JPH02302022A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造装置に関し、特にフォトレジ
ストのパターン形成後にフォトレジストを強化する為の
熱処理装置に関する。

〔従来の技術〕

従来、フォトレジストバターニング工程を経て表面にフ
ォトレジストパターンが形成された半導体基板は耐エツ
チング性向上が目的で１００℃〜２００°Ｃの恒温雰囲
気中に保持し熱処理が施されていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

この熱処理は、レジストパターンの表面部のみを高温に
し、レジストパターン内部まで熱が拡散しない為に、レ
ジスト内部にレジス１〜溶剤が残り、従ってこの熱処理
中に、特に大きなレジストパターンに於いて熱ダレを生
じなり、エツチング処理中にフォトレジストが！ＩＩ　
Ｗしてパターンか形成されなかったりして、半導体装置
に於ける歩留低下か品質低下をもならしていた。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の半導体装置の製造装置は、フォトレジストのパ
ターニングが完了した半導体基板に対し、フォトレジス
トが吸収する波長を持つ高周波を照射し、熱エネルギー
に変えて、フォトレジストの表面及び内部を同一温度で
熱処理させる機構を有している。

〔実施例〕

本発明について図面を参照して説明する。

第１図は本発明の実施例１の縦断面図である。

この実施例１の半導体装置の製造装置は、フォトレジス
トのバターニングが完了した半導体基板１をキャリア２
から搬送ベルト３によりステージ４上に乗せ、レジスト
が吸収する波長をもつ高周波を高周波発生機５によって
半導体基板に照射させ、バターニングされたフォトレジ
ストの熱処理を行なう。

上述の実施例に於いては、単独装置として説明したが現
像装置や選択エツチング装置に取り付けることも可能で
ある。

高周波の周波数は１００　ｋ　Ｈｚ　〜１０　Ｍ　Ｈｚ
であるが、使用するレジストに応じて、周波数を選択す
る必要があり、周波数可変装置を組み込めば、広域のフ
ォトレジス１へに使用可能であり、より効果的である。

第２図は本発明の実施例２の継断面図である。

この実施例２の半導体装置の製造装置は、キャリア２に
入った半導体基板１に、高周波発生機５によって高周波
を半導体基板に照射する。

この実施例では、多数の半導体基板を同時に熱処理する
ことが可能な為、半導体基板１枚に対する熱処理時間が
短くなるという利点がある。

〔発明の効果〕

以上説明した様に、本発明によると、バターニングが完
了したフォトレジストに、レジストが吸収する波長をも
つ高周波を照射Ｌ、主として誘電加熱により、熱エネル
ギーに変換させ、フォトレジストパターンの表面及び内
部を同時に同一温度で熱処理させることにより、対エツ
チング性を向上させることができ、−最に対エツチング
性の弱い微細パターン対応の高感度フォトレジストの対
エツチング性を向上して、エツチング処理中のフォトレ
ジストの別離、パターンの崩壊の事故を防止でき半導体
装置の微細パターン化における半導体装置の歩留低下や
品質低下を素子できる効果がある。

図面の簡単な説明 第１図は本発明の実施例１の縦断面図、第２図は本発明
の実施例２の縦断面図である。

１・・・半導体基板、２・・・半導体基板収納キャリア
、３・・・搬送ベルト、４・・・ステージ、５・・・高
周波発生機。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. フォトレジストを塗布した半導体基板に対し、フォトレ
   ジストが吸収する波長をもつ高周波を照射する機構を有
   する半導体装置の製造装置。