
部11aと環状溝14の内周端部との間の半径方向の間
隔11は1mmmm以内色なるようにする。
次に、第1図(C)の如く、環状溝14内を含む光磁気
記録膜12の表面にスピンコーティング、つまり、基板
11を回転させながら樹脂を滴下させるコーティング法
等により保護膜13を塗布し、続いて、この保護膜13
を硬化させる。保護膜13の材料としては熱硬化型樹脂
、紫外線硬化型樹脂等適宜の樹脂を使用でき、加熱又は
紫外線の照射等により硬化が行われる。
上記の手順で製造された光磁気ディスクlOは、環状溝
14より内周側の光磁気記録膜12が記録領域として利
用される。そして、この領域の光磁気記録膜12の外周
縁部12aは、環状溝14内に充填された保護膜13に
より被覆され、外周縁部12aからの光磁気記録膜12
の劣化が防止される。しかも、基板11の外周縁部11
aと光磁気記録膜12の外周縁部12aとの間の間隔l
は、1mmmm以下色極めて短いので、光磁気ディスク
10の記憶容量を増加させる上で有利となる。
〔実施例2〕 次に、第2図に基づいて特許請求の範囲の欄の請求項第
2項に関連する第2実施例を説明する。
第2図(c)に示すように、光磁気ディスク20は基板
21を備え、基板21の外周縁部21aにおける角部に
はテーパ状部21bが形成されている。基板21のテー
パ状部21bを除く表面には光磁気記録膜22が形成さ
れ、テーパ状部21b及び光磁気記録膜22の表面は保
護膜23により被覆されている。
以下、光磁気ディスク20の製造手順を説明する。
まず、第2図(a)に示すように、基板21の表面の全
域に蒸着、スパッタリング等により光磁気記録膜22を
形成する。
続いて、基板21の外周縁部21aにおける角部を斜め
に裁断し、第2図(b)に示すように、基板21の角部
にテーパ状部21bを形成する。
この際、基板21の角部上の光磁気記録膜22は除去さ
れる。なお、テーパ状部21bを形成した後の光磁気記
録膜22の外周縁部22aと基板21の外周縁部21a
との間の間隔12は1mm以下程度とされる。
次に、光磁気記録膜22の表面上と基板21のテーパ状
部2’lb上に適宜の樹脂を上述のスピンコーティング
等により塗布することにより保護膜23を形成し、硬化
させる。この状態で、光磁気記録膜22の外周縁部22
aはテーパ状部21b上の保護膜23により被覆される
〔実施例3〕 続いて、第3図に基づいて特許請求の範囲の欄の請求項
第3項に関連する第3実施例を説明する。
第3図(C)に示すように、光磁気ディスク30は基板
31を備え、基板31の外周縁部31aにおける角部に
はテーパ状部31bが設けられている。このテーパ状部
31bを含む基板31の表面には光磁気記録膜32が形
成されている。更に、光磁気記録膜32の外周縁部32
aを含む表面は保護膜33により被覆されている。
以下、光磁気ディスク30の製造手順を説明する。
まず、第3図(a)に示すように、基板31の外周縁部
31aにおける角部にテーパ状部31bを形成する。こ
こで、テーパ状部31bの内周端と外周縁部31aとの
間の半径方向の間隔13は1mm以下程度とする。
次に、第3図(b)に示すように、テーパ状部31bを
含む基板31の表面に光磁気記録膜32を形成する。
続いて、第3図(C)に示すように、光磁気記録膜32
の表面に保護膜33をスピンコーティング等により塗布
し、硬化させる。上記の塗布時に保護膜33を構成する
樹脂はテーパ状部31b上の光磁気記録膜32に沿って
自重により流下し、光磁気記録膜32の外周縁部32a
をも被覆するものである。
なお、本実施例の光磁気ディスク30において、基板3
1のテーパ状部31b上に形成された光磁気記録膜32
は、記録に使用しても、使用しなくても、いずれでも良
い。仮に、テーパ状部31b上の光磁気記録膜32を記
録に使用しない場合でも、テーパ状部31bは半径方向
に高々1mm程度の幅を有するのみであるから、充分な
記憶容量を確保できる。
〔実施例4〕 次に、第4図に基づいて特許請求の範囲の欄の請求項第
4項に関連する第4実施例を説明する。
第4図(C)に示すように、光磁気ディスク40は基板
41と、基板41の表面の全域に形成された光磁気記録
膜42とを備え、光磁気記録膜420表面並びに光磁気
記録膜42及び基板41の外周縁部42a・41aは樹
脂製の保護膜43により被覆されている。
以下、光磁気ディスク40の製造手順を説明する。
