JPH02303053A - 半導体パッケージの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は、半導体チップを配置する基板に低熱膨張合
金板を用いた半導体パッケージの製造方法に係り、内外
リード部材を載置する基板にガラス絶縁層を設け、例え
ば低熱膨張合金からなるキャップをガラス封着すること
により、機械的強度にすぐれ取扱いやすく、電磁気的な
シールド効果を有し、かつ熱放散性にすぐれた半導体パ
ッケージを得る製造方法に関する。

背景技術 従来から半導体パッケージとして、半導体チップ（以下
チップという）をプラスチックで封止した第７図に示す
如き、所謂プラスチックパッケージが多用されている。

すなわち、プラスチックパッケージ（１）は、チップ（
２）がリードフレーム（３）の中央部に形成されるアイ
ランド（４）に載置され、ろ・う材や接着材、はんだ等
にて固着されるとともに、ステッチ（５）（内部リード
部）とボンディングワイヤ（６）を介して電気的に接続
され、さらに周囲を樹脂（７）にて封止される構成であ
る。

プラスチックパッケージは量産性にすぐれ安価であるが
、プラスチック自体が本来吸湿性を持っているため、封
止が完全とは言い難く周囲の影響を受は易くチップの信
頼性を低下させ、高集積化、多機能化が要求される高性
能チップのパッケージには使用できないとされている。

半導体パッケージのチップは、大型コンピューター用の
ＬＳＩやＵＬＳＩの如く、高集積度化、演算速度の高速
化の方向に進んでおり、作動中における消費電力の増加
に伴う発熱量が非常に大きくなっている。また、半導体
パッケージの多ビン化、小型化が強く要求されている。

樹脂封止の前記パッケージ（１）においては、第７図に
示す如く、リードフレームが半導体チップの外部への電
気的接続の経路となるだけでなく、チップ（２）で発生
する熱の放散経路として重要な役割を果している。

従って、リードフレーム（３）には、チップから発生ず
る熱をパッケージの外部に放散するために熱伝導率の良
い材料が望まれる。

一方、チップ（２）とアイランド（４）との接着界面の
剥離や、樹脂（７）にみられるクラック等は、チップ（
２）や封止樹脂（７）とリードフレーム（３）との熱膨
張係数の差を要因として発生しており、これを防止する
ためには、前記チップ（２）及び樹脂（７）とリードフ
レーム（３）との熱膨張係数の整合性が不可欠となる。

このようにプラスチックパッケージは、熱放散性が悪く
、またリードフレーム材が限定され、特に、電気抵抗の
低減を図ることができない。

また、プラスチックパッケージは電磁気的なシールド効
果がないことから外部からのノイズ影響を防ぐことがで
きない問題があった。

発明の目的 この発明は、上記のプラスチックパッケージの問題点を
解決し、機械的強度並びに熱放散性にすぐれ、電磁気的
なシールド効果を有し、近年の多ビン化、小型化の要求
を満す半導体パッケージを量産性よく得ることができる
製造方法の提供を目的としている。

発明の概要 この発明は、チップを配置する基板あるいはさらにチッ
プを被包するキャップをともに低熱膨張合金から構成し
、特に基板上面に設ける絶縁層として高融点ガラスを被
着するとともに、これら基板とキャップとを低融点ガラ
スにて一体化すること、及びワイヤボンディングを行な
う内部リード部分にＡｌまたはＣｕを用いるとともに、
これらの配置形成に近年の薄膜形成技術を採用し、さら
に内部リードと外部リードとの接続手段を用いた利賀に
応じて選定することにより、前記の目的を達成したもの
である。

すなわち、この発明は、基板上面に半導体チップを載置
し内部リードと外部リードを配設してキャップで封着し
た半導体パッケージの製造方法において、 金属基板となる低熱膨張合金板面の少なくとも封着部、
内外リード部材の配設部に絶縁層となる高融点ガラスを
塗布した後、焼成して金属基板を形成する際に、該高融
点ガラス焼成時に、外部リードの端部表面を高融点ガラ
スから露出させて配置し、金属基板に一体化し、 前記金属基板上面に内部リードとなるＡｌまたはＣｕか
らなる金属薄膜を前記外部リード部材露出部と接続させ
て被着し、 金属基板面に半導体チップを固着し該チップと内部リー
ドをワイヤーボンディングし、 少なくとも前記半導体チップを被包するキャップを低融
点ガラスを介して前記金属基板と一体化す工程とからな
る半導体パッケージの製造方法である。

