JPH0719046B2 - 露光焦点の検査方法 - Google Patents
露光焦点の検査方法Info
- Publication number
- JPH0719046B2 JPH0719046B2 JP15262788A JP15262788A JPH0719046B2 JP H0719046 B2 JPH0719046 B2 JP H0719046B2 JP 15262788 A JP15262788 A JP 15262788A JP 15262788 A JP15262788 A JP 15262788A JP H0719046 B2 JPH0719046 B2 JP H0719046B2
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- JP
- Japan
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- exposure
- focus
- mark
- line width
- inspection
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- Expired - Fee Related
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は、フォトリソグラフィ工程において使用される
露光が、適正な焦点であるかどうかを判断するための検
査方法に関する。
露光が、適正な焦点であるかどうかを判断するための検
査方法に関する。
＜従来の技術＞ フォトリソグラフィ技術を用いてウエハに微細パターン
を形成する場合、露光時の焦点が適正であることが製品
の品質を安定させる重要なポイントである。
を形成する場合、露光時の焦点が適正であることが製品
の品質を安定させる重要なポイントである。
従来、適正焦点を定める方法として、予め種々の焦点距
離でサンプルとなるウエハ上にパターンを露光し、露光
画像の線幅変化率が最も小さいときの焦点距離を適正焦
点とする方法が用いられていた。
離でサンプルとなるウエハ上にパターンを露光し、露光
画像の線幅変化率が最も小さいときの焦点距離を適正焦
点とする方法が用いられていた。
＜発明が解決しようとする課題＞ ところで、上記の従来の方法では、適正焦点を定めるの
に長時間を要し、また、実デバイスに対して全てこの焦
点距離が適正であるかどうか確認が困難であるなどの問
題があった。
に長時間を要し、また、実デバイスに対して全てこの焦
点距離が適正であるかどうか確認が困難であるなどの問
題があった。
本発明はこれらの問題点を解決するためになされたもの
で、実デバイス上において適正焦点であるか否かを簡単
に検査することができる露光焦点の検査方法を提供する
ことを目的とする。
で、実デバイス上において適正焦点であるか否かを簡単
に検査することができる露光焦点の検査方法を提供する
ことを目的とする。
＜課題を解決するための手段＞ 上記の目的を達成するために、本発明の露光焦点の検査
方法は、フォトリソグラフィ工程において、三角形のマ
ークをホトマスクに形成し、そのマークをウエハ上に転
写し、その転写されたマークのエッジの線幅変化率が最
も小さいときの焦点距離を適正な焦点と判断することに
よって特徴付けられる。
方法は、フォトリソグラフィ工程において、三角形のマ
ークをホトマスクに形成し、そのマークをウエハ上に転
写し、その転写されたマークのエッジの線幅変化率が最
も小さいときの焦点距離を適正な焦点と判断することに
よって特徴付けられる。
＜作用＞ 三角形のマークのエッジ部分では、露光の焦点が適正で
あるか否かによって線幅変化率の変動が著しい。つま
り、三角形のマークのエッジ部分には光りがはいりにく
いことから、焦点がずれて光が斜め方向から入る場合に
は、線幅変化率が著しく変化し、エッジ部分の露光画像
はぼやけたものとなり、エッジ部分が丸くなった露光画
像となる。一方、焦点が適正な場合には、線幅変化率が
小さく、エッジ部分が有する角度の露光画像となる。
あるか否かによって線幅変化率の変動が著しい。つま
り、三角形のマークのエッジ部分には光りがはいりにく
いことから、焦点がずれて光が斜め方向から入る場合に
は、線幅変化率が著しく変化し、エッジ部分の露光画像
はぼやけたものとなり、エッジ部分が丸くなった露光画
像となる。一方、焦点が適正な場合には、線幅変化率が
小さく、エッジ部分が有する角度の露光画像となる。
これらの露光画像は目視によって、判断することができ
る。
る。
＜実施例＞ 本発明実施例について、以下図面を参照しながら説明す
る。
る。
第１図は、ホトマスクに形成される検査用マークの形状
を示す図である。
を示す図である。
この検査用マーク１は直角三角形をなし、各辺の長さは
２〜３μｍ程度、直角以外の２つの内角はともに45度で
ある。
２〜３μｍ程度、直角以外の２つの内角はともに45度で
ある。
この検査用マーク１をホトマスクに形成し、その検査用
マーク１をウエハ上に転写し、その転写された検査用マ
ーク１のエッジ部分2,3の露光画像の線幅変化率が最も
小さいときの焦点距離を適正な焦点と判断するものであ
る。
マーク１をウエハ上に転写し、その転写された検査用マ
ーク１のエッジ部分2,3の露光画像の線幅変化率が最も
小さいときの焦点距離を適正な焦点と判断するものであ
る。
この方法は次の原理によるものである。
この検査用マーク１の45度の角度を有する２箇所のエッ
ジ部分2,3においては、露光時の焦点の変化による線幅
変化率の変動は著しい。第２図はこの露光パターンの線
幅と焦点距離との関係を示す図である。図に示すよう
に、適正焦点においては線幅は最も小さいのに対し、焦
点がずれると線幅は大きくなる。このように、線幅変化
率の変動を著しく受ける検査用マーク１のエッジ部分の
露光パターンを目視すれば、焦点距離が適正か否かが判
断できる。
ジ部分2,3においては、露光時の焦点の変化による線幅
変化率の変動は著しい。第２図はこの露光パターンの線
幅と焦点距離との関係を示す図である。図に示すよう
に、適正焦点においては線幅は最も小さいのに対し、焦
点がずれると線幅は大きくなる。このように、線幅変化
率の変動を著しく受ける検査用マーク１のエッジ部分の
露光パターンを目視すれば、焦点距離が適正か否かが判
断できる。
第３図はこの線幅変化率の変動を図式的に示したもので
ある。同図（ａ）は適正焦点の場合、（ｂ）は焦点がず
れた場合についてそれぞれ示したものである。
ある。同図（ａ）は適正焦点の場合、（ｂ）は焦点がず
