JPH023043A - 露光焦点の検査方法 - Google Patents
露光焦点の検査方法Info
- Publication number
- JPH023043A JPH023043A JP63152627A JP15262788A JPH023043A JP H023043 A JPH023043 A JP H023043A JP 63152627 A JP63152627 A JP 63152627A JP 15262788 A JP15262788 A JP 15262788A JP H023043 A JPH023043 A JP H023043A
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- JP
- Japan
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- line width
- appropriate
- exposure
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- focal point
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Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、フォトリソグラフィ分野において露光が適正
焦点であるかどうかを検査するための検査用マークに関
するものである。
焦点であるかどうかを検査するための検査用マークに関
するものである。
〈従来の技術〉
フォトリソグラフィ技術を用いてウェハに微細パターン
を形成する場合、露光時の焦点が適正であることが製品
の品質を安定させる重要なポイントである。
を形成する場合、露光時の焦点が適正であることが製品
の品質を安定させる重要なポイントである。
〈発明が解決しようとする課題〉
従来、適正焦点を定める方法として、予しめ種々の焦点
距離でサンプルとなるウェハ上にパターンを露光し、露
光画像の線幅変化率が最も小さいときの焦点距離を適正
焦点とする方法が用いられていた。しかしながら、この
方法においては、適正焦点を定めるのに長時間を要し、
また、実デバイスに対して全てこの焦点距離が適正であ
るかどうか確認が困難である等の問題があった。
距離でサンプルとなるウェハ上にパターンを露光し、露
光画像の線幅変化率が最も小さいときの焦点距離を適正
焦点とする方法が用いられていた。しかしながら、この
方法においては、適正焦点を定めるのに長時間を要し、
また、実デバイスに対して全てこの焦点距離が適正であ
るかどうか確認が困難である等の問題があった。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目
的は、実デバイス上において適正焦点であるかどうかを
簡単に検査できるようにした検査用マークを提供するこ
とである。
的は、実デバイス上において適正焦点であるかどうかを
簡単に検査できるようにした検査用マークを提供するこ
とである。
〈課題を解決するための手段〉
上記目的を達成するために本発明においては、三角形の
マークがホトマスクに形成された構成である。
マークがホトマスクに形成された構成である。
く作用〉
三角形のエツジ部分では、露光の焦点距離が適正である
か否かによって線幅変化率の変動が著しい。したがって
、この線幅変化率の変動から、適正焦点であるかどうか
を実デバイス上で容易に確認できる。
か否かによって線幅変化率の変動が著しい。したがって
、この線幅変化率の変動から、適正焦点であるかどうか
を実デバイス上で容易に確認できる。
〈実施例〉
第1図はホトマスクに形成される検査用マークの形状を
示しており、直角三角形の各辺の長さは2〜3μm程度
、直角以外の2つの内角はともに45度である。
示しており、直角三角形の各辺の長さは2〜3μm程度
、直角以外の2つの内角はともに45度である。
この検査用マーク1の角度が45度である2箇所のエツ
ジ部分2.3においては、露光時の焦点の変化による線
幅変化率の変動は著しく、第2図に示すように、適正焦
点において線幅は最も小さく、焦点がずれると線幅は大
きくなる。第3図はこの線幅変化率の変動を図式的に示
したものであり、(alは適正焦点の場合、(blは焦
点がずれた場合を示している。
ジ部分2.3においては、露光時の焦点の変化による線
幅変化率の変動は著しく、第2図に示すように、適正焦
点において線幅は最も小さく、焦点がずれると線幅は大
きくなる。第3図はこの線幅変化率の変動を図式的に示
したものであり、(alは適正焦点の場合、(blは焦
点がずれた場合を示している。
このように検査用マーク1のエツジ部分2,3において
は、光が入りにくいことがら、焦点がずれて光が斜め方
向から入る場合には線幅は著しく変化し、線幅が大きく
なるため、検査用マーク1のエツジ部分2,3がぼやけ
て45度の頂角をもった像としては観察できず、このエ
ツジ部分が丸くなった露光パターンとなる。一方、適正
焦点の場合には、このエツジ部分の露光パターンは角ば
ったものとなる。したがって、適正焦点かどうかを一目
瞭然で確認することができる。
は、光が入りにくいことがら、焦点がずれて光が斜め方
向から入る場合には線幅は著しく変化し、線幅が大きく
なるため、検査用マーク1のエツジ部分2,3がぼやけ
て45度の頂角をもった像としては観察できず、このエ
ツジ部分が丸くなった露光パターンとなる。一方、適正
焦点の場合には、このエツジ部分の露光パターンは角ば
ったものとなる。したがって、適正焦点かどうかを一目
瞭然で確認することができる。
なお、検査用マーク1の各辺の長さが2〜3μm程度と
大きいため、使用される露光波長に対して干渉などの悪
影響は生じない。
大きいため、使用される露光波長に対して干渉などの悪
影響は生じない。
〈発明の効果〉
以上説明したように本発明においてはホトマスク上に三
角形の検査用マークを設けたことにより、この三角形の
エツジ部分における線幅変化率の著しい変動から容易に
適正焦点かどうかを検査することができる。しかも、そ
れが実デバイス上で行うことができるので、製品の歩留