また、この発明は、内部リード材にＡｌ、外部リード材
にＣｕまたＣｕ合金あるいは表面にＣｕめっきした素材
を用いたことを効果的に利用した半導体パッケージの製
造方法であり、 前記構成からなる金属基板を形成し、 金属基板上面に内部リードとなるＡｌからなる金属薄膜
を被着し、 該内部リードの一端部に、ＣｕまたはＣｕ合金あるいは
表面にＣｕめっきした外部リード部材の一端部を載置し
たのち、加熱、拡散して固着し、金属基板面に半導体チ
ップを固着し該チップと内部リードをワイヤーボンディ
ングし、 少なくとも前記半導体チップを被包するキャップを低融
点ガラスを介して前記金属基板と一体化することを特徴
とする半導体パッケージの製造方法である。

好ましい実施態様 この発明に用いる基板材料としては、Ｆｅ−Ｃｒ合金（
１８Ｃｒ−Ｆｅ等）、Ｆｅ−Ｎｉ−０ｒ系合金（４２Ｎ
ｉ−６Ｃｒ−Ｆｅ等）、Ｆｅ−Ｎｉ系合金（４２Ｎｉ−
Ｆｅ等）、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金（２９Ｎｉ−１６Ｃ
ｏ−Ｆｅ等）などの公知の低熱膨張合金が使用できる。

特に、後述する高融点ガラスやチップ等の熱膨張係数に
対応して最適な合金を選定することが望ましい。

また、基板材に、熱放散性を考慮して、熱伝導性の良い
Ｃｕ、　Ｃｕ合金等を中間層に配置した上記低熱膨張合
金のクラツド材、例えば、インバーＩＣｕ／インバー、
コバール／Ｃｕ／コバールを用いることもできる。

上記低熱膨張合金の上面に被着する高融点ガラスとして
は、ｐｂ系ガラス等が採用でき、チップからの発熱等を
考慮すると、チップ、基板材との熱膨張係数差が小さく
、機械的強度が高いことが望ましく、また、リード部材
のＡｌ、　Ｃｕとの濡れ性がよいことが望ましい。

この発明において、高融点ガラスは、キャップとの封着
に用いる低融点ガラスとの相対的比較での高融点であり
、封着時に溶融しない高融点ガラスであればよく、前記
条件や低融点ガラスの特性、さらに製造作業性を考慮し
て接着に必要なガラスの溶融、軟化温度を適宜選定する
とよい。

さらに高融点ガラスは、後述する内部リードとなる金属
薄膜配線を形成する際に採用される手段に応じて、例え
ばエツチング等を採用する場合には、これらのエツチン
グ液等によって反応しないよう、耐食性のすぐれたもの
を選定することが望ましい。

低熱膨張合金への高融点ガラスの被覆は、該高融点ガラ
ス焼成時に外部リード部材を同時に固着する場合は、リ
ード部側厚みを考慮し所定の粒度（通常２００メツシユ
〜３００メツシユ）からなるガラス粉末をスクリーン印
刷や電着等により、所要厚みに塗布したのち焼成して一
体化する等の公知の技術が採用できる。

また、予め金属基板上に内部リードの金属薄膜配線を形
成したのち、該配線端部に外部リード部材を載置し加熱
、拡散して固着する手段を採用する場合は、上記スクリ
ーン印刷、電着等の他、該基板の上面に高融点ガラス板
を配置した後、高融点ガラスの軟化温度以上に加熱、加
圧して一体化する方法も採用できる。

金属基板の低熱膨張合金板の厚さくＡ）と高融点ガラス
の厚さくＢ）との比Ａ／Ｂは、絶縁耐圧、相互の熱膨張
率、熱伝導率等を考慮して選定するが、通常１０　／　
０．５〜１０１５の範囲が望ましい。