れた場合についてそれぞれ示したものである。
図に示すように、検査用マーク１のエッジ部分2,3にお
いては、光が入りにくいことから、焦点がずれて光が斜
め方向から入る場合には線幅は著しく変化し、線幅が大
きくなるため、検査用マーク１のエッジ部分2,3がぼや
けて45度の頂角をもった像としては観察できず、このエ
ッジ部分が丸くなった露光パターンとなる。一方、適正
焦点の場合には、このエッジ部分の露光パターンは角ば
ったものとなる。
いては、光が入りにくいことから、焦点がずれて光が斜
め方向から入る場合には線幅は著しく変化し、線幅が大
きくなるため、検査用マーク１のエッジ部分2,3がぼや
けて45度の頂角をもった像としては観察できず、このエ
ッジ部分が丸くなった露光パターンとなる。一方、適正
焦点の場合には、このエッジ部分の露光パターンは角ば
ったものとなる。
このように、検査用マーク１のエッジ部分2,3の露光パ
ターンを目視することにより、露光の焦点距離が適正か
否かを、一目瞭然で判断することができる。
ターンを目視することにより、露光の焦点距離が適正か
否かを、一目瞭然で判断することができる。
なお、検査用マーク１の各辺の長さが２〜３μｍ程度と
大きいため、使用される露光波長に対して干渉などの悪
影響は生じない。
大きいため、使用される露光波長に対して干渉などの悪
影響は生じない。
＜発明の効果＞ 以上説明したように、本発明の露光焦点の検査方法によ
れば、三角形のマークをホトマスクに形成し、そのマー
クをウエハ上に転写し、その転写されたマークのエッジ
の線幅変化率が最も小さいときの焦点距離を適正な焦点
と判断するように構成したので、目視によって簡単に露
光焦点が適正か否かの判断ができる。しかも、その検査
は実デバイス上で行うことができるので、製品の歩留り
向上に寄与することができる。
れば、三角形のマークをホトマスクに形成し、そのマー
クをウエハ上に転写し、その転写されたマークのエッジ
の線幅変化率が最も小さいときの焦点距離を適正な焦点
と判断するように構成したので、目視によって簡単に露
光焦点が適正か否かの判断ができる。しかも、その検査
は実デバイス上で行うことができるので、製品の歩留り
向上に寄与することができる。
第１図は本発明実施例に適用される検査用マークの形状
を示す図、 第２図は本発明実施例の原理を説明するための図、 第３図は本発明実施例の作用を説明するための図であ
る。 １……検査用マーク 2,3……エッジ部分
を示す図、 第２図は本発明実施例の原理を説明するための図、 第３図は本発明実施例の作用を説明するための図であ
る。 １……検査用マーク 2,3……エッジ部分
Claims (1)
- 【請求項１】微細パターンをウエハ上に露光するフォト
リソグラフィ工程において使用される露光の適正な焦点
を定める方法であって、三角形のマークをホトマスクに
形成し、そのマークを上記ウエハ上に転写し、その転写
されたマークのエッジの線幅変化率が最も小さいときの
焦点距離を適正な焦点と判断することを特徴とする露光
焦点の検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15262788A JPH0719046B2 (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | 露光焦点の検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15262788A JPH0719046B2 (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | 露光焦点の検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH023043A JPH023043A (ja) | 1990-01-08 |
| JPH0719046B2 true JPH0719046B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=15544518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15262788A Expired - Fee Related JPH0719046B2 (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | 露光焦点の検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0719046B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0815854A (ja) * | 1994-06-30 | 1996-01-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US5656403A (en) * | 1996-01-30 | 1997-08-12 | United Microelectronics Corporation | Method and template for focus control in lithography process |
| DE102020120458B3 (de) | 2020-08-03 | 2021-11-18 | Audi Aktiengesellschaft | Kraftfahrzeug sowie Verfahren zum Betreiben eines Kraftfahrzeugs |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56138739A (en) * | 1980-03-31 | 1981-10-29 | Fujitsu Ltd | Exposure mask |
| JPS63141312A (ja) * | 1986-12-03 | 1988-06-13 | Fujitsu Ltd | レジストパタ−ン検査方法 |
-
1988
- 1988-06-20 JP JP15262788A patent/JPH0719046B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH023043A (ja) | 1990-01-08 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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