り向上に寄与することができる。
角形の検査用マークを設けたことにより、この三角形の
エツジ部分における線幅変化率の著しい変動から容易に
適正焦点かどうかを検査することができる。しかも、そ
れが実デバイス上で行うことができるので、製品の歩留
り向上に寄与することができる。
第1図は本発明実施例の検査用マークの形状を示す図、
第2図は本発明実施例の露光パターンの線幅と焦点距離
との関係を示す図、 第3図は本発明実施例の線幅変化率を図式的に示す図で
ある。 1・・・・検査用マーク 2.3・・エツジ部分 第2図 第3図
との関係を示す図、 第3図は本発明実施例の線幅変化率を図式的に示す図で
ある。 1・・・・検査用マーク 2.3・・エツジ部分 第2図 第3図
Claims (1)
- 微細パターンをウェハ上に露光するのに用いるホトマス
クに形成された三角形のマークからなる露光の適正焦点
を検査するための検査用マーク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15262788A JPH0719046B2 (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | 露光焦点の検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15262788A JPH0719046B2 (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | 露光焦点の検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH023043A true JPH023043A (ja) | 1990-01-08 |
| JPH0719046B2 JPH0719046B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=15544518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15262788A Expired - Fee Related JPH0719046B2 (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | 露光焦点の検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0719046B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5656403A (en) * | 1996-01-30 | 1997-08-12 | United Microelectronics Corporation | Method and template for focus control in lithography process |
| US6093511A (en) * | 1994-06-30 | 2000-07-25 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing semiconductor device |
| DE102020120458B3 (de) | 2020-08-03 | 2021-11-18 | Audi Aktiengesellschaft | Kraftfahrzeug sowie Verfahren zum Betreiben eines Kraftfahrzeugs |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56138739A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-29 | Fujitsu Ltd | Exposure mask |
| JPS63141312A (ja) * | 1986-12-03 | 1988-06-13 | Fujitsu Ltd | レジストパタ−ン検査方法 |
-
1988
- 1988-06-20 JP JP15262788A patent/JPH0719046B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56138739A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-29 | Fujitsu Ltd | Exposure mask |
| JPS63141312A (ja) * | 1986-12-03 | 1988-06-13 | Fujitsu Ltd | レジストパタ−ン検査方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6093511A (en) * | 1994-06-30 | 2000-07-25 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing semiconductor device |
| US5656403A (en) * | 1996-01-30 | 1997-08-12 | United Microelectronics Corporation | Method and template for focus control in lithography process |
| DE102020120458B3 (de) | 2020-08-03 | 2021-11-18 | Audi Aktiengesellschaft | Kraftfahrzeug sowie Verfahren zum Betreiben eines Kraftfahrzeugs |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0719046B2 (ja) | 1995-03-06 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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