高融点ガラスの絶縁層は、必ずしも金属基板の全面に設
ける必要はなく、金属基板の少なくとも封着部、内外リ
ード部材の配設部に設けるとよく、例えば、チップから
の熱の放散性を考慮して、金属基板へ直接チップを固着
することができる。

さらに、低熱膨張合金と高融点ガラスとの密着性を改善
するために、低熱膨張合金と高融点ガラスとの間に酸化
被膜を介在させることが望ましく、特に低熱膨張合金が
Ｃｒを含有する場合には、出願人の先の提案（特開昭６
３−４７９５５号）の如く、低熱膨張合金の主面に熱処
理によりＣｒ２Ｏ３を主体とする酸化被膜を形成し、そ
の後高融点ガラスを被覆する等の手段を採用することが
できる。

すなわち、Ｃｒを含有する低熱膨張合金板を平坦なセラ
ミック板で挾み、加圧しながら露点１０〜５０℃の湿潤
Ｈ２ガス中で、１０００℃〜１３００℃に加熱して、膜
厚１０ｐｍ以下のＣｒ２Ｏ３を主体とする酸化被膜を形
成したのち、該酸化被膜を介して低熱膨張合金板主面に
高融点ガラスを被覆する。

一方、チップを被包するためのキャップの材料には、前
記の基板材料と同様に公知の低熱膨張合金が使用でき、
この際、キャップ材料は必ずしも基板材料と同一材料と
する必要はなく、また、透明ガラスなど他の材料を用い
ることもできる。

キャップを封着するための低融点ガラスは、キャップと
基板との封着接合部のみに配置すれば良く、キャップへ
の被着手段は作業性等を考慮して、スクリーン印刷や電
着後焼成する等公知の手段が採用できる。

また、低熱膨張合金との密着性を向上させるため、低融
点ガラスとの間に酸化被膜を介在することも好ましい。

上記低融点ガラスは、キャップ材料である低熱膨張合金
、透明ガラス等との熱膨張率、熱伝導率差等の他、キャ
ップと金属基板との接合が、チップボンディング後に行
なわれるため、これらの接合に悪影響を与えないよう極
力接着温度の低いものを設定することが望まれる。例え
ば、溶融温度が５００℃以下のｐｂ系ガラス等が採用で
きる。

この発明において、内部リードは、絶縁層を形成する高
融点ガラスの上面に、ＡｌまたはＣｕからなる金属薄膜
配線を公知の薄膜形成技術を用いて容易に精度良く被着
することができ、厚さは５〜１０ｐｍ程度が望ましい。

すなわち、内部リードの被着には、絶縁層の上面の所定
位置にマスク処理を施した後、ＡｌまたはＣｕを蒸着し
、再度マスク材を除去する方法や、予め絶縁層の上面全
面にＡｌまたはＣｕを貼付したり、蒸着等にて被着した
後、エツチング処理にて不要な部分を除去する方法等が
採用できる。

内部リードのＡ１、Ｃｕは、例えばＷ、Ｍｎ−Ｍｏ合金
等に比べ低価格であるだけでなく、蒸着やエツチング等
の薄膜形成技術が適用しやすく、またチップとのワイヤ
ーボンディングも容易にできる利点がある。

また、Ｗ、　Ｍｎ−Ｍｏ合金等に比べ電気抵抗が小さく
、使用時の発熱の低減や応答時の向上に寄与することが
できる。特に、Ａｌの場合は高融点ガラスとの密着性が
高く、使用中における薄膜配線の剥がれ等による損傷や
誤動作を著しく低減することができる。

上記の内部リードの端部に接続され外部リードとなるリ
ードフレームやリードピンには、金属基板や金属キャッ
プに用いる材料と同様な公知の低熱膨張合金が採用でき
、従来のリードフレーム材の外面にＣｕめっきしたもの
など、Ｃｕ、　Ｃｕ合金と同等の電気抵抗等の特性を有
するものが好ましい。