まず、第4図(a)に示すように、基板41の表面の全
域に光磁気記録膜42を形成する。
次に、第4図(b)に示すように、基板41を、その内
径が基板41の外径よりやや太き(、その深さが基板4
1の厚さと同等又はそれ以上である有底筒状のホルダ4
4内に回忌となるように位置決めして挿入する。
続いて、光磁気記録膜42上に保護膜43を構成する樹
脂をスピンコーティング法等により滴下すると、この樹
脂は光磁気配・録膜42の表面を被覆し、更に、光磁気
記録膜42及び基板41の外周縁部42a・41aとホ
ルダ44の内周面との間の間隙にも流入する。この状態
で、樹脂を硬化させると、光磁気記録膜42の表面並び
に光磁気記録膜42及び基板41の外周縁部42a・4
1aに保護膜43が形成される。その後、第4図(C)
の如く、光磁気ディスク40がホルダ44から取り出さ
れる。
なお、ホルダ44における底面及び内周面に4フツ化エ
チレン樹脂(商品名:テフロン)等の離型性の良好な材
料からなる離型層44 aを形成しておくと、ホルダ4
4からの光磁気ディスク40の取出しが容易に行える。
上記の各実施例では、片面記録型の光磁気ディスクにつ
いて述べたが、両面記録型の光磁気ディスクを製造する
場合は、上記のいずれかの方法で製造された2枚の光磁
気ディスクを接着剤等で貼り合わせれば良い。
〔発明の効果] 以上のように、本発明は光磁気ディスクの製造方法に関
するものであって、その内、特許請求の範囲の欄におけ
る請求項第1項記載の製造方法は、少なくとも透光性の
基板と、光磁気記録膜と、光磁気記録膜を保護する樹脂
製の保護膜とを備えた光磁気ディスクの製造方法におい
て、基板の全域に光磁気記録膜を成膜した後、光磁気記
録膜の外周縁部近傍に光磁気記録膜を通過して基板に到
達する深さを有する環状溝を設け、続いて、上記環状溝
内を含む光磁気記録膜の表面に保護膜を形成するように
した構成である。
この方法により製造された光磁気ディスクでは、環状溝
より内周側の光磁気記録膜が記録に使用されるが、この
範囲の光磁気記録膜は環状溝内に充填された保護膜によ
りその外周縁部を被覆されることになる。そして、この
場合、上記環状溝を基板の外周縁部に充分に近接した位
置に設けること、具体的には、例えば、環状溝が基板の
外周縁部から1mm以内程度の狭い領域に含まれるよう
にすることが可能であるので、光磁気記録膜を基板の外
周縁部に極めて近い位置まで延長して形成し、記憶容量
の増加を図名ことが可能になる。
又、請求項第2項に記載の光磁気ディスクの製造方法は
、少なくとも透光性の基板と、光磁気記録膜と、光磁気
記録膜を保護する樹脂製の保護膜とを備えた光磁気ディ
スクの製造方法において、基板の全域に光磁気記録膜を
成膜した後、基板の外周縁部の角部及びその表面の光磁
気記録膜を除去して基板の外周縁部の角部にテーパ状部
を形成し、続いて、上記基板のテーパ状部及び光磁気記
録膜の表面に保護膜を形成するようにした構成である。
この方法により製造された光磁気ディスクでは、上記基
板のテーパ状部より内周側に光磁気記録膜が残存するこ
とになるが、この光磁気記録膜の外周縁部は上記テーパ
状部上の保護膜により被覆されることになる。そして、
この場合も、上記テーパ状部を、例えば、基板の外周縁
部がら1mrri以内程度の狭い範囲に設けて、光磁気
記録膜を基板の外周縁部の極く近傍まで形成することが
できる。
請求項第3項に記載の光磁気ディスクの製造方法は、少
なくとも透光性の基板と、光磁気記録膜と、光磁気記録
膜を保護する樹脂製の保護膜とを備えた光磁気ディスク
の製造方法において、予め、基板の外周縁部の角部にテ
ーパ状部を形成した後、基板上に光磁気記録膜を成膜し
、続いて、上記テーパ状部を含む光磁気記録膜の表面に
保護膜を形成するようにした構成である。
この製造方法では、保護膜の形成時に、保護膜を構成す
る樹脂が基板のテーパ状部に沿って自重により流下する
ので、光磁気記録膜の外周縁部が保護膜により被覆され
る。そして、この場合も、テーパ状部は基板の外周縁部
の掻く近傍の領域のみに設ければ良いので、光磁気記録
膜を基板の外周縁部の極く近傍まで延長して形成するこ
とが可能になる。
請求項第4項に記載の光磁気ディスクの製造方法は、°
少なくとも透光性の基板と、光磁気記録膜と、光磁気記
録膜を保護する樹脂製の保護膜とを備えた光磁気ディス
クの製造方法において、基板の全域に光磁気記録膜を成