図面に基づく開示 第１図ａ、ｂ、第３図、第４図及び第５図はこの発明方
法によって製造された半導体パッケージの一実施例を示
す縦断説明図である。第２図ａ−ｄ、第６図ａ−ｅはこ
の発明の製造工程の一実施例を示す半導体パッケージの
部分縦断説明図である。

第１図ａ図に示す半導体パッケージ（１０）は、上面中
央部にチップ（１１）を載置する金属基板（１２）に、
低熱膨張合金板の全面に絶縁層として高融点ガラス（１
３）を被覆した構成のものを用いている。

高融点ガラス（１３）層上に設けられている外部リード
（１４）は所謂リードフレームからなり、同様に絶縁層
上に所要パターンで薄膜形成されたＡ１またはＣｕ薄膜
配線からなる内部リード（１５）の一端部を積層して接
続しである。さらに内部リード（１５）はボンディング
ワイヤ（１６）でチップ（１１）と接続しである。

低熱膨張合金から形成された金属キャップ（１７）は、
上記金属基板（１２）上に配置されているチップ（１１
）、内部リード（１５）及びボンディングワイヤ（１６
）をともに被包し、低融点ガラス（１８）を介して前記
金属基板（１２）と封着される。

上記構成において、金属キャップ（１７）と金属基板（
１２）との封着部に外部リード（１４）、内部リード（
１５）ともに挟持されているため接合強度が大きく、ま
た、両者の接合部におけるクラックの発生を防止するこ
とが可能となり、極めて高い封止効果が得られる。

また、第１図す図に示す半導体パッケージ（２０）は、
上述のａ図の半導体パッケージ（１０）と同様構成から
なり、金属キャップ（２７）と金属基板（２２）との封
着部に外部リード（２４）、内部リード（２５）ともに
挾持する構成と効果は同様であり、さらに、チップ（２
１）からの熱放散性を図るため、金属基板（２２）の上
面中央部に凹部を設けて高融点ガラス（２３）を被着す
ることなく、チップ（２１）を載置したものである。

第２図ａ−ｄに基づいて上述の第１図ａ図の半導体パッ
ケージの製造方法を詳述する。

まず、ａ図に示す如く、低熱膨張合金板の全面に絶縁層
となる高融点ガラス（１３）をスクリーン印刷等にて塗
布したのち、外部リード（１４）の所要端部表面（１４
ａ）が高融点ガラス（１３）から露出するよう配置し、
これらを７００℃〜１０００℃の温度で焼成して一体化
して金属基板（１２）を形成する。

また、高融点ガラス（１３）を塗布する以前に、予め低
熱膨張合金板の上面に熱処理を施して酸化膜を形成し、
あるいはさらに外部リード（１４）の表面にも同様に酸
化処理等の表面処理を施し、高融点ガラス（１３）との
密着性を向上させることができる。

ｂ図は、ＭまたはＣｕからなる金属薄膜配線を形成して
内部リード（１５）を配設する工程を示す。金属基板（
１２）の高融点ガラス（１３）の上面の所定位置に、例
えば、ステンレス板にエツチングにて所要パターンに穿
孔した治具やマスク材を用い、ＭまたはＣｕを蒸着した
のち治具やマスク材を除却でし所定形状の金属薄膜配線
を形成する。

あるいは、予め高融点ガラス（１３）の上面全面にＡｌ
またはＣｕの薄板を貼付したり、蒸着等にて被着したの
ち所定位置に樹脂等からなるマスク材を被着し、さらに
酸またはアルカリ等のエツチング液にて金属薄膜の不要
な部分を除去するとともに、再度有機溶剤にてマスク材
を除却して所定形状の金属薄膜配線を形成できる。

いずれの場合も金属薄膜配線の形成に際し図示する如く
、内部リード（１５）の一端部を前記外部リード（１４
）に接続させる。

つぎに０図に示す如く、上記金属基板（１２）上面中央
部にチップ（１１）を、ろう材や接着材等で固着したの
ち、内部リード（１５）とチップ（１１）をＡｌ、　Ａ
ｕ等のボンディングワイヤ（１６）にて接続する。

さらにｄ図に示す如く、低熱膨張合金からなる金属キャ
ップ（１７）を、低融点ガラス（１８）を介して前記金
属基板（１２）と一体化する。

この際、金属キャップ（１７）は被包するチップ（１１
）の形状寸法に応じてカップ状、平板状等に適宜加工す
るとともに、また、低融点ガラス（１８）を予め金属キ
ャップ（１７）の所定位置にスクリーン印刷や電着等に
て塗布しておき、これらを金属基板（１２）に載置した
後焼成一体化することが望ましい。

封着時の焼成温度は、低融点ガラス（１８）の利賀等に
応じて選定する必要があり、かつチップ（１１）、内部
リード（１５）等に悪影響を及ぼさない範囲（通常４０
０℃〜５００℃）で選定しなければならない。

第３図に示す半導体パッケージ（３０）は、基本的には
第１図ａ図の構成と同様であり、内部リード（３４）が
金属キャップ（３７）と金属基板（３２）との封着部に
挾持されず、外部リード（３５）のみが間部に挾持され
る構成であり、第２図に示す各工程に従って製造するこ
とができる。

第４図に示す半導体パッケージ（４０）は、外部リード
（４４）にリードピンを用いた場合の実施例である。

詳述すると、チップ（４１）を配置する金属基板（４２
）は、上述の各半導体パッケージと同様に低膨張合金板
の上面に絶縁層として高融点ガラス（４３）を被覆して
あり、リードピンからなる外部リード（４４）は、例え
ば、金属基板（４２）に形成された貫通孔より、金属基
板（４２）との絶縁を確保する高融点ガラス管（４４ａ
）に挿通した外部リード（４４）を挿入し、外部リード
（４４）上端部を高融点ガラス（４３）層より突出露出
させ、同様に絶縁層上に所要パターンので薄膜形成され
たＡｌまたはＣｕからなる金属薄膜配線である内部リー
ド（４５）を積層して接続しである。さらに内部リード
（４５）はボンディングワイヤ（４６）でチップ（４１
）と接続しである。

低熱膨張合金から形成された金属キャップ（４７）は、
上記金属基板（４２）上に配置されているチップ（４１
）、内部リード（４５）及びボンディングワイヤ（４６
）をともに被包し、低融点ガラス（４８）を介して前記
金属基板（４２）と封着される。

第４図に示す半導体パッケージ（４０）は、外部リード
（４４）にリードピンを用いているため、金属基板（４
２）の所定位置に予め貫通孔を形成しておき、高融点ガ
ラス管（４４ａ）に挿通した外部リード（４４）を貫通
孔に挿入する必要があるが、基本的な製造方法は第２図
に示す各工程においてリードフレームをリードピンに代
えるのみであり、上述の如く内部リード（４５）の形成
、ワイヤボンディング、金属キャップ（４７）の一体化
等はいずれも同様である。

第５図に示す半導体パッケージ（５０）は、特に、内部
リード（５５）としてＡｌを、外部リード（５４）にＣ
ｕまたはＣｕ合金あるいは表面にＣｕめっきした素材を
用いた場合に有効な構成であり、金属基板（５２）の高
融点ガラス（５３）の上面に内部リード（５５）を薄膜
形成したのち、該端部に、外部リード（５４）を積層載
置し、これを加熱・拡散にて一体化した構成である。

第６図ａ−ｅ図に基づいて上記半導体パッケージ（５０
）の製造方法を詳述する。

まずａ図に示す如く、低膨張合金板上面に絶縁層となる
高融点ガラス（５３）をスクリーン印刷等にて塗布した
のち、７００℃〜１０００℃の温度で焼成してこれらを
一体化し、金属基板（５２）を形成する。

第５図の構成においては、高融点ガラス（５３）を焼成
する際に外部リードを固定す・る必要がないため、低膨
張合金板に高融点ガラス板を載置したのちガラスの軟化
温度以上に加熱、加圧して一体化する方法も採用でき、
両者間に酸化膜を介在させて密着度を向上させることも
できる。