膜した後、その内径が基板の外径よりやや大きく、その
深さが基板の厚みと同等又はそれ以上である有底筒状の
ホルダ内に基板を挿入し、続いて、光磁気記録膜の表面
並びに光磁気記録膜及び基板の外周縁部とホルダの内周
面との間の間隙に樹脂を充填することにより光磁気記録
■々の表面並びに光磁気記録膜及び基板の外周縁部に保
護膜を形成するようにした構成である。
この方法により製造された光磁気ディスクでは、光磁気
記録膜の外周縁部を保護膜で被覆して保護膜の劣化を確
実に防止できるばかりでなく、基板の全域に光磁気記録
膜が形成されるので、記憶容量を一層増大させることが
できる。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)〜(C)はそれぞれ本発明の一実施例にお
ける光磁気ディスクの製造手順を示す概略縦断面図であ
る。 第2図(a)〜(c)はそれぞれ本発明の他の実施例に
おける光磁気ディスクの製造手順を示す概略縦断面図で
ある。 第3図(a)〜(C)はそれぞれ本発明の更に別の実施
例における光磁気ディスクの製造手順を示す概略縦断面
図である。 第4図(a)〜(c)はそれぞれ本発明の別の実施例に
おける光磁気ディスクの製造手順を示す概略縦断面図で
ある。 第5図乃至第7図は従来例を示すものである。 第5図は従来の光磁気ディスクを示す概略縦断面図であ
る。 第6図は従来の光磁気ディスクにおける光磁気記録膜の
成膜工程を示す概略縦断面図である。 第7図はポリカーボネイト製基板における半径方向の再
生信号品質の分布を示すグラフである。 lO・20・30・40は光磁気ディスク、11・21
−31−41は基板、11a21a・31a・41aは
外周縁部、12・22・32・42は光磁気記録膜、1
3・23・33・43は保護膜、14は環状溝、21b
・31bはテーパ状部、44はホルダである。 特許出願人     シャープ 株式会社−25: 11  図 節2 図 簡4W! 第5図 jIS図 第7図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、少なくとも透光性の基板と、光磁気記録膜と、光磁
    気記録膜を保護する樹脂製の保護膜とを備えた光磁気デ
    ィスクの製造方法において、基板の全域に光磁気記録膜
    を成膜した後、光磁気記録膜の外周縁部近傍に光磁気記
    録膜を通過して基板に到達する深さを有する環状溝を設
    け、続いて、上記環状溝内を含む光磁気記録膜の表面に
    保護膜を形成するようにしたことを特徴とする光磁気デ
    ィスクの製造方法。 2、少なくとも透光性の基板と、光磁気記録膜と、光磁
    気記録膜を保護する樹脂製の保護膜とを備えた光磁気デ
    ィスクの製造方法において、基板の全域に光磁気記録膜
    を成膜した後、基板の外周縁部の角部及びその表面の光
    磁気記録膜を除去して基板の外周縁部の角部にテーパ状
    部を形成し、続いて、上記基板のテーパ状部及び光磁気
    記録膜の表面に保護膜を形成するようにしたことを特徴
    とする光磁気ディスクの製造方法。 3、少なくとも透光性の基板と、光磁気記録膜と、光磁
    気記録膜を保護する樹脂製の保護膜とを備えた光磁気デ
    ィスクの製造方法において、予め、基板の外周縁部の角
    部にテーパ状部を形成した後、基板上に光磁気記録膜を
    成膜し、続いて、上記テーパ状部を含む光磁気記録膜の
    表面に保護膜を形成するようにしたことを特徴とする光
    磁気ディスクの製造方法。 4、少なくとも透光性の基板と、光磁気記録膜と、光磁
    気記録膜を保護する樹脂製の保護膜とを備えた光磁気デ
    ィスクの製造方法において、基板の全域に光磁気記録膜
    を成膜した後、その内径が基板の外径よりやや大きく、
    その深さが基板の厚みと同等又はそれ以上である有底筒
    状のホルダ内に基板を挿入し、続いて、光磁気記録膜の
    表面並びに光磁気記録膜及び基板の外周縁部とホルダの
    内周面との間の間隙に樹脂を充填することにより光磁気
    記録膜の表面並びに光磁気記録膜及び基板の外周縁部に
    保護膜を形成するようにしたことを特徴とする光磁気デ
    ィスクの製造方法。
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