ｂ図はＡｌからなる金属薄膜配線を形成し内部リード（
５５）を設ける工程を示す。この金属薄膜の形成方法は
第２図す図にて説明した方法と同様である。

つぎにＣ図に示す如く、内部リード（５５）上にＣｕま
たはＣｕ合金あるいは表面にＣｕめっきした素材からな
る外部リード（５４）を載置したのち、加熱拡散して一
体化する。外部リード（５４）にＣｕ合金を使用する場
合は、要求される密着度を得るために少なくとも５０ｗ
ｔ％のＣｕを含有していることが必要である。

また、加熱温度は、高融点ガラスの溶融温度以下とする
ことが望ましく、しかも十分な拡散を実現するためには
、通常Ｎ２雰囲気、Ｈ２雰囲気等で５３０℃〜６００℃
の範囲で選定することが望ましい。

つぎにｄ図に示す如く、上記金属基板（５２）上面中央
部にチップ（５１）を、ろう材や接着材等で固着したの
ち、内部リード（５５）とチップ（５１）をＡｌ、　Ａ
ｕ等のボンディングワイヤ（５６）にて接続する。

さらにｅ図に示す如く、低熱膨張合金からなる金属キャ
ップ（５７）を、低融点ガラス（５８）を介して前記金
属基板（５２）と一体化する。

第６図ｄ、ｅに示す工程は第２図ｃ、ｄに示す工程と同
様、封着温度等について考慮することが望ましい。

発明の効果 以上に示す如く、この発明の製造方法により得られる半
導体パッケージは基板、あるいはさらにキャップに低熱
膨張合金材を用いガラス封着するため ■機械的強度に富み、破損の危険性が極めて低くなり、
軽量化、小型化でき取扱い安くなる。

■従来のパッケージ等に比べて熱放散性が大幅に向上す
る。

■電磁気的なシールドが可能となり、外部ノイズによる
影響が低減する。

■従来のリードフレームのみを用いた構成に比べ、ワイ
ヤボンディングを行なう先端部分が高精度に形成でき、
多ピン化、小型化に大きく寄与することができる。

■Ａｌ、　Ｃｕを使用できることから、Ａｕメッキ等を
必要とせず安価であるばかりでなく電気抵抗を低減する
ことができ、使用時の発熱低減、高速応答等を可能とす
る。

実施例 態凪 一実施例として第１図に示半導体パッケージを作成した
場合を説明する。

３０ｍｍＸ長さ３０ｍｍＸ０．２ｍｍの４２Ｎｉ−６Ｃ
ｒ−Ｆｅからなる低熱膨張合金板（熱膨張係数：９５〜
１００ｘｌＯ’／℃）の上面に、露点３３℃の温潤Ｈ２
ガス中で１１５０℃に加熱して膜厚１．０−のＣｒ２Ｏ
３を主とする酸化被膜層を形成したのち、絶縁層となる
ｐｂ系高融点ガラス（熱膨張係数：９４ｘｌＯ−７／”
Ｃ）をスクリーン印刷にて塗布し、さらに８００℃にて
焼成してこれらを一体化し金属基板となした。焼成後の
高融点ガラスの厚さは０．０５ｍｍであった。

上記焼成時に、外部リードとして厚さ０．１５ｍｍの４
２Ｎｉ−Ｆｅからなるリードフレーム（熱膨張係数：５
０　ｘ　１０’　／　’Ｃ）を上面を露出させて上記金
属基板に一体化した。

次いで、内部リードとして所要形状からなるＡｌ薄膜配
線を、マスク材としてステンレス治具を用い蒸着にて形
成し、前記リードフレームの露出。

面と接続した。この時のＡｌ薄膜の厚さは１０ｐｍであ
った。

その後、チップを前記絶縁層の上面に接着剤にて固着し
、該チップとＡｌ薄膜配線をＡｌボンディングワイヤに
て接続した。

キャップには、前記金属基板と同材質の低熱膨張合金を
用い、予めＣｒ２Ｏ３膜形成熱処理を施した後、所定位
置にＰｂ系低融点ガラス（熱膨張係数：８０ｘｌＯ−７
／”Ｃ）をスクリーン印刷にて被着しておき、前記金属
基板上に載置し４５０℃にて焼成することによって金属
基板と一体化し、Ａｌ薄膜配線、リードフレームをとも
に封着部で挾持した。

この発明の半導体パッケージと第７図に示す如く、基板
、キャップともにプラスチックからなる従来の半導体パ
ッケージとを比較したところ、この発明の半導体パッケ
ージの熱放散性が３５〜５０％程度向上することが確認
された。

また、電磁気的なシールド効果により外部ノイズによる
影響が低減されることも確認した。

去静旦壌 外部リードとして０．１５ｍｍの２９Ｎｉ−１６Ｃｏ−
Ｆｅからなるリードフレーム（熱膨張係数：５０ｘｌＯ
’／　’Ｃ）に３．５ｐｍ厚みのＣｕめっきしたリード
フレームを用い、第５図に示す半導体パッケージを作成
した。

金属基板を構成する低熱膨張合金板、高融点ガラスの材
質、被覆方法、Ａｌ金属薄膜からなる内部リードの製造
方法、金属キャップを構成する低熱膨張合金の材質、低
融点ガラスの材質、焼成方法等はいずれも実施例１と同
様とした。

ただし、上記ＣｕめっきしたリードフレームはＡｌ金属
薄膜配線の一端部に載置し、Ｎ２雰囲気中にて５５０℃
に加熱することによって一体化した。

得られた半導体パッケージも実施例１と同様の効果を示
していた。

【図面の簡単な説明】

第１図ａ、ｂ、第３図、第４図及び第５図はこの発明方
法によって製造された半導体パッケージの一実施例を示
す縦断説明図である。 第２図ａ−ｄ、第６図ａ−ｅはこの発明の製造工程の一
実施例を示す半導体パッケージの部分縦断説明図である
。 第７図は従来のプラスチックパッケージの縦断面説明図
である。 １Ｇ、２０，３０，４０，５０・・・半導体パッケージ
、１１．２１，３１，４１，５１・・・チップ、１２．
２２，３２，４２，５２・・・金属基板、１３．２３，
３３，４３，５３・・・高融点ガラス、１４．２４，３
４，４４，５４・・・外部リード、１５．２５，３５，
４５，５５・・・内部リード、１６．２６，３６，４６
．５６・・・ボンディングワイヤ、１７．２７．３７，
４７．５７・・・金属キャップ、１８．２８，３８，４
８，５８・・・低融点ガラス。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 基板上面に半導体チップを載置し内部リードと外部リー
   ドを配設してキャップで封着した半導体パッケージの製
   造方法において、 金属基板となる低熱膨張合金板面の少なくとも封着部、
   内外リード部材の配設部に絶縁層となる高融点ガラスを
   塗布した後、焼成して金属基板を形成する際に、該高融
   点ガラス焼成時に、外部リードの端部表面を高融点ガラ
   スから露出させて配置し、金属基板に一体化し、 前記金属基板上面に内部リードとなるＡｌまたはＣｕか
   らなる金属薄膜を前記外部リード部材露出部と接続させ
   て被着し、 金属基板面に半導体チップを固着し該チップと内部リー
   ドをワイヤーボンディングし、 少なくとも前記半導体チップを被包するキャップを低融
   点ガラスを介して前記金属基板と一体化することを特徴
   とする半導体パッケージの製造方法。 ２ 基板上面に半導体チップを載置し内部リードと外部リー
   ドを配設してキャップで封着した半導体パッケージの製
   造方法において、 金属基板となる低熱膨張合金板面の少なくとも封着部、
   内リード部材の配設部に絶縁層となる高融点ガラスを塗
   布した後、焼成して金属基板を形成し、 金属基板上面に内部リードとなるＡｌからなる金属薄膜
   を被着し、 該内部リードの一端部に、ＣｕまたはＣｕ合金あるいは
   表面にＣｕめっきした外部リード部材の一端部を載置し
   たのち、加熱、拡散して固着し、 金属基板面に半導体チップを固着し該チップと内部リー
   ドをワイヤーボンディングし、 少なくとも前記半導体チップを被包するキャップを低融
   点ガラスを介して前記金属基板と一体化することを特徴
   とする半導体パッケージの製造方法。